本發(fā)明涉及液晶顯示裝置技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于消除靜電擊傷的陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)：
目前，液晶顯示器以高清晰度、真彩視頻顯示、外觀輕薄、耗電量少、無輻射等優(yōu)點(diǎn)而逐漸成為顯示設(shè)備發(fā)展的主流。液晶顯示器通常包括用于顯示畫面的液晶顯示面板和用于向液晶顯示面板提供信號(hào)的電路部分。液晶顯示面板又通常包括彩膜基板和陣列基板，它們通過框膠彼此粘接并由間隙隔開，而液晶材料注入到彩膜基板和陣列基板之間的空隙中。在陣列基板上面形成有多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，其中多條柵極線相互平行且以固定的間隔彼此分開，并沿著第一方向延伸，而多條數(shù)據(jù)線也相互平行且以固定的間隔彼此分開，并沿著垂直于第一方向的第二方向延伸，所述柵極線和數(shù)據(jù)線相互交叉限定出多個(gè)像素單元，在像素單元中設(shè)置有多個(gè)像素電極，以及與像素電極連接的薄膜晶體管(TFT)，所述TFT能夠根據(jù)提供給相應(yīng)的每條柵極線的信號(hào)而將來自相應(yīng)的數(shù)據(jù)線的信號(hào)發(fā)送給對(duì)應(yīng)的每個(gè)像素電極，進(jìn)而控制液晶分子的轉(zhuǎn)向。在陣列基板的制造過程中，基板的搬送、取向膜涂布以及取向摩擦等工藝流程中，常會(huì)產(chǎn)生較大的靜電，陣列基板通常采用玻璃基板，這些靜電能夠在玻璃上聚集，對(duì)陣列基板產(chǎn)生靜電損害。尤其在像素單元內(nèi)，由于數(shù)據(jù)線與柵極線或者公共線之間的距離較近，更加容易發(fā)生靜電擊傷。公開號(hào)為US6654074B1的美國專利公開了一種帶有靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)的陣列基板，其做法是在顯示區(qū)外圍設(shè)置短路棒，通過半導(dǎo)體層將數(shù)據(jù)線的靜電泄放到短路棒上。但現(xiàn)有技術(shù)中消除靜電擊傷的方法容易增大液晶顯示裝置的尺寸，并且增加了工藝的復(fù)雜性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提出一種陣列基板、液晶顯示裝置及其制造方法，能夠消除像素區(qū)內(nèi)的靜電擊傷。為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：一種陣列基板，包括基板，在基板上的多個(gè)像素區(qū)；設(shè)置在所述像素區(qū)中的像素電極；數(shù)據(jù)線，用于給相應(yīng)的所述像素電極傳送數(shù)據(jù)信號(hào)；柵極線，用于給相應(yīng)的所述像素電極傳送掃描信號(hào)；公共電極線，所述公共電極線與所述像素電極構(gòu)成存儲(chǔ)電容；薄膜晶體管，該薄膜晶體管的柵極與所述柵極線相連，該薄膜晶體管中的源極與所述數(shù)據(jù)線連接；連接線，設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線與公共電極之間，且所述數(shù)據(jù)線通過所述連接線與所述公共電極線連接在一起。進(jìn)一步地，所述連接線包括第一連接線和第二連接線，其中第一連接線的一端直接與數(shù)據(jù)線相連，另一端通過第二連接線與公共電極線連接。進(jìn)一步地，所述數(shù)據(jù)線與第二連接線采用同層材料。進(jìn)一步地，所述薄膜晶體管中還包括溝道層，該溝道層與所述第一連接線采用同層材料。進(jìn)一步地，所述第一連接線的材料為非晶硅。本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：提供一基板；在所述基板上形成柵極線和公共電極線；在所述柵極線和公共電極線上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成溝道層和第一連接線；形成薄膜晶體管的源漏極、第二連接線以及與薄膜晶體管的源極連接的數(shù)據(jù)線，其中，所述數(shù)據(jù)線通過所述第一連接線和第二連接線與所述公共電極線連接在一起；形成保護(hù)層；在所述保護(hù)層上形成像素電極層。進(jìn)一步地，所述第一連接線的材料為非晶硅。進(jìn)一步地，所述柵絕緣膜上形成溝道層和第一連接線的步驟包括：在柵絕緣膜上形成非晶硅層，圖案化所述非晶硅層，形成薄膜晶體管的溝道層和第一連接線。進(jìn)一步地，形成薄膜晶體管的源漏極、第二連接線以及與薄膜晶體管的源極連接的數(shù)據(jù)線，其中，所述數(shù)據(jù)線通過所述第一連接線和第二連接線與所述公共電極線連接在一起的步驟還包括：在所述公共電極線上的柵極絕緣膜中形成接觸孔開口，之后形成第二連接線，所述第二連接線通過接觸孔連接所述公共電極線與所述第一連接線。進(jìn)一步地，所述形成第二連接線的步驟還包括：在溝道層上形成第二金屬層，圖案化所述第二金屬層，形成所述數(shù)據(jù)線、薄膜晶管的源漏極以及連接公共電極線與第一連接線的第二連接線。進(jìn)一步地，在所述基板上形成柵極線和公共電極線的步驟還包括：在所述基板上形成第一金屬層，圖案化所述第一金屬層，形成柵極線和公共電極線。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于能夠有效地消除數(shù)據(jù)線與公共電極線之間的靜電擊傷，并且不增加工藝的復(fù)雜度。附圖說明圖1是本發(fā)明具體實(shí)施方式1提供的陣列基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2是本發(fā)明具體實(shí)施方式1提供的陣列基板結(jié)構(gòu)的截面示意圖。圖3-10順序地示出了本發(fā)明具體實(shí)施方式2中各步驟中陣列基板結(jié)構(gòu)的截面示意圖。圖中的附圖標(biāo)記所分別指代的技術(shù)特征為：1、柵極線；2、柵絕緣膜；3、漏極；4、源極；5、溝道層；6、第一連接線；7、第二連接線；8、公共電極線；9、像素電極；10、基板；11、保護(hù)層；12、第一金屬層；13、非晶硅層；14、接觸孔；15、第二金屬層；21、數(shù)據(jù)線。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。具體實(shí)施例一：本實(shí)施例提供了一種陣列基板。圖1為本實(shí)施例的陣列基板結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2為本發(fā)明的陣列基板結(jié)構(gòu)沿A-A’的截面圖。圖1示例性地示出了由交叉的柵極線1和數(shù)據(jù)線21限制出的像素區(qū)，在像素區(qū)中具有像素電極9和公共電極線8，其中數(shù)據(jù)線21用于給相應(yīng)的所述像素電極9傳送數(shù)據(jù)信號(hào)；柵極線1用于給相應(yīng)的所述像素電極9傳送掃描信號(hào)；在陣列基板上還有多個(gè)這樣的像素區(qū)(未圖示)。在公共電極線8和數(shù)據(jù)線21之間具有連接線，所述連接線包括第一連接線6和第二連接線7。其中，第一連接線6具體為設(shè)置于柵極線1與公共電極線8之間的條形結(jié)構(gòu)，且與公共電極線8平行，第一連接線6的一端與數(shù)據(jù)線直接相連，另一端通過第二連接線7與公共電極線8相連，第二連接線7具體為垂直于公共電極線的條形結(jié)構(gòu)。這樣，數(shù)據(jù)線21通過連接線與公共電極線8連接在一起，在高電壓下可以使靜電緩慢釋放，消除數(shù)據(jù)線和公共電極線之間的靜電擊傷。上述第一連接線6和第二連接線7除條形結(jié)構(gòu)外還可以是沿任意方向設(shè)置的其他形狀。接下來結(jié)合圖2對(duì)陣列基板進(jìn)行更加詳細(xì)的描述，如圖2所示，本發(fā)明的陣列基板包括基板10，該基板為玻璃基板，在基板10上的柵極線1、公共電極線8(也就是存儲(chǔ)電容電極)和薄膜晶體管的柵極(也就是柵極線1的一部分)。在柵極線1和公共電極線8上具有柵絕緣膜2，溝道層5設(shè)置在柵絕緣膜2上，所述溝道層5的材料為非晶硅，覆蓋所述部分溝道層5的源極4和漏極3，源極4與數(shù)據(jù)線21相連(如圖1所示，圖2中未示出數(shù)據(jù)線21)，所述柵極、源極4、漏極3和溝道層5共同構(gòu)成了陣列基板上的薄膜晶體管。在柵絕緣膜2上還具有連接數(shù)據(jù)線21和第二連接線7的第一連接線6，第一連接線6的一端與數(shù)據(jù)線21直接相連，在公共電極線8上的柵絕緣膜2中具有接觸孔，第二連接線通過接觸孔與公共電極線8連接在一起。這樣，所述第二連接線7和第一連接線6將數(shù)據(jù)線21和公共電極線8連接在一起。在優(yōu)選的情況下，所述第一連接線6的材料為非晶硅，這樣與溝道層5的材料相同，第一連接線6和溝道層5可以采用同層材料。同樣在優(yōu)選的情況下，使第二連接線7的材料與源極4、漏極3材料相同，第二連接線7與源極4、漏極3可以采用同層制作，不增加工藝的復(fù)雜性。具體實(shí)施例二：本實(shí)施例提供了具體實(shí)施例一中陣列基板的制造方法。圖3-10為各工序制造出的陣列基板結(jié)構(gòu)的截面圖。如圖3所示，首先在基板10上采用反應(yīng)濺射，化學(xué)氣相沉積等方法淀積一層第一金屬層12，所述第一金屬層12的材料為鋁、鈦、鉬等。對(duì)第一金屬層12進(jìn)行圖案化處理，所述圖案化處理包括涂覆光刻膠，曝光，顯影，濕刻或干刻第一金屬層，剝離光刻膠等常規(guī)工藝。對(duì)所述第一金屬層12進(jìn)行圖案化處理得到了薄膜晶體管的柵極和公共電極線8，如圖4所示。接著在基板10上形成完全覆蓋柵極和公共電極線8的柵絕緣膜2，如圖5所示，所述柵絕緣膜的材料為氮化硅(SiNx),氧化硅(SiOx)、氧化鋁(Al2O3)中的任一種或兩種。然后，在柵絕緣膜2上形成半導(dǎo)體層，即非晶硅層13，如圖6所示。對(duì)非晶硅層13進(jìn)行圖案化處理，所述圖案化處理同樣包括涂覆光刻膠，曝光，顯影，濕刻或干刻?hào)沤^緣膜，剝離光刻膠等常規(guī)工藝。得到薄膜晶體管的溝道層5和第一連接線6，如圖7所示。接著，對(duì)公共電極線8上的柵絕緣膜2進(jìn)行圖案化處理，形成接觸孔14，暴露出部分公共電極線8，如圖8所示。形成覆蓋柵絕緣膜2、溝道層5、第一連接線6、接觸孔14的第二金屬層15，所述第二金屬層15的材料為鋁、鋁合金等，如圖9所示。對(duì)第二金屬層15進(jìn)行圖案化處理，所述圖案化處理包括涂覆光刻膠，曝光，顯影，濕刻或干刻第二金屬層，剝離光刻膠等常規(guī)工藝。得到薄膜晶體管的源極4和漏極3、數(shù)據(jù)線21、以及在所述接觸孔14中的第二連接線7，第一連接線6的一端通過所述第二連接線7與公共電極線8相連接，如圖10所示。這里第二連接線7和薄膜晶體管的源漏極4、3以及數(shù)據(jù)21的材料相同，采用同層在一個(gè)工序中制作，不增加工藝的復(fù)雜性。第一連接線6的另一端與數(shù)據(jù)線21直接相連。這樣數(shù)據(jù)線21通過第一連接線6和第二連接線7(即連接線)和公共電極線8連接在一起，能夠消除數(shù)據(jù)線和公共電極線之間的靜電對(duì)陣列基板的像素區(qū)帶來的損害，并且如上所述，所述連接線和溝道層的材料相同，采用同層在一個(gè)工序中制作，不增加工藝的復(fù)雜性。最后形成保護(hù)層11，并且在保護(hù)層11上形成像素電極層9，最后得到的陣列基板的結(jié)構(gòu)圖如圖2所示。注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。