專利名稱：一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示技術(shù)迅速發(fā)展，并成為目前工業(yè)界的新星和經(jīng)濟發(fā)展的亮點。在液晶顯示蓬勃發(fā)展的同時，寬視角、高畫質(zhì)和較快的響應(yīng)速度等成為顯示裝置件的迫切要求。目前，超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(Advanced Super Dimension Switch, ADS)型、及平面內(nèi)開關(guān)(In-Plane Switching, IPS)型，或垂直對準(zhǔn)平面內(nèi)開關(guān)(Vertical Aligment-1n-PlaneSwitching, VA-1PS)型液晶顯示等技術(shù),具有寬視角、高畫質(zhì)與較快的響應(yīng)速度等特性,非常適合應(yīng)用于各種動態(tài)影像用液晶顯示領(lǐng)域。ADS模式是平面電場寬視角核心技術(shù)，其核心技術(shù)特性描述為通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS模式的開關(guān)技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。針對不同應(yīng)用，ADS技術(shù)的改進技術(shù)有高透過率1-ADS技術(shù)、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等?，F(xiàn)有技術(shù)的ADS型顯示面板，如圖1所示，包括彩膜基板10和陣列基板20，以及填充于彩膜基板10和陣列基板20之間的液晶分子30。陣列基板20上包括像素電極200，位于像素電極200上方與像素電極200通過絕緣層201相絕緣的公共電極202，以及位于公共電極202上方的取向膜203，位于彩膜基板10上與液晶分子相接觸的一側(cè)設(shè)置有取向膜100。需要說明的是，公共電極和像素電極的設(shè)置位置可以互換，公共電極可以在像素電極的上方，也可以為像素電極在公共電極的上方，無論哪種電極位于上方，位于上方的電極一定為狹縫電極，位于下方的電極可以為板狀電極或狹縫電極。在具體實施過程中，陣列基板公共電極上方還設(shè)置有取向膜?，F(xiàn)有的ADS型陣列基板結(jié)構(gòu)導(dǎo)致陣列基板上存在直流殘留的現(xiàn)象，直流殘留會導(dǎo)致顯示圖像存在殘像的問題。具體原因如下，由于液晶分子中不可避免地存在一些可以移動的帶電殘留離子。在像素電極和公共電極施加電壓用于顯示圖像時，可移動的正負殘留離子向與自己極性相反的公共電極或像素電極移動，最后形成在取向膜表面。由于公共電極與取向膜相接觸，與公共電極極性相反的殘留離子貼附在取向膜表面，如圖1中所示，帶正電的殘留離子40貼附在取向膜表面，但是由于像素電極位于公共電極下方，與像素電極極性相反的可移動殘留離子無法移動到像素電極，也就無法移動到取向膜表面，最后殘留在液晶分子表面，該現(xiàn)象稱為直流殘留。在完全不施加電壓的情況下，液晶的排列會因其表面的帶電殘留離子的影響偏離了原始排列狀態(tài)，直流殘留會引圖像顯示存在殘像的問題，降低圖像的品質(zhì)，不利于實現(xiàn)高畫質(zhì)圖像顯示。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以分散液晶分子表 面的直流殘留，從而消除因直流殘留引起的圖像殘像的現(xiàn)象。
本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，包括基板、基板上的第一電極、第一電極上 方與第一電極相絕緣的第二電極，第二電極上的取向膜，還包括與至少一個第一電極電性 相連的至少一個用于分散液晶分子表面殘留電荷的分流電極，所述分流電極位于所述取向 膜不與液晶分子相接觸的一側(cè)。
本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括所述陣列基板。
本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板制作方法，包括
在基板上形成包括第一電極、第二電極、分流電極的圖形；以及
形成包括第一絕緣層和取向膜的圖形；
所述第一絕緣層位于所述第一電極與第二電極和分流電極之間，所述取向膜位于 所述第二電極和分流電極之上，所述第一電極與所述分流電極電性相連。
本發(fā)明實施例通過在像素電極上設(shè)置至少一個用于分散液晶分子表面殘留電荷 的分流電極；該分流電極位于所述取向膜不與液晶分子相接觸的一側(cè)，且與所述像素電極 電性相連。由于公共電極位于像素電極之上且與取向膜接觸，且所述分流電極與所述取向 膜相接觸。分流電極與像素電極相連，公共電極與像素電極的極性不同，也就是說與取向膜 相接觸的公共電極與分流電極極性不同，液晶分子中的殘留正負殘留電荷會分別分散到與 自己極性不同的電極附近，例如正殘留電荷由液晶分子移動到公共電極附近的取向膜上， 負殘留電荷由液晶分子移動到與像素電極相連的分流電極附近的取向膜上。實現(xiàn)了將液晶 分子上的正負殘余殘留電荷分散到取向膜上，減少了殘像的發(fā)生幾率，提高了圖像的品質(zhì)。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示面板截面示意圖2為本發(fā)明實施例提供的陣列基板俯視示意圖3為圖2提供的陣列基板在A-B向的截面示意圖4為本發(fā)明實施例提供的像素電極和分流電極通過過孔相連的陣列基板截面 示意圖5為包括圖3所示的陣列基板的液晶顯示面板截面示意圖6為本發(fā)明實施例提供的設(shè)置在柵極掃描線上方的分流電極俯視示意圖7為本發(fā)明實施例提供的設(shè)置在數(shù)據(jù)信號線上方的分流電極俯視示意圖8為本發(fā)明實施例提供的與公共電極同層設(shè)置的分流電極俯視示意圖。
具體實施方式
本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以分散液晶分子表 面的直流殘留，從而消除因直流殘留引起的圖像殘像的現(xiàn)象。
本發(fā)明實施例通過在陣列基板的取向膜上不與液晶分子相接觸的一側(cè)設(shè)置與像素電極相連的用于分散液晶分子表面殘留電荷的分流電極。公共電極用于吸引液晶分子中 與公共電極電極性相反的殘留電荷，分流電極用于吸引液晶分子中與分流電極電極性相反 的殘留電荷，使得液晶分子中的正負殘留電荷均分散到與公共電極和分流電極對應(yīng)的取向 膜區(qū)域，消除液晶分子上的殘留電荷，從而消除因直流殘留引起的圖像殘像的現(xiàn)象，提高圖 像顯示品質(zhì)。
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案進行說明。
參見圖2和圖3，分別為本發(fā)明實施例提供的陣列基板俯視圖和截面圖。參見圖 2，陣列基板包括基板1、形成在基板I上的公共電極2，以及形成在基板I上公共電極2上 方的取向膜3 (圖3中體現(xiàn))。位于取向膜3下方與取向膜3相接觸的與至少一個像素電極 相接觸的分流電極4。
其中，所述基板可以為玻璃、塑料等，優(yōu)選為玻璃。所述像素電極和公共電極可以 為透明金屬氧化物膜層，優(yōu)選為銦錫氧化物ITO或銦鋅氧化物IZO膜層，取向膜可以為聚酰 亞胺。
公共電極2為狹縫電極，即與每一子像素單元對應(yīng)的區(qū)域具有多條狹縫21，同時， 像素電極為板狀電極。與像素電極相連的分流電極4可以與公共電極同層設(shè)置，若公共電 極2和分流電極4設(shè)置在同一層，可以通過絕緣層5絕緣。
需要說明的是，陣列基板上每一像素單元包括三個子像素單元(或者也稱亞像素 單元)，該三個子像素單元分別為紅色子像素單元(Red)，綠色子像素單元(Green)和藍色 子像素單元(Blue)。
參見圖3，為圖2在A-B向的截面圖。圖中所示的像素電極和公共電極均為狹縫電 極。
本發(fā)明實施例提供的陣列基板包括基板1，基板I上的像素電極6，像素電極6上 方的公共電極2，公共電極2上方的取向膜3，以及公共電極2和像素電極6之間的絕緣層 5 ；
還包括，與像素電極6相連且與公共電極2同層設(shè)置的分流電極4，像素電極6與 分流電極4通過過孔連接。
需要說明的是，可以按照需求或經(jīng)驗值，為陣列基板上的所有像素電極設(shè)置一個 或多個分流電極或為陣列基板上的部分像素電極設(shè)置一個或多個分流電極。
為每一像素電極設(shè)置的分流電極的個數(shù)可以按照顯示裝置的大小和實際需求設(shè) 置，為每一像素電極設(shè)置的分流電極的個數(shù)可以為1-5個。
參見圖4，為本發(fā)明實施例提供的像素電極6和分流電極4通過過孔相連的局部示 意圖。
下面結(jié)合液晶顯示面板具體說明本發(fā)明實現(xiàn)分散液晶分子表面的直流殘留，從而 消除因直流殘留引起的圖像殘像的原因。
參見圖5，為本發(fā)明實施例提供的液晶顯示面板，包括
彩膜基板7、陣列基板8，以及彩膜基板7和陣列基板8之間的液晶分子9 ；
陣列基板8為圖3所示的陣列基板；
在圖像顯示過程中，像素電極和公共電極各自施加有一定的電壓，形成橫向電場， 與像素電極相連的分流電極與公共電極之間也形成一定電場。
液晶分子9周圍或表面的帶電殘留離子，也為殘留電荷，沿著分流電極與公共電極之間形成的電場移動，最后，正負殘留電荷移動到取向膜3貼附于取向膜3表面，部分殘留電荷12聚集在與公共電極2對應(yīng)的取向膜3表面，另一部分與公共電極2附近的殘留電荷極性相反的殘留電荷聚集在與分流電極4對應(yīng)的取向膜3表面。使得液晶分子表面聚集的正負殘留電荷均分散到與公共電極和分流電極對應(yīng)的取向膜區(qū)域，消除液晶分子上的殘留電荷，從而消除因直流殘留引起的圖像殘像的現(xiàn)象，提聞圖像顯不品質(zhì)。
下面具體說明本發(fā)明實施例提供的分流電極在陣列基板上的設(shè)置方式。
參見圖2，分流電極4設(shè)置在子像素單元顯示區(qū)域之外的非顯示區(qū)域。例如，可以設(shè)置在陣列基板上相鄰的子像素單元之間的非顯示區(qū)域，具體地，可以設(shè)置在數(shù)據(jù)信號線和/或柵極掃描線相對應(yīng)的相鄰兩個子像素單元之間的區(qū)域，但是保證分流電極與柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號線相絕緣。
參見圖6，陣列基板包括橫向設(shè)置的柵極掃描線13，和縱向設(shè)置的數(shù)據(jù)信號線14。 位于柵極掃描線13和數(shù)據(jù)信號線14圍成的區(qū)域內(nèi)的像素電極6。
分流電極4位于柵極掃描線13所在區(qū)域，且通過絕緣層與柵極掃描線13相絕緣 (圖6中未體現(xiàn)絕緣層)。
為了與分流電極4順利通過過孔相連，像素電極6，還包括位于子像素單元之間的非顯示區(qū)域部分，非顯示區(qū)域的像素電極與分流電極4在基板上的投影有重疊區(qū)域。
分流電極4與所述像素電極6通過過孔電性相連。
或者，分流電極4位于如圖7所示的數(shù)據(jù)信號線14所在區(qū)域，也就是設(shè)置在與公共電極同層且投影與數(shù)據(jù)信號線14有重疊區(qū)域。在具體實施過程中，數(shù)據(jù)信號線14與分流電極4之間通過絕緣層相絕緣。
較佳地，分流電極的寬度小于柵極掃描線13或數(shù)據(jù)信號線14的寬度；分流電極的長度略大于其寬度。
由于不同尺寸的顯示裝置，柵極掃描線13或數(shù)據(jù)信號線14的寬度有所不同，具體實施過程中，可以設(shè)置分流電極的寬度為柵極 掃描線13或數(shù)據(jù)信號線14的寬度的三分之二較佳。
分流電極的寬度可以為3 μ m-20 μ m ;分流電極的長度為3 μ m-30 μ m ；
一般柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號線的寬度也在3 μ m-30 μ m。
在具體實施過程中，柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號線的寬度約為3 μ m-30 μ m，一個分流電極4的面積也不超過30*50 (μπι)2。一個子像素單元的長度和寬度在幾百微米范圍內(nèi)。 因此，分流電極相對于像素電極很小，不會影響圖像顯示效果。
本發(fā)明實施例提供的分流電極，在兩個相鄰的子像素單元之間可以設(shè)置一個或者多個，圖2所示的陣列基板，在兩個相鄰的子像素單元之間設(shè)置有一個分流電極。
在具體實施過程中，分流電極的個數(shù)和設(shè)置位置視情況而定，在所有相鄰的兩個子像素單元之間的非顯示區(qū)域設(shè)置有分流電極，或者在部分相鄰的子像素單元之間的非顯示區(qū)域設(shè)置分流電極。
較佳地，分流電極在陣列基板上均勻分布，有利于殘留電荷分布均勻，不會因某一區(qū)域堆積過多，影響陣列基板的性能。
在具體實施過程中，分流電極的大小可以按照數(shù)據(jù)信號線或柵極掃描線的寬度決定，分流電極的寬度最好小于數(shù)據(jù)信號線或柵極掃描線的寬度。分流電極不能太大，分流電 極太大會引起分流電極與正下方的柵線之間的寄生電容較大，該寄生電容不利于高畫質(zhì)圖 像顯示。
較佳地，分流電極與公共電極同層設(shè)置，可以在同一次構(gòu)圖工藝中完成，節(jié)約工藝 流程。
參見圖8，為本發(fā)明實施例提供的陣列基板，位于基板I上同層設(shè)置的公共電極2 和分流電極4。公共電極2和分流電極4之間不連接，也就是二者保持絕緣，公共電極2和 分流電極4之間通過位于其下方的絕緣層5相絕緣。
如圖8所示，分流電極4下方設(shè)置有過孔18。圖8中的過孔18用于連接分流電 極4和位于分流電極4正下方的像素電極6的部分區(qū)域。圖8中的過孔18僅表示過孔所在位置。
本發(fā)明實施例提供的公共電極2包括子像素單元覆蓋的區(qū)域，以及子像素單元之 間非顯示區(qū)域(該區(qū)域為不包括分流電極所在的區(qū)域)。
需要說明的是，本發(fā)明實施例提供的陣列基板，公共電極和像素電極的設(shè)置位置 可以互換，公共電極可以在像素電極的上方，也可以為像素電極在公共電極的上方，無論哪 種電極位于上方，位于上方的電極一定為狹縫電極，位于下方的電極可以為板狀電極或狹 縫電極。圖2所示的公共電極為狹縫狀電極。圖6所示的公共電極為板狀電極。
陣列基板工藝流程制作過程中，本發(fā)明像素電極為分流電極提供電壓的情況下， 并不增加工藝流程。
在制作公共電極下方的絕緣層時制作相應(yīng)位置上的過孔。保證像素電極漏出來以 便和絕緣層上方的分流電極相接觸。
制作完過孔后制作公共電極和分流電極。公共電極和分流電極在同一次制作工藝 中完成。具體如下
通過鍍膜工藝在形成有圖4所示的絕緣層5和過孔上沉積一層一定厚度的導(dǎo)電膜 層，對該導(dǎo)電膜層進行曝光、顯影、光刻和刻蝕處理，形成如圖8所示的公共電極2和分流電 極4，刻蝕使用濕法刻蝕，使得公共電極2和分流電極4之間的導(dǎo)電膜層去除，露出位于公共 電極2下方的絕緣層5。相對于現(xiàn)有技術(shù)，僅是形成的功能膜層的圖形不同，沒有增加任何 工藝流程。
在具體實施過程中，該過程是和陣列基板上的薄膜晶體管TFT —起形成。下面具 體介紹本發(fā)明形成陣列基板的工藝流程。
(I)在玻璃基板上鍍膜沉積一層一定厚度的金屬膜層,經(jīng)掩膜、曝光、顯影、光刻和 刻蝕等工藝形成包括柵極和柵極掃描線的圖形。
( 2 )在步驟(I)的基礎(chǔ)上繼續(xù)沉積一層絕緣層以及絕緣層上的金屬氧化物層，經(jīng)掩 膜、曝光、顯影、光刻和刻蝕等工藝形成包括半導(dǎo)體層圖形。
(3)在步驟(2)的基礎(chǔ)上繼續(xù)沉積一層一定厚度的金屬膜層，經(jīng)掩膜、曝光、顯影、 光刻和刻蝕等工藝形成包括源漏極層和數(shù)據(jù)信號線圖形。
(4)在步驟(3)的基礎(chǔ)上沉積金屬膜層，經(jīng)掩膜、曝光、顯影、光刻和刻蝕等工藝形 成包括像素電極的圖形。
(5)在步驟(4)的基礎(chǔ)上沉積鈍化層，經(jīng)掩膜、曝光、顯影、光刻和刻蝕等工藝形成過孔。
(6)在步驟(5)的基礎(chǔ)上沉積金屬膜層，經(jīng)掩膜、曝光、顯影、光刻和刻蝕等工藝形 成包括公共電極和分流電極的圖形。
需要說明的是，上述制作方法只是舉例說明，只要可以實現(xiàn)本結(jié)構(gòu)的制作方法即 可，并不因此而作限定。
下面具體說明本發(fā)明實施例提供的一種形成上述陣列基板的制作方法，包括
在基板上形成包括第一電極、第二電極、分流電極的圖形；以及
形成包括第一絕緣層和取向膜的圖形；
所述第一絕緣層位于所述第一電極與第二電極和分流電極之間，所述取向膜位于 所述第二電極和分流電極之上，所述第一電極與所述分流電極電性相連。
較佳地，所述第一電極與所述分流電極通過第一絕緣層上的過孔電性相連；
在基板上形成包括第一電極、第二電極、分流電極的圖形；以及形成第一絕緣層和 取向膜的圖形，具體為
通過構(gòu)圖工藝在基板上形成包括第一電極的圖形；
通過構(gòu)圖工藝在形成有所述第一電極的基板上形成至少覆蓋所述第一電極的第 一絕緣層的圖形；
通過構(gòu)圖工藝在所述第一絕緣層上與所述第一電極相對應(yīng)的區(qū)域形成包括過孔 的圖形；
通過一次構(gòu)圖工藝在形成有所述第一絕緣層和過孔的基板上形成第二電極和分 流電極的圖形，分流電極位于所述過孔之上與過孔下方的第一電極電性相連；
通過包括涂覆、固化，摩擦的工藝或者通過包括涂覆和光取向的工藝在形成有所 述第二電極和分流電極的基板上形成包括取向膜的圖形。
所述取向膜的制作過程與現(xiàn)有技術(shù)類似，上述取向膜的形成方式僅是其中的兩 種，還可以通過印刷等工藝形成，這里就不再一一列舉。
較佳地，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極；
通過構(gòu)圖工藝在基板上形成第一電極的圖形，具體為
通過構(gòu)圖工藝在基板上任一子像素單元的像素區(qū)域和與該子像素單元相鄰的至 少一個子像素單元之間的非顯示區(qū)域形成第一電極的圖形；
通過構(gòu)圖工藝在第一絕緣層上形成過孔，具體為
通過構(gòu)圖工藝在基板上與位于非顯示區(qū)域的像素電極部分對應(yīng)的區(qū)域形成過 孔；
通過構(gòu)圖工藝在基板上形成分流電極的圖形，具體為
通過構(gòu)圖工藝在基板上的過孔之上形成分流電極。
較佳地，所述通過構(gòu)圖工藝在基板上的過孔之上形成分流電極，具體為通過構(gòu)圖 工藝在基板上的過孔之上，與相鄰兩個子像素單元之間的數(shù)據(jù)信號線和/或柵極掃描線相 對應(yīng)的區(qū)域形成分流電極。
上述形成陣列基板的制作方法僅是以ADS模式的陣列基板為例說明，至于HADS、1-ADS、S-ADS、IPS或VA-1PS模式的陣列基板的制作方法與上述陣列基板的制作方法類似， 這里不再贅述。
本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。該顯示裝置可以為液 晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機、PAD等顯示裝置。
本發(fā)明實施例提供的顯示裝置不僅適用于ADS-1XD，還適用于HADS-1XD、 IADS-1XD、SADS-1XD、IPS-1XD，或VA-1PS-1XD領(lǐng)域。解決陣列基板的結(jié)構(gòu)設(shè)置方式無法分 散液晶分子上的帶電殘留離子的問題。例如，可以適用于與取向膜相接觸的電極僅為公共 電極或僅為像素電極，液晶分子中的殘留離子一部分(例如帶正電的離子)聚集在與取向膜 相接觸的公共電極或像素電極附近的取向膜上，另一部分(例如帶負電的離子)還殘留在液 晶分子上。
本發(fā)明實施例通過在陣列基板上設(shè)置至少一個用于分散液晶分子表面殘留電荷 的分流電極；該分流電極位于所述取向膜不與液晶分子相接觸的一側(cè)，且與所述像素電極 電性相連。由于公共電極位于像素電極之上且與取向膜接觸，且所述分流電極與所述取向 膜相接觸。分流電極與像素電極相連，公共電極與像素電極的極性不同，也就是說與取向膜 相接觸的公共電極與分流電極極性不同，液晶分子中的殘留正負殘留電荷會分別分散到與 自己極性不同的電極附近，例如正殘留電荷由液晶分子移動到公共電極附近的取向膜上， 負殘留電荷由液晶分子移動到與像素電極相連的分流電極附近的取向膜上。實現(xiàn)了將液晶 分子上的正負殘余殘留電荷分散到取向膜上，減少了殘像的發(fā)生幾率，提高了圖像的品質(zhì)。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板,包括基板、基板上的第一電極、第一電極上方與第一電極相絕緣的第二電極，第二電極上的取向膜，其特征在于，還包括與至少一個第一電極電性相連的至少一個用于分散液晶分子表面殘留電荷的分流電極，所述分流電極位于所述取向膜不與液晶分子相接觸的一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述分流電極與所述第一電極同層設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電極與所述分流電極通過過孔電性連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述分流電極位于相鄰兩個子像素單元之間的非顯示區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述分流電極位于相鄰兩個子像素單元之間與數(shù)據(jù)信號線和/或柵極掃描線相對應(yīng)的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，與任一第一電極電性相連的分流電極為1-5個。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述分流電極為矩形狀，該分流電極的寬度為3-20 μ m,長度為3-30 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極為狹縫電極或板狀電極，所述第二電極為狹縫電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極；或者 所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一所述的陣列基板。
11.一陣陣列基板的制作方法，其特征在于，包括 在基板上形成包括第一電極、第二電極、分流電極的圖形；以及 形成包括第一絕緣層和取向膜的圖形； 所述第一絕緣層位于所述第一電極與第二電極和分流電極之間，所述取向膜位于所述第二電極和分流電極之上，所述第一電極與所述分流電極電性相連。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一電極與所述分流電極通過過孔電性相連； 在基板上形成包括第一電極、第二電極、分流電極的圖形；以及形成第一絕緣層和取向膜的圖形，具體為 通過構(gòu)圖工藝在基板上形成包括第一電極的圖形； 通過構(gòu)圖工藝在形成有所述第一電極的基板上形成至少覆蓋所述第一電極的第一絕緣層的圖形； 通過構(gòu)圖工藝在所述第一絕緣層上與所述第一電極相對應(yīng)的區(qū)域形成包括過孔的圖形； 通過一次構(gòu)圖工藝在形成有所述第一絕緣層和過孔的基板上形成第二電極和分流電極的圖形，分流電極位于所述過孔之上與過孔下方的第一電極電性相連； 通過包括涂覆、固化，摩擦的工藝或者通過包括涂覆和光取向的工藝在形成有所述第二電極和分流電極的基板上形成包括取向膜的圖形。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極； 通過構(gòu)圖工藝在基板上形成第一電極的圖形，具體為 通過構(gòu)圖工藝在基板上任一子像素單元的像素區(qū)域和與該子像素單元相鄰的至少一個子像素單元之間的非顯示區(qū)域形成第一電極的圖形； 通過構(gòu)圖工藝在第一絕緣層上形成過孔，具體為 通過構(gòu)圖工藝在基板上與位于非顯示區(qū)域的像素電極部分對應(yīng)的區(qū)域形成過孔； 通過構(gòu)圖工藝在基板上形成分流電極的圖形，具體為 通過構(gòu)圖工藝在基板上的過孔之上形成分流電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述通過構(gòu)圖工藝在基板上的過孔之上形成分流電極，具體為通過構(gòu)圖工藝在基板上的過孔之上，與相鄰兩個子像素單元之間的數(shù)據(jù)信號線和/或柵極掃描線相對應(yīng)的區(qū)域形成分流電極。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以分散液晶分子表面的直流殘留，從而消除因直流殘留引起的圖像殘像的現(xiàn)象。本發(fā)明提供的陣列基板包括基板、基板上的像素電極、像素電極上方與像素電極相絕緣的公共電極，公共電極上的取向膜，還包括與至少一個像素電極電性相連的至少一個用于分散液晶分子表面殘留電荷的分流電極，所述分流電極位于所述取向膜不與液晶分子相接觸的一側(cè)。
文檔編號G02F1/1333GK102998856SQ20121046971
公開日2013年3月27日 申請日期2012年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月19日
發(fā)明者操彬彬, 白明基, 黃寅虎, 徐向陽 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司