專(zhuān)利名稱(chēng)：一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種量測(cè)晶圓檢測(cè)機(jī)臺(tái)穩(wěn)定性和精確性的監(jiān)控方法，尤其涉及一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路工藝的發(fā)展和檢測(cè)機(jī)臺(tái)性能的不斷提高，工廠開(kāi)始重視檢測(cè)晶圓邊緣的缺陷情況。現(xiàn)行的一種快速有效的工藝步驟品質(zhì)監(jiān)控方法是利用CV300R檢測(cè)機(jī)臺(tái)對(duì)經(jīng)過(guò)邊緣曝光和邊膠去除程序后的晶圓邊緣進(jìn)行缺陷檢測(cè)。因此，保證檢測(cè)機(jī)臺(tái)自身的穩(wěn)定性和精確性顯得至關(guān)重要。但是，目前業(yè)內(nèi)CV300R檢測(cè)機(jī)臺(tái)采用的自身檢測(cè)方法過(guò)于簡(jiǎn)單，不能實(shí)際反映檢測(cè)機(jī)臺(tái)自身的穩(wěn)定性和精確性。
已有的CV300R檢測(cè)機(jī)臺(tái)采用的自身檢測(cè)方法是通過(guò)使用與檢測(cè)機(jī)臺(tái)匹配的標(biāo)準(zhǔn)片，該標(biāo)準(zhǔn)片的正面、側(cè)面和背面均包含一定數(shù)目的粒子，粒子在晶圓表面不能移動(dòng)。檢測(cè)機(jī)臺(tái)通過(guò)日常檢測(cè)獲得該標(biāo)準(zhǔn)片的正面、側(cè)面和背面大小為Ium的粒子總數(shù)目，將測(cè)量得到的Ium的粒子數(shù)值與Ium的粒子基準(zhǔn)數(shù)目進(jìn)行比較，比較所得的比值結(jié)果在(90%，110%)之間時(shí)表示檢測(cè)機(jī)臺(tái)符合標(biāo)準(zhǔn)，檢測(cè)機(jī)臺(tái)可以正常使用。但是，這種檢測(cè)方法下所得的檢測(cè)結(jié)果只能大致反映檢測(cè)機(jī)臺(tái)對(duì)顆粒狀缺陷的捕捉能力，而無(wú)法體現(xiàn)出對(duì)于硅片邊緣的厚度檢測(cè)的穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述存在的問(wèn)題，本發(fā)明的目的提供一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法，通過(guò)選取標(biāo)準(zhǔn)片，在標(biāo)準(zhǔn)片上按規(guī)定標(biāo)注刻度，將某一刻度處的數(shù)值設(shè)為參照數(shù)，與標(biāo)準(zhǔn)片經(jīng)檢測(cè)機(jī)臺(tái)量測(cè)此刻度后所得的數(shù)值進(jìn)行對(duì)比，通過(guò)對(duì)比值量測(cè)檢測(cè)機(jī)臺(tái)自身的穩(wěn)定性和精確性。本發(fā)明的目的是通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法，其中，包括以下步驟
步驟I:選取一裸晶圓；
步驟2:以所述裸晶圓邊緣處為起點(diǎn)，分別從0°、80°、180°和270°四個(gè)角度到所述裸晶圓中心位置的0-5000Mm距離內(nèi)，以ΙΟΟΟμπι為單位在所述裸晶圓上標(biāo)注刻度線；
步驟3:以所述裸晶圓上的所述四個(gè)角度標(biāo)注的刻度線上的各3000Mm處為參照點(diǎn)，所述參照點(diǎn)分別為第一參照點(diǎn)、第二參照點(diǎn)、第三參照點(diǎn)、第四參照點(diǎn)；
步驟4 :分別計(jì)算經(jīng)檢測(cè)后的所述裸晶圓上在所述第一參照點(diǎn)、第二參照點(diǎn)、第三參照點(diǎn)、第四參照點(diǎn)處得到的測(cè)量值，所述測(cè)量值對(duì)應(yīng)分別為第一測(cè)量值、第二測(cè)量值、第三測(cè)量值、第四測(cè)量值；
步驟5 :計(jì)算所述第一參照點(diǎn)與所述第一測(cè)量值、所述第二參照點(diǎn)與所述第二測(cè)量值、所述第三參照點(diǎn)與所述第三測(cè)量值、所述第四參照點(diǎn)與所述第四測(cè)量值的差值。上述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法，其中，將步驟I中所選的所述裸晶圓作為量測(cè)檢測(cè)機(jī)臺(tái)穩(wěn)定性和精確性的標(biāo)準(zhǔn)片。上述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法，其中，步驟2中所述裸晶圓邊緣處的刻度為O。上述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法，其中，步驟2中所述裸晶圓上的刻度從邊緣處至中心位置方向遞增。上述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法，其中，步驟2中在所述裸晶圓邊緣處選擇任意一點(diǎn)，設(shè)所述任意一點(diǎn)到所述裸晶圓中心位置的方向?yàn)槠鹗级?°，所述80°、180°和270°分別以所述0°為基準(zhǔn)測(cè)量。上述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法，其中，步驟4中的檢測(cè)機(jī)臺(tái)為CV300R。
上述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法，其中，步驟5中計(jì)算得出的四個(gè)差值的絕對(duì)值均小于20Mm，則檢測(cè)機(jī)臺(tái)的穩(wěn)定性和精確性符合標(biāo)準(zhǔn)。本發(fā)明的有益效果是利用標(biāo)準(zhǔn)片上若干同一位置在按規(guī)定標(biāo)注所得的刻度值與經(jīng)檢測(cè)機(jī)臺(tái)測(cè)量所得的刻度值對(duì)比，依據(jù)所得的對(duì)比值量測(cè)檢測(cè)機(jī)臺(tái)自身的穩(wěn)定性和精確性，本發(fā)明有利于提高晶圓缺陷檢測(cè)的精確率，從而降低晶圓報(bào)廢率，提高生產(chǎn)效益。


圖I是本發(fā)明的一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合原理圖和具體操作優(yōu)選方案對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。結(jié)合圖I中所示，一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法，其中，包括以下步驟
步驟I:選取一裸晶圓I;
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方案中，此步驟中所選的裸晶圓I作為量測(cè)檢測(cè)機(jī)臺(tái)穩(wěn)定性和精確性的標(biāo)準(zhǔn)片。步驟2 :以裸晶圓邊緣處為起點(diǎn)，分別從0°、80°、180°和270°四個(gè)角度到裸晶圓中心位置的0-5000Mm距離內(nèi)，以IOOOMm為單位在裸晶圓上標(biāo)注刻度線；
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方案中，進(jìn)一步的，設(shè)裸晶圓I邊緣處的刻度為0，則裸晶圓I上的刻度111從邊緣處至中心位置方向遞增；
于上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，進(jìn)一步的，在裸晶圓邊緣處選擇任意一點(diǎn)，設(shè)此任意一點(diǎn)到裸晶圓中心位置的方向?yàn)槠鹗级?°，見(jiàn)圖I中11所示；則80°、180°和270°為分別以前述0°，即11為起始線測(cè)量所得，依次見(jiàn)圖I中12、13、14所示。步驟3:以裸晶圓上的前述四個(gè)角度即0°、80°、180°和270°方向標(biāo)注的刻度線上的各3000Mffl處為參照點(diǎn)，設(shè)前述參照點(diǎn)分別為第一參照點(diǎn)、第二參照點(diǎn)、第三參照點(diǎn)、第四參照點(diǎn)；圖I中標(biāo)示第一參照點(diǎn)為112，即112處的刻度為3000Mffl。步驟4 :分別計(jì)算經(jīng)檢測(cè)后的裸晶圓上在前述第一參照點(diǎn)112、第二參照點(diǎn)、第三參照點(diǎn)、第四參照點(diǎn)處得到的測(cè)量值，設(shè)前述測(cè)量值對(duì)應(yīng)分別為第一測(cè)量值X、第二測(cè)量值、第三測(cè)量值、第四測(cè)量值；
進(jìn)一步的，在此步驟中的檢測(cè)機(jī)臺(tái)為CV300R。步驟5:計(jì)算前述第一參照點(diǎn)112與前述第一測(cè)量值X、前述第二參照點(diǎn)與前述第二測(cè)量值、前述第三參照點(diǎn)與前述第三測(cè)量值、前述第四參照點(diǎn)與前述第四測(cè)量值的差值；
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方案中，此步驟中計(jì)算得出的四個(gè)差值的絕對(duì)值均小于20Mm，則檢測(cè)機(jī)臺(tái)的穩(wěn)定性和精確性符合標(biāo)準(zhǔn)，即可表述為I 3000Mm-x I <20Mm時(shí)，檢測(cè)機(jī)臺(tái)的穩(wěn)定性和精確性符合標(biāo)準(zhǔn)。
以上對(duì)本發(fā)明的具體優(yōu)選方案進(jìn)行了詳細(xì)描述，但本發(fā)明并不限制于以上描述的具體 優(yōu)選方案，其只是作為范例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作出的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法，其特征在于，包括以下步驟 步驟I:選取一裸晶圓； 步驟2:以所述裸晶圓邊緣處為起點(diǎn)，分別從0°、80°、180°和270°四個(gè)角度到所述裸晶圓中心位置的0-5000Mm距離內(nèi)，以IOOOMm為單位在所述裸晶圓上標(biāo)注刻度線； 步驟3:以所述裸晶圓上的所述四個(gè)角度標(biāo)注的刻度線上的各3000Mm處為參照點(diǎn)，所述參照點(diǎn)分別為第一參照點(diǎn)、第二參照點(diǎn)、第三參照點(diǎn)、第四參照點(diǎn)； 步驟4 :分別計(jì)算經(jīng)檢測(cè)后的所述裸晶圓上在所述第一參照點(diǎn)、第二參照點(diǎn)、第三參照點(diǎn)、第四參照點(diǎn)處得到的測(cè)量值，所述測(cè)量值對(duì)應(yīng)分別為第一測(cè)量值、第二測(cè)量值、第三測(cè)量值、第四測(cè)量值； 步驟5 :計(jì)算所述第一參照點(diǎn)與所述第一測(cè)量值、所述第二參照點(diǎn)與所述第二測(cè)量值、所述第三參照點(diǎn)與所述第三測(cè)量值、所述第四參照點(diǎn)與所述第四測(cè)量值的差值。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法，其特征在于，將步驟I中所選的所述裸晶圓作為量測(cè)檢測(cè)機(jī)臺(tái)穩(wěn)定性和精確性的標(biāo)準(zhǔn)片。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法，其特征在于，步驟2中所述裸晶圓邊緣處的刻度為O。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法，其特征在于，步驟2中所述裸晶圓上的刻度從邊緣處至中心位置方向遞增。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法，其特征在于，步驟2中在所述裸晶圓邊緣處選擇任意一點(diǎn)，設(shè)所述任意一點(diǎn)到所述裸晶圓中心位置的方向?yàn)槠鹗级?°，所述80°、180°和270°分別以所述0°為基準(zhǔn)測(cè)量。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法，其特征在于，步驟4中的檢測(cè)機(jī)臺(tái)為CV300R。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法，其特征在于，步驟5中計(jì)算得出的四個(gè)差值的絕對(duì)值均小于20Mm，則檢測(cè)機(jī)臺(tái)的穩(wěn)定性和精確性符合標(biāo)準(zhǔn)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種量測(cè)晶圓檢測(cè)機(jī)臺(tái)穩(wěn)定性和精確性的監(jiān)控方法，尤其涉及一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法。本發(fā)明一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測(cè)穩(wěn)定性的監(jiān)控方法利用標(biāo)準(zhǔn)片上若干同一位置在按規(guī)定標(biāo)注所得的刻度值與經(jīng)檢測(cè)機(jī)臺(tái)測(cè)量所得的刻度值對(duì)比，依據(jù)所得的對(duì)比值量測(cè)檢測(cè)機(jī)臺(tái)自身的穩(wěn)定性和精確性，本發(fā)明有利于提高晶圓缺陷檢測(cè)的精確率，從而降低晶圓報(bào)廢率，提高生產(chǎn)效益。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102867762SQ20121034346
公開(kāi)日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2012年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月17日
發(fā)明者朱陸君, 倪棋梁, 陳宏璘 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司