專利名稱：制作掩膜版的方法、對(duì)布局圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種制作掩膜版的方法以及光學(xué)鄰近修正方法。
背景技術(shù)：
圖形化工藝是半導(dǎo)體器件制作中常見的工藝，其是以掩模版為掩膜，將布局圖形形成在半導(dǎo)體襯底上的光刻膠層上，以產(chǎn)生印于光刻膠層上的一種光刻膠層圖案。隨著半導(dǎo)體器件關(guān)鍵尺寸的越來(lái)越小，在半導(dǎo)體工藝的工藝結(jié)點(diǎn)(二分之一孔距)小于32nm時(shí)，在193nm(納米)水沉浸式光刻條件下利用一個(gè)掩膜版作為掩膜形成圖形化工藝遇到了物理限制，相鄰的圖形孔距過小，由于光學(xué)鄰近效應(yīng)，會(huì)出現(xiàn)相鄰圖形粘連的現(xiàn)象?，F(xiàn)有技術(shù)的解決方法為將布局圖形分割成第一布局圖形和第二布局圖形，第一布局圖形形成在第一掩膜版上，第二布局圖形形成在第二掩膜版上，然后分別以第一掩膜版和第二掩膜版為掩膜，分別將第一布局圖形和第二布局圖形形成在半導(dǎo)體襯底的光刻膠層上，可以將整個(gè)布局圖形形成在半導(dǎo)體襯底的光刻膠層上。結(jié)合


在半導(dǎo)體工藝中孔距小于64nm時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)的制作掩膜版的方法。 圖1為提供的布局圖形，參考圖1，布局圖形100包括若干條相互平行的直線型圖形101，以及非直線型圖形102 ；直線型圖形101包括第一直線型圖形103和第二直線型圖型104，第一直線型圖形103和第二直線型圖型104相互間隔；非直線型圖形102在圖中虛線所示的位置被分成第一圖形105和第二圖形106。其中，第一直線型圖形103和第一圖形105構(gòu)成第一布局圖形110，參考圖Ia ；第二直線型圖形104和第二圖形106構(gòu)成第二布局圖形120， 參考圖lb。對(duì)第一布局圖形110和第二布局圖形120分別進(jìn)行光學(xué)鄰近修正；之后將第一布局圖形110寫入第一基板形成第一掩膜版，將第二布局圖形120寫入第二基板形成第二掩膜版。在圖形化時(shí)，分別以第一掩膜版和第二掩膜版為掩膜將第一布局圖形110和第二布局圖形120形成在半導(dǎo)體襯底的光刻膠層上。然而，由于光學(xué)鄰近效應(yīng)產(chǎn)生的線端收縮，第一圖形105和第二圖形106不能連接在一起，為了解決此現(xiàn)象，參考圖Ic和圖ld，將第一圖形105和第二圖形106在分割位置處分別延伸形成第一延伸段107和第二延伸段108，之后分別對(duì)第一布局圖形和第一延伸段、第二布局圖形和第二延伸段進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，然后將經(jīng)光學(xué)鄰近校正后的第一布局圖形和第一延伸段、第二布局圖形和第二延伸段分別寫入第三基板和第四基板形成第三掩膜版和第四掩膜版。在圖形化時(shí)分別以第三掩膜版和第四掩膜版為掩膜將第一布局圖形和第一延伸段、第二布局圖形和第二延伸段形成在半導(dǎo)體襯底的光刻膠層上，從而將整個(gè)布局圖形100形成在半導(dǎo)體襯底的光刻膠層上。圖2為圖形化時(shí)切割位置處的疊加示意圖。由于線端圓角效應(yīng)和線端收縮，在疊加位置處，在第一延伸段和第二延伸段的長(zhǎng)度分別35nm時(shí)，圖形寬度h為64nm，圖形的目標(biāo)寬度H為70nm(實(shí)際上想要得到的圖形寬度)。如果要解決此問題，第一延伸段和第二延伸段的長(zhǎng)度應(yīng)分別為70nm，才能使疊加位置處圖形寬度h為70nm ；在實(shí)際應(yīng)用中，布局圖形很復(fù)雜，對(duì)布局圖形的分割位置根據(jù)實(shí)際情況，在每個(gè)分割位置處延伸段的長(zhǎng)度要根據(jù)具體情況，才能使疊加位置處圖形寬度和目標(biāo)寬度相等，由于布局圖形的復(fù)雜性，分別確定每個(gè)分割位置處延伸段的長(zhǎng)度會(huì)使工藝效率下降，耗時(shí)長(zhǎng)，因此并不可行。申請(qǐng)?zhí)枮椤?00710037440. 4”的中國(guó)專利申請(qǐng)公開了一種圖形化方法，申請(qǐng)?zhí)枮?"200810040372. 1”的中國(guó)專利申請(qǐng)公開了一種光學(xué)鄰近修正方法，但是均沒有解決以上所述的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是在疊加位置處圖形的寬度小于目標(biāo)寬度的問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種制作掩膜版的方法，包括提供布局圖形；將所述布局圖形分割成第一布局圖形和第二布局圖形；在所述第一布局圖形的切割位置形成第一延伸段；在所述第二布局圖形的切割位置形成第二延伸段；執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第一修正圖形，所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域；執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第二修正圖形，所述第二修正圖形在圖形化仿真后包圍第一延伸段所在區(qū)域；將第一修正圖形寫入第一掩膜版；將第二修正圖形寫入第二掩膜版?？蛇x的，所述執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第一修正圖形包括步驟S11，對(duì)第一布局圖形和第一延伸段進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S12，計(jì)算仿真圖形與第一布局圖形的第一邊緣布置誤差，以及仿真圖形與第二延伸段重疊區(qū)域的第二邊緣布置誤差；步驟S13，根據(jù)計(jì)算得到的第一、第二邊緣布置誤差，對(duì)第一布局圖形和第一延伸段進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，得到修正后圖形；步驟S14，對(duì)修正后圖形進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S15，判斷步驟S14中獲得的仿真圖形是否包圍第二延伸段所在區(qū)域，若是， 將修正后圖形作為第一修正圖形；若否，返回執(zhí)行步驟S12?？蛇x的，所述執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第二修正圖形包括步驟S21，對(duì)第二布局圖形和第二延伸段進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S22，計(jì)算仿真圖形與第二布局圖形的第三邊緣布置誤差，以及仿真圖形與第一延伸段重疊區(qū)域的第四邊緣布置誤差；步驟S23，根據(jù)計(jì)算得到的第三、第四邊緣布置誤差，對(duì)第二布局圖形和第二延伸段進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，得到修正后圖形；步驟S24，對(duì)修正后圖形進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S25，判斷步驟S24中獲得的仿真圖形是否包圍第一延伸段所在區(qū)域，若是， 將修正后圖形作為第二修正圖形；若否，返回執(zhí)行步驟S22。
為解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明還提供一種對(duì)布局圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正方法，所述布局圖形被切割成第一布局圖形和第二布局圖形，所述第一布局圖形在切割位置處形成有第一延伸段，所述第二布局圖形在切割位置處形成有第二延伸段；所述方法包括執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第一修正圖形，所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域；執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第二修正圖形，所述第二修正圖形在圖形化仿真后包圍第一延伸段所在區(qū)域。可選的，所述執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第一修正圖形包括步驟S11，對(duì)第一布局圖形和第一延伸段進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S12，計(jì)算仿真圖形與第一布局圖形的第一邊緣布置誤差，以及仿真圖形與第二延伸段重疊區(qū)域的第二邊緣布置誤差；步驟S13，根據(jù)計(jì)算得到的第一、第二邊緣布置誤差，對(duì)第一布局圖形和第一延伸段進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，得到修正后圖形；步驟S14，對(duì)修正后圖形進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S15，判斷步驟S14中獲得的仿真圖形是否包圍第二延伸段所在區(qū)域，若是， 將修正后圖形作為第一修正圖形；若否，返回執(zhí)行步驟S12?？蛇x的，所述執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第二修正圖形包括步驟S21，對(duì)第二布局圖形和第二延伸段進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S22，計(jì)算仿真圖形與第二布局圖形的第三邊緣布置誤差，以及仿真圖形與第一延伸段重疊區(qū)域的第四邊緣布置誤差；步驟S23，根據(jù)計(jì)算得到的第三、第四邊緣布置誤差，對(duì)第二布局圖形和第二延伸段進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，得到修正后圖形；步驟S24，對(duì)修正后圖形進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S25，判斷步驟S24中獲得的仿真圖形是否包圍第一延伸段所在區(qū)域，若是， 將修正后圖形作為第二修正圖形；若否，返回執(zhí)行步驟S22。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正獲得第一修正圖形時(shí)，使所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域；執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正獲得第二修正圖形時(shí)，使所述第二修正圖形在圖形化仿真后包圍第一延伸段所在區(qū)域；將第一修正圖形和第二修正圖形分別寫入第一掩膜版和第二掩膜版，在圖形化時(shí)，以第一掩膜版和第二掩膜版為掩膜形成圖形時(shí)，圖形的寬度和目標(biāo)寬度相等，至少圖形寬度與目標(biāo)寬度之間的差距縮小。

圖1為具體實(shí)施例的布局圖形；圖Ia為圖1所示的布局圖形被分割后的第一布局圖形；圖Ib為圖1所示的布局圖形被分割后的第二布局圖形；
圖Ic為延伸圖Ia所示的第一布局圖形形成第一延伸段的示意圖；圖Id為延伸圖Ib所示的第二布局圖形形成第二延伸段的示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)的經(jīng)光學(xué)鄰近修正后的第一布局圖形、第一延伸段和第二布局圖形、第二延伸段在圖形化時(shí)切割位置處的疊加示意圖；圖3為本發(fā)明具體實(shí)施方式
的形成掩膜版的方法流程圖；圖4為具體實(shí)施例的切割位置示意圖；圖5為本發(fā)明具體實(shí)施例的第一布局圖形、第一延伸段圖形化仿真后的圖形與第一布局圖形、第一延伸段在切割位置附近的比較示意圖；圖6為本發(fā)明具體實(shí)施例的執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正， 獲得第一修正圖形的流程示意圖；圖7為本發(fā)明具體實(shí)施例的第二布局圖形、第二延伸段圖形化仿真后的圖形與第二布局圖形、第二延伸段在切割位置附近的比較示意圖；圖8為本發(fā)明具體實(shí)施例的執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正， 獲得第二修正圖形的流程示意圖；圖9為本發(fā)明具體實(shí)施例的第一修正圖形和第二修正圖形圖形化時(shí)在疊加處(切割位置)的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明具體實(shí)施方式
執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第一修正圖形，所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域；執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第二修正圖形，所述第二修正圖形在圖形化仿真后包圍第一延伸段所在區(qū)域；將第一修正圖形寫入第一掩膜版；將第二修正圖形寫入第二掩膜版；在圖形化時(shí)，以第一掩膜版和第二掩膜版為掩膜形成圖形時(shí)，圖形的寬度和目標(biāo)寬度相等，至少圖形寬度與目標(biāo)寬度之間的差距縮小。圖3為本發(fā)明具體實(shí)施方式
的形成掩膜版的方法流程圖，參考圖3，本發(fā)明具體實(shí)施方式
的形成掩膜版的方法包括步驟Si，提供布局圖形；步驟S2，將所述布局圖形分割成第一布局圖形和第二布局圖形；步驟S3，在所述第一布局圖形的切割位置形成第一延伸段；步驟S4，在所述第二布局圖形的切割位置形成第二延伸段；步驟S5，執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第一修正圖形， 所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域；步驟S6，執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第二修正圖形， 所述第二修正圖形在圖形化仿真后包圍第一延伸段所在區(qū)域；步驟S7，將第一修正圖形寫入第一掩膜版；步驟S8，將第二修正圖形寫入第二掩膜版。下面結(jié)合附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明具體實(shí)施例的制作掩膜版的方法。執(zhí)行步驟Si,結(jié)合參考圖3和圖1，提供布局圖形，在該具體實(shí)施例中提供布局圖形100，布局圖形100包括相互平行的直線型圖形101，以及非直線型圖形102 ；直線型圖形101包括第一直線型圖形103和第二直線型圖型104，第一直線型圖形103和第二直線型圖型104相互間隔。 執(zhí)行步驟S2，結(jié)合參考圖3和圖1，將所述布局圖形分割成第一布局圖形和第二布局圖形在該具體實(shí)施例中，首先確定布局圖形100的切割位置切割位置為圖1中所示的虛線位置。在其他實(shí)施例中，切割位置根據(jù)實(shí)際的布局圖形而變化，圖4為具體實(shí)施例的切割位置示意圖，具體為η型圖形130切割，T型圖形140切割以及L型圖形150切割，圖 4中虛線所示的位置為切割位置，通過切割使非直線型圖形分成直線型圖形，至少是近似直線型圖形，避免曝光過程中X方向和Y方向曝光由于解析度不同而造成的圖形變形；需要說明的是，在本發(fā)明的該具體實(shí)施例中，圖中所示的切割位置只是為示例性的說明本發(fā)明的實(shí)質(zhì)，將布局圖形切割后，經(jīng)光學(xué)鄰近修正后的圖形在疊加位置處圖形寬度和目標(biāo)圖形寬度之間的關(guān)系，具體應(yīng)用中，切割位置根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行確定。非直線型圖形102在圖1中虛線所示的位置被分成第一圖形105和第二圖形106 ； 其中，第一直線型圖形103和第一圖形105構(gòu)成第一布局圖形110，參考圖Ia ；第二直線型圖形104和第二圖形106構(gòu)成第二布局圖形120，參考圖lb。需要說明的是，在本發(fā)明的該具體實(shí)施例中，為了與實(shí)際應(yīng)用情況相結(jié)合，也為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明的精神，本發(fā)明具體實(shí)施例的布局圖形100不僅包括被切割非直線型圖形102，也包括沒有被切割但是在實(shí)際應(yīng)用形成分別形成于兩個(gè)掩膜版上的直線型圖形101(相鄰的圖形由于孔距過小，由于光學(xué)鄰近效應(yīng)，會(huì)出現(xiàn)相鄰圖形粘連的現(xiàn)象，參見現(xiàn)有技術(shù)中相關(guān)的詳細(xì)說明)；因此第一布局圖形110不僅包括第一圖形 105，還包括第一直線型圖形103 ；第二布局圖形120不僅包括第二圖形106，還包括第二直線型圖形104，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，布局圖形也可以僅包括被切割的圖形。執(zhí)行步驟S3，結(jié)合參考圖Ic和圖ld，在所述第一布局圖形的切割位置形成第一延伸段，執(zhí)行步驟S4，在所述第二布局圖形的切割位置形成第二延伸段具體為，在所述切割位置，將第一圖形105和第二圖形106在分割位置處(圖1中虛線所示位置)分別延伸形成第一延伸段107和第二延伸段108。執(zhí)行步驟S5，執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第一修正圖形，所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域，圖5為本發(fā)明具體實(shí)施例的第一修正圖形的仿真圖形與第一布局圖形、第一延伸段在切割位置附近的比較示意圖，結(jié)合參考圖5，第一修正圖形的仿真圖形210包圍第二延伸段108所在的區(qū)域，圖5僅為了示意性的表達(dá)本發(fā)明的精神，只顯示在切割位置附近的示意圖，圖5中示意了第一延伸段107以及部分第一布局圖形110'；在圖5所示的本發(fā)明的具體實(shí)施例中，在所述切割位置a-a處第一修正圖形在圖形化仿真后的寬度h等于71nm，大于第二延伸段的寬度70nm， 在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，在所述切割位置第一修正圖形在圖形化仿真后的寬度等于第二延伸段的寬度H。參考圖6，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，所述執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第一修正圖形包括步驟S11，對(duì)第一布局圖形和第一延伸段進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S12，計(jì)算仿真圖形與第一布局圖形的第一邊緣布置誤差，以及仿真圖形與第二延伸段重疊區(qū)域的第二邊緣布置誤差；
步驟S13，根據(jù)計(jì)算得到的第一、第二邊緣布置誤差，對(duì)第一布局圖形和第一延伸段進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，得到修正后圖形；步驟S14，對(duì)修正后圖形進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S15，判斷步驟S14中獲得的仿真圖形是否包圍第二延伸段所在區(qū)域，若是， 將修正后圖形作為第一修正圖形；若否，返回執(zhí)行步驟S12。執(zhí)行步驟S6，執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第二修正圖形，所述第二修正圖形在圖形化仿真后包圍第一延伸段所在區(qū)域圖7為本發(fā)明具體實(shí)施例的第二修正圖形的仿真圖形與第二布局圖形、第二延伸段在切割位置附近的比較示意圖，結(jié)合參考圖7，第二修正圖形的仿真圖形220包圍第一延伸段107所在的區(qū)域，圖7僅為了示意性的表達(dá)本發(fā)明的精神，只顯示在切割位置附近的示意圖，圖7中示意了第二延伸段108以及部分第二布局圖形120'；在圖7所示的本發(fā)明的具體實(shí)施例中，在所述切割位置a-a處第二修正圖形在圖形化仿真后的寬度等于71nm，大于第一延伸段的寬度70nm，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，在所述切割位置第一修正圖形在圖形化仿真后的寬度等于第一延伸段的寬度H。參考圖8，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，所述執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第二修正圖形包括步驟S21，對(duì)第二布局圖形和第二延伸段進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S22，計(jì)算仿真圖形與第二布局圖形的第三邊緣布置誤差，以及仿真圖形與第一延伸段重疊區(qū)域的第四邊緣布置誤差；步驟S23，根據(jù)計(jì)算得到的第三、第四邊緣布置誤差，對(duì)第二布局圖形和第二延伸段進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，得到修正后圖形；步驟S24，對(duì)修正后圖形進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S25，判斷步驟S24中獲得的仿真圖形是否包圍第一延伸段所在區(qū)域，若是， 將修正后圖形作為第二修正圖形；若否，返回執(zhí)行步驟S22。執(zhí)行步驟S7，將修正后第一布局圖形和第一延伸段寫入第一掩膜版；執(zhí)行步驟 S8，將修正后第二布局圖形和第二延伸段寫入第二掩膜版。在該具體實(shí)施例中所述第一掩膜版和第二掩膜版為鉻基板，在其他實(shí)施例中也可以用本領(lǐng)域中公知的其他基板。所述寫入為光學(xué)直寫、投影式電子束直寫或者掃描電鏡直寫。在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，所述布局圖形的孔距< 64納米。利用以上所述的方法形成的掩膜版，將經(jīng)光學(xué)鄰近修正后的第一布局圖形、第一延伸段和第二布局圖形、第二延伸段分別形成在第一掩膜版、第二掩膜版上，圖9為本發(fā)明的第一布局圖形和第二布局圖形圖形化時(shí)在疊加處(切割位置)的示意圖，在疊加位置處， 在第一延伸段107和第二延伸段108的長(zhǎng)度分別35nm時(shí)(與現(xiàn)有技術(shù)相同)，圖形寬度h 為71nm，圖形的目標(biāo)寬度H為70nm，與現(xiàn)有技術(shù)相比，圖形寬度h和圖形目標(biāo)寬度之間的差距縮小。利用本發(fā)明的方法形成的掩膜版，將分割后的布局圖形經(jīng)曝光后形成在半導(dǎo)體襯底的光刻膠層上時(shí)，在疊加位置處圖形寬度h和圖形目標(biāo)寬度相等，至少圖形寬度h和圖形目標(biāo)寬度之間的差距縮小。根據(jù)以上所述的本發(fā)明的精神，本發(fā)明還提供一對(duì)布局圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正方法，所述布局圖形被切割成第一布局圖形和第二布局圖形，所述第一布局圖形在切割位置處形成有第一延伸段，所述第二布局圖形在切割位置處形成有第二延伸段；其中，所述方法包括執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第一修正圖形，所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域，在一具體實(shí)施例中，所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域包括在所述切割位置第一修正圖形在圖形化仿真后的寬度等于第二延伸段的寬度；執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第二修正圖形，所述第二修正圖形在圖形化仿真后包圍第一延伸段所在區(qū)域，在一具體實(shí)施例中，所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域包括在所述切割位置第二修正圖形在圖形化仿真后的寬度等于第一延伸段的寬度。在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正， 獲得第一修正圖形包括步驟S11，對(duì)第一布局圖形和第一延伸段進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S12，計(jì)算仿真圖形與第一布局圖形的第一邊緣布置誤差，以及仿真圖形與第二延伸段重疊區(qū)域的第二邊緣布置誤差；步驟S13，根據(jù)計(jì)算得到的第一、第二邊緣布置誤差，對(duì)第一布局圖形和第一延伸段進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，得到修正后圖形；步驟S14，對(duì)修正后圖形進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S15，判斷步驟S14中獲得的仿真圖形是否包圍第二延伸段所在區(qū)域，若是， 將修正后圖形作為第一修正圖形；若否，返回執(zhí)行步驟S12。在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，所述執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第二修正圖形包括步驟S21，對(duì)第二布局圖形和第二延伸段進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S22，計(jì)算仿真圖形與第二布局圖形的第三邊緣布置誤差，以及仿真圖形與第一延伸段重疊區(qū)域的第四邊緣布置誤差；步驟S23，根據(jù)計(jì)算得到的第三、第四邊緣布置誤差，對(duì)第二布局圖形和第二延伸段進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，得到修正后圖形；步驟S24，對(duì)修正后圖形進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S25，判斷步驟S24中獲得的仿真圖形是否包圍第一延伸段所在區(qū)域，若是， 將修正后圖形作為第二修正圖形；若否，返回執(zhí)行步驟S22。以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例，為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明的精神，然而本發(fā)明的保護(hù)范圍并不以該具體實(shí)施例的具體描述為限定范圍，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神的范圍內(nèi)，可以對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做修改，而不脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種制作掩膜版的方法，其特征在于，包括 提供布局圖形；將所述布局圖形分割成第一布局圖形和第二布局圖形； 在所述第一布局圖形的切割位置形成第一延伸段； 在所述第二布局圖形的切割位置形成第二延伸段；執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第一修正圖形，所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域；執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第二修正圖形，所述第二修正圖形在圖形化仿真后包圍第一延伸段所在區(qū)域； 將第一修正圖形寫入第一掩膜版； 將第二修正圖形寫入第二掩膜版。
2.如權(quán)利要求1所述的制作掩膜版的方法，其特征在于，所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域包括在所述切割位置第一修正圖形在圖形化仿真后的寬度等于第二延伸段的寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的制作掩膜版的方法，其特征在于，所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域包括在所述切割位置第二修正圖形在圖形化仿真后的寬度等于第一延伸段的寬度。
4.如權(quán)利要求1所述的制作掩膜版的方法，其特征在于，所述執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第一修正圖形包括步驟S11，對(duì)第一布局圖形和第一延伸段進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形； 步驟S12，計(jì)算仿真圖形與第一布局圖形的第一邊緣布置誤差，以及仿真圖形與第二延伸段重疊區(qū)域的第二邊緣布置誤差；步驟S13，根據(jù)計(jì)算得到的第一、第二邊緣布置誤差，對(duì)第一布局圖形和第一延伸段進(jìn)行進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，得到修正后圖形；步驟S14，對(duì)修正后圖形進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S15，判斷步驟S14中獲得的仿真圖形是否包圍第二延伸段所在區(qū)域，若是，將修正后圖形作為第一修正圖形；若否，返回執(zhí)行步驟S12。
5.如權(quán)利要求1所述的制作掩膜版的方法，其特征在于，所述執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第二修正圖形包括步驟S21，對(duì)第二布局圖形和第二延伸段進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形； 步驟S22，計(jì)算仿真圖形與第二布局圖形的第三邊緣布置誤差，以及仿真圖形與第一延伸段重疊區(qū)域的第四邊緣布置誤差；步驟S23，根據(jù)計(jì)算得到的第三、第四邊緣布置誤差，對(duì)第二布局圖形和第二延伸段進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，得到修正后圖形；步驟S24，對(duì)修正后圖形進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S25，判斷步驟S24中獲得的仿真圖形是否包圍第一延伸段所在區(qū)域，若是，將修正后圖形作為第二修正圖形；若否，返回執(zhí)行步驟S22。
6.一種對(duì)布局圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正方法，所述布局圖形被切割成第一布局圖形和第二布局圖形，所述第一布局圖形在切割位置處形成有第一延伸段，所述第二布局圖形在切割位置處形成有第二延伸段；其特征在于，所述方法包括執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第一修正圖形，所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域；執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第二修正圖形，所述第二修正圖形在圖形化仿真后包圍第一延伸段所在區(qū)域。
7.如權(quán)利要求6所述的對(duì)布局圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正方法，其特征在于，所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域包括在所述切割位置第一修正圖形在圖形化仿真后的寬度等于第二延伸段的寬度。
8.如權(quán)利要求6所述的對(duì)布局圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正方法，其特征在于，所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域包括在所述切割位置第二修正圖形在圖形化仿真后的寬度等于第一延伸段的寬度。
9.如權(quán)利要求6所述的對(duì)布局圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正方法，其特征在于，執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第一修正圖形包括步驟S11，對(duì)第一布局圖形和第一延伸段進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形； 步驟S12，計(jì)算仿真圖形與第一布局圖形的第一邊緣布置誤差，以及仿真圖形與第二延伸段重疊區(qū)域的第二邊緣布置誤差；步驟S13，根據(jù)計(jì)算得到的第一、第二邊緣布置誤差，對(duì)第一布局圖形和第一延伸段進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，得到修正后圖形；步驟S14，對(duì)修正后圖形進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S15，判斷步驟S14中獲得的仿真圖形是否包圍第二延伸段所在區(qū)域，若是，將修正后圖形作為第一修正圖形；若否，返回執(zhí)行步驟S12。
10.如權(quán)利要求6所述的對(duì)布局圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正方法，其特征在于，所述執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第二修正圖形包括步驟S21，對(duì)第二布局圖形和第二延伸段進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S22，計(jì)算仿真圖形與第二布局圖形的第三邊緣布置誤差，以及仿真圖形與第一延伸段重疊區(qū)域的第四邊緣布置誤差；步驟S23，根據(jù)計(jì)算得到的第三、第四邊緣布置誤差，對(duì)第二布局圖形和第二延伸段進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，得到修正后圖形；步驟S24，對(duì)修正后圖形進(jìn)行圖形化仿真，獲得仿真圖形；步驟S25，判斷步驟S24中獲得的仿真圖形是否包圍第一延伸段所在區(qū)域，若是，將修正后圖形作為第二修正圖形；若否，返回執(zhí)行步驟S22。
全文摘要
一種制作掩膜版的方法、對(duì)布局圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正方法，制作掩膜版的方法包括提供布局圖形；將布局圖形分割成第一布局圖形和第二布局圖形；在所述第一布局圖形的切割位置形成第一延伸段；在第二布局圖形的切割位置形成第二延伸段；執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第一修正圖形，第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域；執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正，獲得第二修正圖形，第二修正圖形在圖形化仿真后包圍第一延伸段所在區(qū)域；將第一修正圖形寫入第一掩膜版；將第二修正圖形寫入第二掩膜版。圖形化時(shí)在疊加位置處，圖形的寬度和目標(biāo)寬度相等，至少圖形寬度與圖形目標(biāo)寬度之間的差距縮小。
文檔編號(hào)G03F1/14GK102262352SQ20101019286
公開日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2010年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月27日
發(fā)明者楊青 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司