專利名稱：自動控制光刻膠厚度的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制程，尤其涉及自動控制光刻膠厚度的方法和系統(tǒng)。

背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，晶圓的關(guān)鍵尺寸(Critical Dimension)越來越小，例如，線 寬尺寸由45納米變?yōu)?2納米。而維持關(guān)鍵尺寸的均勻性則顯得非常重要。某些類型的圖 案需要不同等級的關(guān)鍵尺寸的均勻性。例如，以45納米制程來說，使用在微處理器電路的 獨(dú)立線需要1. 3納米的線寬的3個標(biāo)準(zhǔn)差(sigma)之間；使用在記憶體陣列的密集線需要 3. 4納米的線寬的3個標(biāo)準(zhǔn)差之間。有多種因素可能影響到上述的關(guān)鍵尺寸。這些因素可能來自光學(xué)、化學(xué)或機(jī)械 方面的因素。針對不同的因素，現(xiàn)有技術(shù)中提出了不同的解決方案。例如，晶圓投影圖案 的光刻機(jī)器(lithography machine)可能因為提供錯誤的能量而造成尺寸錯誤，針對該問 題，中國第2005100(^870. 3號專利公開了一種對能量大小進(jìn)行適當(dāng)控制的方法。其根據(jù) 所需要的關(guān)鍵尺寸計算所需要的能量值，從而對實際關(guān)鍵尺寸進(jìn)行控制。另外，涂覆有化 學(xué)增幅光刻膠的晶圓的存放時間也對最終形成的關(guān)鍵尺寸有影響。針對該問題，中國第 200710171612. 7號專利申請公開了一種關(guān)鍵尺寸的控制方法。其通過產(chǎn)生關(guān)鍵尺寸和存放 時間的對應(yīng)關(guān)系曲線來獲得晶圓的安全存放時間。以此來對關(guān)鍵尺寸進(jìn)行控制。除了現(xiàn)有技術(shù)中提到的影響關(guān)鍵尺寸的因素外，光刻膠的厚度對關(guān)鍵尺寸也有影 響，需要對光刻膠的厚度進(jìn)行控制以滿足關(guān)鍵尺寸的要求。目前在晶圓上涂覆光刻膠的常 用方法是旋轉(zhuǎn)涂膠法。在旋轉(zhuǎn)涂膠中，通過滴膠噴嘴在晶圓上滴膠，并通過晶圓的旋轉(zhuǎn)而在 晶圓上形成一層均勻的光刻膠。在旋轉(zhuǎn)涂膠中，對光刻膠厚度產(chǎn)生影響的最關(guān)鍵的參數(shù)是 晶圓轉(zhuǎn)速和光刻膠粘度。在光刻膠的粘度一定的情況下，晶圓的轉(zhuǎn)速決定了最終形成的光 刻膠的厚度?，F(xiàn)有技術(shù)中一般是通過人工調(diào)節(jié)晶圓轉(zhuǎn)速的方法來調(diào)節(jié)最終在晶圓上形成的 光刻膠厚度。但是隨著需要對轉(zhuǎn)速進(jìn)行調(diào)節(jié)的頻率越來越高，采用人工的方法需要花費(fèi)更 多的人工和時間。因此現(xiàn)有技術(shù)中需要一種自動控制光刻膠厚度的方法和系統(tǒng)，以對晶圓上形成的 光刻膠的厚度進(jìn)行自動控制。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種自動控制光刻膠厚度的方法，包括下列步驟 獲取晶圓的當(dāng)前轉(zhuǎn)速；獲取晶圓上光刻膠的當(dāng)前厚度；將當(dāng)前厚度與目標(biāo)厚度比較，判斷 當(dāng)前厚度與目標(biāo)厚度是否一致；如果當(dāng)前厚度與目標(biāo)厚度不一致，根據(jù)當(dāng)前厚度、目標(biāo)厚度 以及晶圓的當(dāng)前轉(zhuǎn)速計算晶圓的目標(biāo)轉(zhuǎn)速；調(diào)整所述晶圓的轉(zhuǎn)速至目標(biāo)轉(zhuǎn)速。進(jìn)一步地，上述方法在計算所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速后且在調(diào)整所述晶圓的轉(zhuǎn)速至所述目標(biāo) 轉(zhuǎn)速前還包括以下步驟判斷當(dāng)前轉(zhuǎn)速和目標(biāo)轉(zhuǎn)速的差值是否超過預(yù)先確定的閾值；如果 當(dāng)前轉(zhuǎn)速和目標(biāo)轉(zhuǎn)速的差值超過閾值，那么將有關(guān)信息發(fā)送給用戶，由用戶確認(rèn)目標(biāo)轉(zhuǎn)速。較佳地，該閾值可以設(shè)定為當(dāng)前轉(zhuǎn)速的10%。用戶的確認(rèn)不僅包括對計算的所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速 的確認(rèn)，還包括將用戶輸入的轉(zhuǎn)速值確認(rèn)為所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速。上述的目標(biāo)轉(zhuǎn)速可以通過下列公式進(jìn)計算的V2 = (T1XT1XV1) + (T2XT2)，其 中Tl為當(dāng)前厚度，T2為目標(biāo)厚度，Vl為晶圓的當(dāng)前轉(zhuǎn)速。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種自動控制光刻膠厚度的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括轉(zhuǎn) 速檢測單元，其檢測晶圓的當(dāng)前轉(zhuǎn)速；厚度檢測單元，其檢測晶圓的當(dāng)前厚度；存儲單元， 其存儲當(dāng)前轉(zhuǎn)速、當(dāng)前厚度以及目標(biāo)厚度；處理單元，其判斷當(dāng)前厚度與目標(biāo)厚度是否一 致，并在當(dāng)前厚度與目標(biāo)厚度不一致時根據(jù)當(dāng)前厚度、目標(biāo)厚度以及晶圓的當(dāng)前轉(zhuǎn)速計算 晶圓的目標(biāo)轉(zhuǎn)速，且處理單元發(fā)出控制信號以將晶圓的轉(zhuǎn)速改變至目標(biāo)轉(zhuǎn)速；轉(zhuǎn)速檢測單 元、厚度檢測單元和處理單元與存儲單元耦合。上述處理單元進(jìn)一步配置為判斷當(dāng)前轉(zhuǎn)速和目標(biāo)轉(zhuǎn)速的差值是否超過預(yù)先確定 的閾值；如果當(dāng)前轉(zhuǎn)速和目標(biāo)轉(zhuǎn)速的差值超過閾值，那么將有關(guān)信息發(fā)送給用戶，由用戶確 認(rèn)目標(biāo)轉(zhuǎn)速。較佳地，該閾值可以設(shè)定為當(dāng)前轉(zhuǎn)速的10%。用戶的確認(rèn)不僅包括對計算的所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速的確認(rèn)，還包括將用戶輸入的轉(zhuǎn)速值 確認(rèn)為所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速。上述的目標(biāo)轉(zhuǎn)速可以通過下列公式進(jìn)計算的V2 = (T1XT1XV1) + (T2XT2)，其 中Tl為當(dāng)前厚度，T2為目標(biāo)厚度，Vl為晶圓的當(dāng)前轉(zhuǎn)速。通過本發(fā)明的方法和系統(tǒng)，能對晶圓上光刻膠的厚度進(jìn)行自動控制，節(jié)省了人工 和時間。在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式
部分中進(jìn) 一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的 關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā) 明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的方法步驟的流程圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的方法步驟的流程3是根據(jù)本發(fā)明實施例的系統(tǒng)的框圖。
具體實施例方式在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然 而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以 實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn) 行描述。參考圖1，是根據(jù)本發(fā)明實施例的方法100的流程圖。方法100開始于步驟110， 其中獲取晶圓的當(dāng)前轉(zhuǎn)速。該轉(zhuǎn)速一般指的是晶圓每分鐘的轉(zhuǎn)數(shù)(rpm)。一般來說，旋轉(zhuǎn)涂 膠時一般要經(jīng)過以下幾個步驟1、分滴，當(dāng)晶圓靜止或旋轉(zhuǎn)的非常緩慢時，將光刻膠分滴到 晶圓上；2、旋轉(zhuǎn)鋪開?？焖偌铀倬A的旋轉(zhuǎn)到一高的轉(zhuǎn)速，使光刻膠伸展到整個晶圓表面；3、旋轉(zhuǎn)甩膠。甩去多余的光刻膠，在晶圓上得到均勻的光刻膠覆蓋層；4、溶劑揮發(fā)。以固定 轉(zhuǎn)速繼續(xù)旋轉(zhuǎn)已涂膠的晶圓，直至溶劑揮發(fā)，光刻膠層干燥。因此晶圓在旋轉(zhuǎn)涂膠時會從靜 止?fàn)顟B(tài)加速到一定的固定的轉(zhuǎn)速，也就是上述2中加速結(jié)束后的速度。而該速度大致決定 了光刻膠的厚度，因此本發(fā)明中所述的晶圓的轉(zhuǎn)速，指的是晶圓達(dá)到固定的速度時的轉(zhuǎn)速。 該速度的測量可以直接通過涂膠機(jī)進(jìn)行。在獲取該當(dāng)前轉(zhuǎn)速后，將該當(dāng)前轉(zhuǎn)速保存。此后，方法100進(jìn)行到步驟120。在步驟120，獲取晶圓上光刻膠的當(dāng)前厚度。一 般地，在晶圓旋轉(zhuǎn)涂膠結(jié)束后，會將晶圓送到測量機(jī)臺進(jìn)行光刻膠厚度的測量。由于晶圓上 不同位置的光刻膠的厚度是有差異的，比如邊緣位置的光刻膠厚度可能會稍厚，因此，會對 晶圓上若干個不同位置的光刻膠厚度進(jìn)行測量，從而得到光刻膠厚度的圖線。從該圖線計 算出晶圓上光刻膠的平均厚度。在無特殊說明的情況下，下面的厚度指的是晶圓上光刻膠 的平均厚度。在測量機(jī)臺獲取到該當(dāng)前厚度后，將該當(dāng)前厚度保存。然后方法100進(jìn)行到步驟130。在步驟130，將已經(jīng)保存的當(dāng)前厚度與光刻膠的目 標(biāo)厚度比較。此處所述的目標(biāo)厚度指的希望獲得的晶圓上光刻膠的厚度。目標(biāo)厚度可以是 預(yù)先確定的。當(dāng)然可以理解的是，該目標(biāo)厚度可以根據(jù)不同的需求隨時設(shè)定。同時基于比 較結(jié)果在步驟130產(chǎn)生當(dāng)前厚度與目標(biāo)厚度是否一致的響應(yīng)。如果當(dāng)前厚度和目標(biāo)厚度一 致，則發(fā)出“是”的響應(yīng)，如果不一致，則發(fā)出“否”的響應(yīng)。如果在步驟130發(fā)出“是”的響應(yīng)，那么說明晶圓上實際的光刻膠厚度和所希望獲 得的光刻膠厚度一致。此時不需要對晶圓的轉(zhuǎn)速進(jìn)行調(diào)整，方法100結(jié)束。如果在步驟130發(fā)出“否”的響應(yīng)，那么說明晶圓上實際的光刻膠厚度和所希望獲 得的光刻膠厚度不一致，比如，如果測量的晶圓上光刻膠的當(dāng)前厚度為400納米，而光刻膠 的目標(biāo)厚度為405納米，那么就說明當(dāng)前厚度與目標(biāo)厚度不一致，那么需要對晶圓的轉(zhuǎn)速 進(jìn)行調(diào)整，以使得光刻膠的厚度達(dá)到或接近目標(biāo)厚度。此時方法100進(jìn)行到步驟140。在步驟140，計算晶圓的目標(biāo)轉(zhuǎn)速。在本發(fā)明中，主要考慮晶圓的轉(zhuǎn)速對光刻膠厚 度的影響，因此是通過計算晶圓的目標(biāo)轉(zhuǎn)速來對光刻膠的厚度進(jìn)行調(diào)整的。具體來說，晶圓 的目標(biāo)轉(zhuǎn)速的計算是根據(jù)光刻膠的當(dāng)前厚度、晶圓的當(dāng)前轉(zhuǎn)速和光刻膠的目標(biāo)厚度來進(jìn)行 的。在本發(fā)明的一個實施例中，提出了一種計算晶圓的目標(biāo)轉(zhuǎn)速的計算公式，如下V2 = (T1XT1XV1) + (T2XT2)其中Vl為當(dāng)前轉(zhuǎn)速，Tl為當(dāng)前厚度，T2為目標(biāo)厚度，V2為目標(biāo)轉(zhuǎn)速。這樣在Tl、 Vl和T2都已知的情況下，可以計算出為了得到目標(biāo)厚度所需要的目標(biāo)轉(zhuǎn)速。需要說明的是，上面提出的計算公式僅僅是本發(fā)明的一個實施例，也可以采用其 他合適的計算目標(biāo)轉(zhuǎn)速的方法或公式來自動獲得晶圓的目標(biāo)轉(zhuǎn)速。在步驟150，對晶圓的轉(zhuǎn)速進(jìn)行調(diào)整?；谠诓襟E140計算得到的晶圓的目標(biāo)轉(zhuǎn) 速，對晶圓的轉(zhuǎn)速進(jìn)行調(diào)整。比如，可以發(fā)出控制信號給涂膠機(jī)，以改變晶圓的轉(zhuǎn)速，使得轉(zhuǎn) 速改變到上述的目標(biāo)轉(zhuǎn)速。為了降低出錯的風(fēng)險，可選擇地，該方法100還包括步驟160和步驟170。參考圖 2，該可選的步驟160可以設(shè)置在步驟140之后，步驟170可以設(shè)置在步驟160之后并在步 驟150之前。在步驟160，判斷需要調(diào)整的轉(zhuǎn)速(即目標(biāo)轉(zhuǎn)速與當(dāng)前轉(zhuǎn)速之間的差值)是否 超過預(yù)先設(shè)定的閾值。如果需要調(diào)整的轉(zhuǎn)速沒有超過該閾值，那么方法100直接進(jìn)行到上 面所述的步驟150，基于該目標(biāo)轉(zhuǎn)速對晶圓的轉(zhuǎn)速進(jìn)行調(diào)整。如果需要調(diào)整的轉(zhuǎn)速超過該預(yù)先設(shè)定的閾值，那么方法100進(jìn)行到步驟170。該預(yù)先設(shè)定的閾值可以是某一轉(zhuǎn)速數(shù)值，也 可以是某一比例。例如可以將該閾值設(shè)定為當(dāng)前轉(zhuǎn)速的一個百分比。較佳地該百分比可以 設(shè)定為10%。這樣當(dāng)需要調(diào)整的轉(zhuǎn)速超過當(dāng)前轉(zhuǎn)速的10%時，認(rèn)為需要調(diào)整的轉(zhuǎn)速超過了 閾值，方法100進(jìn)行到步驟170。實踐中該百分比既可以有效地避免出錯，也不會造成過多 的人工干預(yù)，能取得較好的技術(shù)效果。當(dāng)然，該預(yù)先設(shè)定的閾值不限于上面的特定例子，可 以設(shè)定其他合適的值。在步驟170，將有關(guān)信息發(fā)送給用戶，由用戶進(jìn)行確認(rèn)是否進(jìn)行轉(zhuǎn)速調(diào)整。有關(guān)信 息可以包括當(dāng)前轉(zhuǎn)速、當(dāng)前厚度、目標(biāo)轉(zhuǎn)速、目標(biāo)厚度、需要調(diào)整的轉(zhuǎn)速等等。如果用戶對該 調(diào)整進(jìn)行確認(rèn)，那么方法100進(jìn)行到步驟150，按照計算出的目標(biāo)轉(zhuǎn)速對晶圓的轉(zhuǎn)速進(jìn)行調(diào) 整。用戶的確認(rèn)不僅包括對該目標(biāo)轉(zhuǎn)速的確認(rèn)，還包括將一用戶輸入的轉(zhuǎn)速確認(rèn)為目標(biāo)轉(zhuǎn) 速。如果用戶沒有對該調(diào)整進(jìn)行確認(rèn)，那么方法100終止。在完成對晶圓的轉(zhuǎn)速調(diào)整后，方法100終止?？梢岳斫獾氖?，本發(fā)明的實施例的方法可以是持續(xù)進(jìn)行的。也就是說，當(dāng)對一個晶 圓實施上述方法后，對隨后的晶圓繼續(xù)實施上述的方法。這樣可以對晶圓的生產(chǎn)持續(xù)進(jìn)行 檢測和控制，不僅提高了自動化程度，也對光刻膠的厚度進(jìn)行了持續(xù)的控制。本發(fā)明的另一方面還提供了用于實施上述方法100的系統(tǒng)。參考圖3，是根據(jù)本發(fā) 明實施例的用于實施方法100的系統(tǒng)的框圖。該系統(tǒng)包括轉(zhuǎn)速檢測單元310、厚度檢測單 元320、處理單元330和存儲單元340。轉(zhuǎn)速檢測單元310、厚度檢測單元320和處理單元 330分別與存儲單元340耦合。轉(zhuǎn)速檢測單元310配置為檢測晶圓的當(dāng)前轉(zhuǎn)速，并將檢測 到的當(dāng)前轉(zhuǎn)速存儲到存儲單元340中。厚度檢測單元320配置為檢測晶圓上光刻膠的當(dāng)前 厚度，并將檢測到的當(dāng)前厚度存儲到存儲單元340中。此外，存儲單元340還存儲預(yù)先設(shè)定 的目標(biāo)轉(zhuǎn)速或者由用戶隨時輸入的目標(biāo)轉(zhuǎn)速。處理單元330配置為將當(dāng)前厚度和目標(biāo)厚度 比較，并在當(dāng)前厚度和目標(biāo)厚度不一致時，通過當(dāng)前厚度、當(dāng)前轉(zhuǎn)速和目標(biāo)厚度計算晶圓的 目標(biāo)轉(zhuǎn)速，然后發(fā)出控制信號給涂膠機(jī)，使得晶圓的轉(zhuǎn)速改變到目標(biāo)轉(zhuǎn)速。可以理解的是， 該控制信號也可以不直接發(fā)送給涂膠機(jī)，而是先發(fā)送給晶圓制造執(zhí)行系統(tǒng)(MES)，然后通過 MES來對晶圓的轉(zhuǎn)速進(jìn)行調(diào)整?；蛘甙l(fā)送給其他中間系統(tǒng)，再由中間系統(tǒng)對晶圓的轉(zhuǎn)速進(jìn)行 調(diào)整。所述處理單元330可以進(jìn)一步配置為判斷當(dāng)前轉(zhuǎn)速和目標(biāo)轉(zhuǎn)速的差值是否超過 預(yù)先確定的閾值，其當(dāng)該差值超過閾值時，將有關(guān)信息發(fā)送給用戶，由用戶確認(rèn)目標(biāo)轉(zhuǎn)速。 有關(guān)信息可以包括當(dāng)前轉(zhuǎn)速、當(dāng)前厚度、目標(biāo)轉(zhuǎn)速、目標(biāo)厚度、需要調(diào)整的轉(zhuǎn)速等等。如果用 戶對該調(diào)整進(jìn)行確認(rèn)，處理單元330按照計算出的目標(biāo)轉(zhuǎn)速發(fā)出控制信號以對晶圓的轉(zhuǎn)速 進(jìn)行調(diào)整。用戶的確認(rèn)不僅包括對該目標(biāo)轉(zhuǎn)速的確認(rèn)，還包括將一用戶輸入的轉(zhuǎn)速確認(rèn)為 目標(biāo)轉(zhuǎn)速。如果用戶沒有對該調(diào)整進(jìn)行確認(rèn)，那么處理單元330不發(fā)出控制信號。通過本發(fā)明的實施例的方法和系統(tǒng)，可以實現(xiàn)對晶圓上光刻膠厚度的自動化控 制，降低了人工和時間，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實施例只是用于 舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人 員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的 變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種自動控制光刻膠厚度的方法，所述方法包括下列步驟 獲取晶圓的當(dāng)前轉(zhuǎn)速；獲取所述晶圓上光刻膠的當(dāng)前厚度；將所述當(dāng)前厚度與目標(biāo)厚度比較，判斷所述當(dāng)前厚度與所述目標(biāo)厚度是否一致； 如果所述當(dāng)前厚度與所述目標(biāo)厚度不一致，根據(jù)所述當(dāng)前厚度、所述目標(biāo)厚度以及所 述晶圓的所述當(dāng)前轉(zhuǎn)速計算所述晶圓的目標(biāo)轉(zhuǎn)速； 調(diào)整所述晶圓的轉(zhuǎn)速至所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在計算所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速后且在調(diào)整所述晶 圓的轉(zhuǎn)速至所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速前還包括以下步驟判斷所述當(dāng)前轉(zhuǎn)速和所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速的差值是否超過預(yù)先確定的閾值； 如果所述當(dāng)前轉(zhuǎn)速和所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速的差值超過所述閾值，那么將有關(guān)信息發(fā)送給用 戶，由用戶確認(rèn)所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述用戶的確認(rèn)包括將用戶輸入的轉(zhuǎn)速 值確認(rèn)為所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一所述的方法，其特征在于，所述晶圓的所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速通過 下列公式進(jìn)計算的V2 = (Tl XTlX VI) + (T2 X T2)，其中Tl為所述當(dāng)前厚度，T2為所述目 標(biāo)厚度，Vl為所述晶圓的所述當(dāng)前轉(zhuǎn)速。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述閾值設(shè)定為當(dāng)前轉(zhuǎn)速的10%。
6.一種自動控制光刻膠厚度的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括轉(zhuǎn)速檢測單元，所述轉(zhuǎn)速檢測單元檢測晶圓的當(dāng)前轉(zhuǎn)速； 厚度檢測單元，所述厚度檢測單元檢測所述晶圓的當(dāng)前厚度； 存儲單元，所述存儲單元存儲所述當(dāng)前轉(zhuǎn)速、所述當(dāng)前厚度以及目標(biāo)厚度； 處理單元，所述處理單元判斷所述當(dāng)前厚度與所述目標(biāo)厚度是否一致，并在所述當(dāng)前 厚度與所述目標(biāo)厚度不一致時根據(jù)所述當(dāng)前厚度、所述目標(biāo)厚度以及所述晶圓的所述當(dāng)前 轉(zhuǎn)速計算所述晶圓的目標(biāo)轉(zhuǎn)速，且所述處理單元發(fā)出控制信號以將所述晶圓的轉(zhuǎn)速改變至 所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速；所述轉(zhuǎn)速檢測單元、所述厚度檢測單元和所述處理單元與所述存儲單元耦合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述處理單元進(jìn)一步配置為 判斷所述當(dāng)前轉(zhuǎn)速和所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速的差值是否超過預(yù)先確定的閾值；如果所述當(dāng)前轉(zhuǎn)速和所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速的差值超過所述閾值，那么將有關(guān)信息發(fā)送給用 戶，由用戶確認(rèn)所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述用戶的確認(rèn)包括將用戶輸入的轉(zhuǎn)速 值確認(rèn)為所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至7中任一所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述晶圓的所述目標(biāo)轉(zhuǎn)速通過 下列公式進(jìn)計算的V2 = (Tl XTlX VI) + (T2 X T2)，其中Tl為所述當(dāng)前厚度，T2為所述目 標(biāo)厚度，Vl為所述晶圓的所述當(dāng)前轉(zhuǎn)速。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述閾值設(shè)定為當(dāng)前轉(zhuǎn)速的10%。
全文摘要
本發(fā)明公開了自動控制光刻膠厚度的方法和系統(tǒng)，該方法包括以下步驟獲取晶圓的當(dāng)前轉(zhuǎn)速；獲取晶圓上光刻膠的當(dāng)前厚度；將當(dāng)前厚度與目標(biāo)厚度比較，判斷當(dāng)前厚度與目標(biāo)厚度是否一致；如果當(dāng)前厚度與目標(biāo)厚度不一致，根據(jù)當(dāng)前厚度、目標(biāo)厚度以及晶圓的當(dāng)前轉(zhuǎn)速計算晶圓的目標(biāo)轉(zhuǎn)速；調(diào)整所述晶圓的轉(zhuǎn)速至目標(biāo)轉(zhuǎn)速。該系統(tǒng)包括轉(zhuǎn)速檢測單元；厚度檢測單元；存儲單元；處理單元；所述轉(zhuǎn)速檢測單元、所述厚度檢測單元和所述處理單元與所述存儲單元耦合。通過本發(fā)明的方法和系統(tǒng)，能對晶圓上光刻膠的厚度進(jìn)行自動控制，節(jié)省了人工和時間。
文檔編號G03F7/16GK102122116SQ20101002261
公開日2011年7月13日 申請日期2010年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月8日
發(fā)明者喬輝, 羅大杰 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司