專利名稱：線性電動(dòng)機(jī)磁屏蔽件設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種線性電動(dòng)機(jī)，并且具體地涉及一種用于例如半導(dǎo)體光刻 術(shù)等精確驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的線性電動(dòng)機(jī)。
背景技術(shù)：
許多自動(dòng)制造過(guò)程需要能夠迅速地和精確地將工件移動(dòng)到執(zhí)行一個(gè)或更多個(gè)工 藝步驟的位置。在一些應(yīng)用中，例如在半導(dǎo)體光刻術(shù)中，這種精確地定位必須實(shí)現(xiàn)接近納米 的精確度，和與現(xiàn)代光刻過(guò)程的產(chǎn)量要求相符的速度。與以納米量級(jí)的精確度定位設(shè)備相關(guān)聯(lián)的挑戰(zhàn)具有重要意義，在光刻系統(tǒng)的情形 中尤其是這樣。在光刻術(shù)情形中，襯底經(jīng)過(guò)多次處理，這些處理產(chǎn)生現(xiàn)代的集成電路。這些 處理中的許多處理需要在襯底上執(zhí)行多個(gè)步驟，其中每個(gè)步驟需要從一個(gè)步驟到下一步驟 的極度的對(duì)準(zhǔn)(excruciating alignment)。這些步驟中的許多步驟需要襯底被移入和移出 一個(gè)或更多個(gè)用于圖案化和其他操作的平臺(tái)。不僅納米對(duì)準(zhǔn)是重要的挑戰(zhàn)，而且現(xiàn)代光刻 系統(tǒng)的產(chǎn)量要求快速移動(dòng)到這些精確位置和從這些精確位置快速移出。而且，許多光刻系 統(tǒng)包含兩個(gè)或更多個(gè)臺(tái)，使得可以與主處理步驟并行地完成預(yù)備步驟。使用多個(gè)臺(tái)需要對(duì) 襯底迅速地重新定位以便利用多個(gè)臺(tái)的優(yōu)點(diǎn)。線性電動(dòng)機(jī)由于其精確度、加速度、行程范圍、包裝尺寸、改進(jìn)的功耗、可靠性和壽 命，已經(jīng)成為光刻術(shù)中優(yōu)選的定位裝置。在許多光刻應(yīng)用中，線性電動(dòng)機(jī)的陣列被用來(lái)在滿 足現(xiàn)代光刻裝備的體積和其他要求的同時(shí)，最大化致動(dòng)力。通常，線性電動(dòng)機(jī)包括具有永磁體的磁通路、背鐵(back-iron)和線圈。當(dāng)線圈通 電時(shí)，通電線圈和永磁體之間的電磁相互作用產(chǎn)生用于精確定位的致動(dòng)力。然而，一些磁通量從線性電動(dòng)機(jī)的預(yù)定磁通路中泄漏出去。因?yàn)橄噜従€性電動(dòng)機(jī) 的鄰近效應(yīng)(proximity)，漏磁通通過(guò)相鄰的線性電動(dòng)機(jī)內(nèi)部的永磁體和鐵磁材料提供的 交變的低阻路徑傳播。這種漏磁通的路徑導(dǎo)致不希望的串?dāng)_(cross-talk)力，該串?dāng)_力與 線性電動(dòng)機(jī)產(chǎn)生的期望力相互沖突。具體地，這些串?dāng)_力帶來(lái)了在精確定位系統(tǒng)中線性電動(dòng)機(jī)的使用的重要的問(wèn)題。 首先，一部分名義上有效的電動(dòng)機(jī)力在克服沿驅(qū)動(dòng)方向上的串?dāng)_阻力時(shí)被損失，這導(dǎo)致功 耗增大。其次，驅(qū)動(dòng)方向上的串?dāng)_阻力隨相鄰的線性電動(dòng)機(jī)或相鄰的鐵磁材料之間的距離 而變化。在潛在的不穩(wěn)定結(jié)果的情況下，這種變化給線性電動(dòng)機(jī)的控制系統(tǒng)帶來(lái)很大挑戰(zhàn)。 最后，側(cè)向上的串?dāng)_力分量(即驅(qū)動(dòng)方向的側(cè)向)導(dǎo)致不希望的物理作用力施加到線性電 動(dòng)機(jī)所安裝的框架上。這種作用力的水平可以足夠明顯地導(dǎo)致所述框架的變形。例如，在 給定的配置中，0. IN的側(cè)向串?dāng)_力可以導(dǎo)致20 μ m量級(jí)的磁體框架變形。這種變形導(dǎo)致已 經(jīng)必須考慮包裝效率、制造公差、對(duì)準(zhǔn)公差以及設(shè)計(jì)安全因素的定位系統(tǒng)的線性電動(dòng)機(jī)設(shè) 計(jì)的極大挑戰(zhàn)。因而，需要的是一種線性電動(dòng)機(jī)，其可以最小化漏磁通的影響，同時(shí)必需保持精確 的定位和快速的加速度的優(yōu)點(diǎn)，以便滿足現(xiàn)代半導(dǎo)體光刻術(shù)的需要。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，提供一種線性電動(dòng)機(jī)，其通過(guò)采用與磁通路中的永磁體 和背鐵緊密鄰近但隔離開的低磁阻屏蔽件來(lái)減小磁通泄漏。在本發(fā)明的不同實(shí)施例中，通過(guò)空氣、真空、環(huán)氧樹脂、反磁材料和/或高磁阻材 料提供屏蔽件的隔離。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，屏蔽件的配置提供雜散磁通截取和重新引導(dǎo)的變化角度。在本發(fā)明的還一實(shí)施例中，多片屏蔽件包括用以在移動(dòng)方向上重新引導(dǎo)雜散磁通 并且連接到磁通路的部件的屏蔽件，并且用以在移動(dòng)方向的側(cè)向上重新引導(dǎo)雜散磁通的屏 蔽件是靜止的。本發(fā)明的其他實(shí)施例、特征和優(yōu)點(diǎn)以及本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和操作下面將 參照附圖進(jìn)行詳細(xì)的描述。


參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同或功 能相似的元件。圖IA和IB分別示出反射型的和透射型的光刻設(shè)備；圖2提供在兩個(gè)相鄰的線性電動(dòng)機(jī)的磁通路中的示例性的磁通泄漏的模擬；圖3示出密集包裝的線性電動(dòng)機(jī)排列配置；圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的三個(gè)相鄰的具有屏蔽件的線性電動(dòng)機(jī)的排列的示 意圖；圖5A和5B分別示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有屏蔽件的線性電動(dòng)機(jī)的俯視圖和剖 視圖；圖6示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的屏蔽件的另一配置；圖7提供根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用以處理襯底的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式雖然這里參照用于特定應(yīng)用的示例性的實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解，本 發(fā)明并不限于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員在獲得本發(fā)明所提供的教導(dǎo)的情況下將會(huì)意識(shí)到在本發(fā) 明范圍內(nèi)的附加的修改、應(yīng)用和實(shí)施例以及本發(fā)明將會(huì)有重要的應(yīng)用的另外的領(lǐng)域。圖IA和IB分別示意地示出了光刻設(shè)備100和光刻設(shè)備100，。光刻設(shè)備100和 光刻設(shè)備100’中每一個(gè)包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B (例如，深 紫外(DUV)輻射或極紫外(EUV)輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其配置用于支撐圖案 形成裝置(例如掩模、掩模版或動(dòng)態(tài)圖案形成裝置)MA，并與配置用于精確地定位圖案形成 裝置MA的第一定位裝置PM相連；和襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，其配置用于保持襯底(例如 涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連。光刻 設(shè)備100和100，還具有投影系統(tǒng)PS，其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖 案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。在光刻設(shè)備100中，圖案形成裝置MA和投影系統(tǒng)PS是反射型的，而在光刻設(shè)備100’中，圖案形成裝置MA和投影系統(tǒng) PS是透射型的。照射系統(tǒng)IL可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁 型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射B。支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置MA的方向、光刻設(shè)備100和100，的設(shè)計(jì)以及 諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所 述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)保持圖案形成裝置MA。支 撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。支撐結(jié)構(gòu)MT可 以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng)PS)。術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”MA應(yīng)該被廣義地理解為表示可以用于將圖案在輻射束的橫 截面上賦予輻射束B、以便在襯底W的目標(biāo)部分C上形成圖案的任何裝置。被賦予輻射束B 的圖案可以與在目標(biāo)部分C上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射型的(如圖IB中的光刻設(shè)備100’)或反射型的(如 圖IA中的光刻設(shè)備100)。圖案形成裝置MA的例子包括掩模版、掩模、可編程反射鏡陣列以 及可編程LCD面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩 模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的 示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入 射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束B。術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)"PS可以包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射 型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、 或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。真空環(huán)境可以用于EUV或電 子束輻射，因?yàn)槠渌麣怏w可能會(huì)吸收太多的輻射或電子。因此借助真空壁和真空泵的幫助， 真空環(huán)境可以被提供到整個(gè)束路徑。光刻設(shè)備100和/或光刻設(shè)備100’可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和 /或兩個(gè)或更多的掩模臺(tái))WT的類型。在這種“多臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用附加的襯底 臺(tái)WT，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它襯底臺(tái)WT用 于曝光。當(dāng)可以在一個(gè)或更多個(gè)其他襯底臺(tái)WT被用于曝光的同時(shí)執(zhí)行所述預(yù)備步驟時(shí)，所 述預(yù)備步驟被稱為“在線狀態(tài)”期間發(fā)生，因?yàn)樗鲱A(yù)備步驟是在光刻設(shè)備100和/或光刻 設(shè)備100’的所需產(chǎn)量?jī)?nèi)執(zhí)行的。相反，當(dāng)不能在一個(gè)或更多個(gè)其他襯底臺(tái)WT被用于曝光 的同時(shí)執(zhí)行所述預(yù)備步驟時(shí)，所述預(yù)備步驟被稱為“離線狀態(tài)”期間發(fā)生，因?yàn)樗鲱A(yù)備步 驟不能在光刻設(shè)備100和/或光刻設(shè)備100’的所需產(chǎn)量?jī)?nèi)執(zhí)行。正如這里更詳細(xì)的描述， 曝光系統(tǒng)(例如，光刻設(shè)備100、100’的投影系統(tǒng)PS)的聚焦定位參數(shù)可以在離線狀態(tài)、在 線狀態(tài)或兩者的結(jié)合狀態(tài)下進(jìn)行確定。參照?qǐng)DIA和1B，照射器IL接收來(lái)自輻射源SO的輻射束。源SO和所述光刻設(shè)備 100、100’可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源SO為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將 該源SO考慮成形成光刻設(shè)備100、100’的一部分，并且通過(guò)包括例如合適的定向反射鏡和 /或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD (圖1B)的幫助，將所述輻射束B從所述源SO傳到所述照射器 IL。在其它情況下，源SO可以是所述光刻設(shè)備100、100’的組成部分(例如當(dāng)源SO是汞燈 時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起
7稱作輻射系統(tǒng)。照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD(圖IB)。通 常，可以對(duì)所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一 般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件 (圖1Β)，例如積分器IN和聚光器CO?？梢詫⑺稣丈淦鱅L用于調(diào)節(jié)所述輻射束B，以在 其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。參見圖1A，輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))MT上的所述圖案形成 裝置(例如，掩模)MA上，并且通過(guò)所述圖案形成裝置MA來(lái)形成圖案。在光刻設(shè)備100中， 輻射束B從圖案形成裝置(例如掩模)MA反射。已經(jīng)從圖案形成裝置(例如掩模)MA反射 之后，所述輻射束B通過(guò)投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束B聚焦到所述襯底W的目 標(biāo)部分C上。通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器IF2 (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電 容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻 射束B的路徑中。類似地，第一定位裝置PM和其他位置傳感器IFl可以用于相對(duì)于輻射束 B的路徑精確地定位圖案形成裝置(例如掩模)MA。圖案形成裝置(例如掩模)MA和襯底 W可以采用掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記PI、P2進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。參考圖1B，輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái)MT)上的圖案形成裝置 (例如掩模MA)上，并通過(guò)所述圖案形成裝置形成圖案。已經(jīng)穿過(guò)掩模MA之后，所述輻射束 B通過(guò)投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束B聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過(guò) 第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助， 可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑 中。類似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM 和另一個(gè)位置傳感器(圖IB中未明確示出)用于相對(duì)于所述輻射束B的路徑精確地定位 掩模MA。通常，可以通過(guò)形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短 行程模塊(精定位)的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)掩模臺(tái)MT的移動(dòng)。類似地，可以采用形成所述第二定位 裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情 況下(與掃描器相反)，掩模臺(tái)MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的?？梢允褂?掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Pl、P2來(lái)對(duì)準(zhǔn)掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì) 準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對(duì) 齊標(biāo)記)中。類似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在掩模MA上的情況下，所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 可以位于所述管芯之間。光刻設(shè)備100和100’可以被用于以下模式中的至少一種在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同 時(shí)，將賦予所述輻射束B的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然 后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在掃描模式中，在對(duì)支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同 時(shí)，將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相 對(duì)于支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大 率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。
在另一個(gè)模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT 保持為基本靜止，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束B的 圖案投影到目標(biāo)部分C上?？梢圆捎妹}沖輻射源S0，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之 后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作 模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列) 的無(wú)掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在制造ICs (集成電路)，但是應(yīng)該理解到這里所 述的光刻設(shè)備可以在制造具有微米尺度、甚至納米尺度的特征的部件方面有其他的應(yīng)用， 例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(IXDs)、 薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將這里使用的任 何術(shù)語(yǔ)“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所 指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底 上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情 況下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一 次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已 處理層的襯底。這里使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如具有約365、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))或極紫外輻射(例如具有5nm或以上的 波長(zhǎng))。在允許的情況下，術(shù)語(yǔ)“透鏡”可以指的是不同類型的光學(xué)部件的任何一個(gè)或組 合，包括折射式的和反射式的光學(xué)部件。圖2示出兩個(gè)相鄰的線性電動(dòng)機(jī)210a和210b的磁通路中示例性磁通泄漏的模擬 圖。在正常運(yùn)行過(guò)程中，線性電動(dòng)機(jī)210a的線圈(未示出)由電流通電。線圈中的電流與 由永磁體產(chǎn)生的在預(yù)定磁通路230a中流過(guò)的磁通相互作用。線圈中的電流與磁通相互作 用以產(chǎn)生垂直于兩者的力。這個(gè)力是熟知的洛倫茲力，其與線圈中的電流成比例。注意到， 對(duì)于一階而言，磁通強(qiáng)度和由此產(chǎn)生的串?dāng)_與線圈電流無(wú)關(guān)。然而，漏磁通240是源自預(yù)定 磁通路230a中的磁通，卻通過(guò)相鄰的線性電動(dòng)機(jī)210b的相鄰磁通路230b的一部分閉合。 這種漏磁通240造成電動(dòng)機(jī)作用力的損失并且增大了線性電動(dòng)機(jī)210a和210b中的功耗。 漏磁通240導(dǎo)致兩個(gè)部件之間的串?dāng)_作用力。線性電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)方向上的串?dāng)_作用力分量 給用于線性電動(dòng)機(jī)的控制系統(tǒng)的穩(wěn)定性帶來(lái)挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@種串?dāng)_作用力分量隨相鄰的線性 電動(dòng)機(jī)之間或相鄰的鐵磁材料之間的距離而改變。線性電動(dòng)機(jī)側(cè)向上的串?dāng)_作用力分量帶 來(lái)線性電動(dòng)機(jī)安裝所在的框架的潛在的變形風(fēng)險(xiǎn)。圖3示出普遍地用在許多精確定位應(yīng)用中的密集地包裝的線性電動(dòng)機(jī)陣列配置 300中的鄰近效應(yīng)的困境。線性電動(dòng)機(jī)陣列配置300示出以5、5、4、5、5、4配置排列的總數(shù) 為28個(gè)的線性電動(dòng)機(jī)。如圖3所示的這種緊密鄰近導(dǎo)致嚴(yán)重的串?dāng)_作用力，這種串?dāng)_作用 力問(wèn)題需要被解決，以便提供能夠克服現(xiàn)代半導(dǎo)體光刻術(shù)和與之相當(dāng)?shù)木_定位應(yīng)用中存 在的挑戰(zhàn)的線性電動(dòng)機(jī)。注意的是，圖3中的配置是示例性的，而不是限制性的。本領(lǐng)域普 通技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到落入本文提供的教導(dǎo)范圍內(nèi)的廣泛種類的線性電動(dòng)機(jī)的配置。這種配置包括但不限于線性電動(dòng)機(jī)的矩形的、圓形的、橢圓形的、星形的以及八角形的排列。在本發(fā)明的多種實(shí)施例中，采用屏蔽件來(lái)減少上述的磁通泄漏問(wèn)題。圖4示出根 據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的三個(gè)相鄰線性電動(dòng)機(jī)410a、410b和410c的排列400。圖中僅示出這些 線性電動(dòng)機(jī)的每一個(gè)的對(duì)稱的上半部分。未示出的是這些線性電動(dòng)機(jī)的每一個(gè)的相同的下 半部分。線性電動(dòng)機(jī)410a的部件包括線圈420a和磁性組件，所述磁性組件包括兩個(gè)屏蔽件 430a和430b、背鐵440a和兩個(gè)永磁體450a和450b。其他兩個(gè)線性電動(dòng)機(jī)410b和410c具 有相似的部件。圖4中簡(jiǎn)化的示意圖示出線圈420為平面線圈，其夾在鏡像(mirror-image) 的磁性組件之間，也就是上磁性組件(示出)和下磁性組件(未示出)之間。屏蔽件430 用簡(jiǎn)單的塊示出，但是屏蔽件的形狀可以是與下面所述要求相符的任何形狀或配置。尤其 地，屏蔽件430a和430b每一個(gè)可以包括多片塊，所述多片塊形成期望的形狀或配置。背鐵440由鐵磁材料形成，并且與永磁體450a、450b磁性耦合以形成完整的磁通 路。線性電動(dòng)機(jī)的永磁體450a、450b包括磁極，這些磁極在線性電動(dòng)機(jī)的移動(dòng)方向上以交 替的極性進(jìn)行布置。在線性電動(dòng)機(jī)的上對(duì)稱半部分和下對(duì)稱半部分之間是間隙，磁通穿過(guò) 所述間隙，并且在所述間隙中放置線圈420。線圈包括纏繞成線圈的導(dǎo)線。在線圈的實(shí)施 方式中，線圈可以是平面線圈、線圈板、分開的獨(dú)立線圈組(可以彼此共面的或位于不同平 面)的一部分，或符合物理間隔要求的其他任何形狀或配置。線圈可以是符合其他設(shè)計(jì)要 求的任何厚度。例如，通常更密集的線圈帶來(lái)電動(dòng)機(jī)常數(shù)的增加，但是通常上電動(dòng)機(jī)部分和 下電動(dòng)機(jī)部分之間需要更大的間隔。間隔越大，磁通泄漏增加的風(fēng)險(xiǎn)越大。注意的是，圖4 中示出的磁配置是示例性的，而不是限制性的。具體地，其他的磁配置落入本文提供的教導(dǎo) 范圍內(nèi)，包括使用霍氏排列(Halbach array)、用磁體替換背鐵440以及通過(guò)用永磁體替代 背鐵440和用背鐵替代永磁體450重新布置的磁通路。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，圖5A和5B分別提供線性電動(dòng)機(jī)500的俯視圖和剖視圖。線 性電動(dòng)機(jī)500包括線圈510，其位于兩對(duì)永磁體520a、520b和520c、520d之間。這兩對(duì)永磁 體520a、520b、520c、520d的極性是交替的。當(dāng)通電時(shí)，線圈510具有在電流路徑530中流 動(dòng)的電流。一對(duì)背鐵540a、540b被放置成與永磁體520a、520b、520c、520d接觸以形成完整 的磁通路550。在永磁體520a、520b、520c、520d周圍是屏蔽件560a、560b、560c、560d的配 置。在實(shí)施例中，線性電動(dòng)機(jī)500采用移動(dòng)的磁體設(shè)計(jì)，也就是說(shuō)，當(dāng)線圈510通電時(shí)，永磁 體520a、520b、520c、520d和背鐵540a、540b移動(dòng)，同時(shí)線圈510保持靜止。線性電動(dòng)機(jī)500還包括磁性屏蔽件560。其目的是為了最小化從預(yù)定磁通路中流 出去并進(jìn)入一個(gè)或更多個(gè)相鄰磁通路的漏磁通。作為有效的屏蔽件，屏蔽件560應(yīng)該不與 預(yù)定的磁通路產(chǎn)生干擾。而其主要目的是重新引導(dǎo)雜散漏磁通離開相鄰的線性電動(dòng)機(jī)?；?于這兩個(gè)目標(biāo)，雜散漏磁通的重新引導(dǎo)可以通過(guò)在雜散磁通附近設(shè)置由低磁阻介質(zhì)形成的 屏蔽件來(lái)實(shí)現(xiàn)，以便重新引導(dǎo)雜散磁通離開相鄰的線性電動(dòng)機(jī)?？梢酝ㄟ^(guò)確保在預(yù)定磁通 路和屏蔽件560之間存在高磁阻介質(zhì)來(lái)實(shí)現(xiàn)避免對(duì)預(yù)定磁通路的干擾。因此，用開口屏蔽 件可以實(shí)現(xiàn)漏磁通的令人滿意的減小，因而不需要完全的法拉第屏蔽(Faraday shield)。 注意的是，如果由于雜散磁通路徑而需要，完全的法拉第屏蔽也是可以使用的。然而，在實(shí) 際中，法拉第屏蔽由于其附加的重量和體積要求會(huì)導(dǎo)致極大的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。下面的描述提供 屏蔽件560的不同方面的介紹。這種介紹以示例的方式提供信息，而不是限制的方式。正如上面所述，屏蔽件560為雜散漏磁通線提供低磁阻路徑。鐵磁材料顯示低的磁阻特性，因而是用于制造屏蔽件560的合適的備選材料。通常，鐵磁材料包括但不限于， 鐵、鑄鐵、鑄鋼、磁性不銹鋼、碳鋼和鐵鎳合金。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在本發(fā)明的不 同實(shí)施例中，屏蔽件560可以包括其他的材料，使得總磁阻低于由雜散磁通使用的“未屏蔽 的”路徑。此外，正如上面提到的，屏蔽件560與預(yù)定磁通路通過(guò)高磁阻介質(zhì)隔離。這種隔離 被保持在屏蔽件和永磁體之間，也保持在屏蔽件和背鐵之間。合適的高磁阻介質(zhì)包括但不 限于，空氣、真空以及任何非磁性材料。例如，在圖5中，屏蔽件560a、560b、560c以及560d 與永磁體520和背鐵540兩者通過(guò)空氣間隙570a、570b、570c、570d隔離開。還可以采用非 磁性環(huán)氧樹脂或類似的粘合劑提供高磁阻介質(zhì)，同時(shí)保持必要的物理隔離。另一種能夠提供這種隔離的替代材料是反磁材料。對(duì)于雜散磁通線，通過(guò)反磁材 料比通過(guò)空氣表現(xiàn)出更大的磁阻。反磁材料具有小于1的相對(duì)磁導(dǎo)率，并且因此被看成“排 斥”磁通。如今的反磁材料(例如鉍)的特征在于具有大約0. 9998的相對(duì)磁導(dǎo)率。然而， 未來(lái)的反磁材料希望能提供小于0.9的相對(duì)磁導(dǎo)率，并且將是用于提供隔離的另外的備選 材料。特別厚的隔離不是必需的，但是薄的隔離通常用來(lái)減小屏蔽件的體積和重量，同 時(shí)用來(lái)截取盡可能多的雜散磁通線。屏蔽件560可以具有多種不同的配置。屏蔽件560的形狀的確定根據(jù)截取對(duì)于將 雜散磁通問(wèn)題減小到所需水平而認(rèn)為合適的那樣多的雜散磁通線的需要來(lái)進(jìn)行。屏蔽件 560的形狀形成為以便截取這些雜散磁通線并且朝向預(yù)定的磁通路重新引導(dǎo)回盡可能多的 雜散磁通線。在圖4示出的本發(fā)明的實(shí)施例中，屏蔽件560由端蓋配置實(shí)現(xiàn)。在這種配置 中，端蓋被放置在線性電動(dòng)機(jī)的移動(dòng)方向上磁性組件的每個(gè)端部。對(duì)于這種配置的模擬顯 示，使用這種類型的屏蔽件可以減小驅(qū)動(dòng)方向上的大約68%的串?dāng)_力，并且可以減小側(cè)向 上大約80%的串?dāng)_力。在本發(fā)明特定的實(shí)施例中，使用這種類型的屏蔽件配置可以導(dǎo)致大 約1.8%的電動(dòng)機(jī)常數(shù)較小的降低。要注意的是，上面給出的值是示例性的，而不是限制性 的。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到，多種廣泛的設(shè)計(jì)選擇落入本申請(qǐng)所提供的教導(dǎo)范圍中。圖6示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的另一種屏蔽件620的配置。在下磁性組件中，所 示的屏蔽件620a圍繞永磁體610a、610b纏繞，但是與永磁體610a、610b隔開合適的距離。 屏蔽件620a還與背鐵640a通過(guò)環(huán)氧樹脂630a隔開。圖6中還示出了鏡像的上磁性組件。 上磁性組件包括屏蔽件620b，其圍繞一對(duì)永磁體(未示出)纏繞，但與之隔開。屏蔽件620b 還與背鐵640b通過(guò)環(huán)氧樹脂630b隔開。在上面圖5和6兩個(gè)圖中的配置中，屏蔽件560和620直接地連接到背鐵(或間 接地通過(guò)移動(dòng)的框架)使得屏蔽件560和620與永磁體一起移動(dòng)。在圖6示出的配置中， 屏蔽件620包括一片用于磁性組件的每個(gè)半部分的部件。更一般地，屏蔽件620可以包括 符合上述要求的多片構(gòu)造(例如疊層結(jié)構(gòu))。在還一實(shí)施例中，屏蔽件可以包括用于上磁通路和下磁通路中的每一個(gè)的兩部分 配置，其中所述部分中的一個(gè)提供側(cè)向上的屏蔽而另一個(gè)提供移動(dòng)方向上的屏蔽。在實(shí)施 例中，移動(dòng)方向上的屏蔽件連接到背鐵組件，以便在移動(dòng)過(guò)程中保持屏蔽效果，而側(cè)向上的 屏蔽件并不需要這樣。圖7提供根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于采用具有屏蔽件來(lái)減小磁通泄漏的線性電動(dòng)
11機(jī)加工襯底的示例性方法700的流程圖。所述加工過(guò)程由步驟710開始。在步驟710，提供襯底。襯底可以例如由襯底臺(tái) WT提供，如圖IA和IB所示。在步驟720，提供輻射束。輻射束可以例如由輻射源SO提供，如圖IA和IB所示。在步驟730，所需的圖案被賦予給輻射束。所需的圖案可以通過(guò)例如圖案形成裝置 MA賦予給輻射束，如圖IA和IB所示。在步驟740，圖案化的輻射束被投影到襯底的目標(biāo)部分上。圖案化的輻射束可以投 影到例如襯底W的目標(biāo)部分C上，如圖IA和IB所示。在步驟750，通過(guò)采用線性電動(dòng)機(jī)對(duì)襯底和圖案形成裝置中的至少一個(gè)進(jìn)行移位， 所述線性電動(dòng)機(jī)包括第一和第二背鐵、第一多個(gè)磁極和第二多個(gè)磁極、位于由相對(duì)磁極形 成的間隙內(nèi)的線圈以及第一和第二開口屏蔽件，所述第一和第二開口屏蔽件磁隔離但物理 鄰近第一和第二多個(gè)磁極和第一和第二背鐵。在步驟760，方法700結(jié)束。相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明的實(shí)施例并非限定成通過(guò)襯底臺(tái)WT定位 襯底和定位圖案形成裝置MA。本發(fā)明的實(shí)施例還包括但不限于定位照射器IL、位于照射器 IL內(nèi)的部件(例如用于調(diào)節(jié)照射的輻射束的調(diào)節(jié)器AD以及阻擋構(gòu)件(blocking members) 或衰減構(gòu)件(attenuating members)(也被稱為指狀件(finger)))以及光學(xué)元件(例如透 鏡和反射鏡)。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，說(shuō)明書的具體實(shí)施方式
部分，而非發(fā)明內(nèi)容和摘要部分，將用于解釋 權(quán)利要求。發(fā)明內(nèi)容和摘要部分列出了發(fā)明人構(gòu)想的本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)但并非本發(fā)明 的全部實(shí)施例，因此，它們并不試圖以任何方式限定本發(fā)明和所附的權(quán)利要求。上面已經(jīng)借助用于示出具體功能及其關(guān)系的實(shí)施的功能構(gòu)造模塊描述了本發(fā)明 的實(shí)施例。為了便于描述，這里已經(jīng)任意地限定這些功能構(gòu)造方塊的邊界。只要具體的功 能及其關(guān)系可以適當(dāng)?shù)貓?zhí)行，就可以限定替換的邊界。具體實(shí)施例的前面描述將充分地揭示本發(fā)明的一般特性，以使得其他人員將不需 要過(guò)多的實(shí)驗(yàn)就可以在不脫離本發(fā)明的總構(gòu)思的情況下，通過(guò)應(yīng)用本領(lǐng)域內(nèi)的知識(shí)容易地 修改和/或適應(yīng)于這些具體實(shí)施例不同的應(yīng)用。因此，基于本發(fā)明的教導(dǎo)和指導(dǎo)，這些適用 和修改將在所公開的實(shí)施例的等價(jià)物的意義和范圍內(nèi)。應(yīng)該理解，這里的表述或術(shù)語(yǔ)是描 述的目的而非限定，使得本說(shuō)明書的這些術(shù)語(yǔ)或表述可以通過(guò)本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)所述教 導(dǎo)和指導(dǎo)進(jìn)行解釋。本發(fā)明的覆蓋度和范圍不應(yīng)當(dāng)由任何上述示例性實(shí)施例所限制，而應(yīng)當(dāng)僅根據(jù)所 附的權(quán)利要求及其等價(jià)物來(lái)限定。
權(quán)利要求
一種線性電動(dòng)機(jī)，包括第一背鐵和第二背鐵，所述第一背鐵和第二背鐵在第一方向上延伸；第一多個(gè)磁極，所述第一多個(gè)磁極在所述第一方向上彼此以交替的極性布置，其中所述第一多個(gè)磁極與所述第一背鐵耦合；第二多個(gè)磁極，所述第二多個(gè)磁極在所述第一方向上彼此以交替的極性布置，其中所述第二多個(gè)磁極與所述第二背鐵耦合，并且其中所述第二多個(gè)磁極布置成與所述第一多個(gè)磁極相對(duì)；線圈，所述線圈設(shè)置在所述第一多個(gè)磁極和所述第二多個(gè)磁極之間的間隙內(nèi)；第一開口屏蔽件，所述第一開口屏蔽件設(shè)置在第一漏磁通路徑中，其中所述第一開口屏蔽件與所述第一多個(gè)磁極磁隔離并且與所述第一背鐵磁隔離；和第二開口屏蔽件，所述第二開口屏蔽件設(shè)置在第二漏磁通路徑中，其中所述開口屏蔽件與所述第二多個(gè)磁極磁隔離并且與所述第二背鐵磁隔離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線性電動(dòng)機(jī)，其中所述線圈包括線圈板、平面線圈以及分開 的獨(dú)立線圈組的一部分中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線性電動(dòng)機(jī)，其中所述第一開口屏蔽件與所述第一多個(gè)磁 極和所述第一背鐵通過(guò)空氣、真空、環(huán)氧樹脂、高磁阻材料以及反磁材料中的至少一種磁隔 罔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線性電動(dòng)機(jī)，其中所述第二開口屏蔽件與所述第二多個(gè)磁 極和所述第二背鐵通過(guò)空氣、真空、環(huán)氧樹脂、高磁阻材料以及反磁材料中的至少一種磁隔罔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線性電動(dòng)機(jī)，其中所述第一和第二開口屏蔽件中每一個(gè)包括 第一和第二元件，其中所述第一元件配置用以在所述第一方向上提供屏蔽并且具有相對(duì)于 所述第一背鐵的固定位置，并且所述第二元件配置用以在橫向于所述第一方向的第二方向 上提供屏蔽。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線性電動(dòng)機(jī)，其中所述第一開口屏蔽件和所述第二開口屏蔽 件是端蓋。
7.一種器件制造方法，包括步驟將圖案化的輻射束投影到襯底上，其中采用線性電動(dòng)機(jī)定位所述襯底，所述線性電動(dòng) 機(jī)包括第一背鐵和第二背鐵，所述第一背鐵和第二背鐵在第一方向上延伸； 第一多個(gè)磁極，所述第一多個(gè)磁極在所述第一方向上彼此以交替的極性布置，其中所 述第一多個(gè)磁極與所述第一背鐵耦合；第二多個(gè)磁極，所述第二多個(gè)磁極在所述第一方向上彼此以交替的極性布置，其中所 述第二多個(gè)磁極與所述第二背鐵耦合，并且其中所述第二多個(gè)磁極布置成與所述第一多個(gè) 磁極相對(duì)；線圈，所述線圈設(shè)置在所述第一多個(gè)磁極和所述第二多個(gè)磁極之間的間隙內(nèi)； 第一開口屏蔽件，所述第一開口屏蔽件設(shè)置在第一漏磁通路徑中，其中所述第一開口 屏蔽件與所述第一多個(gè)磁極磁隔離并且與所述第一背鐵磁隔離；和第二開口屏蔽件，所述第二開口屏蔽件設(shè)置在第二漏磁通路徑中，其中所述開口屏蔽件與所述第二多個(gè)磁極磁隔離并且與所述第二背鐵磁隔離。
8.一種光刻系統(tǒng)，包括照射系統(tǒng)，所述照射系統(tǒng)配置用以產(chǎn)生輻射束；支撐裝置，所述支撐裝置配置用以支撐能夠圖案化輻射束的圖案形成裝置；投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)配置用以將所述圖案化輻射束投影到襯底上；和襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)配置用以支撐所述襯底并具有線性電動(dòng)機(jī)，所述線性電動(dòng)機(jī)包括第一背鐵和第二背鐵，所述第一背鐵和第二背鐵在第一方向上延伸， 第一多個(gè)磁極，所述第一多個(gè)磁極在所述第一方向上彼此以交替的極性布置，其中所 述第一多個(gè)磁極與所述第一背鐵耦合；第二多個(gè)磁極，所述第二多個(gè)磁極在所述第一方向上彼此以交替的極性布置，其中所 述第二多個(gè)磁極與所述第二背鐵耦合，并且其中所述第二多個(gè)磁極布置成與所述第一多個(gè) 磁極相對(duì)；線圈，所述線圈設(shè)置在所述第一多個(gè)磁極和所述第二多個(gè)磁極之間的間隙內(nèi)； 第一開口屏蔽件，所述第一開口屏蔽件設(shè)置在第一漏磁通路徑中，其中所述第一開口 屏蔽件與所述第一多個(gè)磁極磁隔離并且與所述第一背鐵磁隔離；和第二開口屏蔽件，所述第二開口屏蔽件設(shè)置在第二漏磁通路徑中，其中所述第二開口 屏蔽件與所述第二多個(gè)磁極磁隔離并且與所述第二背鐵磁隔離。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光刻系統(tǒng)，其中所述線圈包括線圈板、平面線圈以及分開的 獨(dú)立線圈組的一部分中的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光刻系統(tǒng)，其中所述第一開口屏蔽件與所述第一多個(gè)磁極 和所述第一背鐵通過(guò)空氣、真空、環(huán)氧樹脂、高磁阻材料以及反磁材料中的至少一種磁隔 罔。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光刻系統(tǒng)，其中所述第二開口屏蔽件與所述第二多個(gè)磁極 和所述第二背鐵通過(guò)空氣、真空、環(huán)氧樹脂、高磁阻材料以及反磁材料中的至少一種磁隔罔。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光刻系統(tǒng)，其中所述第一和第二開口屏蔽件中每一個(gè)包括 第一和第二元件，其中所述第一元件配置用以在所述第一方向上提供屏蔽并且具有相對(duì)于 所述第一背鐵的固定位置，并且所述第二元件配置用以在橫向于所述第一方向的第二方向 上提供屏蔽。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光刻系統(tǒng)，其中所述第一開口屏蔽件和所述第二開口屏蔽 件是端蓋。
14.一種輻射束照射方法，包括步驟采用衰減構(gòu)件調(diào)節(jié)輻射束，其中采用線性電動(dòng)機(jī)定位所述衰減構(gòu)件，所述線性電動(dòng)機(jī) 包括第一背鐵和第二背鐵，所述第一背鐵和第二背鐵在第一方向上延伸； 第一多個(gè)磁極，所述第一多個(gè)磁極在所述第一方向上彼此以交替的極性布置，其中所 述第一多個(gè)磁極與所述第一背鐵耦合；第二多個(gè)磁極，所述第二多個(gè)磁極在所述第一方向上彼此以交替的極性布置，其中所述第二多個(gè)磁極與所述第二背鐵耦合，并且其中所述第二多個(gè)磁極布置成與所述第一多個(gè) 磁極相對(duì)；線圈，所述線圈設(shè)置在所述第一多個(gè)磁極和所述第二多個(gè)磁極之間的間隙內(nèi)； 第一開口屏蔽件，所述第一開口屏蔽件設(shè)置在第一漏磁通路徑中，其中所述第一開口 屏蔽件與所述第一多個(gè)磁極磁隔離并且與所述第一背鐵磁隔離；和第二開口屏蔽件，所述第二開口屏蔽件設(shè)置在第二漏磁通路徑中，其中所述開口屏蔽 件與所述第二多個(gè)磁極磁隔離并且與所述第二背鐵磁隔離。
15. 一種光刻系統(tǒng)，包括照射系統(tǒng)，所述照射系統(tǒng)配置成采用由線性電動(dòng)機(jī)定位的衰減構(gòu)件形成輻射束，所述 線性電動(dòng)機(jī)包括第一背鐵和第二背鐵，所述第一背鐵和第二背鐵在第一方向上延伸； 第一多個(gè)磁極，所述第一多個(gè)磁極在所述第一方向上彼此以交替的極性布置，其中所 述第一多個(gè)磁極與所述第一背鐵耦合；第二多個(gè)磁極，所述第二多個(gè)磁極在所述第一方向上彼此以交替的極性布置，其中所 述第二多個(gè)磁極與所述第二背鐵耦合，并且其中所述第二多個(gè)磁極布置成與所述第一多個(gè) 磁極相對(duì)；線圈，所述線圈設(shè)置在所述第一多個(gè)磁極和所述第二多個(gè)磁極之間的間隙內(nèi)； 第一開口屏蔽件，所述第一開口屏蔽件設(shè)置在第一漏磁通路徑中，其中所述第一開口 屏蔽件與所述第一多個(gè)磁極磁隔離并且與所述第一背鐵磁隔離；和第二開口屏蔽件，所述第二開口屏蔽件設(shè)置在第二漏磁通路徑中，其中所述第二開口 屏蔽件與所述第二多個(gè)磁極磁隔離并且與所述第二背鐵磁隔離；支撐裝置，所述支撐裝置配置用以支撐能夠圖案化輻射束的圖案形成裝置； 投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)配置用以將所述圖案化輻射束投影到襯底上；和 襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)配置用以支撐所述襯底。
全文摘要
本發(fā)明提供一種線性電動(dòng)機(jī)磁屏蔽件設(shè)備。在該設(shè)備中，具有無(wú)磁性間隙的磁屏蔽件為精確定位系統(tǒng)中的線性電動(dòng)機(jī)排列提供減小的磁性串?dāng)_。重新引導(dǎo)漏磁通抑制了串?dāng)_和相關(guān)的有害效應(yīng)。這種優(yōu)選的泄漏的磁通路路徑被附于線性電動(dòng)機(jī)的移動(dòng)的磁體系統(tǒng)。通過(guò)提供由永磁體和背鐵之間的無(wú)磁性間隙隔離的鐵磁性屏蔽件，實(shí)現(xiàn)優(yōu)選的磁通泄漏路徑的實(shí)施例。在另一實(shí)施例中，鐵磁性屏蔽件隔離包括反磁材料。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101917110SQ20091025837
公開日2010年12月15日 申請(qǐng)日期2009年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月31日
發(fā)明者A·尼爾森, K·K·曼卡拉, P·K·果維歐, R·B·維納 申請(qǐng)人:Asml控股股份有限公司