專利名稱：：中間轉(zhuǎn)印體以及圖像形成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在電子復(fù)印機(jī)、激光打印機(jī)、傳真機(jī)等電子照相裝置和靜電記錄裝置中，合成彩色圖像用的各種顏色的調(diào)色劑圖像并進(jìn)行轉(zhuǎn)印用的中間轉(zhuǎn)印體，和具有中間轉(zhuǎn)印體的圖像形成裝置。
背景技術(shù)：
：..一直以來，作為在記錄材料上轉(zhuǎn)印電子照相感光體(以下，筒稱為感光體)上的調(diào)色劑圖像方式，已知有使用中間轉(zhuǎn)印體的圖像形成方式，該方式在將調(diào)色劑圖像從電子照相感光體轉(zhuǎn)印至記錄材料的工序中，加入另一個(gè)轉(zhuǎn)印工序，即從電子照相感光體一次轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印體后，將中間轉(zhuǎn)印體的一次轉(zhuǎn)印圖像二次轉(zhuǎn)印至記錄材料，并得到最終圖像。該方式大多被用于使用由黑色、青色、品紅、黃色等調(diào)色劑進(jìn)行減色混合而再現(xiàn)色彩分解后的原稿圖像的方式，即所謂全色圖像形成裝置中的各色調(diào)色劑圖像的多重轉(zhuǎn)印方式。然而，在使用該中間轉(zhuǎn)印體的多重轉(zhuǎn)印方式中，由于加入了一次轉(zhuǎn)印和二次轉(zhuǎn)印這樣的雙重轉(zhuǎn)印，以及將四色的調(diào)色劑在轉(zhuǎn)印體上重合，因此伴隨有調(diào)色劑圖像的轉(zhuǎn)印不良而容易產(chǎn)生圖像不良。通常，對(duì)于調(diào)色劑的轉(zhuǎn)印不良，已知有通過使用二氧化硅等外添加劑對(duì)調(diào)色劑表面進(jìn)行表面處理，從而提高轉(zhuǎn)印效率的方法。然而，由于接受來自顯影裝置內(nèi)部的調(diào)色劑攪拌部件的應(yīng)力，或接受來自用于在顯影輥上形成調(diào)色劑層的控制刮刀的應(yīng)力，以及在感光體和顯影輥之間所受到的應(yīng)力等，而導(dǎo)致二氧化硅從調(diào)色劑表面脫離，或埋沒于調(diào)色劑內(nèi)部，因此存在無法得到充分的轉(zhuǎn)印效率的問題。為了提高中間轉(zhuǎn)印體的二次轉(zhuǎn)印效率，提出了通過在中間轉(zhuǎn)印體表面上覆蓋無機(jī)化合物薄膜(例如，氧化硅、氧化鋁等)，來提高調(diào)色劑圖像的剝離性，從而實(shí)現(xiàn)提高對(duì)記錄紙等的轉(zhuǎn)印效率(例如，參照專利文獻(xiàn)l、2)。在專利文獻(xiàn)1、2中，為了提高調(diào)色劑從中間轉(zhuǎn)印體上的脫模性，在中間轉(zhuǎn)印體表面上形成氧化硅或氧化鋁的層。但是，對(duì)該方法制作的中間轉(zhuǎn)印體在實(shí)際的圖像形成裝置中進(jìn)行耐久性試驗(yàn)時(shí)，存在以下問題由于反復(fù)的彎曲動(dòng)作導(dǎo)致氧化物層從表面層剝離，另外，由于氧化硅或氧化鋁等通過真空蒸鍍或?yàn)R射而形成，因此需要真空裝置等大型設(shè)備。鑒于上述問題，作為提高中間轉(zhuǎn)印體的二次轉(zhuǎn)印性的方法，可舉出，通過大氣壓等離子體處理方法形成無機(jī)化合物薄膜(例如，氧化硅、氧化鋁等)的方法，利用該方法形成無機(jī)化合物薄膜時(shí)，從實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的耐久性(例如，與基體材料的薄膜貼合性、表面薄膜的硬度)的觀點(diǎn)來看，有時(shí)采用包括第1層(貼合層)和第2層(表面層、硬質(zhì)膜)這2層的結(jié)構(gòu)。該疊層結(jié)構(gòu)中，為了對(duì)第1層賦于應(yīng)力緩和功能，通過形成以下條件作為輔助氣體(例如，氮?dú)?、氫氣?的反應(yīng)條件，進(jìn)行控制，使形成的薄膜中的碳含量達(dá)到一定量，所述條件是使通過原料形成薄膜的過程不能完成的條件。另外，提出了在中間轉(zhuǎn)印體表面上形成無機(jī)涂層的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)3)。在專利文件3提出的方法中，如果大量添加膠體二氧化硅(該二氧化硅被添加于無機(jī)涂層中)，可以提高調(diào)色劑的脫模性，并得到良好的轉(zhuǎn)印效率，但在耐久試驗(yàn)中，由于反復(fù)進(jìn)行彎曲動(dòng)作，無機(jī)涂層出現(xiàn)裂痕，因此，不能添加至一定量以上。所以，存在不能發(fā)揮充分的脫模性，轉(zhuǎn)印效率也不能提高到一定程度以上的問題。專利文獻(xiàn)l:日本特開平9-212004號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:.日本特開2001-347593號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本特開2000-206801號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的問題本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，本發(fā)明的目的在于提供一種中間轉(zhuǎn)印體和具有該中間轉(zhuǎn)印體的圖像形成裝置，該中間轉(zhuǎn)印體具有優(yōu)異的轉(zhuǎn)印性和貼合性，并且，即使在苛刻的條件下長時(shí)間使用或者保存后，也具有優(yōu)異的耐久性(脫模性、中空故障耐性(中抜汁故障耐性)、抗裂紋性)。解決問題的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明的上述目的通過下述方案實(shí)現(xiàn)。1、一種中間轉(zhuǎn)印體，該中間轉(zhuǎn)印體包括基體材料、從基體材料側(cè)起依次位于基體材料上的第l無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層，該第2無機(jī)化合物層與該第1無機(jī)化合物層的膜厚比為1.0以上且5.0以下，該第1無機(jī)化合物層的碳含量為0.5原子數(shù)％以上且10原子數(shù)％以下，該第2無機(jī)化合物層的碳含量小于0.1原子數(shù)％。2、上述1所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，上述第1無機(jī)化合物層的膜厚為20nm以上且200nm以下。3、上述1或2所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，上述第2無機(jī)化合物層的膜厚為100nm以上且500nm以下。4、上述1~3中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，上述第2無機(jī)化合物層與上述第1無機(jī)化合物層的膜厚比為1.5以上且2.5以下。5、上述1~4中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，上述第1無機(jī)化合物層或上述第2無機(jī)化合物層由含有選自Si、Ti、Al、Zr和Zn中的至少一種原子的無機(jī)化合物構(gòu)成。6、上述1~4中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，上述第1無機(jī)化合物層和上述第2無機(jī)化合物層由含有選自Si、Ti、Al、Zr和Zn中的至少一種原子的無機(jī)化合物構(gòu)成。7、上述16中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，構(gòu)成上述第1無機(jī)化合物層和上述第2無機(jī)化合物層的無機(jī)化合物均為二氧化硅，并且，上述第1無機(jī)化合物層的平均膜密度為1.80g/cmS以上且小于2.15g/cm3，上述第2無機(jī)化合物層的平均膜密度為2.10g/cm3以上且2.30g/cm3以下。8、上述17中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，上述第1無機(jī)化合物層或上述第2無機(jī)化合物層通過大氣壓等離子體CVD法形成，所述大氣壓等離子體CVD法包括在大氣壓或與大氣壓接近的壓力下，向?qū)χ玫碾姌O之間所形成的放電空間供給含有用于形成薄膜的氣體的氣體，對(duì)該放電空間施加高頻電場，從而對(duì)該氣體進(jìn)行激發(fā)，將基體材料暴露于激發(fā)后的該氣體中，由此，形成無機(jī)化合物薄膜。9、上述1~7中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，上述第1無機(jī)化合物層和上述第2無機(jī)化合物層通過大氣壓等離子體CVD法形成，所述大氣壓等離子體CVD法包括在大氣壓或與大氣壓接近的壓力下，向?qū)χ玫碾姌O之間所形成的放電空間供給含有用于形成薄膜的氣體的氣體，對(duì)該放電空間施加高頻電場，從而對(duì)該氣體進(jìn)行激發(fā)，將基體材料暴露于激發(fā)后的該氣體中，由此，形成無機(jī)化合物薄膜。10、一種圖像形成裝置，該圖像形成裝置對(duì)圖像載體的表面進(jìn)行顯影，形成調(diào)色劑圖像，再將該調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印體上，然后再轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印紙上，其中，該中間轉(zhuǎn)印體是上述1~9中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種中間轉(zhuǎn)印體和具有該中間轉(zhuǎn)印體的圖像形成裝置，該中間轉(zhuǎn)印體具有優(yōu)異的轉(zhuǎn)印性和貼合性，并且，即使在苛刻的條件下長時(shí)間使用或者保存后，也具有優(yōu)異的耐久性(脫模性、中空故障耐性、抗裂紋性)。是示出彩色圖像形成裝置的結(jié)構(gòu)的一例的截面結(jié)構(gòu)圖。[圖2]是示出本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體的層結(jié)構(gòu)的一例的截面圖。[圖3]是示出可用于制造中間轉(zhuǎn)印體的大氣壓等離子體處理裝置的一例的簡圖。是示出可用于制造中間轉(zhuǎn)印體的大氣壓等離子體處理裝置的另一例的簡圖。是示出大氣壓等離子體CVD裝置中薄膜形成區(qū)域的結(jié)構(gòu)的一例的模式圖。是示出輥電極的一例的立體圖。[圖7]是示出固定電極的一例的立體圖。符號(hào)說明1彩色圖像形成裝置2中間轉(zhuǎn)印體的制造裝置3大氣壓等離子體CVD裝置4大氣壓等離子體裝置17中間轉(zhuǎn)印體單元20輥電極21固定電極23放電空間24混合氣體供給裝置25第1電源26第2電源41薄膜形成區(qū)域117二次轉(zhuǎn)印輥170中間轉(zhuǎn)印帶175基體材料176第1無機(jī)化合物層177第2無機(jī)化合物層201從動(dòng)輥具體實(shí)施例方式以下對(duì)實(shí)施本發(fā)明的最佳方式進(jìn)行詳細(xì)說明。對(duì)上述問題進(jìn)行深入研究的結(jié)果，本發(fā)明人完成了一種中間轉(zhuǎn)印體，該中間轉(zhuǎn)印體具有基體材料和從基體材料側(cè)起依次位于基體材料上的第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層，第2無機(jī)化合物層與第1無機(jī)化合物層的膜厚比(第2無機(jī)化合物層的膜厚/第1無機(jī)化合物層的膜厚)為1.0以上且5.0以下，該第1無機(jī)化合物層的碳含量為0.5原子數(shù)％以上且10原子數(shù)°/。以下，該第2無機(jī)化合物層的碳含量低于0.1原子數(shù)％，這樣的中間轉(zhuǎn)印體具有優(yōu)異的轉(zhuǎn)印性和貼合性，即使在苛刻的環(huán)境下長時(shí)間使用或保存后，也具有優(yōu)異的耐久性(脫模性、中空故障耐性、抗裂紋性)。即，在構(gòu)成中間轉(zhuǎn)印體的基體材料上，以規(guī)定的膜厚比形成碳含量高且密度低的第1無機(jī)化合物層(貼合層、應(yīng)力緩和層)和碳含量低且密度高的第2無機(jī)化合物層(表面層，固化膜層)，在這樣的中間轉(zhuǎn)印體中，形成第l層時(shí)殘留于層中的低分子量副產(chǎn)物(主要是硅氧烷類化合物等，即表面能的降低能力大的化合物)擴(kuò)散到第2層(多數(shù)情況下為表面層)，引起滲出，從而防止引起表面能的降低，進(jìn)而在維持優(yōu)異的轉(zhuǎn)印性、表面硬度、抗裂紋性的同時(shí)，防止表面能降低所引起的中空故障。以下，對(duì)本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體進(jìn)行詳細(xì)說明。本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體，適合用于電子照相方式的復(fù)印機(jī)、打印機(jī)、傳真機(jī)等圖像形成裝置，并且只要可以將負(fù)栽在感光體表面上的調(diào)色劑圖像一次轉(zhuǎn)印至其表面，保持轉(zhuǎn)印的調(diào)色劑圖像，并將保持的調(diào)色劑圖^f象二次轉(zhuǎn)印至記錄紙等被轉(zhuǎn)印物的表面上即可，該中間轉(zhuǎn)印體可以是帶狀的轉(zhuǎn)印體，也可以是鼓狀的轉(zhuǎn)印體。首先，以串聯(lián)型全色復(fù)印機(jī)為例對(duì)具有本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體的圖像形成裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖l是示出彩色圖像形成裝置的一例的截面結(jié)構(gòu)圖。該彩色圖像形成裝置l，可稱作串聯(lián)型全色復(fù)印機(jī)，并且主要由自動(dòng)原稿傳送裝置13、原稿圖像讀取裝置14、多個(gè)曝光設(shè)備13Y、13M、13C、13K、多組圖像形成部10Y、IOM、IOC、IOK、中間轉(zhuǎn)印體單元17、進(jìn)紙?jiān)O(shè)備15和定影設(shè)備124構(gòu)成。在彩色圖像形成裝置1的主體12的上部，配置有自動(dòng)原稿傳送裝置13和原稿圖像讀取裝置14,并且由自動(dòng)原稿傳送裝置13搬送的原稿d的圖像，通過原稿圖像讀取裝置14的光學(xué)系統(tǒng)反射和成像，并通過聯(lián)機(jī)圖像傳感器(，一乂^乂--iry寸)CCD讀耳又。將通過聯(lián)機(jī)圖像傳感器CCD讀取的原稿圖像進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換而形成的模擬信號(hào)，在未圖示的圖像處理部進(jìn)行模擬處理、A/D轉(zhuǎn)換、黑斑補(bǔ)償、圖像壓縮處理等，然后以各色數(shù)字圖像數(shù)據(jù)的形式送至曝光設(shè)備13Y、13M、13C、13K中，并通過曝光設(shè)備13Y、13M、13C、13K在作為對(duì)應(yīng)的第1圖像載體的鼓狀感光體11Y、IIM、IIC、IIK上形成各色的圖像數(shù)據(jù)的潛像。圖像形成部IOY、IOM、IOC、10K在垂直方向上縱列配置，并在感光體IIY、IIM、IIC、11K的圖示左側(cè)配置有巻繞在輥171、172、173、174上且可轉(zhuǎn)動(dòng)地架設(shè)的半導(dǎo)電性環(huán)形帶狀的第2圖像載體，即本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體170。該中間轉(zhuǎn)印體170，由驅(qū)動(dòng)裝置(未圖示)，通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的輥171沿箭頭方向驅(qū)動(dòng)。形成黃色圖像的圖像形成部IOY，具有配置在感光體UY周圍的帶電設(shè)備12Y、曝光設(shè)備13Y、顯影設(shè)備14Y、作為一次轉(zhuǎn)印設(shè)備的一次轉(zhuǎn)印輥15Y、清潔設(shè)備16Y。形成品紅色圖像的圖像形成部10M,具有感光體11M、帶電設(shè)備12M、曝光設(shè)備13M、顯影設(shè)備14M、作為一次轉(zhuǎn)印設(shè)備的一次轉(zhuǎn)印輥15M、清潔設(shè)備16M。形成青色圖像的圖像形成部10C,具有感光體11C、帶電設(shè)備12C、曝光設(shè)備13C、顯影設(shè)備14C、作為一次轉(zhuǎn)印設(shè)備的一次轉(zhuǎn)印輥15C、清潔設(shè)備16C。形成黑色圖像的圖像形成部IOK，具有感光體11K、帶電設(shè)備12K、曝光設(shè)備13K、顯影設(shè)備14K、作為一次轉(zhuǎn)印設(shè)備的一次轉(zhuǎn)印輥15K、清潔設(shè)備16K。調(diào)色劑補(bǔ)給設(shè)備141Y、141M、141C、141K分別將調(diào)色劑補(bǔ)給至顯影裝置14Y、14M、14C、14K中。此處，一次轉(zhuǎn)印輥15Y、15M、15C、15K通過未圖示的控制設(shè)備并根據(jù)圖像種類選擇性地工作，將中間轉(zhuǎn)印體170按壓至各自對(duì)應(yīng)的感光體11Y、IIM、IIC、IIK上，由此轉(zhuǎn)印感光體上的圖像。如此，通過圖像形成部IOY、IOM、IOC、IOK在感光體IIY、IIM、IIC、IIK上形成的各色圖像，通過一次轉(zhuǎn)印輥15Y、15M、15C、15K依次轉(zhuǎn)印到旋轉(zhuǎn)的中間轉(zhuǎn)印體170上，并形成合成的彩色圖像。即，中間轉(zhuǎn)印體將負(fù)載在感光體表面上的調(diào)色劑圖像一次轉(zhuǎn)印至其表面上，并保持轉(zhuǎn)印后的調(diào)色劑圖像。另外，收納在進(jìn)紙盒151內(nèi)作為記錄介質(zhì)的記錄紙P,通過進(jìn)紙?jiān)O(shè)備l5進(jìn)紙，接著經(jīng)過多個(gè)中間輥122A、122B、122C、122D、阻擋輥(l/夕7卜口-，)123,運(yùn)送至作為二次轉(zhuǎn)印設(shè)備的二次轉(zhuǎn)印輥117,并通過二次轉(zhuǎn)印輥117將中間轉(zhuǎn)印體上的合成調(diào)色劑圖像一次性地轉(zhuǎn)印至記錄紙P上。即，將保持在中間轉(zhuǎn)印體上的調(diào)色劑圖像二次轉(zhuǎn)印至被轉(zhuǎn)印物的表面上。此處，二次轉(zhuǎn)印設(shè)備6，僅在記錄紙P通過它而進(jìn)行二次轉(zhuǎn)印時(shí)，才將記錄紙P壓接在中間轉(zhuǎn)印體170上。轉(zhuǎn)印有彩色圖像的記錄紙P，通過定影裝置124進(jìn)行定影處理，并被排紙輥125夾持，送至機(jī)外的排紙盤126上。另一方面，通過二次轉(zhuǎn)印輥117將彩色圖像轉(zhuǎn)印至記錄紙P上后，彎曲分離記錄紙P后的中間轉(zhuǎn)印體170,通過清潔設(shè)備8除去殘留的調(diào)色劑。此處，中間轉(zhuǎn)印體還可以換成如上所述的旋轉(zhuǎn)的鼓狀中間轉(zhuǎn)印鼓。接著，對(duì)作為與中間轉(zhuǎn)印體170相連的一次轉(zhuǎn)印設(shè)備的一次轉(zhuǎn)印輥15Y、15M、15C、15K以及二次轉(zhuǎn)印輥117的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。一次轉(zhuǎn)印輥15Y、15M、15C、15K和二次轉(zhuǎn)印輥6，通過在例如外徑為8mm的不銹鋼等導(dǎo)電性芯棒的圓周面上包覆半導(dǎo)電彈性橡膠而形成，所述半導(dǎo)電彈性橡膠，是通過在聚氨酯、EPDM(乙烯-四氟乙烯共聚物)、聚硅氧烷等橡膠材料中，分散炭黑等導(dǎo)電性填料或添加離子性導(dǎo)電材料而形成的體積電阻為1x105Q'cm~lx10&'cm左右的固體狀態(tài)或發(fā)泡海綿狀態(tài)，并且厚度為5mm，橡膠硬度為2(T70。左右(ASK硬度C)的半導(dǎo)電彈性橡膠。二次轉(zhuǎn)印輥6與一次轉(zhuǎn)印輥15Y、15M、15C、15K不同，在沒有記錄紙P的狀態(tài)下，有可能與調(diào)色劑接觸，因此優(yōu)選在二次轉(zhuǎn)印輥6的表面上包覆半導(dǎo)電性的氟樹脂或聚氨酯樹脂等脫模性好的物質(zhì)，并且通過在不銹鋼等導(dǎo)電性芯棒的周面上包覆厚度為0.05mm0.5mm左右的半導(dǎo)電性材料而形成二次轉(zhuǎn)印輥6,其中所述半導(dǎo)電性材料通過在聚氨酯、EPDM、聚硅氧烷等橡膠或樹脂材料中分散炭黑等導(dǎo)電性填料或添加離子性導(dǎo)電材料而形成。下面，以上述的中間轉(zhuǎn)印體170為例，對(duì)本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體進(jìn)行說明。圖2是示出本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體的層結(jié)構(gòu)的一例的截面圖。本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體170包括基體材料175和從基體材料175側(cè)起依次位于基體材料175表面的第1無機(jī)化合物層176和第2無機(jī)化合物層177，第1無機(jī)化合物層176和第2無機(jī)化合物層177的膜厚比(1冗:17"處于1.0:1.01.0:5.0的范圍，第1無機(jī)化合物層176是碳含量高且密度低的層，其碳含量為0.5原子數(shù)°/。以上且10原子數(shù)％以下，平均膜密度為1.80g/cm3以上且小于2.15g/cm3，第2無機(jī)化合物層177是碳含量低且密度高的層，其碳含量小于0.1原子數(shù)，平均膜密度為2.10g/ci^以上且2.30g/cn^以下。通過形成這種結(jié)構(gòu)，可以得到與調(diào)色劑的脫模性優(yōu)異，轉(zhuǎn)印效率好的中間轉(zhuǎn)印體170,并且即使在反復(fù)的耐久使用中，也可以抑制低分子量的副產(chǎn)物向表面的滲出，減少中空故障的發(fā)生，可以長時(shí)間保持優(yōu)異的轉(zhuǎn)印性能。如上所述，在本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體中，所述第1無機(jī)化合物層的含碳量為0.5原子數(shù)％以上且10原子數(shù)％以下，所述第2無機(jī)化合物層的含碳量低于0.1原子數(shù)％。本發(fā)明的第1無機(jī)化合物層(貼合層)的含碳量低于0.5原子數(shù)％時(shí)，該層與基體材料的膜附著特性降低，容易剝離，另外，含碳量為10原子數(shù)％以上時(shí)，第1無機(jī)化合物層中的低分子量的副產(chǎn)物等容易發(fā)生移動(dòng)，長時(shí)間保存時(shí)的穩(wěn)定性降低。另外，本發(fā)明的第2無機(jī)化合物層中，含碳量低于0.1原子數(shù)％,特別優(yōu)選完全不含有碳原子。第2無機(jī)化合物層的含碳量達(dá)到0.1原子數(shù)％以上時(shí)，薄膜強(qiáng)度降低所引起的耐久性劣化、以及抑制低分子量的副產(chǎn)物向表面滲出的性能降低，并且，防止低分子量的副產(chǎn)物從位于下層的第1無機(jī)化合物層擴(kuò)散出來的效果降低。本發(fā)明中所說的表示含碳率的原子數(shù)濃度通過下述的XPS法計(jì)算，因此，如下定義原子數(shù)濃度。/。(atomicconcentration)-碳原子的個(gè)數(shù)/所有原子的個(gè)數(shù)x100在本發(fā)明中，XPS表面分析裝置像用VGScientific(寸^f工y亍<7一、;/夕)公司制造的ESCALAB200R。具體地，X射線陰極采用Mg，在輸出功率600W(加速電壓15kV，發(fā)射極電流40mA)的條件下測定。當(dāng)用純凈的Ag3d5/2峰的半峰寬來規(guī)定能量分辨率時(shí)，使其設(shè)定為1.5eV1.7eV。在測定中，首先以l.OeV的數(shù)據(jù)取樣間隔對(duì)結(jié)合能0eV1100eV的范圍進(jìn)行測定，檢測是否所有元素都被檢測出。接著，以0.2eV的數(shù)據(jù)取樣間隔，對(duì)于給檢測出來的除蝕刻離子種以外的全部元素帶來最大強(qiáng)度的光電子峰進(jìn)行窄掃描，測定各元素的譜圖。為了消除由于測定裝置或者計(jì)算機(jī)的不同導(dǎo)致由得到的譜圖計(jì)算出的含有率結(jié)果的不同，將得到的譜圖輸送到VAMAS-SCA-JAPAN制造的COMMONDATAPROCESSINGSYSTEM(優(yōu)選2.3以上的版本)上，然后用同一軟件進(jìn)4亍處理，求出以原子數(shù)濃度(atomicconcentration:at。/o)表示的各分析靶的元素(碳、氧、硅、鈦等)的含有率的值。在進(jìn)行定量處理之前，對(duì)各元素進(jìn)行CountScale的校準(zhǔn)，并進(jìn)行5點(diǎn)平滑(smoothing，7厶一"y夕、、)處理。定量處理中，使用扣除背景后的峰區(qū)域強(qiáng)度(cpsteV)。背景處理使用Shirley方法。關(guān)于Shirley方法可以參考D.A.Shirley，Phys.Rev"B5,4709(1972)。另外，在本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體中，構(gòu)成第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層的無機(jī)化合物均為氧化硅，并且，第1無機(jī)化合物層的平均膜密度為1.80g/cmS以上且小于2.15g/cm3,第2無機(jī)化合物層的平均膜密度為2.10g/cm3以上且2.30g/cm3以下。本發(fā)明涉及的第2無機(jī)化合物層的平均膜密度低于2.10g/cr^時(shí)，阻隔性能降低，防止低分子量的副產(chǎn)物從位于下層的第l無機(jī)化合物層擴(kuò)散出來的效果降低。本發(fā)明規(guī)定的各無機(jī)化合物層的膜密度可以使用公知的分析手段求出，但在本發(fā)明中使用通過x射線反射率法求出的值。X射線反射率法的概要可以參照例如《X射線衍射手冊(cè)》151頁(理學(xué)電機(jī)抹式會(huì)社編，2000年，國際文獻(xiàn)印刷社)或者《化學(xué)工業(yè)》1999年1月No.22來進(jìn)行。以下示出對(duì)本發(fā)明有用的測定方法的具體例。使用macscience(7、;/夕廿^工乂7)公司制造的MXP21作為測定裝置來進(jìn)行。X射線源的靶使用銅，在42kV、500mA的條件下工作。.入射單色儀使用多層膜拋物面鏡。入射狹縫為0.05mmx5mm，受光狹縫使用0.03mmx20mm。以26/6掃描方式以步長為0.005°，每步10秒的FT法從0°到5°進(jìn)4亍測定。4吏用macscience7^司制造的ReflectivityAnalysisProgramVer.l進(jìn)行曲線擬合，求出實(shí)測值和擬合曲線的殘差平方和達(dá)到最小時(shí)的各參數(shù)。由各參數(shù)可以求出各層的厚度和平均膜密度。如上所述，本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體的特征在于，第l無機(jī)化合物層的含碳量為0.5原子數(shù)％以上且10原子數(shù)％以下，所述第2無機(jī)化合物層的含碳量低于0.1原子數(shù)％,或者，第1無機(jī)化合物層的平均膜密度為1.80g/cr^以上且小于2.15g/cm3,第2無機(jī)化合物層的平均膜密度為2.10g/cm3以上且2.30g/cn^以下，但是，視需要，本發(fā)明的第1層或第2層也可以采用由2層以上構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。例如，可以舉出如下結(jié)構(gòu)第1層由2層構(gòu)成，位于基材側(cè)的第1層A的碳含量為9.5原子數(shù)％，與第2層接觸的一側(cè)的第1層B的含碳量為0.7原子數(shù)％。另外，還可以舉出如下結(jié)構(gòu)第2層由2層構(gòu)成，與第l層接觸的一側(cè)的第2層A的膜密度為2.15g/cm3,表面?zhèn)鹊牡?層B的膜密度為2.20g/cm3。通過采用這樣的第1層或第2層由兩層以上構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)，可以提高薄膜形成時(shí)的制膜速度，從而可以形成高品質(zhì)的薄膜。另外，本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體可以采用在第1層和第2層之間設(shè)置中間層的結(jié)構(gòu)。例如，通過在第1層和第2層之間設(shè)置含碳量為0.3原子數(shù)％的中間層，可以緩解第1層和第2層的膜物性的不連續(xù)且劇烈的變化。另外，在本申請(qǐng)發(fā)明中，即使使用上述多層結(jié)構(gòu)，也不會(huì)損害本發(fā)明的目標(biāo)效果。在本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體中，第2無機(jī)化合物層與第l無機(jī)化合物層的膜厚比(第2無機(jī)化合物層的膜厚/第1無機(jī)化合物層的膜厚)為1.0以上且5.0以下，優(yōu)選為1.5以上且2.5以下。第2無機(jī)化合物層與第1無機(jī)化合物層的膜厚比低于1.0時(shí)，即，與第2無機(jī)化合物層相比，第1無機(jī)化合物層相對(duì)較厚時(shí)，第l無機(jī)化合物層中的含有未反應(yīng)原料的層增大，并且，由于第2無機(jī)化合物層為薄膜，因此，抑制滲出的效果降低。另一方面，第2無機(jī)化合物層與第1無機(jī)化合物層的膜厚比超過5.0時(shí)，即，與第2無機(jī)化合物層相比，第l無機(jī)化合物層相對(duì)較薄時(shí)，第1無機(jī)化合物層的應(yīng)力緩和層的功能降低，與基體材料的貼合性降低，容易引起裂紋故障等。從發(fā)揮本發(fā)明的目標(biāo)效果的觀點(diǎn)出發(fā)，作為第l無機(jī)化合物層的膜厚，優(yōu)選為20nm以上且200nm以下，另外，第2無機(jī)化合物層的膜厚優(yōu)選為100nm以上且500nm以下。接著，對(duì)本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體的各構(gòu)成要素進(jìn)行說明。(基體材料)作為可用于本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體的基體材料，可以優(yōu)選使用在樹脂材料中分散有導(dǎo)電劑而形成的帶。作為帶中所使用的樹脂，沒有特別的限定，可以使用聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚偏氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚酰胺和聚苯硫醚等所謂的工程塑料材料。此外，作為導(dǎo)電劑，可以使用炭黑。作為炭黑，可以沒有特別限制地使用，并且使用中性炭黑也是可以的。導(dǎo)電劑的使用量根據(jù)所使用導(dǎo)電劑的種類而不同，但只要添加至使中間轉(zhuǎn)印體的體積電阻值和表面電阻值處于規(guī)定范圍即可，通常，相對(duì)于100質(zhì)量份樹脂材料，添加4~40質(zhì)量份導(dǎo)電劑。本發(fā)明中所使用的基體材料，可以通過以往公知的常規(guī)方法制造。例如，可以通過使用擠出機(jī)熔融作為材料的樹脂，并使用環(huán)狀模頭或T型模頭擠出，再急冷而制造。(第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層)接著，在上述基體材料上形成本發(fā)明的第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層。作為本發(fā)明的第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層中所使用的無機(jī)化合物，可以列舉無機(jī)氧化物、無機(jī)氮化物、無機(jī)碳化物以及它們的復(fù)合物。作為用于形成本發(fā)明的第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層的無機(jī)化合物，可以列舉例如氧化硅、氧化鋁、氧化鉭、氧化鈥、氧化鋯、氧化錫、氧化鋅、氧化鐵、氧化釩、氧化鈹、鈦酸鋇鍶、鋯酸鈦酸鋇、鋯酸鈦酸鉛、鈦酸鉛鑭、鈦酸鍶、鈦酸鋇、鈦酸鉍、鈦酸鍶敘、鉭酸鍶鉍、鉭酸鈮酸鉍、三氧化釔等。在本發(fā)明中，優(yōu)選第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層中至少一層由含有選自Si、Ti、Al、Zr和Zn中的至少一種原子的無機(jī)化合物構(gòu)成，更優(yōu)選第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層的所有層都是由含有選自Si、Ti、Al、Zr和Zn中的至少一種原子的無機(jī)化合物構(gòu)成。因此，作為構(gòu)成各層的無機(jī)化合物，優(yōu)選氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯，特別優(yōu)選構(gòu)成第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層的無機(jī)化合物均為氧化硅。另外，本發(fā)明中的第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層可以由一種無機(jī)化合物構(gòu)成，也可以由2種以上的化合物構(gòu)成。在本發(fā)明中，在基體材料上形成第l無機(jī)化合物層之前，還可以對(duì)基體材料表面進(jìn)行電暈處理、火焰處理、等離子體處理、輝光放電處理、表面粗糙化處理、藥品處理等表面處理。接著，對(duì)本發(fā)明的第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層的形成方法進(jìn)4亍i兌明。作為本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體中的第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層的形成方法，沒有特別的限制，可以列舉，例如，真空蒸鍍法、分子射線外延生長法、離子束射線法、低能離子束法、離子鍍法、CVD法、濺射法、大氣壓等離子體CVD法等干法，噴涂法、旋涂法、刮涂法、浸涂法、流延法、輥涂法、棒涂法、模涂法等涂布方法，印刷或噴墨等圖案形成方法等濕法，并且可以根據(jù)材料進(jìn)行使用。濕法可以使用所謂的溶膠-凝膠法，即，根據(jù)需要用表面活性劑等分散助劑，將無機(jī)化合物微粒分散在任意有機(jī)溶劑或水中，涂布該液體，并進(jìn)行干燥的方法，或涂布氧化物前體，例如醇鹽的溶液，并進(jìn)行干燥。在本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體中，從進(jìn)一步發(fā)揮本發(fā)明的目標(biāo)效果的觀點(diǎn)來看，第1無機(jī)化合物層或第2無機(jī)化合物層優(yōu)選通過大氣壓等離子體CVD法形成，所述大氣壓等離子體CVD法是指，在大氣壓或大氣壓附近的氣壓下，向?qū)χ秒姌O之間形成的放電空間供給含有用于形成薄膜的氣體的氣體，對(duì)該放電空間施加高頻電壓，從而激發(fā)該氣體，將基體材料暴露于被激發(fā)的該氣體中，由此，形成無機(jī)化合物薄膜；更為優(yōu)選的是，第l無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層都由上述大氣壓等離子體CVD法形成。該大氣壓等離子體CVD法，是不需要減壓室等、并且能夠高速制膜的高生產(chǎn)性的制膜方法。此外，通過大氣壓等離子體CVD法形成的膜，均勻并且具有表面平滑性，此外，還可以較容易地形成內(nèi)部應(yīng)力也非常小的膜。下面，對(duì)于采用大氣壓等離子體CVD法形成第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層(例如無機(jī)氧化物Si02、Ti02等)的方法，進(jìn)行具體說明。所謂大氣壓等離子體CVD法(以下也稱為大氣壓等離子體法)，是指在大氣壓或大氣壓附近的壓力下，激發(fā)放電氣體，使其放電，并將原料氣體和/或反應(yīng)性氣體導(dǎo)入至放電空間并激發(fā)，從而在基體材料上形成薄膜的處理，對(duì)于該方法，在日本特開平11-133205號(hào)、日本特開2000-185362號(hào)、曰本特開平11-61406號(hào)、日本特開2000-147209號(hào)、日本特開2000-121804號(hào)等中有記載。通過該大氣壓等離子體法能夠以高生產(chǎn)性形成高功能性的薄膜。這里所說的大氣壓或大氣壓附近，表示20kPa110kPa的壓力，并優(yōu)選為93kPa104kPa。接著，對(duì)通過大氣壓等離子體CVD法形成本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體的各無機(jī)化合物層時(shí)的裝置和方法，以及其中所使用的各種氣體進(jìn)行說明。圖3是示出可以用于制造中間轉(zhuǎn)印體的大氣壓等離子體處理裝置的一例的簡圖。在圖3中，中間轉(zhuǎn)印體的制造裝置2(放電空間和薄膜堆積區(qū)域大致相同的直接方式)，是在基體材料175上形成第1無機(jī)化合物層以及第2無機(jī)化合物層的裝置，并且是由巻繞架設(shè)環(huán)形帶狀的中間轉(zhuǎn)印體的基體材料175并沿箭頭方向旋轉(zhuǎn)的輥電極20和從動(dòng)輥201、以及在基體材料175表面上形成第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層的成膜裝置即大氣壓等離子體CVD裝置3所構(gòu)成。大氣壓等離子體CVD裝置3具有沿輥電極20外周配置的至少一個(gè)固定電極21、位于固定電極21和輥電極20的對(duì)置區(qū)域并且進(jìn)行放電的放電空間23、至少生成原料氣體和放電氣體的混合氣G并將混合氣G供給至放電空間23的混合氣供給裝置24、在放電空間23等中減少空氣流入的放電容器29、連接在輥電極20上的第1電源26、連接在固定電極21上的第2電源25、和將使用完的排出氣G'排出的排氣部28?；旌蠚夤┙o裝置24(在圖3中，用3個(gè)方框表示)，將分別形成第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層的原料氣體，和氮?dú)饣驓鍤?、氦氣等稀有氣體，以及將控制原料氣體分解的氣體供給至放電空間23。這里所說的控制原料氣體分解的氣體(原料分解控制氣體)，表示在分子結(jié)構(gòu)中含有具有活性的元素的氣體，例如，可以列舉含有H、O、N、S、F、B、Cl、P、Br、I、As、Se等的氣體。含有具有活性的元素的氣體，可以單獨(dú)使用，也可以多種混合使用。此外，從控制所形成的薄膜的含碳量的觀點(diǎn)來看，可以在含有具有活性的元素的氣體的分子結(jié)構(gòu)中含有C,也可以與在分子結(jié)構(gòu)中含有C的氣體混合使用。此外，從動(dòng)輥201通過張力賦予設(shè)備202沿箭頭方向牽引，并對(duì)基體材料175施加規(guī)定的張力。張力賦予設(shè)備202在基體材料175更換時(shí)等解除張力的賦予，并且可以很容易地進(jìn)行基體材料175的更換等。第1電源26輸出頻率為col的電壓，第2電源25輸出頻率為co2的電壓，并通過這些電壓在放電空間23中產(chǎn)生頻率col和co2重疊的電場V。而且，通過電場V使放電氣體等離子體化，并使對(duì)應(yīng)于混合氣G中所含的原料氣體的膜(在圖2所示的情況下，對(duì)應(yīng)于第1無機(jī)化合物層176、第2無機(jī)化合物層177)堆積在基體材料175的表面上。另外，在多個(gè)固定電極中，在位于輥電極旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)的多個(gè)固定電極和混合氣供給裝置中以積累堆積的方式堆積無機(jī)化合物層，并且可以調(diào)整無機(jī)化合物層的厚度。例如，在圖2所示的層結(jié)構(gòu)中，在多個(gè)固定電極中，在位于輥電極旋轉(zhuǎn)方向最下游側(cè)的固定電極和混合氣供給裝置中形成第1無機(jī)化合物層176,并且，還可以在位于更上游的第2固定電極和混合氣供給裝置中形成第2無機(jī)化合物層177。通過這樣連續(xù)地制膜，在提高生產(chǎn)性的同時(shí)，還可以提高第1無機(jī)化合物層176、第2無機(jī)化合物層177的貼合性，從而可以制造具有耐久性的中間轉(zhuǎn)印體。此外，為了提高第1無機(jī)化合物層176和基體材料175的粘合性，可以在形成第1無機(jī)化合物層176的固定電極和混合氣供給裝置的上游，設(shè)置供給氮?dú)?、氦氣、氬氣或氧氣、氫氣等氣體的氣體供給裝置和固定電極而進(jìn)行等離子體處理，從而使基體材料175的表面活性化。此外，作為其它方式，還可以是在輥電極和固定電極中，將一個(gè)電極接地，將另一個(gè)電極接電源。這時(shí)的電源優(yōu)選使用第2電源，這是因?yàn)榭梢孕纬芍旅艿谋∧ぃ貏e是放電氣體使用氬氣等稀有氣體時(shí)更優(yōu)選使用第2電源。圖4是示出可用于制造中間轉(zhuǎn)印體的大氣壓等離子體處理裝置的另一例子的簡圖。中間轉(zhuǎn)印體的第2制造裝置2b在多個(gè)(圖4中為2個(gè))基體材料上分別形成第1無機(jī)化合物層或第2無機(jī)化合物層，并且主要是由在基體材料表面形成無機(jī)化合物層的多個(gè)成膜裝置2bl和2b2所構(gòu)成。第2制造裝置2b(是直接方式的變形，在對(duì)置的輥電極間進(jìn)行放電和薄膜堆積的方式)具有和第1成膜裝置2bl隔開規(guī)定間隙并大致配置成鏡像關(guān)系的第2成膜裝置2b2、配置在第1成膜裝置2bl和第2成膜裝置2b2之間并至少生成原料氣體和放電氣體混合氣G且將混合氣G供給至放電空間23b的混合氣供給裝置24b。第1成膜裝置2M具有巻繞架設(shè)環(huán)形帶狀的中間轉(zhuǎn)印體的基體材料175并沿箭頭方向旋轉(zhuǎn)的輥電極20a和從動(dòng)輥201、沿箭頭方向牽引從動(dòng)輥201的張力賦予設(shè)備202、和連接至輥電極20a上的第1電源25;第2成膜裝置2b2具有巻繞架設(shè)環(huán)形帶狀的中間轉(zhuǎn)印體的基體材料175并沿箭頭方向旋轉(zhuǎn)的輥電極20b和從動(dòng)輥201、沿箭頭方向牽引從動(dòng)輥201的張力賦予設(shè)備202、以及連接至輥電極20b上的第2電源26。此外，第3制造裝置2b具有對(duì)輥電極20a和輥電極20b的對(duì)置區(qū)域進(jìn)行放電的;^文電空間23b?；旌蠚夤┙o裝置24b將形成無機(jī)氧化物、無機(jī)氮化物、無機(jī)碳化物等無機(jī)化合物的層的原料氣體，氮?dú)饣驓鍤狻⒑獾认∮袣怏w，以及控制原料氣體分解的氣體供給至放電空間23b。第1電源25輸出頻率為col的電壓，第2電源26輸出頻率為0)2的電壓，并通過這些電壓在放電空間23b中產(chǎn)生頻率col和co2重疊的電場V。而且，通過電場V使混合氣G等離子體化(激發(fā))，將等離子體化(激發(fā))的混合氣暴露在第1成膜裝置2bl的基體材料175和第2成膜裝置2b2的基體材料175的表面上，并使對(duì)應(yīng)于等離子體化(激發(fā))的混合氣中所含的原料氣體的膜(無機(jī)化合物層)同時(shí)堆積并形成在第1成膜裝置2bl的基體材料175和第2成膜裝置2b2的基體材料175的表面上。此處，對(duì)置的輥電極20a和輥電極20b隔著失見定的間隙配置。此外，作為其它方式，還可以是在輥電極20a和輥電極20b中，將一個(gè)輥電極接地，將另一個(gè)輥電極接電源。從可以形成致密的薄膜的觀點(diǎn)來看，這時(shí)的電源優(yōu)選使用第2電源，特別是在放電氣體使用氮?dú)饣驓鍤?、氦氣等稀有氣體時(shí)更優(yōu)選使用第2電源。下面，對(duì)在基體材料上形成無機(jī)化合物層的大氣壓等離子體CVD裝置的薄膜形成區(qū)域的詳細(xì)情況進(jìn)行說明。圖5是大氣壓等離子體CVD裝置中薄膜形成區(qū)域的結(jié)構(gòu)的一例的示意圖。圖5是將圖3所示的大氣壓等離子體CVD裝置的虛線部分的薄膜形成區(qū)域取出的圖。■參照?qǐng)D5,對(duì)適用于形成第1無機(jī)化合物層176的大氣壓等離子體CVD裝置的一例進(jìn)行說明。大氣壓等離子體CVD裝置3是中間轉(zhuǎn)印體的制造裝置，其具有可以裝卸地巻繞架設(shè)基體材料并使之旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的至少l對(duì)輥，和進(jìn)行等離子體放電的至少1對(duì)電極，并且在上述1對(duì)電極中，一個(gè)電極是上述1對(duì)輥中的一個(gè)輥，另一個(gè)電極是通過上述基體材料與上述一個(gè)輥對(duì)置的固定電極，并且，使上述基體材料暴露在上述一個(gè)輥和上述固定電極的對(duì)置區(qū)域中所產(chǎn)生的等離子體中，堆積并形成上述無機(jī)化合物層。例如在使用氮?dú)庾鳛榉烹姎怏w的情況下，通過一個(gè)電源施加高電壓，并通過另一個(gè)電源施加高頻率，從而穩(wěn)定地開始放電并持續(xù)放電，因此優(yōu)選使用。如前所述，大氣壓等離子體CVD裝置3具有混合氣供給裝置24、固定電極21、第1電源25、第l濾波器25a、輥電極20、使輥電極沿箭頭方向驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)設(shè)備20a、第2電源26、和第2濾波器26a,并且在放電空間23中進(jìn)行等離子體放電，從而使含有有機(jī)物的原料氣體和放電氣體混合而形成的混合氣G激發(fā)，再將激發(fā)的混合氣G1暴露于基體材料表面175a，并在該表面上堆積并形成含有碳的無機(jī)化合物層。然后，由第1電源25向固定電極21施加頻率為co,的第1高頻電壓，并由第2電源26向輥電極20施加頻率為0)2的高頻電壓，由此，在固定電極21和輥電極20之間產(chǎn)生重疊有電場強(qiáng)度為V,頻率為co,以及電場強(qiáng)度為V2頻率為032的電場，并且在固定電極21中流過電流I,,在輥電極20中流過電流12,在電極間產(chǎn)生等離子體。此處，頻率C0i和頻率C02的關(guān)系，以及，電場強(qiáng)度V,與電場強(qiáng)度V2和放電氣體開始放電的電場強(qiáng)度IV的關(guān)系，滿足C0^Q)2，V^IV>V2或V,〉IV^/2，并且上述第2高頻電場的輸出功率密度為1W/cn^以上。由于開始氮?dú)夥烹姷碾妶鰪?qiáng)度IV是3.7kV/mm,因此優(yōu)選至少由第1電源25所施加的電場強(qiáng)度V為3,7kV/mm或其以上，并且由第2高頻電源60所施加的電場強(qiáng)度V2為3.7kV/mm或比其小。此外，作為可用于第1大氣壓等離子體CVD裝置3中的第1電源25(高頻電源)，可以列舉下述市售的產(chǎn)品，均可以使用。所加電源記號(hào)制造商頻率Al神鋼電機(jī)3kHzA2碎申4岡電才;u5kHzA3春日電機(jī)15kHzA4神鋼電機(jī)50kHzA5高強(qiáng)度鋼(八一fy)研究所100kHz*A6pearl(/《一小)工業(yè)A7pearl工業(yè)此外，作為第2電源26(高頻電源)，200kHz400kHz制品名SPG3-4500SPG5-4500AGI_023SPG50-4500PHF-6kCF-2000-200kCF_2000-400k可以列舉下述市售的產(chǎn)品，均可以使用所加電源記號(hào)BlB2B3B4B5B6制造商pearl工業(yè)pearl工業(yè)pearl工業(yè)pearl工業(yè)pearl工業(yè)pearl工業(yè)頻率訓(xùn)kHz2MHz13.56MHz27MHz150MHz20~99.9MHz弗l)品名CF-2000-800kCF-2000-2MCF-5000-13MCF-2000-27MCF-2000-150MRP-2000-20/100M另夕卜，在上述電源中，*記號(hào)是高強(qiáng)度鋼研究所的脈沖乂八°少7)高頻電源(連續(xù)模式，100kHz)。除此之外，是可以僅加上連續(xù)正弦波的高頻電源。本發(fā)明中，就由第1和第2電源供給至對(duì)置電極間的電力(電力)而言，向固定電極21供給了lW/cn^以上的電力(輸出功率密度)，并激發(fā)了放電氣體，由此產(chǎn)生等離子體，并形成薄膜。作為供給至固定電極21的電力上限值，優(yōu)選為50W/cm2。下限值優(yōu)選為1.2W/cm2。另外，放電面積(cn^,)是指在電極中產(chǎn)生放電的范圍的面積。此外，在輥電極20中，通過供給1W/cm2以上的電力(輸出功率密度)，可以維持高頻電場的均勻性，并且使輸出功率密度提高。由此，可以進(jìn)一步產(chǎn)生均勻的高密度等離子體，并且可以進(jìn)一步兼顧制膜速度的提高和膜質(zhì)的提高。電力(輸出功率密度)優(yōu)選為2W/cr^以上。供給至輥電極20的電力的上限值優(yōu)選為50W/cm2。此處，作為高頻電場的波形，沒有特別限制。有稱為連續(xù)模式的連續(xù)正弦波狀的連續(xù)振蕩模式，和稱為脈沖模式的間斷進(jìn)行ON/OFF的間斷振蕩模式等，可以采用其中任一種，但優(yōu)選至少向輥電極20供給的高頻波為連續(xù)正弦波，因?yàn)檫@樣可以得到更致密的優(yōu)質(zhì)膜。另外，在固定電極21和第1電源25之間設(shè)置第1濾波器25a，使從第1電源25到固定電極21的電流容易通過，并使來自第2電源26的電流接地，以使從第2電源26到第1電源25的電流不易通過；在輥電極20和第2電源26之間設(shè)置第2濾波器26a，使從第2電源26到輥電極20的電流容易通過，并使來自第1電源21的電流接地，以使從第1電源25到第2電源26的電流不易通過。優(yōu)選采用可以通過在電極上施加上述強(qiáng)電場而均勻地保持穩(wěn)定的放電狀態(tài)的電極，并且，為了耐受由強(qiáng)電場產(chǎn)生的放電，在固定電極21和輥電極20中至少一個(gè)電極表面上包覆下述的介電體。在上述說明中，電極和電源的關(guān)系，可以是將第2電源26連接至固定電極21上，并將第1電源25連接至輥電極20上。此外，作為其它方式，還可以是在固定電極21和輥電極20中，將一個(gè)電極接地，將另一個(gè)電極接電源。這時(shí)的電源，優(yōu)選使用第2電源，在放電氣體中使用氬氣等稀有氣體時(shí)特別優(yōu)選，因?yàn)榭梢孕纬芍旅艿谋∧ぁD6是示出輥電極的一例的立體圖。對(duì)輥電極20的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，在圖6(a)中，輥電極20是對(duì)金屬等導(dǎo)電性母材200a(以下，也稱為"電極母材")噴鍍陶瓷，然后通過包覆使用無機(jī)材料進(jìn)行了封孔處理的陶瓷包覆處理介電體200b(以下，也簡稱為"介電體")的組合而構(gòu)成的。此外，作為在噴鍍中使用的陶瓷材料，可以優(yōu)選使用氧化鋁、氮化硅等，其中，由于氧化鋁容易加工，因此更優(yōu)選使用。此外，如圖6(b)所示，將通過襯涂(lining)而設(shè)置有無機(jī)材料的襯涂處理介電體200B包覆在金屬等導(dǎo)電性母材200A上，可以以這樣的組合構(gòu)成電極20，。作為襯涂材料，可以優(yōu)選使用硅酸鹽類玻璃、硼酸鹽類玻璃、磷酸鹽類玻璃、鍺酸鹽類玻璃、亞碲酸鹽玻璃、鋁酸鹽玻璃、釩酸鹽玻璃等，其中，由于硼酸鹽類玻璃容易加工，因此更優(yōu)選使用。作為金屬等導(dǎo)電性母材200a、200A,可以列舉4艮、鉬、不4秀鋼、鋁、鐵等金屬等，但從加工的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選不銹鋼。此外，在本實(shí)施方式中，輥電極的母材200a、200A,使用了具有采用冷卻水的冷卻設(shè)備的不銹鋼制夾套輥母材(未圖示)。圖7是示出固定電極的一例的立體圖。在圖7(a)中，棱柱或棱筒柱的固定電極21以及21a、2'lb與上述的輥電極20—樣，是以如下組合構(gòu)成的，所述組合^^在對(duì)金屬等導(dǎo)電性母材210c噴鍍陶瓷后，包覆使用無機(jī)材料涂覆進(jìn)行了封孔處理的陶瓷包覆處理介電體210d的組合。此外，如圖7(b)所示，棱柱或棱筒柱型的固定電極21，，也可以是由如下組合構(gòu)成的，所述組合是對(duì)金屬等導(dǎo)電性母材210A包覆通過襯涂而設(shè)置有無機(jī)材料的襯涂處理介電體210B的組合。以下，參照?qǐng)D3、5,對(duì)中間轉(zhuǎn)印體制造方法的工序中，在基體材料l75上堆積并形成無機(jī)化合物層的成膜工序的例子進(jìn)行說明。圖3和5中，在輥電極20和從動(dòng)輥201上架設(shè)基體材料175后，通過張力賦予設(shè)備202的運(yùn)行，在基體材料175上施加規(guī)定的張力，接著以規(guī)定的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)輥電極20。由混合氣供給裝置24生成混合氣G，并排放至放電空間23中。由第1電源25輸出頻率為col的電壓并施加在固定電極21上，由第2電源26輸出頻率為co2的電壓并施加在輥電極20上，并由這些電壓在放電空間23中產(chǎn)生重疊有頻率col和co2的電場V。由電場V激發(fā)排放至放電空間23中的混合氣G，形成等離子體狀態(tài)。然后，將等離子體狀態(tài)的混合氣G暴露于基體材料表面上，通過混合氣G中的原料氣體在基體材料175上形成選自無機(jī)氧化物層、無機(jī)氮化物層、無機(jī)碳化物層中的至少一層的膜，即第l無機(jī)化合物層176。在如此形成的第1無機(jī)化合物層上，可以同樣地設(shè)置第2無機(jī)化合物層177。所謂放電氣體，是指可在上述條件下被激發(fā)為等離子體的氣體，例如，氮?dú)狻鍤?、氦氣、氖氣、氪氣、氙氣等以及它們的混合物等。作為原料氣體，是含有形成薄膜的成分的物質(zhì)，例如，可以列舉有機(jī)金屬化合物、有機(jī)化合物。例如，作為硅化合物，可以列舉硅烷、四曱氧基硅烷、四乙氧基硅烷(TEOS)、四正丙氧基硅烷、四異丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四叔丁氧基硅烷、二曱基二曱氧基硅烷、二曱基二乙氧基硅烷、二乙基二曱氧基硅烷、二苯基二曱氧基硅烷、曱基三乙氧基硅烷、乙基三曱氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、(3,3,3-三氟丙基)三曱氧基硅烷、六曱基二硅氧烷、雙(二曱基氨基)二曱基硅烷、雙(二曱基氨基)曱基乙烯基硅烷、雙(乙基氨基)二曱基硅烷、N,O-雙(三曱基曱硅烷基)乙酰胺、雙(三曱基曱硅烷基)碳化二亞胺、二乙基氨基三曱基硅烷、二甲基氨基二曱基硅烷、六曱基二硅氮烷、六甲基環(huán)三硅氮烷、七曱基二硅氮烷、九曱基三硅氮烷、八曱基環(huán)四硅氮烷、四(二曱基氨基)硅烷、四異氰酸酯基硅烷、四甲基二硅氮烷、三(二曱基氨基)硅烷、一氟三乙氧基硅烷、烯丙基二曱基硅烷、烯丙基三曱基硅烷、千基三曱基硅烷、雙(三曱基曱硅烷基)乙炔、1，4-雙(三曱基甲硅烷基)-1，3-丁二炔、二叔丁基硅烷、1,3-二硅代丁烷(1，3--、乂，7、、夕乂，1，3-disilabutane)、雙(三曱基曱硅烷基)曱烷、環(huán)戊二烯基三曱基硅烷、苯基二曱基硅烷、苯基三曱基硅烷、炔丙基三曱基硅烷、四曱基硅烷、三曱基曱硅烷基乙炔、l-(三曱基曱硅烷基)-l-丙炔、三(三曱基曱硅烷基)甲烷、三(三曱基曱硅烷基)硅烷、乙烯基三曱基硅烷、六曱基二硅烷、八曱基環(huán)四硅氧烷、四曱基環(huán)四硅氧烷、六曱基環(huán)四硅氧烷、M硅酸鹽51等，但是并不限定于它們。作為鈦化合物，可以列舉四(二曱基氨基)鈦等有機(jī)金屬化合物；單鈦、二鈦等金屬氫化物；二氯化鈦、三氯化鈦、四氯化鈦等金屬卣化物；四乙氧基鈦、四異丙氧基鈦、四丁氧基鈦等金屬烷氧化物等，但是并不限定于它們。作為鋁化合物，可以列舉正丁氧基鋁、仲丁氧基鋁、叔丁氧基鋁、二異丙氧基乙酰乙酸乙酯合鋁、乙氧基鋁、六氟戊二酸鋁(7VV^二々厶八年廿7少才口^y夕y^才氺-卜)、異丙氧基鋁、2,4-戊二酸鋁III、二曱基鋁氯化物等，但是并不限定于它們。作為鋅化合物，可以列舉二(二(三甲基曱硅烷基)酰胺)鋅、2,4-戊二酸鋅、2,2,6,6-四曱基-3,5-庚二酸鋅等，但是并不限定于它們。作為鋯化合物，可以列舉叔丁氧基鋯、二(2,2,6,6-四甲基-3，5-庚二酸)二異丙氧基鋯、乙氧基鋯、六氟戊二酸鋯、異丙氧基鋯、2-曱基-2-丁氧基鋯、三氟戊二酸鋯等，但是并不限定于它們。此外，只要這些原料是形成具有上述碳含量的無機(jī)化合物層的物質(zhì)，則可以單獨(dú)使用，也可以將2種以上成分混合使用。根據(jù)上述方法，以本發(fā)明規(guī)定的條件在基體材料表面上設(shè)置2層的無機(jī)化合物層，即第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層，可以提供轉(zhuǎn)印性高，清潔性和耐久性高、并且圖像質(zhì)量(中空故障)優(yōu)異的中間轉(zhuǎn)印體。在各結(jié)構(gòu)層中，為達(dá)到本發(fā)明規(guī)定的含碳量，可以對(duì)原料氣體的量、控制原料氣體分解的反應(yīng)氣體的量以及等離子體放電處理裝置的設(shè)定條件等進(jìn)行調(diào)節(jié)。例如，在本發(fā)明的各結(jié)構(gòu)層中，為達(dá)到本發(fā)明規(guī)定的含碳量，可以通過適當(dāng)選擇原料氣體的量、控制原料氣體分解的反應(yīng)氣體的量以及等離子體放電裝置的電源輸出功率、施加的頻率等條件來進(jìn)行調(diào)整。特別是，在大氣壓等離子體放電處理裝置中，使用同一原料，在同一裝置的連續(xù)工序內(nèi)，通過僅變更反應(yīng)氣體的量等部分制膜條件，可以在短時(shí)間內(nèi)以高經(jīng)濟(jì)性形成期望的構(gòu)成層，因此優(yōu)選。實(shí)施例以下列舉實(shí)施例，具體說明本發(fā)明，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不限定于此。實(shí)施例1《中間轉(zhuǎn)印體的制作》[中間轉(zhuǎn)印體l的制作](基體材料的制作)按照如下方法，制作用于中間轉(zhuǎn)印體的基體材料。聚苯硫醚樹脂(E2180、東麗公司制造)100質(zhì)量份導(dǎo)電填料(furnace(77—沖、只)#3030B、三菱化學(xué)公司制造)16質(zhì)量份接枝共聚物(modiper(乇fV八。一)A4400、日本油脂公司制造)1質(zhì)量份潤滑劑(褐煤酸鈣)0.2質(zhì)量份將上述各種原材料投入到單螺桿擠出機(jī)中，熔融混煉形成樹脂混合物。接著，在單螺桿擠出機(jī)的前端，安裝了具有狹縫狀的無縫帶狀出料口的環(huán)狀模頭，并將混煉后的上述樹脂混合物擠出成為無縫帶狀。將擠出的無縫帶狀的樹脂混合物外插于設(shè)于出料口前端的圓筒狀冷卻筒上，冷卻而固化，由此得到厚度為120pm的無縫圓筒狀的中間轉(zhuǎn)印體基體材料。(各無機(jī)化合物層的形成)使用圖5記載的大氣壓等離子體處理裝置，在上述制作的基體材料上按照下述方法從基體材料側(cè)起依次形成第1層(第1無機(jī)化合物層)以及第2層(第2無機(jī)化合物層)，制備中間轉(zhuǎn)印體1。(第1層的形成第1無機(jī)化合物層)使用圖5記載的大氣壓等離子體處理裝置，在上述制作的基體材料上以下述成膜條件形成厚度為85nm的第1無機(jī)化合物層。在大氣壓等離子體處理裝置中，包覆各電極的介電體使用通過陶資噴鍍加工在對(duì)置的電極上同時(shí)形成單側(cè)厚度為lmm的氧化鋁而形成的介電體。另外，包覆各輥電極的介電體的金屬母材為具有通過水循環(huán)而進(jìn)行加熱、冷卻的功能的不銹鋼制造的夾套形式，在等離子體放電過程中，通過循環(huán)50。C的水，可以在使輥電極表面的溫度保持一定的情況下進(jìn)行等離子體處理。電極間隙設(shè)定為0.5mm，通過調(diào)整處理時(shí)間進(jìn)行各膜厚的調(diào)整。以下述成膜條件形成的第1層通過上述XPS法(VGScientific公司制造數(shù)％,通過上述X射線反射率法(macscience公司制造的MXP21)測定的平均膜密度為1.89g/cm3。<第1層的成膜條件>放電氣體反應(yīng)氣體原料氣體氮?dú)?每lcm處理寬度為3.5slm)氧氣，相對(duì)于全部氣體為1.0體積％四乙氧基硅烷(TEOS)，相對(duì)于全部氣體為0.05體積％低頻側(cè)電源電力高強(qiáng)度鋼研究所的脈沖高頻電源(PHF-6k)(1OOkHz)、10W/cm2。高頻側(cè)電源電力pearl工業(yè)制造的寬帶域高頻電源(RP-2000-20/100M)(60.0MHz)、10W/cm2。(第2層的形成)使用在上述第1層形成中同樣的大氣壓等離子體裝置，將成膜條件中的反應(yīng)氣體中的氧濃度變更為相對(duì)于全部氣體為21體積％,除此以外，同樣地，在上述第1層(貼合層)上形成厚度為175nm,含碳量低于0.1原子數(shù)％,平均膜密度為2.12g/cn^的第2層，制作中間轉(zhuǎn)印體1。[中間轉(zhuǎn)印體28的制作]除了將第1層和第2層的厚度分別變?yōu)楸?所記載的厚度以外，與上述中間轉(zhuǎn)印體l的制作方法同樣地制作中間轉(zhuǎn)印體28。[中間轉(zhuǎn)印體9的制作]將形成第l層(第l無機(jī)化合物層)時(shí)的氧氣濃度變更為全部氣體的12體積％,形成了厚度為85nm、含碳量為0.4原子數(shù)％、平均膜密度為2.09g/cm3的第1層，除此之外，與上述中間轉(zhuǎn)印體1的制作方法同樣地制作中間轉(zhuǎn)印體9。將形成第1層(第1無機(jī)化合物層)時(shí)的氧氣濃度變更為全部氣體的8.6體積％，形成了厚度為85nm、含碳量為0.7原子數(shù)％、平均膜密度為2.06g/cm3的第l層，除此之外，與上述中間轉(zhuǎn)印體1的制作方法同樣地制作中間轉(zhuǎn)印體10。將形成第1層(第1無機(jī)化合物層)時(shí)的氧氣濃度變更為全部氣體的2.3體積％,形成了厚度為85nm、含碳量為3.0原子數(shù)％、平均膜密度為1.94g/cm3的第1層，除此之外，與上述中間轉(zhuǎn)印體1的制作方法同樣地制作中間轉(zhuǎn)印體11。將形成第1層(第1無機(jī)化合物層)時(shí)的氧氣濃度變更為全部氣體的0.7體積％，形成了厚度為85nm、含碳量為7.5原子數(shù)％、平均膜密度為1.84g/cm3的第l層，除此之外，與上述中間轉(zhuǎn)印體1的制作方法同樣地制作中間轉(zhuǎn)印體12。將形成第1層(第1無機(jī)化合物層)時(shí)的反應(yīng)氣體變更為氫氣，并使其濃度變更為全部氣體的2.0體積％，形成了厚度為85nm、含碳量為9.5原子數(shù)%、平均膜密度為1.81g/cn^的第1層，除此之外，與上述中間轉(zhuǎn)印體1的制作方法同樣地制作中間轉(zhuǎn)印體13。將形成第1層(第1無機(jī)化合物層)時(shí)的反應(yīng)氣體變更為氫氣，并使氫氣濃度變更為全部氣體的1.0體積％,且高頻側(cè)電源的電力為3W/cm2,形成了厚度為85nm、含碳量為11.0原子數(shù)％、平均膜密度為1.67g/cn^的第1層，除此之外，與上述中間轉(zhuǎn)印體1的制作方法同樣地制作中間轉(zhuǎn)印體14。[中間轉(zhuǎn)印體15的制作]將形成第2層(第2無機(jī)化合物層)時(shí)的氧氣濃度變更為全部氣體的18體積％,形成了厚度為175nm、含碳量為0.2原子數(shù)％、平均膜密度為2.13g/cm3的第2層，除此之外，與上述中間轉(zhuǎn)印體1的制作方法同樣地制作中間轉(zhuǎn)印體15。<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>*)低于0.1原子數(shù)％表示達(dá)到測定機(jī)器的檢測下限以下(包括0%)調(diào)色劑的二次轉(zhuǎn)印性通過調(diào)色劑轉(zhuǎn)印率進(jìn)行評(píng)價(jià)，所述調(diào)色劑轉(zhuǎn)印率表示轉(zhuǎn)印到記錄紙上的調(diào)色劑圖像上的調(diào)色劑質(zhì)量相對(duì)于形成在各中間轉(zhuǎn)印體上的調(diào)色劑圖像的調(diào)色劑質(zhì)量的比例。<吏用KonicaMinoltaBusinessTechnologies公司制造的magicolor5440DL打印機(jī)，將內(nèi)部的中間轉(zhuǎn)印帶拆除，分別安裝上上述制作的各中間轉(zhuǎn)印帶。在該打印機(jī)中安裝平均粒徑為6.5|im的聚合調(diào)色劑，以最大調(diào)色劑濃度在柯尼卡美能達(dá)CF紙(KonicaMinoltaBusinessTechnologies公司制造)上打印黃色、品紅、青色、黑色各種顏色。通過光學(xué)(反射)濃度來測定轉(zhuǎn)印到打印紙上的調(diào)色劑附著量以及帶上的殘留調(diào)色劑量，；獪照預(yù)先求出測定結(jié)果的光學(xué)濃度和調(diào)色劑量的關(guān)系式，換算成調(diào)色劑量，通過下式求出調(diào)色劑轉(zhuǎn)印率(％)，按照以下基準(zhǔn)進(jìn)行二次轉(zhuǎn)印性的評(píng)價(jià)。轉(zhuǎn)印率(％)=(轉(zhuǎn)印到測試打印紙上的調(diào)色劑量/(轉(zhuǎn)印到測試打印紙上的調(diào)色劑量+帶上的殘留調(diào)色劑量))x100◎:轉(zhuǎn)印率為98%以上；〇轉(zhuǎn)印率為95%以上，但低于98%;△:轉(zhuǎn)印率為卯％以上，但低于95%x:轉(zhuǎn)印率低于90%。在23。C、50。/。RH的環(huán)境下，將各中間轉(zhuǎn)印體放置24小時(shí)后，以lmm的間隔在各中間轉(zhuǎn)印體的表面上刻劃縱橫各11條劃痕，該刻劃時(shí)，使用單片剃刀，并使其刃與中間轉(zhuǎn)印體表面成90度的角度，由此，制成100個(gè)lmm見方的棋盤格子。接著，將NICHIBAN公司制造的玻璃紙帶貼附在棋盤格子上，手持帶的一端用力拉拽剝離。此時(shí)，肉眼觀察100個(gè)棋盤格子形成的薄膜發(fā)生剝離的面積的比例，按照下述基準(zhǔn)進(jìn)行貼合性評(píng)價(jià)。◎:完全沒有確認(rèn)到剝離；〇剝離面積為1%以上，但低于5%;△:剝離面積為5%以上，但低于10%;x:剝離面積為10%以上。使用與上述調(diào)色劑二次轉(zhuǎn)印性評(píng)價(jià)中同樣的打印機(jī)，使用柯尼卡美能達(dá)CF紙(A4)在23。C、50。/。RH的環(huán)境下，打印20萬張各調(diào)色劑顏色均為5%圖像率的測試圖案，然后，肉眼觀察第1張和第20萬張的打印圖像有無圖像品質(zhì)的變化，按照下述基準(zhǔn)進(jìn)行耐久性評(píng)價(jià)1?！?第1張和第20萬張的打印圖像均無變化，也沒有確認(rèn)到圖像故障問題。〇第1張沒有確認(rèn)到打印圖像的故障問題，第20萬張確認(rèn)到打印圖像稍有變化，但仍屬于實(shí)用上允許的品質(zhì)?！?第1張沒有確認(rèn)到打印圖像的故障問題，第20萬張確認(rèn)到打印圖像發(fā)生變化，但仍屬于實(shí)用上允許的品質(zhì)。x:第1張沒有確認(rèn)到打印圖像的故障問題，第20萬張確認(rèn)到打印圖像發(fā)生明顯變化，屬于實(shí)用上存在問題的品質(zhì)。在5(TC、90%RH的環(huán)境下放置各中間轉(zhuǎn)印體6個(gè)月進(jìn)行強(qiáng)制劣化處理，然后安裝在與上述調(diào)色劑二次轉(zhuǎn)印性評(píng)價(jià)中同樣的打印機(jī)中，在35°C、85。/。RH的環(huán)境下，在柯尼卡美能達(dá)CF紙(A4)上打印各調(diào)色劑顏色均為5%圖像率的測試圖案，肉眼觀察輸出的印刷圖像中有無中空故障，按照以下基準(zhǔn)進(jìn)行耐久性評(píng)價(jià)2。◎:完全沒有確認(rèn)到發(fā)生中空故障；〇一部分確認(rèn)到發(fā)生極微弱的中空故障，但仍屬于良好的品質(zhì)；△:一部分確認(rèn)到發(fā)生微弱的中空故障，但屬于實(shí)用上允許的品質(zhì)；x:確認(rèn)發(fā)生明顯的中空故障，屬于實(shí)用上存在問題的品質(zhì)。[耐久性的評(píng)價(jià)3:高溫低濕耐性]在50°C、15%RH的環(huán)境下放置各中間轉(zhuǎn)印體6個(gè)月進(jìn)行強(qiáng)制劣化處理，然后安裝在與上述調(diào)色劑二次轉(zhuǎn)印性評(píng)價(jià)中同樣的打印機(jī)中，在35°C、85%RH的環(huán)境下，在柯尼卡美能達(dá)CF紙(A4)上打印各調(diào)色劑顏色均為5%圖像率的測試圖案，肉眼觀察輸出的印刷圖像中有無中空故障，按照以下基準(zhǔn)進(jìn)行耐久性評(píng)價(jià)2?！?完全沒有確認(rèn)到發(fā)生中空故障；〇一部分確認(rèn)到發(fā)生極微弱的中空故障，但仍屬于良好的品質(zhì)；△:一部分確認(rèn)到發(fā)生微弱的中空故障，但屬于實(shí)用上允許的品質(zhì)；x:確認(rèn)發(fā)生明顯的中空故障，屬于實(shí)用上存在問題的品質(zhì)。以上得到的結(jié)果示于表2中。[表2]中間轉(zhuǎn)印體編號(hào)各評(píng)價(jià)結(jié)果備注二次轉(zhuǎn)印性基體材料貼合性耐久性的評(píng)價(jià)1:連續(xù)輸出2:南溫南濕3:南溫低濕1o◎◎◎◎本發(fā)明2o◎XX比較例o◎〇〇△本發(fā)明4◎◎◎◎◎本發(fā)明◎◎◎◎◎本發(fā)明6◎〇◎◎◎本發(fā)明7◎厶◎◎◎本發(fā)明8oX〇△比較例9o〇△X比爭i例10〇△〇〇〇本發(fā)明11o〇◎◎◎本發(fā)明12◎◎◎◎◎本發(fā)明13厶◎〇〇〇本發(fā)明14◎X比較例15X〇△XX比較例表2記載的結(jié)果表明，相對(duì)于比較例來說，使用了具有本發(fā)明規(guī)定的結(jié)構(gòu)的中間轉(zhuǎn)印體的打印機(jī)具有優(yōu)異的調(diào)色劑二次轉(zhuǎn)印性、連續(xù)輸出時(shí)的耐久性和高溫高濕的中空耐性。實(shí)施例2對(duì)實(shí)施例1記載的中間轉(zhuǎn)印體的制造方法做如下變更作為第l層和第2層的無機(jī)化合物層的構(gòu)成材料，適當(dāng)選擇各種材料，從而分別形成氧化鈦膜、氧化鋁膜、氧化鋯膜、氧化鋅膜來代替實(shí)施例1的氧化硅膜，制作各中間轉(zhuǎn)印體。進(jìn)行與實(shí)施例1記載的評(píng)價(jià)方法同樣的評(píng)價(jià)，結(jié)果是，本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體也與表2所記載的中間轉(zhuǎn)印體一樣，與比較例相比，得到良好的結(jié)果，與實(shí)施例1記載的中間轉(zhuǎn)印體(氧化硅膜)相比，其效果稍有降低。權(quán)利要求1.一種中間轉(zhuǎn)印體，該中間轉(zhuǎn)印體包括基體材料、從基體材料側(cè)起依次位于基體材料上的第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層，該第2無機(jī)化合物層與該第1無機(jī)化合物層的膜厚比為1.0以上且5.0以下，該第1無機(jī)化合物層的碳含量為0.5原子數(shù)％以上且10原子數(shù)％以下，該第2無機(jī)化合物層的碳含量小于0.1原子數(shù)％。2.權(quán)利要求1所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，上述第1無機(jī)化合物層的膜厚為20nm以上且200nm以下。3.權(quán)利要求1或2所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，上述第2無機(jī)化合物層的膜厚為100nm以上且500nm以下。4.權(quán)利要求13中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，上述第2無機(jī)化合物層與上述第1無機(jī)化合物層的膜厚比為1.5以上且2.5以下。5.權(quán)利要求14中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，上述第1無機(jī)化合物層或上述第2無機(jī)化合物層由含有選自Si、Ti、Al、Zr和Zn中的至少一種原子的無機(jī)化合物構(gòu)成。6.權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，上述第1無機(jī)化合物層和上述第2無機(jī)化合物層由含有選自Si、Ti、Al、Zr和Zn中的至少一種原子的無機(jī)化合物構(gòu)成。7.權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，構(gòu)成上述第1無機(jī)化合物層和上述第2無機(jī)化合物層的無機(jī)化合物均為二氧化硅，并且，上述第1無機(jī)化合物層的平均膜密度為1.80g/cmS以上且小于2.15g/cm3，上述第2無機(jī)化合物層的平均膜密度為2.10g/cm3以上且2.30g/cm3以下。8.權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，上述第1無機(jī)化合物層或上述第2無機(jī)化合物層通過大氣壓等離子體CVD法形成，所述大氣壓等離子體CVD法包括在大氣壓或與大氣壓接近的壓力下，向?qū)χ玫碾姌O之間所形成的放電空間供給含有用于形成薄膜的氣體的氣體，對(duì)該放電空間施加高頻電場，從而對(duì)該氣體進(jìn)行激發(fā)，將基體材料暴露于激發(fā)后的該氣體中，由此，形成無機(jī)化合物薄膜。9.權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，上述第1無機(jī)化合物層和上述第2無機(jī)化合物層通過大氣壓等離子體CVD法形成，所述大氣壓等離子體CVD法包括在大氣壓或與大氣壓接近的壓力下，向?qū)χ玫碾姌O之間所形成的放電空間供給含有用于形成薄膜的氣體的氣體，對(duì)該放電空間施加高頻電場，從而對(duì)該氣體進(jìn)行激發(fā)，將基體材料暴露于激發(fā)后的該氣體中，由此，形成無機(jī)化合物薄膜。10.—種圖像形成裝置，該圖像形成裝置對(duì)圖像載體的表面進(jìn)行顯影，形成調(diào)色劑圖像，再將該調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印體上，然后再轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印紙上，其中，該中間轉(zhuǎn)印體是權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體。全文摘要本發(fā)明提供中間轉(zhuǎn)印體和具有該中間轉(zhuǎn)印體的圖像形成裝置，該中間轉(zhuǎn)印體具有優(yōu)異的轉(zhuǎn)印性和貼合性，并且，即使在苛刻的環(huán)境下長時(shí)間使用或保存后仍然具有優(yōu)異的耐久性(脫模性、中空故障耐性、抗裂紋性)。該中間轉(zhuǎn)印體包括基體材料、從基體材料側(cè)起依次位于基體材料上的第1無機(jī)化合物層和第2無機(jī)化合物層，上述第2無機(jī)化合物層與上述第1無機(jī)化合物層的膜厚比為1.5以上且2.5以下，該第1無機(jī)化合物層的碳含量為0.5原子數(shù)％以上且10原子數(shù)％以下，該第2無機(jī)化合物層的碳含量小于0.1原子數(shù)％。文檔編號(hào)G03G15/16GK101617276SQ20088000589公開日2009年12月30日申請(qǐng)日期2008年2月22日優(yōu)先權(quán)日2007年2月26日發(fā)明者前原雄一郎,屬健治申請(qǐng)人:柯尼卡美能達(dá)商用科技株式會(huì)社