本發(fā)明涉及一種線纜，特別是一種光纖線纜。

背景技術(shù)：

光纖線纜是一種通信電纜，是新一代的傳輸介質(zhì)，與銅質(zhì)介質(zhì)相比，光纖無論是在安全性、可靠性還是網(wǎng)絡(luò)性能方面都有了很大的提高。除此之外，光纖傳輸?shù)膸挻蟠蟪鲢~質(zhì)線纜，而且其支持的最大連接距離達兩公里以上，是組建較大規(guī)模網(wǎng)絡(luò)的必然選擇。隨著現(xiàn)代網(wǎng)絡(luò)速度不斷提升，現(xiàn)有的光纖線纜傳輸速度較慢，已經(jīng)不能夠滿足高速網(wǎng)絡(luò)的通信需求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的發(fā)明目的在于：針對上述存在的問題，提供一種能夠?qū)⑽唇?jīng)校正的電磁波直接用于可見光通信，節(jié)省能源，當光纖傳輸時，能夠?qū)鬏敼膺M行增益，數(shù)據(jù)傳輸速度能夠達到2GB/s的光纖線纜。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明的一種光纖線纜，包括由內(nèi)至外的中心芯，第一光纖層和第二光纖層，所述中心芯，第一光纖層和第二光纖層呈同心環(huán)狀排列，所述第一光纖層和第二光纖層內(nèi)均布有若干光纖簇，兩兩所述光纖簇之間具有一定的間隙，所述第二光纖層的光纖簇與第一光纖層的光纖簇呈交錯排列，每一個所述光纖簇由3根光纖線組成。

由于采用了上述技術(shù)方案，將光線簇交錯分隔開，避免在傳輸過程中，光纖線之間產(chǎn)生干擾。

本發(fā)明的一種光纖線纜，所述中心芯外表面包裹有增益層，所述增益層外表面包裹有導(dǎo)體屏蔽層。

由于采用了上述技術(shù)方案，增益層能夠屏蔽電磁場和電磁輻射對光纖通信傳輸?shù)挠绊?，保證光纖線纜傳輸?shù)男屎唾|(zhì)量。

本發(fā)明的一種光纖線纜，所述增益層為Au/NiCr/Ta多層金屬膜，所述Au/NiCr/Ta多層金屬膜通過磁控濺射鍍于中心芯外表面，所述Ta的濺射厚度為50 nm、所述的濺射厚度NiCr為50 nm，所述Au的濺射厚度為500 nm，所述導(dǎo)體屏蔽層的厚度為0.4mm。

由于采用了上述技術(shù)方案，多層金屬膜的參與應(yīng)力維持在150~400MPa，且隨集體溫度變化不大，能夠?qū)﹄姶艌龊碗姶泡椛渚哂休^好的屏蔽效應(yīng)，同時能夠抵消其光纖線纜自身由光纖簇對光傳輸增強來帶的磁場效應(yīng)。

本發(fā)明的一種光纖線纜，所述光纖簇外表面包裹有松套管，所述光纖線和松套管之間填充有增益介質(zhì)。

由于采用了上述技術(shù)方案，能夠在藍光傳輸過程中，增益介質(zhì)能夠在光線在光纖線中折射傳輸過程中，增加折射率差距并對折射起到增益的作用，減小在折射過程中能量損耗。

本發(fā)明的一種光纖線纜，所述第一光纖層和第二光纖層之間設(shè)有間隔條，所述第一光纖層和第二光纖層內(nèi)均填充有增益凝膠。

由于采用了上述技術(shù)方案，通過間隔條將兩光線層有效的分隔開，增益凝膠能夠?qū)⒐饫w簇固定保持住彼此之間的間隙，同時能夠避免光纖線傳輸?shù)倪^程中漏光，影響傳輸效率。

本發(fā)明的一種光纖線纜，所述增益介質(zhì)由質(zhì)量份27份NaZnPO₄，5份ZnO，53份交聯(lián)聚乙烯和12份BaF₂組成，所述ZnO具有亞微米釘狀結(jié)構(gòu)，所述釘狀結(jié)構(gòu)的桿部直徑為200~400nm，所述底座直徑為400nm，所述增益凝膠由質(zhì)量份37份[C₂H₃Si（NCN）_1.5]_n-3nMeSi₃Cl凝膠，10份Na₂O，7份B₂O₃，17份SiO₂，和3份NaZnPO₄組成。

由于采用了上述技術(shù)方案，增益介質(zhì)的增益效果明顯，折射率較光纖線晶體的差距較大，能夠保證良好的傳輸效果。增益凝膠的在溫度變化較大的范圍內(nèi)能夠保持穩(wěn)定的性能，同時能夠在一定程度上保證光纖線傳輸數(shù)據(jù)不會遺漏，保證傳輸質(zhì)量。

本發(fā)明的一種光纖線纜，所述第二光纖層外表面包裹有線纜包衣，所述線纜包衣包括外護套，所述外護套內(nèi)表面涂有阻水涂料層。

由于采用了上述技術(shù)方案，阻水涂料能夠保證光纖線穩(wěn)定的工作狀態(tài)。

本發(fā)明的一種光纖線纜，所述阻水涂料層由質(zhì)量份23份氧化錫和水性聚氨酯組成。

由于采用了上述技術(shù)方案，添加氧化錫能夠進一步增加其防水性能，同時能夠增加阻燃性能。

本發(fā)明的一種光纖線纜，所述光纖線由納米晶體材料制成，所述納米晶體材料由質(zhì)量份3份CsBr，1份TmBr₃，3份PbBr₂組成三元體系后結(jié)晶得到。

由于采用了上述技術(shù)方案，采用該晶體制成的光纖線能夠在短時間內(nèi)呈現(xiàn)出瞬態(tài)光學(xué)進程，能夠調(diào)制高達430兆赫的光輻射，結(jié)合表面的熒光層，對光傳輸進行增益，能夠使得數(shù)據(jù)傳輸速度達到2DB/s，遠遠超過現(xiàn)有的光纖線纜，滿足高速網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)男枨蟆?/p>

本發(fā)明的一種光纖線纜，所述光纖線外表面涂有熒光層，所述熒光層由質(zhì)量份3份β-C₃N₄，3份α-Si₃N₄和8份ZnMoO₄:Ce⁴⁺組成。

由于采用了上述技術(shù)方案，光在熒光物質(zhì)之間產(chǎn)生震蕩，從而對傳輸進行增益。

綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明的有益效果是：

1、能夠?qū)⑽唇?jīng)校正的電磁波直接用于可見光通信，節(jié)省能源，當光纖傳輸時，能夠?qū)鬏敼膺M行增益，數(shù)據(jù)傳輸速度能夠達到2GB/s。

2、折射率較光纖線晶體的差距較大，能夠保證良好的傳輸效果。增益凝膠的在溫度變化較大的范圍內(nèi)能夠保持穩(wěn)定的性能，同時能夠在一定程度上保證光纖線傳輸數(shù)據(jù)不會遺漏，保證傳輸質(zhì)量。

附圖說明

圖1是一種光纖線纜的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中標記：1為中心芯，2為增益層，3為屏蔽層，4為光纖簇，5為增益凝膠，6為間隔條，7為線纜包衣，8為增益介質(zhì)。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明作詳細的說明。

為了使發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

實施例1

如圖1所示，一種光纖線纜，包括由內(nèi)至外的中心芯1，第一光纖層和第二光纖層，中心芯1，第一光纖層和第二光纖層呈同心環(huán)狀排列，第一光纖層和第二光纖層內(nèi)均布有若干光纖簇4，兩兩光纖簇4之間具有一定的間隙，第二光纖層的光纖簇與第一光纖層的光纖簇呈交錯排列，每一個所述光纖簇4由3根光纖線組成。

中心芯1外表面包裹有增益層2，增益層2外表面包裹有導(dǎo)體屏蔽層3。增益層2為Au/NiCr/Ta多層金屬膜，Au/NiCr/Ta多層金屬膜通過磁控濺射鍍于中心芯1外表面，Ta的濺射厚度為50 nm、的濺射厚度NiCr為50 nm，Au的濺射厚度為500 nm，導(dǎo)體屏蔽層3的厚度為0.4mm。光纖簇4外表面包裹有松套管，光纖線和松套管之間填充有增益介質(zhì)8。第一光纖層和第二光纖層之間設(shè)有間隔條6，第一光纖層和第二光纖層內(nèi)均填充有增益凝膠5。增益介質(zhì)8由質(zhì)量份27份NaZnPO₄，5份ZnO，53份交聯(lián)聚乙烯和12份BaF₂組成，ZnO具有亞微米釘狀結(jié)構(gòu)，釘狀結(jié)構(gòu)的桿部直徑為200~400nm，底座直徑為400nm，增益凝膠5由質(zhì)量份37份[C₂H₃Si（NCN）_1.5]_n-3nMeSi₃Cl凝膠，10份Na₂O，7份B₂O₃，17份SiO₂，和3份NaZnPO₄組成。第二光纖層外表面包裹有線纜包衣7，線纜包衣7包括外護套，外護套內(nèi)表面涂有阻水涂料層。阻水涂料層由質(zhì)量份23份氧化錫和水性聚氨酯組成。光纖線由納米晶體材料制成，納米晶體材料由質(zhì)量份3份CsBr，1份TmBr₃，3份PbBr₂組成三元體系后結(jié)晶得到。光纖線外表面涂有熒光層，熒光層由質(zhì)量份3份β-C₃N₄，3份α-Si₃N₄和8份ZnMoO₄:Ce⁴⁺組成。

實施例2

NaZnPO₄的制備方法如下：

稱取Zn(NO₃)₂·6H₂O 28.7569(0.10mol)，將其置于燒杯中并用蒸餾水溶解，放入超聲振蕩儀中振蕩分散均勻后，用10mL的量筒量取10mL的H₃PO₄，然后將H₃PO₄加入到振蕩溶液中，且充分攪拌約10min直到溶液變澄清為止，然后向其中加入約21.29(0.20mol)的無水Na₂CO₃，與之混合，將溶液置于溫度為70℃的水浴箱中加熱攪拌1.5h，靜置沉淀，過濾后，置于干燥箱中于80℃下干燥1h，將干燥所得粉末置于電阻爐中在400～500℃下進行熱處理，并保溫2 h后得產(chǎn)物。

實施例3

ZnO的制備方法如下：

將作為襯底的Si在丙酮中超聲2h，然后用去離子水沖洗晾干。將純度為99.99%的ZnS和C粉按照摩爾比1：1均勻混合后放在氧化鋁瓷舟中，然后置于管式爐中部，整個密閉系統(tǒng)抽真空到100 Pa后，通入高純氬，保持3以后，整個爐體以18℃/min的速度加熱到900℃，氬氣流速恒定在loo mL/min。接著爐子在900℃保溫1 h，反應(yīng)過程中爐內(nèi)壓強保持在0.05MPa。冷卻后，在硅襯底表面得到產(chǎn)物。

實施例4

[C₂H₃Si（NCN）_1.5]_n-3nMeSi₃Cl凝膠的制備方法如下：

將雙氰胺和六甲基二硅氮烷按照摩爾比1：1，以甲苯作為溶劑，在氬氣作為保護氣體的條件下，在164℃攪拌反應(yīng)合成雙（三甲基硅烷）碳化二亞胺。

以乙烯基三氯硅烷，雙（三甲基硅烷）碳化二亞胺為原料，吡啶作為催化劑，甲苯為溶劑，摩爾比1：1.5：。03：4，混合均勻后，在150℃、氣氛干燥8h后，在高溫真空管式爐中以氬氣為保護氣體進行熱裂解，升溫速率為5℃/min，升溫至260℃，保溫時間4h得到[C₂H₃Si（NCN）_1.5]_n-3nMeSi₃Cl凝膠。

實施例5

納米晶體材料的制備方法如下：

將Tm₃O₃加入到少過量的氫溴酸中，緩慢蒸發(fā)濃縮，降溫, 抽濾, 固體樣品重結(jié)晶后, 用無水乙醚洗滌, 于硅膠干燥器中放置9 d后制得TmBr₃。

稱取質(zhì)量份3份CsBr，1份TmBr₃和3份PbBr₂和氫溴酸混合均勻后，常溫攪拌1d調(diào)整pH為3.1~3.4，緩慢升溫至75℃，恒溫攪拌1d后，將置于高壓條件下（>150MPa），按照7℃/s迅速冷卻至-30℃，析出晶體，在低溫下將晶體過濾，并用無水乙醚洗滌，得到納米晶體材料。

實施例6

ZnMoO₄:Ce⁴⁺的制備方法如下：

用電子天平按ZnMoO₄: Ce⁴⁺摩爾比1：1：2，分別稱取CeO₂(99.99%)、ZnO(A.R.)、MoO₃(A.R.)，然后置于瑪瑙研缽體中研磨1 h，使各原料充分混合，將混合物裝入鋼玉坩堝中袁然后置于高溫電阻爐，設(shè)置電阻爐的工作程序，將溫度設(shè)置在800℃對粉末進行煅燒2 h，隨爐冷卻后置于瑪瑙研缽中充分研磨，得到分散均勻的熒光粉。

高溫固相法反應(yīng)方程式：

xCeO₂+(1-x)ZnO+MoO₃→Zn_1-xCe_xMoO₄+x/2O₂↑

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。