專(zhuān)利名稱(chēng)：布線(xiàn)電路基板、布線(xiàn)電路基板的制造方法和電路模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如用來(lái)安裝IC、 LSI等電子設(shè)備的布線(xiàn)電路基板。特 別涉及能夠進(jìn)行高密度安裝的布線(xiàn)電路基板、該布線(xiàn)電路基板的制造方 法以及具備該布線(xiàn)電路基板的電路模塊。
背景技術(shù)：
近年來(lái)的半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步非常引人注目，由于掩模處理技術(shù) 和蝕刻技術(shù)等細(xì)微圖形形成技術(shù)的飛越進(jìn)步，實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體元件的細(xì)微 化。所以，為了使布線(xiàn)基板高集成化，必須使布線(xiàn)基板多層化，并且以 高可靠性細(xì)微地形成上下布線(xiàn)膜之間的連接。
申請(qǐng)人作為多層布線(xiàn)電路基板的制造技術(shù)，開(kāi)發(fā)出了通過(guò)從一個(gè)表 面?zhèn)韧ㄟ^(guò)干式蝕刻來(lái)蝕刻銅箔等金屬膜，來(lái)形成縱截面形狀大致為梯形
的凸起，并將該凸起作為層間膜導(dǎo)體部件的布線(xiàn)電路基板。并且開(kāi)發(fā)出 了通過(guò)適當(dāng)?shù)丶庸ぴ摬季€(xiàn)電路a，來(lái)制作多層布線(xiàn)電路141的技術(shù)。
現(xiàn)在，通過(guò)圖13A 圖131所示的方法，實(shí)現(xiàn)經(jīng)由焊球連接這樣的 布線(xiàn)電路基板的凸起和其他印刷電路基板的布線(xiàn)層的方法。在此，參照 圖13A 圖131，說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)中的布線(xiàn)電路^4l的制造工序以及與其 他印刷電路J41的連接方法。圖13A 圖131是以工序順序展示現(xiàn)有的 布線(xiàn)電路基板的制造方法的基板的截面圖。
如圖13A所示，說(shuō)明了多層金屬板20。該多層金屬板20由以下部 分構(gòu)成由厚度約為12 30[jnm]的銅箔構(gòu)成的布線(xiàn)層形成用金屬層20c;層疊在其上的、由厚度約為0.5-2.0[pm]的Ni (鎳)構(gòu)成的蝕刻 阻擋層20b;再層疊在其上的、由厚度約為80~150[jam]的銅箔構(gòu)成 的凸起形成用金屬層20a。
接著，在凸起形成用金屬層20a上涂抹抗蝕劑。然后，使用形成了 多個(gè)圓形圖形的曝光掩模進(jìn)行曝光，并接著進(jìn)行顯影，從而如圖13B所 示形成抗蝕掩4莫5。
接著，如圖13C所示，將抗蝕掩模5作為掩模，通過(guò)蝕刻凸起形成 用金屬層20a進(jìn)行圖形形成，形成導(dǎo)通上下布線(xiàn)層間的層間膜導(dǎo)通部件 的凸起6。該凸起6為圓錐形狀。
更詳細(xì)地說(shuō)明該凸起6的形狀?？刮g掩模5由于具有圓形圖形，所 以凸起6的橫截面形狀為圓形。另外，由于進(jìn)行基于濕式蝕刻的蝕刻， 所以凸起形成用金屬層20a各向同性地被蝕刻。因而，抗蝕掩模5的下 面也進(jìn)入了蝕刻溶液，與縱方向同時(shí)地才黃方向也進(jìn)行蝕刻(邊沿蝕 刻)。其結(jié)果是凸起6的縱截面形狀幾乎成為梯形。另外，在該蝕刻 中，蝕刻阻擋層20b防止了在凸起形成用金屬層20a的蝕刻時(shí)布線(xiàn)層形 成用金屬層20c被蝕刻。
所以，如圖13D所示，在剝離抗蝕掩模5后，如圖13E所示，將凸 起6作為掩模，蝕刻并除去蝕刻阻擋層20b。這時(shí)，在凸起6和布線(xiàn)層 形成用金屬層20c之間隔著蝕刻阻擋層20b。
接著，如圖13F所示，從凸起6的上面嵌入由樹(shù)脂等薄膜構(gòu)成的絕 緣膜4。然后，通過(guò)選擇地蝕刻形成在凸起6上面的絕緣膜4，形成開(kāi) 口孑L12a。或者，通過(guò)向形成在凸起6上面的絕緣層4照射激光，形成 開(kāi)口孔12a。
然后，通過(guò)電鍍法在絕緣膜4上形成由銅、鎳、金等構(gòu)成的多層結(jié) 構(gòu)的金屬層。然后，通過(guò)選擇地蝕刻該金屬層，如圖13C所示，在開(kāi)口 孔12a形成焊J求基底層12b。進(jìn)而，如圖13H所示，通過(guò)選擇地蝕刻布 線(xiàn)層形成用金屬層20c，形成布線(xiàn)層IO。然后，在焊球基底層12b上形 成焊^求12。
然后，將LSI等半導(dǎo)體芯片(未圖示)的各電極連接到各布線(xiàn)層io，將半導(dǎo)體芯片安裝到布線(xiàn)電路J4i上。
在現(xiàn)有技術(shù)中，在布線(xiàn)電路基板上形成了絕緣膜4后，到形成焊球 12為止所需要的工序數(shù)很多，有制造成本高的問(wèn)題。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，要 進(jìn)行以下很多的工序在形成了絕緣層4后，通過(guò)選擇地進(jìn)行蝕刻來(lái)形 成開(kāi)口孔12a。接著，通過(guò)電鍍法形成多層的焊球基底層12b。接著， 選擇地進(jìn)行蝕刻形成圖形，使得與各凸起6連接的焊球基底層12b獨(dú) 立。然后，形成焊球12。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是解決上述問(wèn)題的發(fā)明，其目的是減少連接將凸起作為層 間連接部件的布線(xiàn)電路基板和其他印刷電路基板的步驟，其結(jié)果是謀求 降低布線(xiàn)電路基板的成本。
另外，由于絕緣膜4使用由樹(shù)脂等構(gòu)成的固體狀的薄膜，所以凸起 6和絕緣膜樹(shù)脂之間不進(jìn)行處理就不會(huì)充分接合，必須通過(guò)熱壓層疊絕 緣膜4。所以，需要熱壓用的裝置，另外，由于必須花費(fèi)時(shí)間進(jìn)行熱 壓，所以有布線(xiàn)電路M的生產(chǎn)效率低的問(wèn)題。
另一方面，有以下方法不經(jīng)由焊球12，在絕緣層4上層疊別的布 線(xiàn)層形成用金屬層，在凸起6的頂面上形成布線(xiàn)層。在該情況下，在絕 緣層4上層疊布線(xiàn)形成用金屬層，通過(guò)加壓而壓平凸起6，將布線(xiàn)形成 用金屬層壓接在絕緣膜4上，將凸起6和布線(xiàn)形成用金屬層連接起來(lái)。 然后，通過(guò)蝕刻該布線(xiàn)形成用金屬層形成圖形，在凸起6的頂面上形成 別的布線(xiàn)層。
在這樣的方法中，例如在要制造壓接后的絕緣膜4的厚度(凸起6 的高度)約為50[jum]的布線(xiàn)電路基板的情況下，由于壓平凸起6壓接 布線(xiàn)膜形成用金屬層，所以必須預(yù)先形成高約為lOO[nim]的凸起6。但 是，如果通過(guò)濕式蝕刻形成例如高約為100[pm]的凸起6，則也有邊沿 蝕刻的影響，有必要使相鄰的凸起6間的距離為約300~350[|am]。不 可能形成細(xì)微的圖形，不能制作高集成化的布線(xiàn)電路基板。進(jìn)而，不能 制作利用了布線(xiàn)電路J41的高集成化的多層布線(xiàn)J41。本發(fā)明還是解決上述問(wèn)題的發(fā)明，提供以下的布線(xiàn)電路基板的制造
方法通過(guò)使用液體狀的絕緣材料，在形成絕緣膜時(shí)不需要熱壓工序， 能夠提高生產(chǎn)效率。另外，提供以下的高集成化的布線(xiàn)電路141的制造 方法在凸起的頂面形成布線(xiàn)層時(shí)，通過(guò)不必須進(jìn)行壓接布線(xiàn)層形成用 金屬層而壓平凸起的工序，而不必須制作具有必要以上的高度的凸起。 進(jìn)而，還通過(guò)層疊本發(fā)明的布線(xiàn)電路基板，提供高集成化的多層布線(xiàn)基 板。
第1發(fā)明是電路模塊，其特征在于由以下部分構(gòu)成在布線(xiàn)層的 表面上，直接或者經(jīng)由蝕刻阻擋層地形成多個(gè)凸起，在上述布線(xiàn)層的形 成了凸起的面上，在沒(méi)有形成上述凸起的部分形成絕緣膜的一個(gè)布線(xiàn)電 路基板；成為液晶元件的基板，具有透明布線(xiàn)膜的液晶裝置用透明基 板，其中上述一個(gè)布線(xiàn)電路基板的凸起和上述液晶裝置用透明基板的透
的布線(xiàn)層和焊球地連接，構(gòu)成液晶裝置。
第2發(fā)明是在第1發(fā)明的電路才莫塊中，其特征在于上述一個(gè)布線(xiàn) 電路基板的凸起的頂面形成為凹球面，在該頂面上直接形成焊球。
根據(jù)第l發(fā)明，能夠通過(guò)本發(fā)明的布線(xiàn)電路^41引出液晶裝置的透 明布線(xiàn)膜。
才艮據(jù)第2發(fā)明，由于凸起的頂面形成為凹J求面狀，在其頂面上直接 形成焊球，所以能夠使連接面積更大，使連接強(qiáng)度更強(qiáng)。因而能夠提高 電路模塊的可靠性，延長(zhǎng)壽命。


圖1是實(shí)施例1相關(guān)的布線(xiàn)電路141的截面圖。
圖2A~圖2F是以工序順序展示實(shí)施例1相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的制 造方法的基板的截面圖。
圖3A 圖3B M示向布線(xiàn)電路基&安裝半導(dǎo)體芯片的例子的J41 的截面圖。
圖4是實(shí)施例2相關(guān)的布線(xiàn)電路;i4l的截面圖。圖5A~圖5C是以工序順序展示實(shí)施例2相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的制 造方法的基板的截面圖。
圖6A~圖6E是以工序順序展示實(shí)施例3相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的制 造方法的基板的截面圖。
圖7是實(shí)施例4相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的截面圖。
圖8A~圖8D是以工序順序展示實(shí)施例4相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的制 造方法的基板的截面圖。
圖9是實(shí)施例4相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的截面圖。
圖10A 圖10C是實(shí)施例5相關(guān)的電路模塊的截面圖。
圖11是實(shí)施例6相關(guān)的電路模塊的截面圖。
圖12是實(shí)施例7相關(guān)的電路模塊的截面圖。
圖13A 圖131是以工序順序展示現(xiàn)有技術(shù)相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的 制造方法的141的截面圖。
圖14A~圖14G是以工序順序展示實(shí)施例8相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的 制造方法的J41的截面圖。
圖15A~圖15E是以工序順序展示實(shí)施例8相關(guān)的布線(xiàn)電路基&的 制造方法的基板的截面圖。
圖16A~圖16F是以工序順序展示實(shí)施例9相關(guān)的布線(xiàn)電路;i4aL的 制造方法的J41的截面圖。
圖17A~圖17F是以工序順序展示實(shí)施例9相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的 制造方法的基板的截面圖。
圖18A 圖18E是以工序順序展示實(shí)施例10相關(guān)的布線(xiàn)電路基板 的制造方法的基板的截面圖。
圖19A 圖19E是以工序順序展示實(shí)施例10相關(guān)的布線(xiàn)電路基板 的制造方法的基板的截面圖。
圖20A~圖20D是以工序順序展示實(shí)施例11相關(guān)的布線(xiàn)電路基板 的制造方法的基板的截面圖。
圖21A~圖21D是以工序順序展示實(shí)施例12相關(guān)的布線(xiàn)電路基板 的制造方法的J4l的截面圖。圖22A~圖22C是以工序順序展示實(shí)施例13相關(guān)的布線(xiàn)電路J4！ 的制造方法的141的截面圖。
圖23A~圖23D是以工序順序展示實(shí)施例14相關(guān)的布線(xiàn)電路基板 的制造方法的基板的截面圖。
圖24A 圖24F是以工序順序展示實(shí)施例15相關(guān)的布線(xiàn)電路基板 的制造方法的141的截面圖。
圖25A~圖25E是以工序順序展示實(shí)施例15相關(guān)的布線(xiàn)電路基板 的制造方法的基板的截面圖。
圖26A~圖26C是以工序順序展示實(shí)施例16相關(guān)的布線(xiàn)電路141 的制造方法的a的截面圖。
圖27A~圖27B是以工序順序展示實(shí)施例17相關(guān)的布線(xiàn)電路141 的制造方法的I41的截面圖。
圖28A~圖28D是以工序順序展示實(shí)施例18相關(guān)的布線(xiàn)電路基板 的制造方法的141的截面圖。
圖29A~圖29E是以工序順序展示實(shí)施例18相關(guān)的布線(xiàn)電路J41 的制造方法的141的截面圖。
圖30A 圖30E是以工序順序展示實(shí)施例19相關(guān)的布線(xiàn)電路J4！ 的制造方法的141的截面圖。
圖31A~圖31F是以工序順序展示實(shí)施例19相關(guān)的布線(xiàn)電路141 的制造方法的141的截面圖。
圖32A~圖32E是以工序順序展示實(shí)施例20相關(guān)的布線(xiàn)電路基板 的制造方法的基板的截面圖。
圖33A~圖33F是以工序順序展示實(shí)施例20相關(guān)的布線(xiàn)電路141 的制造方法的基板的截面圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明基本是作為用于電路模塊等的布線(xiàn)電路基板，提供在布線(xiàn)層 的表面部分直接或經(jīng)由蝕刻阻擋層形成多個(gè)凸起，在該布線(xiàn)層的沒(méi)有形 成凸起的部分形成絕緣膜，在凸起的頂面上，直接或經(jīng)由使絕緣膜表面與凸起連接地形成的布線(xiàn)層地形成焊球的布線(xiàn)電路基板。這是為了導(dǎo)電 性和機(jī)械強(qiáng)度的優(yōu)越。另外，用銅形成凸起，并作為層間連接部件而使 用的技術(shù)是本申請(qǐng)人已經(jīng)確立的技術(shù)。
本發(fā)明的布線(xiàn)電路基板的一個(gè)適合的實(shí)施例是在布線(xiàn)電路基板上 設(shè)置形成了凸起的凸起形成區(qū)域、沒(méi)有形成凸起的凸起非形成區(qū)域，將 凸起非形成區(qū)域設(shè)計(jì)為可彎曲的區(qū)域，將凸起形成區(qū)域設(shè)計(jì)為不易彎曲 的區(qū)域。另外，另一個(gè)適合的實(shí)施例是在形成絕緣膜前從上壓平凸起 的頂面，來(lái)增加該頂面的面積。如果增加了該頂面的面積，則能夠增加 凸起和焊球的面積，增強(qiáng)連接強(qiáng)度，提高可靠性。
另外，例如通過(guò)蝕刻在凹球面上形成凸起的頂面，直接在其頂面形 成焊球的情況也是良好的實(shí)施例。這是因?yàn)橛捎谠龃笸蛊鸷秃盖虻倪B接 面積，并將焊球形成在基板上，所以能夠進(jìn)一步增強(qiáng)連接強(qiáng)度。其結(jié)果 是，能夠進(jìn)一步提高布線(xiàn)電路基板的可靠性，延長(zhǎng)壽命。
另外，在凹球面上形成凸起的頂面，能夠適用于在凸起的頂面直接 形成焊球的所有實(shí)施例。
如圖1所示，實(shí)施例1相關(guān)的布線(xiàn)電路J4！ 2由絕緣膜4、凸起 6、蝕刻阻擋層8、布線(xiàn)層10構(gòu)成。絕緣膜4由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成。凸 起6由銅構(gòu)成，形成為貫穿絕緣膜4。另外，凸起6為圓錐形狀。更詳 細(xì)地說(shuō)明，凸起6的橫截面形狀為圓形，縱截面大致為梯形。另外，凸 起6的縱截面的梯形狀在說(shuō)明上比較方便，其斜邊也有曲線(xiàn)狀的情況。 另外，縱截面形狀也可以是大致矩形狀，凸起6的形狀在大致為圓錐形 狀以外，也可以大致為圓柱形狀。即使在這樣的情況下，斜邊也有曲線(xiàn) 狀的情況。另外，各凸起6的頂面從絕緣膜4露出，形成為位于與絕緣 膜4的表面同一平面上。
蝕刻阻擋層8由Ni (鎳)構(gòu)成，形成在凸起6的底面。布線(xiàn)層10 由銅構(gòu)成。各凸起6經(jīng)由蝕刻阻擋層8與布線(xiàn)層10連接。另外，布線(xiàn) 層10也可以在銅的表面覆蓋金、銀、銠、錫、鉻或鋁等。另外，未圖 示的，半導(dǎo)體芯片的電極或具有焊球的IC (倒裝片)直接或經(jīng)由焊接引線(xiàn)與布線(xiàn)層10連接。對(duì)于該連接形式，以后參照?qǐng)D3進(jìn)行說(shuō)明。
焊球12形成在各凸起6的頂面。印刷電路141 14是不易彎曲的基 板，與布線(xiàn)電路基板2連接。布線(xiàn)層16形成在印刷電路基板14的表 面。
各布線(xiàn)層16和各凸起6經(jīng)由焊球12連接，從而將布線(xiàn)電路基板2 安裝在印刷電路J4！ 14上。這樣，制作由布線(xiàn)電路基tl 2和印刷電路 基板14構(gòu)成的電路模塊。相對(duì)于布線(xiàn)電路基板2是薄的可彎曲的基 板，印刷電路基板14是不易彎曲的，因而該電路模塊安裝了不易彎曲 的印刷電路J4!14和可彎曲的布線(xiàn)電路a2。所以，能夠得到例如從 布線(xiàn)電路基板2電導(dǎo)出不易彎曲的印刷電路M 14的電極或端子等的 電路模塊。
根據(jù)本實(shí)施例相關(guān)的布線(xiàn)電路J4！ 2，由于在從絕緣膜4的表面露 出的各凸起6的頂面上直接形成焊球12，所以不必麻煩地形成作為焊球 的基底的焊球基底膜。其結(jié)果是，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠削減制造布線(xiàn) 電路基板2所必需的制造工序數(shù)。
接著，參照?qǐng)D2A 圖2H，說(shuō)明實(shí)施例l相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的制 造工序。圖2A~圖2H是展示實(shí)施例l相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的制造方法 的M截面圖。
如圖2A所示，準(zhǔn)備多層金屬板20。該多層金屬板20由以下部分 構(gòu)成層疊在厚度為12~30|am的由銅構(gòu)成的布線(xiàn)層形成用金屬層20c 上的、厚度為0.5~2.0|^111的由鮒構(gòu)成的蝕刻阻擋層201);再層疊在其 上的、厚度為20 80iLim的由銅構(gòu)成的凸起形成用金屬層20a。
接著，向凸起形成用金屬層20a上涂抹抗蝕劑，使用形成有多個(gè)圓 形圖形的曝光掩模進(jìn)行曝光和顯影，形成抗蝕劑掩模(未圖示)。如圖 2B所示，將該抗蝕劑掩模作為掩模蝕刻凸起形成用金屬層20a，從而形 成凸起6。
接著，如圖2C所示，將凸起6作為掩模，通過(guò)蝕刻蝕刻阻擋層 20b進(jìn)行除去，制作具有凸起的基板21。這時(shí)，在凸起6和布線(xiàn)層形成 用金屬層20c之間隔著蝕刻阻擋層8。然后，如圖2D所示，通過(guò)幕式涂抹法、刮刀涂抹法、條狀涂抹 法、絲網(wǎng)印刷法等，向形成了凸起6的面涂抹處于前軀體狀態(tài)的液狀的 由聚酰亞胺或環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的絕緣材料。
在本實(shí)施例中，使絕緣材料的高度稍微比凸起6的高度高地涂抹絕 緣材料。然后，通過(guò)進(jìn)行烘干處理使液狀的絕緣材料固化，形成絕緣膜 4。在聚酰亞胺的情況下，逐漸提高溫度，最終在400'C下進(jìn)行供干處 理，從而進(jìn)行亞胺化。在環(huán)氧樹(shù)脂的情況下，也逐漸提高溫度，最終在 180。C下進(jìn)行烘干處理。另外，在圖2D中，展示了通過(guò)烘干處理形成的 絕緣膜4。
接著，如圖2E所示，到至少完全露出各凸起6的頂面為止，研磨 絕緣膜4的表面部分，制作布線(xiàn)電路基板22。通過(guò)這樣地進(jìn)行研磨，使 絕緣膜4的膜厚度和凸起6的高度相等。在此，可以完全露出凸起6的 頂面，也可以在露出后繼續(xù)進(jìn)一步研磨絕緣膜4。
另外，除了聚酰亞胺或環(huán)氧樹(shù)脂，絕緣材料也可以使用熱可塑性樹(shù) 脂。該熱可塑性樹(shù)脂使用液晶聚合物、PEEK、 PES、 PPS或PET等， 通過(guò)T模具法來(lái)成形。該T模具法是以下這樣的方法壓出機(jī)將熱熔 化了的樹(shù)脂壓出，從前端的T模具開(kāi)始涂抹，直接將成為了流動(dòng)體狀態(tài) 的材料(樹(shù)脂)涂抹到具有凸起的基板21上，通過(guò)冷卻使之固化。使 用該T模具法向a涂抹液晶聚合物等熱可塑性樹(shù)脂，通過(guò)冷卻使之固 化，來(lái)形成絕緣膜4。
接著，向布線(xiàn)層形成用金屬層20c上涂抹抗蝕劑，進(jìn)行曝光和顯 影，形成抗蝕劑掩模(未圖示)。例如，涂抹正片型的抗蝕劑，使用具 有規(guī)定圖形的曝光掩模，依照該圖形對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝光。在本實(shí)施例 中，對(duì)各凸起6之間的抗蝕劑進(jìn)行曝光。然后通過(guò)顯影處理，除去曝光 了的抗蝕劑，只在各凸起6的底面上形成抗蝕劑掩模(未圖示)。然 后，如圖2F所示，將該抗蝕劑掩模作為掩模蝕刻布線(xiàn)層形成用金屬層 20c，從而形成布線(xiàn)層10。各布線(xiàn)層10經(jīng)由蝕刻阻擋層8與凸起6連 接。這樣，制作實(shí)施例1相關(guān)的布線(xiàn)電路J412。
另外，在布線(xiàn)層10的形成前或形成后，如2點(diǎn)的虛線(xiàn)所示，例如，形成由焊球抗蝕劑構(gòu)成的阻隔18，也可以謀求焊球接合面的均勻、 防止因壓陷造成的短路。
接著，將作為焊球的球狀焊料配置在從絕緣膜4露出的各凸起6的 頂面上。然后，通過(guò)使用加熱爐對(duì)布線(xiàn)電路基板進(jìn)行風(fēng)干處理，形成與 凸起6固定連接的焊球12。在圖2G中展示了風(fēng)干處理后的狀態(tài)。
另外，也可以用以下的方法進(jìn)行球狀焊球的配置。首先，準(zhǔn)備能夠 通過(guò)真空吸引保持球狀焊料的冶具。然后， 一邊保持為球狀焊料， 一邊 將該冶具配置在各凸起6的上方。然后，停止冶具的真空吸引，通過(guò)各 球狀焊料的自重使各球狀焊料落下到各凸起6的頂面上。然后，通過(guò)進(jìn) 行風(fēng)干處理能夠形成焊球12。
另外，也可以將焊料油印刷在凸起6的頂面上，通過(guò)加熱風(fēng)干處理 形成焊球。
根據(jù)這樣的布線(xiàn)電路J4！ 2的制造方法，能夠在從絕緣膜4的表面 露出的各凸起6的頂面上直接形成焊球12。所以，不需要形成作為焊球 12的基底的焊球基底膜，能夠削減布線(xiàn)電路J412的制造工序。
進(jìn)而，如圖2H所示，能夠在印刷電路J4114上安裝布線(xiàn)電路J4！ 2。 一般，在向印刷布線(xiàn)基板進(jìn)行安裝之前，向布線(xiàn)電路基板2安裝例 如半導(dǎo)體芯片等，但在圖2H中省略了該半導(dǎo)體芯片的圖示。另外，參 照?qǐng)D3A~圖3B，說(shuō)明半導(dǎo)體芯片的安裝例子。
圖3A~圖3B M示向布線(xiàn)電路141 2安裝半導(dǎo)體芯片的例子的截 面圖。在圖1中，展示了向2點(diǎn)虛線(xiàn)所示的剛性的印刷電路基敗14的 安裝例子，但如圖3A~圖3B所示，能夠直接向布線(xiàn)電路J412安裝半 導(dǎo)體芯片。
在圖3A中，展示了通過(guò)引線(xiàn)接合進(jìn)行半導(dǎo)體芯片24的電極和布線(xiàn) 電路基板2的布線(xiàn)層10的連接的例子。在圖3B中，展示了通過(guò)直接將 半導(dǎo)體芯片24的電極24a和布線(xiàn)電路M 2的布線(xiàn)層10連接起來(lái)，從 而將半導(dǎo)體芯片24安裝在布線(xiàn)電路1412上的例子。
參照?qǐng)D3A說(shuō)明使用了引線(xiàn)接合的安裝例子。如圖3A所示，通過(guò)芯 片焊接接合層26將LSI等半導(dǎo)體芯片24固定在布線(xiàn)電路基板2上。通過(guò)由金屬線(xiàn)等構(gòu)成的焊接引線(xiàn)28，將布線(xiàn)電路基板2的布線(xiàn)層10和半 導(dǎo)體芯片24的電極連接起來(lái)。所以，各電極通過(guò)焊接引線(xiàn)28和布線(xiàn)層 10與任意的凸起6連接。凸起6由于與焊球12連接，所以各電極通過(guò) 凸起6與焊球12連接，并被電導(dǎo)出。另外，用樹(shù)脂30將半導(dǎo)體芯片24 密封。該樹(shù)脂30使用由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的澆注封裝樹(shù)脂。
參照?qǐng)D3B說(shuō)明倒裝片型的IC的安裝例子。在IC或LSI等半導(dǎo)體 芯片24上形成有由焊料或鍍金構(gòu)成的電極24a。在將半導(dǎo)體芯片24安 裝到布線(xiàn)電路基板2上后，根據(jù)需要注入密封樹(shù)脂26并使之硬化。另 外，也可以在半導(dǎo)體芯片24上形成金屬的柱狀凸起，經(jīng)由各向異性的 導(dǎo)電接合劑(未圖示)與布線(xiàn)電路基板2接合。安裝后，通過(guò)樹(shù)脂26 將半導(dǎo)體24和布線(xiàn)電路基板2之間固定密封。
接著，參照?qǐng)D4說(shuō)明本分明的實(shí)施例2相關(guān)的布線(xiàn)電路基板。圖4 M示實(shí)施例2相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的截面圖。實(shí)施例2相關(guān)的布線(xiàn)電 路基板具有與圖1所示的實(shí)施例1相關(guān)的布線(xiàn)電路基板幾乎相同的構(gòu) 成，但在各凸起6的頂面6a形成為凹球面這一點(diǎn)上不同。所以，在該 凹球面上形成焊球12。
這樣，根據(jù)實(shí)施例2相關(guān)的布線(xiàn)電路^4^ 2，，由于在凹球面上形成 各凸起6的頂面6a，所以增加了頂面6a和焊球12的連接面積。其結(jié)果 是，能夠增加了連接強(qiáng)度，提高了布線(xiàn)電路基板的可靠性，謀求長(zhǎng)壽命 化。
為了在凹球面上形成各凸起6的頂面6a，可以在實(shí)施例1中說(shuō)明的 工序中的圖2F所示的工序和圖2G所示的工序之間，設(shè)置快速蝕刻銅 的工序。
在此，參照?qǐng)D5A 圖5C， il明形成該凹球面的工序、其前后的工 序。圖5A 圖5C是以工序順序展示形成凹球面的工序的基板的截面 圖。通過(guò)選擇地蝕刻圖2E所示的布線(xiàn)電路J4!20c，形成圖5A所示的 布線(xiàn)層IO。另外，在形成布線(xiàn)層10的前或后，可以形成2點(diǎn)虛線(xiàn)所示 的、例如由焊料抗蝕劑構(gòu)成的阻隔18，來(lái)"^某求防止因焊料接合面的均勻化和塌角造成的短路。
接著，如圖5B所示，通過(guò)濕式蝕刻各凸起6的頂面6a,來(lái)將頂面 6a形成為凹球面形狀。接著，如圖5C所示，將作為焊球的球狀焊料配 置在各凸起6的頂面6a。然后，通過(guò)用加熱爐進(jìn)行風(fēng)干處理，在各凸起 6的頂面6a上形成直接與凸起6連接固定的焊球12。
這樣，通過(guò)附加圖5B所示的濕式蝕刻工序，能夠得到圖4所示的 實(shí)施例2相關(guān)的布線(xiàn)電路基板2，。另外，將各凸起6的頂面6a形成為 凹球面形狀也可以適用于圖3所示的半導(dǎo)體芯片的安裝例子。進(jìn)而，還 可以適用于直接在凸起6上形成焊球12的所有實(shí)施例。另外，以在分 別不同的工序中進(jìn)行布線(xiàn)層10的蝕刻和凸起6的頂面6a的蝕刻為例進(jìn) 行了說(shuō)明，但也可以同時(shí)進(jìn)行濕式蝕刻，這樣效率更高。
接著，參照?qǐng)D6A~圖6E說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例3相關(guān)的布線(xiàn)電路基 板的制造方法。圖6A 圖6E是以工序順序展示實(shí)施例3相關(guān)的布線(xiàn)電 路基^反的制造方法的J41的截面圖。該實(shí)施例3相關(guān)的布線(xiàn)電路M的 制造方法是對(duì)實(shí)施例1相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的制造方法的一部分進(jìn)行了 變更的方法。
如圖6所示，準(zhǔn)備在布線(xiàn)層形成用金屬層20c的一個(gè)面上經(jīng)由蝕刻 阻擋層20b形成了凸起6的具有凸起的基板21。通過(guò)實(shí)施例1的圖 2A 圖2C所示的工序制作該基板。在此，簡(jiǎn)單地說(shuō)明圖6A所示的基 板的制造方法。
首先，準(zhǔn)備在布線(xiàn)層形成用金屬層20c的一個(gè)面上經(jīng)由蝕刻阻擋層 20b形成了凸起形成用金屬層20a的多層金屬板20。然后，選擇地蝕刻 凸起形成用金屬板20a，來(lái)形成凸起6。然后，將凸起6作為掩模蝕刻 并除去蝕刻阻擋層20b。這樣，得到圖6A所示的具有凸起的基板21。
接著，通過(guò)一齊對(duì)各凸起6加壓并壓平，從而如圖6B所示，擴(kuò)大 各凸起6的頂面的直徑。擴(kuò)大各凸起6的頂面的直徑是為了增強(qiáng)在后面 工序中形成在其頂面上的焊球和凸起的連接強(qiáng)度，使得難以從焊球上取 下凸起。由于布線(xiàn)電路基板的布線(xiàn)層的窄間距化、IC、 LSI等的電極個(gè)數(shù)增 加等的傾向，而要求提高凸起的配置密度。其結(jié)果是制約了凸起大小的 增大。所以，產(chǎn)生了作為凸起必須將其頂面的直徑形成為70jam左右 的情況。
但是，實(shí)際上，如果凸起頂面的直徑不是至少100Mm左右，則難 以充分提高焊球和凸起的連接強(qiáng)度。所以，充分提高焊球和凸起的連接 的可靠性并不容易。
所以，為了提高焊球和凸起的連接強(qiáng)度，就要增大凸起頂面的面 積，而一齊對(duì)各凸起6加壓并壓平。這樣，能夠?qū)嶋H上將各凸起6的頂 面的直徑從例如70 ja m左右增大到100 y m以上。
接著，如圖6C所示，形成覆蓋各凸起6的絕緣膜4。形成該絕緣 膜4的工序與實(shí)施例1的圖2D所示工序相同。接著，如圖6D所示， 至少到各凸起6的頂面完全露出為止研磨絕緣膜4的表面部分。通過(guò)這 樣地進(jìn)行研磨，絕緣膜4的膜厚度變得與凸起6的高度相等。
接著，如圖6E所示，通過(guò)選擇地蝕刻布線(xiàn)層形成用金屬層20c來(lái) 形成布線(xiàn)層10 (與圖2F所示的工序相同)。然后，在凸起6的頂面形 成焊球12 (與圖2G所示的工序相同)。
另外，也可以在形成布線(xiàn)層10之前或之后，形成由例如焊料抗蝕 劑構(gòu)成的阻隔，來(lái)謀求防止因焊料連接面的均勻化和塌角造成的短路。
這樣，根據(jù)圖6所示的布線(xiàn)電路基板的制造方法，由于具有通過(guò)從 上對(duì)各凸起6加壓并壓平，來(lái)增大凸起6的頂面的直徑的工序，所以能 夠?qū)⒏魍蛊?的頂面的直徑從例如70jam左右增大到100|am以上。其 結(jié)果是能夠容易地充分增強(qiáng)各焊球12和各凸起6的連接強(qiáng)度。
另外，在本實(shí)施例中，在蝕刻了蝕刻阻擋層20b后，對(duì)各凸起6加 壓并壓平，但也可以在蝕刻前對(duì)凸起6加壓。
另外，也可以在圖6D所示的工序后，在圖6E所示的工序前，與實(shí) 施例2 —樣，通過(guò)濕式蝕刻將各凸起6的頂面6a形成為凹J求面形狀。 由此，能夠增大凸起6和焊球12的連接面積，能夠進(jìn)一步增強(qiáng)連接強(qiáng) 度。其結(jié)果是，能夠謀求提高布線(xiàn)電路基板的可靠性以及延長(zhǎng)壽命。[實(shí)施例4]
接著，參照?qǐng)D7說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例相關(guān)的布線(xiàn)電路基板。圖7是 展示實(shí)施例4相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的截面圖。本實(shí)施例相關(guān)的布線(xiàn)電路 基板的特征在于在兩面設(shè)置布線(xiàn)層。實(shí)施例1相關(guān)的布線(xiàn)電路基板2 只在形成了焊球12的面的相反側(cè)的面上形成布線(xiàn)層10，在形成了焊球 12的面上不形成布線(xiàn)層。
在本實(shí)施例相關(guān)的布線(xiàn)電路基板2a上，如圖7所示，在形成了烀 球12的面上也形成布線(xiàn)層11?？梢灾苯釉谕蛊?的頂面形成焊球12， 也可以經(jīng)由與凸起6的頂面相接的布線(xiàn)層11 (在圖7中，用2點(diǎn)虛線(xiàn)表 示)形成焊球12。
接著，參照?qǐng)D8A~圖8D說(shuō)明實(shí)施例4相關(guān)的布線(xiàn)電路基板2a的 制造方法。圖8A~圖8D是以工序順序展示實(shí)施例4相關(guān)的布線(xiàn)電路基 板的制造方法的141的截面圖。
如圖8A所示，準(zhǔn)備布線(xiàn)電路基板22和由銅構(gòu)成的布線(xiàn)層形成用金 屬層19。然后，如圖8B所示，在布線(xiàn)電路基板22上層疊布線(xiàn)層形成 用金屬層19。
接著，如圖8C所示，通過(guò)同時(shí)選擇地蝕刻布線(xiàn)層形成用金屬層20c 和布線(xiàn)層形成用金屬層19,形成布線(xiàn)層10和布線(xiàn)層11。這樣，制作兩 面形成了布線(xiàn)層的布線(xiàn)電路^S4!2a。接著，如圖8D所示，在連接了凸 起6的布線(xiàn)層11上形成焊球12。另外，如圖8D所示，可以在連接了 凸起6的布線(xiàn)層11上形成焊球12，但也可以不在凸起6上形成布線(xiàn)層 11,直接在凸起6的頂面上形成焊球12。即，可以選擇地蝕刻布線(xiàn)層形 成用金屬層19使得不在凸起6上形成布線(xiàn)層11，只在各凸起6的頂面 之間形成布線(xiàn)層11。
圖9展示了在各凸起6的頂面直接形成了焊球12的布線(xiàn)電路g 2b的截面圖。如圖9所示，在布線(xiàn)電路14l2b中，不在凸起6的頂面 形成布線(xiàn)層ll,而在各凸起6的頂面直接形成焊球12。
接著，作為本發(fā)明的實(shí)施例5,參照?qǐng)D10A 圖IOC說(shuō)明利用了布線(xiàn)電路J41的電路模塊。圖10A~圖IOC是實(shí)施例5相關(guān)的電路模塊的 截面圖。
本實(shí)施例相關(guān)的電路模塊使用了可彎曲的布線(xiàn)電路基板。如圖 10A 圖10C所示，在布線(xiàn)電路基板2中，設(shè)置了形成凸起6的區(qū)域 (以下稱(chēng)為凸起形成區(qū)域42)、不形成凸起6的區(qū)域(以下稱(chēng)為凸起非 形成區(qū)域40)。然后，使凸起非形成區(qū)域40可彎曲。通過(guò)該可彎曲的部 分來(lái)彎曲布線(xiàn)電路基板2，將LSI等半導(dǎo)體芯片24連接到布線(xiàn)電路基 板2上。
這樣，在布線(xiàn)電路1412上設(shè)置能夠彎曲的凸起非形成區(qū)域40，通 過(guò)制作能夠任意彎曲的電路^f莫塊，能夠立體地配置LSI等半導(dǎo)體芯片 24。由此，能夠在有限空間內(nèi)高密度地配置許多半導(dǎo)體芯片24。另外， 在本實(shí)施例中，也可以使用凸起6的頂面6a形成為凹球面形狀的布線(xiàn) 電路基板2，。
接著，作為本發(fā)明的實(shí)施例6，參照?qǐng)D11說(shuō)明利用了布線(xiàn)電路141 的電路模塊。圖11是實(shí)施例6相關(guān)的電路^t塊的截面圖。
如圖ll所示，本實(shí)施例相關(guān)的電路模塊由布線(xiàn)電路基板2和另一個(gè) 布線(xiàn)電路基板50構(gòu)成。布線(xiàn)電路J412和另一個(gè)布線(xiàn)電路J4150經(jīng)由 焊球12連接。布線(xiàn)電路基板50在絕緣膜52的一個(gè)面上形成由銅構(gòu)成 的布線(xiàn)層54,在相反側(cè)的面上形成由銅構(gòu)成的布線(xiàn)層60。然后，貫通 絕緣膜52地形成凸起56，連接布線(xiàn)層54和布線(xiàn)層60。另外，在凸起 56的底面和布線(xiàn)層54之間形成蝕刻阻擋層58。所以，凸起56經(jīng)由蝕 刻阻擋層58連接布線(xiàn)層54。另外，在與凸起56的頂面連接的狀態(tài)下形 成至少一部分布線(xiàn)層60。
用與布線(xiàn)電路基&2基本相同的方法形成布線(xiàn)電路14150。布線(xiàn)電 路基板50和布線(xiàn)電路基板2的不同只是在布線(xiàn)電路^i^1 2中只在絕 緣膜4的一個(gè)面上形成布線(xiàn)層10,但在布線(xiàn)電路J4！ 50中在兩面上形 成布線(xiàn)層54和布線(xiàn)層60。
布線(xiàn)電路基板2和布線(xiàn)電路基板50經(jīng)由焊球12連接，構(gòu)成電路模塊。另外，布線(xiàn)電路基板2和布線(xiàn)電路^4SL 50使用可彎曲的141，由 此，能夠容易地制造將可彎曲的布線(xiàn)電路基板之間連接起來(lái)的電路模 塊。
接著，作為本發(fā)明的實(shí)施例7，參照?qǐng)D12說(shuō)明利用了布線(xiàn)電路基板 的另一個(gè)電路模塊。圖12是另一個(gè)電路模塊(液晶裝置)的截面圖。
本實(shí)施例相關(guān)的電路模塊是在不易彎曲的玻璃布線(xiàn)基板上連接了實(shí) 施例l相關(guān)的布線(xiàn)電路基板2的液晶裝置。在同圖中，液晶裝置70(電 路模塊)在玻璃布線(xiàn)基板72上隔著膜材料78設(shè)置相對(duì)玻璃板76。另 外，在玻璃布線(xiàn)基板72和相對(duì)玻璃板76之間密封有液晶80。在玻璃布 線(xiàn)基板72的表面形成由ITO (硬化銦錫)膜構(gòu)成的透明布線(xiàn)74。也可 以再在ITO膜的表面形成金屬(例如銅、鋁、鈦、鎳、錫或銀)膜。 布線(xiàn)電路基板2經(jīng)由焊球12與玻璃布線(xiàn)^41 72連接。焊球12與透明 電極74連接。
通過(guò)玻璃布線(xiàn)^S4！ 72的透明布線(xiàn)74的端部和布線(xiàn)電路141 2的凸 起6經(jīng)由焊球12連接，將玻璃布線(xiàn)基板72和布線(xiàn)電路基板2連接起 來(lái)。
這樣，通過(guò)將布線(xiàn)電路基板2連接到玻璃布線(xiàn)基板72上，能夠提 供用于從可彎曲的布線(xiàn)電路J^ 2引出電極的液晶裝置。另外，也可以 將凸起的頂面形成為凹球面形狀的布線(xiàn)電路基板2，用于本實(shí)施例相關(guān) 額達(dá)電路模塊。另外，以上說(shuō)明了的電路模塊是使用了本發(fā)明的布線(xiàn)電 路基板的電路模塊的一個(gè)例子，本發(fā)明并不只限于以上的實(shí)施例相關(guān)的 電路模塊。
接著，說(shuō)明沒(méi)有設(shè)置焊球12的布線(xiàn)電路基板。 [實(shí)施例8]
參照?qǐng)D14A~圖14G以及圖15A~圖15E說(shuō)明實(shí)施例8相關(guān)的布線(xiàn) 電路基板的制造方法。圖14A~圖14G以及圖15A~圖15E是以工序
順序展示實(shí)施例8的布線(xiàn)電路^4l的制造方法的^4l的截面圖。
如圖14A所示，準(zhǔn)備多層金屬板20。該多層金屬板20由以下部分構(gòu)成在厚度為12 30[Mm]的由銅構(gòu)成的布線(xiàn)層形成用金屬層20c上 層疊的、厚度為0.5 2.0[pm]的由Ni構(gòu)成的蝕刻阻擋層20b;再在其 上層疊的、厚度為20 80Um]的由銅構(gòu)成的凸起形成用金屬層20a。
接著，在凸起形成用金屬層20a上涂抹抗蝕劑，使用形成了多個(gè)圓 形圖形的曝光掩模進(jìn)行曝光和顯影，形成抗蝕劑掩模(未圖示)。然 后，如圖14B所示，通過(guò)將該抗蝕劑掩模作為掩模蝕刻凸起形成用金屬 層20a，來(lái)形成凸起6。
接著，如圖14C所示，將凸起6作為掩模通過(guò)蝕刻并除去蝕刻阻擋 層20b，制作具有凸起的基板21。這時(shí)，凸起6和布線(xiàn)層形成用金屬層 20c之間隔著蝕刻阻擋層8。
然后，如圖14D所示，通過(guò)幕式涂抹法、刮刀涂抹法、條狀涂抹 法、絲網(wǎng)印刷法等，向形成了凸起6的面涂抹處于前軀體狀態(tài)的液狀的 由聚酰亞胺或環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的絕緣材料。在本實(shí)施例中，使絕緣材料的 高度稍微比凸起6的高度高地涂抹絕緣材料。然后，通過(guò)進(jìn)行烘干處理 使液狀的絕緣材料固化，形成絕緣膜4。在聚酰亞胺的情況下，逐漸提 高溫度，最終在400。C下進(jìn)行烘干處理。在環(huán)氧樹(shù)脂的情況下，也逐漸 提高溫度，最終在18(TC下進(jìn)行烘干處理。另外，在圖14D中，展示了 通過(guò)烘千處理形成的絕緣膜4。
接著，如圖14E所示，到至少完全露出各凸起6的頂面為止，研磨 絕緣膜4的表面部分，制作布線(xiàn)電路基板22。通過(guò)這樣地進(jìn)行研磨，使 絕緣膜4的膜厚度和凸起6的高度相等。在此，可以完全露出凸起6的 頂面，也可以在露出后繼續(xù)進(jìn)一步研磨絕緣膜4。
另外，除了聚酰亞胺或環(huán)氧樹(shù)脂外，絕緣材料也可以使用熱可塑性 樹(shù)脂。該熱可塑性樹(shù)脂使用液晶聚合物、PEEK、 PES、 PPS或PET 等，通過(guò)T模具法來(lái)成形。該T模具法是以下這樣的方法壓出機(jī)將 熱熔化了的樹(shù)脂壓出，從前端的T模具開(kāi)始涂抹，直接將成為了流動(dòng)體 狀態(tài)的材料(樹(shù)脂)涂抹到具有凸起的基板21上，通過(guò)冷卻使之固 化。使用該T模具法向14l涂抹液晶聚合物等熱可塑性樹(shù)脂，通過(guò)冷卻 使之固化，來(lái)形成絕緣膜4。接著，如圖14F所示，通過(guò)電鍍法，在各凸起6的頂面上形成由 Cu (銅)、Au (金)、銀(Ag )、 Ni (鎳)、Pb (鉛)、Pt (柏)或Sn (錫)等金屬或以上述金屬為主成分的合金構(gòu)成凸起物13，形成布線(xiàn)電 路基板23。
接著，向布線(xiàn)層形成用金屬層20c上涂抹抗蝕劑，進(jìn)行曝光和顯 影，形成抗蝕劑掩模(未圖示)。例如，涂抹正片型的抗蝕劑，使用具 有規(guī)定圖形的曝光掩模，依照該圖形對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝光。在本實(shí)施例 中，對(duì)各凸起6之間的抗蝕劑進(jìn)行曝光。然后通過(guò)顯影處理，除去曝光 了的抗蝕劑，只在各凸起6的底面上形成抗蝕劑掩模(未圖示)。然 后，如圖14G所示，將該抗蝕劑掩模作為掩模蝕刻布線(xiàn)層形成用金屬 層20c,從而形成布線(xiàn)層10。各布線(xiàn)層10經(jīng)由蝕刻阻擋層8與凸起6 連接。這樣，形成布線(xiàn)電路基板2c。
根據(jù)以上方法，在形成絕緣膜4時(shí)，不需要進(jìn)行現(xiàn)有技術(shù)的熱壓。 其結(jié)果是不需要熱壓用的裝置，不必花費(fèi)時(shí)間進(jìn)行熱壓，因而能夠提高 布線(xiàn)電路M的生產(chǎn)率。
進(jìn)而，由于也不需要一邊壓平凸起6, —邊在凸起6上層疊布線(xiàn)層 形成用金屬層，所以不必增大凸起6的高度。其結(jié)果是由于使凸起6的 高度與絕緣膜4的厚度近似，所以不必進(jìn)行不必要的凸起6的增高。所 以，能夠進(jìn)行高質(zhì)量的蝕刻，因而能夠縮短相鄰的凸起6間的距離，能 夠制作高集成化的布線(xiàn)電路基板。例如，在現(xiàn)有技術(shù)中，必須使凸起6 的高度約為80~150[|Lim],但由于不需要壓平，所以根據(jù)絕緣膜4的厚 度的選擇，也可以將高度降低到約20~80[jam]。其結(jié)果是，在現(xiàn)有技 術(shù)中，凸起6間的距離必須約為250~400[jim]，但在本發(fā)明中，可以 約為60~200[jLim]，能夠使布線(xiàn)電路基板高集成化。
另外，在進(jìn)行電解通電電鍍的情況下，具有以下優(yōu)點(diǎn)通過(guò)觀察從 凸起6的頂面析出的電鍍，能夠確認(rèn)各凸起6的露出部分是否電連接。
另外，在本實(shí)施例中，如圖14D所示，使絕緣膜4的高度稍微比凸 起6的高度高地形成絕緣膜4，然后通過(guò)研磨使高度相等。但是，本發(fā) 明并不只限于此，也可以使絕緣膜4的高度稍微比凸起6的高度低地形成絕緣膜4。下面，參照?qǐng)D15A~圖15E說(shuō)明該方法。
如圖15A所示，準(zhǔn)備具有凸起的皿21。接著，如圖15B所示， 通過(guò)幕式涂抹法、刮刀涂抹法、條狀涂抹法、絲網(wǎng)印刷法等，向形成了 凸起6的面涂抹處于前軀體狀態(tài)的液狀的由聚酰亞胺或環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的 絕緣材料。這時(shí)，使絕緣材料的高度稍微比凸起6的高度低地涂抹絕緣 材料。這時(shí)，由于液狀樹(shù)脂的硬化收縮、揮發(fā)物的揮發(fā)，如圖15B所 示，在凸起6的頂面也殘留若干的絕緣材料。然后，通過(guò)進(jìn)行烘干處理 使液狀的絕緣材料固化，形成絕緣膜4。其結(jié)果是，在凸起6上也形成 絕緣膜4。在圖15B中，展示了通過(guò)烘干處理形成的絕緣膜4。另外， 如上所述，絕緣材料也可以使用液晶聚合物、PET等熱可塑性樹(shù)脂。在 使用熱可塑性樹(shù)脂的情況下，不需要進(jìn)行烘干處理。
接著，如圖15C所示，到至少完全露出各凸起6的頂面為止，研磨 凸起6上的絕緣膜4,制作布線(xiàn)電路J4！ 22a。由于形成在凸起6間的 絕緣膜4的高度比凸起6的高度低，所以不研磨。通過(guò)這樣進(jìn)行研磨， 使絕緣膜4的高度比凸起6的高度低。
接著，如圖15D所示，通過(guò)電鍍法，在各凸起6的頂面上形成由金 屬構(gòu)成的凸起物13，形成布線(xiàn)電路M23a。然后，如圖15E所示，通 過(guò)蝕刻布線(xiàn)層形成用金屬層20c并形成圖形，形成布線(xiàn)層IO。這樣形成 布線(xiàn)電路基板2d。
另外，在本實(shí)施例中，在形成了凸起物13后形成布線(xiàn)層10，但也 可以先形成布線(xiàn)層10,然后再形成凸起物13。
接著，參照?qǐng)D16A~圖16F以及圖17A~圖17F說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 例9相關(guān)的布線(xiàn)電路^4l的制造方法。圖16A~圖16F以及圖17A~圖 17F是以工序順序展示實(shí)施例9相關(guān)的布線(xiàn)電路14aL的制造方法的I41 的截面圖。
如圖16A所示，準(zhǔn)備具有凸起的141 21。接著，如圖16B所示， 通過(guò)幕式涂抹法、刮刀涂抹法、條狀涂抹法、絲網(wǎng)印刷法等，向形成了 凸起6的面涂抹處于前軀體狀態(tài)的液狀的由聚酰亞胺或環(huán)氧樹(shù)脂等構(gòu)成的絕緣材料。在本實(shí)施例中，使絕緣材料的高度稍微比凸起6的高度高 地涂抹絕緣材料。然后，通過(guò)進(jìn)行烘干處理使液狀的絕緣材料固化，形 成絕緣膜4。另外，在圖16B中，展示了通過(guò)烘干處理形成的絕緣膜 4。
接著，如圖16C所示，向絕緣膜4上涂抹抗蝕劑，進(jìn)行曝光和顯 影，形成抗蝕劑掩模7。例如，涂抹正片型的抗蝕劑，使用具有規(guī)定圖 形的曝光掩模對(duì)各凸起6上的抗蝕劑進(jìn)行曝光。然后，然后通過(guò)進(jìn)行顯 影處理，除去各凸起6上的抗蝕劑，只在各凸起6之間形成抗蝕劑掩模 7。
接著，如圖16D所示，將抗蝕劑掩模7作為掩才莫，到完全露出各凸 起6的頂面為止蝕刻形成在各凸起6上的絕緣膜4。然后，剝離抗蝕劑 掩模7制作布線(xiàn)電路基板22b。這時(shí)，絕緣膜4的膜厚度比凸起6的高 度厚。
接著，如圖16E所示，通過(guò)電鍍法，在各凸起6的頂面上形成由 Cu (銅)、Au (金)、銀(Ag )、 Ni (鎳)、Pb (鉛)、Pt (柏)或Sn (錫)等金屬或以上述金屬為主成分的合金構(gòu)成凸起物13,形成布線(xiàn)電 路基板23b。
接著，向布線(xiàn)層形成用金屬層20c上涂抹抗蝕劑，進(jìn)行曝光和顯 影，形成抗蝕劑掩模(未圖示)。例如，涂抹正片型的抗蝕劑，使用具 有規(guī)定圖形的曝光掩模，依照該圖形對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝光。在本實(shí)施例 中，對(duì)各凸起6之間的抗蝕劑進(jìn)行曝光。然后通過(guò)顯影處理，除去曝光 了的抗蝕劑，只在各凸起6的底面上形成抗蝕劑掩模(未圖示)。然 后，如圖16F所示，將該抗蝕劑掩才莫作為掩才莫蝕刻布線(xiàn)層形成用金屬層 20c，從而形成布線(xiàn)層IO。各布線(xiàn)層10經(jīng)由蝕刻阻擋層20b與凸起6連 接。這樣，形成布線(xiàn)電路基板2e。
根據(jù)以上方法，不需要熱壓用的裝置，能夠提高布線(xiàn)電路基板的生 產(chǎn)率。另外，由于能夠縮短凸起6之間的距離，所以能夠制作高集成化 的布線(xiàn)電路基板。進(jìn)而，根據(jù)本實(shí)施例的制造方法，沒(méi)有必要為了使凸 起6的頂面露出，而掩模絕緣膜4。如果研磨由樹(shù)脂構(gòu)成的絕緣膜4，則由于削除不充分會(huì)使少量樹(shù)脂殘留在基板上，而使其后的加工變得復(fù) 雜。但是，根據(jù)本實(shí)施例的方法，由于通過(guò)蝕刻除去絕緣膜，所以在凸
起6的頂面上不殘留樹(shù)脂，能夠減輕其后的加工。
另外，在本實(shí)施例中，如圖16B所示，使絕緣膜4的高度稍微比凸 起6的高度高地形成絕緣膜4，然后通過(guò)研磨除去凸起6上的絕緣膜 4。但是，本發(fā)明并不只限于此，也可以使絕緣膜4的高度稍微比凸起6 的高度低地形成絕緣膜4。下面，參照?qǐng)D17A 圖17F說(shuō)明該方法。
如圖17A所示，準(zhǔn)備具有凸起的J4！ 21。接著，如圖17B所示， 通過(guò)幕式涂抹法、刮刀涂抹法、條狀涂抹法、絲網(wǎng)印刷法等，向形成了 凸起6的面涂抹處于前軀體狀態(tài)的液狀的由聚酰亞胺或環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的 絕緣材料。這時(shí)，使絕緣材料的高度稍微比凸起6的高度低地涂抹絕緣 材料。這時(shí)，由于液狀樹(shù)脂的硬化收縮、揮發(fā)物的揮發(fā)，如圖17B所 示，在凸起6的頂面也殘留若干的絕緣材料。然后，通過(guò)進(jìn)行烘干處理 使液狀的絕緣材料固化，形成絕緣膜4。其結(jié)果是，在凸起6上也形成 絕緣膜4。在圖17B中，展示了通過(guò)烘干處理形成的絕緣膜4。
接著，如圖17C所示，向絕緣膜4上涂抹抗蝕劑，進(jìn)行曝光和顯 影，形成抗蝕劑掩模7。例如，涂抹正片型的抗蝕劑，使用具有規(guī)定圖 形的曝光掩模對(duì)各凸起6上的抗蝕劑進(jìn)行曝光。然后，然后通過(guò)進(jìn)行顯 影處理，除去各凸起6上的抗蝕劑，只在各凸起6之間形成抗蝕劑掩模 7。
接著，如圖17D所示，將抗蝕劑掩模7作為掩模，到完全露出各凸 起6的頂面為止蝕刻并除去形成在各凸起6上的絕緣膜4。然后，剝離 抗蝕劑掩模7制作布線(xiàn)電路基板22c。這時(shí)，絕緣膜4的膜厚度比凸起 6的高度低。
接著，如圖17E所示，通過(guò)電鍍法，在各凸起6的頂面上形成由金 屬構(gòu)成凸起物13,形成布線(xiàn)電路基板23c。然后，如圖17F所示，通過(guò) 蝕刻布線(xiàn)層形成用金屬層20c并形成圖形，來(lái)形成布線(xiàn)層IO。這樣，制 作布線(xiàn)電路基板2f。
另外，在本實(shí)施例中，與實(shí)施例8 —樣，除了聚酰亞胺或環(huán)氧樹(shù)脂外，絕緣材料也可以使用液晶聚合物、PET等熱可塑性樹(shù)脂。另外，在 形成了凸起物13后形成布線(xiàn)層10，但也可以先形成布線(xiàn)層10，然后再 通過(guò)無(wú)電解電鍍或印刷導(dǎo)電粘貼膜來(lái)形成凸起物13。 [實(shí)施例10]
接著，參照?qǐng)D18A~圖18E以及圖19A~圖19E說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 例10相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的制造方法。圖18A~圖18E以及圖19A~ 圖19E是以工序順序展示實(shí)施例10相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的制造方法的 基板的截面圖。
如圖18A所示，準(zhǔn)備具有凸起的M 21。接著，如圖18B所示， 通過(guò)幕式涂抹法、刮刀涂抹法、條狀涂抹法、絲網(wǎng)印刷法等，向形成了 凸起6的面涂抹處于前軀體狀態(tài)的液狀的由聚酰亞胺或環(huán)氧樹(shù)脂等構(gòu)成 的絕緣材料。在本實(shí)施例中，使絕緣材料的高度稍微比凸起6的高度高 地涂抹絕緣材料。然后，通過(guò)進(jìn)行烘干處理使液狀的絕緣材料固化，形 成絕緣膜4。另外，在圖18B中，展示了通過(guò)烘干處理形成的絕緣膜 4。
接著，如圖18C所示，到至少完全露出各凸起6的頂面為止，全面 地蝕刻并除去絕緣膜4，從而制作布線(xiàn)電路基板22d。這時(shí)，絕緣膜4 的厚度與凸起6的高度幾乎相等。在此，可以完全露出凸起6的頂面， 也可以在露出后繼續(xù)進(jìn)一步研磨絕緣膜4，在該情況下，絕緣膜4的膜 厚度比凸起6的高度薄。
接著，如圖18D所示，通過(guò)電鍍法，在各凸起6的頂面上形成由 Cu (銅)、Au (金)、銀(Ag )、 Ni (鎳)、Pb (鉛)、Pt (鉑)或Sn (錫)等金屬或以上述金屬為主成分的合金構(gòu)成凸起物13,制作布線(xiàn)電 路^23d。另外，也可以通過(guò)印刷法設(shè)置導(dǎo)電粘貼膜的凸起物。
接著，向布線(xiàn)層形成用金屬層20c上涂抹抗蝕劑，進(jìn)行曝光和顯 影，形成抗蝕劑掩模(未圖示)。例如，涂抹正片型的抗蝕劑，使用具 有規(guī)定圖形的曝光掩模，依照該圖形對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝光。在本實(shí)施例 中，對(duì)各凸起6之間的抗蝕劑進(jìn)行曝光。然后通過(guò)顯影處理，除去曝光 了的抗蝕劑，只在各凸起6的底面上形成抗蝕劑掩模(未圖示)。然后，如圖18E所示，將該抗蝕劑掩模作為掩模蝕刻布線(xiàn)層形成用金屬層 20c，從而形成布線(xiàn)層IO。各布線(xiàn)層10經(jīng)由蝕刻阻擋層20b與凸起6連 接。這樣，形成布線(xiàn)電路基板2g。
根據(jù)以上方法，不需要熱壓用的裝置，能夠提高布線(xiàn)電路基板的生 產(chǎn)率。另外，由于使凸起6的高度與絕緣膜4的厚度近似，所以不必進(jìn) 行不必要的凸起6的增高。其結(jié)果是，由于能夠縮短凸起6之間的距 離，所以能夠制作高集成化的布線(xiàn)電路皿。
根據(jù)本實(shí)施例的方法，由于沒(méi)有必要為了使凸起6的頂面露出而研 磨絕緣膜4,所以在凸起6的頂面上不殘留樹(shù)脂，能夠減輕其后的加 工。進(jìn)而，由于全面地蝕刻并除去絕緣膜4，所以沒(méi)有必要形成抗蝕劑 掩模，因而能夠削減制作抗蝕劑掩模的工序數(shù)。
另外，在本實(shí)施例中，如圖18B所示，使絕緣膜4的高度稍微比凸 起6的高度高地形成絕緣膜4，然后通過(guò)蝕刻除去絕緣膜4。但是，本 發(fā)明并不只限于此，也可以使絕緣膜4的高度稍微比凸起6的高度低地 形成絕緣膜4。下面，參照?qǐng)D19A~圖19E說(shuō)明該方法。
如圖19A所示，準(zhǔn)備具有凸起的J4！ 21。接著，如圖19B所示， 通過(guò)幕式涂抹法、刮刀涂抹法、條狀涂抹法、絲網(wǎng)印刷法等，向形成了 凸起6的面涂抹處于前軀體狀態(tài)的液狀的絕緣材料。這時(shí)，使絕緣材料 的高度稍微比凸起6的高度低地涂抹絕緣材料。這時(shí)，由于液狀樹(shù)脂的 硬化收縮、揮發(fā)物的揮發(fā)，如圖19B所示，在凸起6的頂面也殘留若干 的絕緣材料。然后，通過(guò)進(jìn)行烘干處理使液狀的絕緣材料固化，形成絕 緣膜4。另外，在圖19B中，展示了通過(guò)烘干處理形成的絕緣膜4。
接著，如圖19C所示，到至少完全露出各凸起6的頂面為止，通過(guò) 蝕刻除去絕緣膜4,制作布線(xiàn)電路基板22e。這時(shí)，只蝕刻各凸起6之 間的絕緣膜4，比蝕刻前的膜厚度薄。在此，可以完全露出凸起6的頂 面，也可以在露出后繼續(xù)進(jìn)一步蝕刻絕緣膜4。
接著，如圖19D所示，通過(guò)電鍍法，在各凸起6的頂面上形成由金 屬構(gòu)成的凸起物13，形成布線(xiàn)電路14!23e。然后，如圖19E所示，通 過(guò)蝕刻布線(xiàn)層形成用金屬層20c并形成圖形，形成布線(xiàn)層IO。這樣形成布線(xiàn)電路基板2h。
另外，在本實(shí)施例中，與實(shí)施例8 —樣，除了聚酰亞胺或環(huán)氧樹(shù)脂 外，絕緣材料也可以使用液晶聚合物、PET等熱可塑性樹(shù)脂。另外，在 形成了凸起物13后形成布線(xiàn)層10,但也可以先形成布線(xiàn)層10，然后再 形成凸起物13。
另外，在實(shí)施例8到10中，通過(guò)掩模法或蝕刻法除去絕緣材料， 但本發(fā)明并不只限于此，也可以通過(guò)激光加工進(jìn)行除去。在激光加工 中，使用碳酸氣體激光、激元激光、YAG激光或半導(dǎo)體激光等。然 后，只向形成在凸起6上的絕緣膜4照射激光，到凸起6的頂面完全露 出為止除去凸起6上的絕緣膜4。這樣，通過(guò)只向凸起6上的絕緣膜4 照射激光，能夠只除去凸起6上的絕緣膜4。所以，沒(méi)有必要形成抗蝕 劑掩模，進(jìn)而，由于在基板上不殘留樹(shù)脂，所以能夠削減其后的處理。 另外，使絕緣膜4的膜厚度比凸起6高或者薄、厚都可以。
另外，可以通過(guò)使用滾筒來(lái)使凸起6上的絕緣樹(shù)脂變薄，能夠容易 地除去以后殘留的樹(shù)脂。例如，使^通過(guò)保持一定距離地配置的2個(gè) 滾筒之間。使該滾筒之間的距離比基板的厚度稍微短一些，通過(guò)使之通 過(guò)這2個(gè)滾筒之間，來(lái)使凸起6上的絕緣材料平坦。
如果通過(guò)滾筒使絕緣材料平坦，則在凸起6的頂面上殘留若干的絕 緣材料。然后，到至少完全露出各凸起6的頂面為止，全面地蝕刻并除 去絕緣膜4，從而制作布線(xiàn)電路基板。這時(shí)，絕緣膜4的厚度與凸起6 的高度幾乎相等。在此，可以完全露出凸起6的頂面，也可以在露出后 繼續(xù)進(jìn)一步研磨絕緣膜4，在該情況下，絕緣膜4的膜厚度比凸起6的 高度薄。另外，蝕刻中使用堿液或肼液。另外，也可以通過(guò)等離子體老 化或UV老化等除去絕緣膜4。進(jìn)而，可以通過(guò)研磨法或激光加工法除 去絕緣膜4。另外，使絕緣膜4的膜厚度比凸起6的高度高或者薄、厚 都可以。
進(jìn)而，還可以通過(guò)除此以外的方法進(jìn)行制造。可以向形成在具有凸 起的基板21上的凸起6的頂面實(shí)施抗液狀的絕緣材料的處理。例如， 通過(guò)搗磨方式或滾筒涂抹方式，只在凸起6的頂面形成硅樹(shù)脂和氟化合物。
在此，搗磨方式是以下方法將附著有硅樹(shù)脂等的搗錘只壓在凸起 6的頂面上，使硅樹(shù)脂等只附著在凸起6的頂面上。另外，滾筒涂抹方 式是以下方法使附著有硅樹(shù)脂等的滾筒旋轉(zhuǎn)使得與凸起6的頂面相接 觸，使硅樹(shù)脂等附著在凸起6的頂面上。
然后，通過(guò)幕式涂抹法、刮刀涂抹法、條狀涂抹法、絲網(wǎng)印刷法 等，向形成了凸起6的面涂抹處于前軀體狀態(tài)的液狀的由聚酰亞胺或環(huán) 氧樹(shù)脂構(gòu)成的絕緣材料。這時(shí)，使絕緣材料的高度稍微比凸起6的高度 低地涂抹絕緣材料。由于凸起6的頂面上附著有硅樹(shù)脂等，所以液狀的 絕緣材料被從凸起6的頂面去除，在凸起6的頂面上不殘存絕緣材料。
然后，通過(guò)進(jìn)行烘干處理使液狀的絕緣材料固化，形成絕緣膜4。 通過(guò)研磨凸起6的頂面除去硅樹(shù)脂等。或者，也可以使用溶解硅樹(shù)脂等 的溶劑進(jìn)行除去。另外，也可以通過(guò)等離子體老化、UV老化等物理方 法進(jìn)行除去。
另外，還可以用噴沙法除去絕緣膜4。例如，將玻璃、氧化鋁、 鋼、珪砂、四氧化三鐵、碳化硅等細(xì)微粉末用作研磨材料(將其稱(chēng)為噴 射材料)，將其與高壓水或壓縮空氣等一齊以高速狀態(tài)噴射向絕緣膜4 的表面，通過(guò)其沖擊力到凸起6的頂面完全露出為止研磨絕緣膜4的表 面。
接著，參照?qǐng)D20A 圖20D說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例11相關(guān)的布線(xiàn)電 路基板的制造方法。在實(shí)施例8到10中，作為絕緣材料使用聚酰亞胺 等，形成一層的絕緣膜4。但本發(fā)明并不只限于此，也可以形成由2層 或3層以上構(gòu)成的絕緣膜4。參照?qǐng)D20A~圖20D說(shuō)明這樣的絕緣膜4 的結(jié)構(gòu)及其制造方法。圖20A~圖20D M示形成多層結(jié)構(gòu)的絕緣膜4 的方法的基板的截面圖。
如圖20A所示，準(zhǔn)備具有凸起的Wl 21。然后，如圖20B所示， 向形成了凸起6的面涂抹由溶解在溶劑中的熱可塑性聚酰亞胺或熱熔化 聚酰亞胺構(gòu)成的絕緣材料，通過(guò)在約100rC] 200[。C]下進(jìn)行加熱，來(lái)形成絕緣膜4a。這時(shí)，使絕緣膜4a的高度稍微比凸起6的高度低地形 成絕緣膜4a。
然后，如圖20C所示，通過(guò)幕式涂抹法、刮刀涂抹法、條狀涂抹 法、絲網(wǎng)印刷法等，向絕緣膜4a上涂抹由聚酰亞胺樹(shù)脂的前軀體狀態(tài) 構(gòu)成的絕緣材料，通過(guò)在約350['C] 400rC]下進(jìn)行加熱，來(lái)形成絕緣 膜4b。這時(shí)，使絕緣膜4a和絕緣膜4b的合計(jì)膜厚度稍微比凸起6的 高度薄地形成絕緣膜。
然后，如圖20D所示，向絕緣膜4b上涂抹由溶解在溶劑中的熱可 塑性聚酰亞胺構(gòu)成的絕緣材料，通過(guò)在約100rC] 200[。C]下進(jìn)行加 熱，來(lái)形成絕緣膜4c。使最終形成的絕緣膜4的膜厚度比凸起6的高度 厚或薄都可以。然后，至少到凸起6的頂面露出為止，通過(guò)研磨法、蝕 刻法或激光加工法等除去絕緣膜4，然后形成布線(xiàn)層10等。
通過(guò)形成這樣結(jié)構(gòu)的絕緣膜4，能夠得到以下效果。由于熱可塑性 樹(shù)脂代而成為與布線(xiàn)層的粘接劑，所以通過(guò)在布線(xiàn)電路基板的最表面上 形成由熱可塑性樹(shù)脂構(gòu)成的絕緣材料，能夠容易地層疊其他布線(xiàn)電路基 板和布線(xiàn)層形成用金屬層等。進(jìn)而，與其他布線(xiàn)電路等的密接性。
另外，通過(guò)在絕緣膜4的最下層形成由熱可塑性聚酰亞胺構(gòu)成的絕 緣膜4，使絕緣膜4和布線(xiàn)層形成用金屬層20c的密接性更好。
進(jìn)而，作為聚酰亞胺樹(shù)脂的前軀體使用聚酰胺酸，但由于如果使用 該聚酰胺酸則與由同銅箔構(gòu)成的布線(xiàn)層形成用金屬層20c發(fā)生反應(yīng)，所 以使絕緣膜4和布線(xiàn)層形成用金屬層20c的密接性惡化，有絕緣膜4剝 離的情況(產(chǎn)生剝離)。但是，通過(guò)隔著由熱可塑性樹(shù)脂構(gòu)成的絕緣材 料，能夠提高絕緣膜4和布線(xiàn)層形成用金屬層20c的密接性，能夠防止 剝離的發(fā)生。
以上，在實(shí)施例8到11中，說(shuō)明了使用了液狀的絕緣材料的布線(xiàn)電 路基板的制造方法。在以下的實(shí)施例中，說(shuō)明使用了該布線(xiàn)電路14l的 布線(xiàn)電路基板和多層布線(xiàn)電路J41的制造方法。
接著，作為本發(fā)明的實(shí)施例12，參照?qǐng)D21A 21D說(shuō)明使用了通過(guò)實(shí)施例8到11的制造方法制作的布線(xiàn)電路M的多層布線(xiàn)141的制造 工序。圖21A~圖21D是以工序順序展示實(shí)施例12相關(guān)的布線(xiàn)電路基 板的制造方法的基仗的截面圖。
首先，如圖21A所示，準(zhǔn)備粘接膜31、布線(xiàn)電路基板23、另一個(gè) 布線(xiàn)電路基板。焊接膜31使用來(lái)粘接布線(xiàn)電路基tl 23和另 一個(gè)布線(xiàn)電 路M，由熱可塑性聚酰亞胺或變性環(huán)氧樹(shù)脂等構(gòu)成。
在此，通過(guò)實(shí)施例8的布線(xiàn)電路基板的制造方法制造布線(xiàn)電路^ 23。另外，另一個(gè)布線(xiàn)電路基仗在布線(xiàn)層形成用金屬層20c上經(jīng)由蝕刻 阻擋層20b形成凸起6，在凸起6上形成布線(xiàn)層11。然后，在個(gè)凸起6 之間形成與凸起6的高度相等的絕緣膜4。
相對(duì)于布線(xiàn)電路J4！ 22的露出了凸起6的頂面的面，在壓接了布 線(xiàn)層形成用金屬層(未圖示)后，通過(guò)部分地蝕刻該布線(xiàn)層形成用金屬 層而形成布線(xiàn)層ll，從而制作該另一個(gè)布線(xiàn)電路基tl。例如，向該布線(xiàn) 層形成用金屬層上涂抹正片型的抗蝕劑，使用具有規(guī)定圖形的曝光掩模 對(duì)各凸起6之間的抗蝕劑進(jìn)行曝光。然后，然后通過(guò)進(jìn)行顯影處理，除 去各凸起6之間的抗蝕劑，只在各凸起6的頂面上形成抗蝕劑掩模(未 圖示)。然后，將該抗蝕劑掩模作為掩模蝕刻布線(xiàn)層形成用金屬層，從 而形成布線(xiàn)層11。
接著，如圖21B所示，經(jīng)由粘接膜31對(duì)布線(xiàn)電路基板和另一個(gè)布 線(xiàn)電路基板一邊加熱一邊壓接，制作多層布線(xiàn)基板。這時(shí)，對(duì)布線(xiàn)電路 基板之間進(jìn)行壓接，使得布線(xiàn)電路基板23的凸起物13和另一個(gè)布線(xiàn)電 路基板的布線(xiàn)層11接觸。
接著，向多層布線(xiàn)基板的上下兩面涂抹抗蝕劑，進(jìn)行曝光和顯影， 形成抗蝕劑掩模(未圖示)。例如，涂抹正片型的抗蝕劑，使用具有規(guī) 定圖形的曝光掩模，依照該圖形對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝光。然后通過(guò)顯影處 理，除去曝光了的抗蝕劑，形成抗蝕劑掩模(未圖示)。然后，如圖 21C所示，將該抗蝕劑掩模作為掩模蝕刻兩面的布線(xiàn)層形成用金屬層 20c,從而在兩面形成布線(xiàn)層10。布線(xiàn)層10經(jīng)由蝕刻阻擋層8與凸起6 連接。這樣，通過(guò)凸起與布線(xiàn)層連接，從而凸起作為層間連接部分發(fā)揮功能。
接著，如圖21D所示，為了保護(hù)形成有布線(xiàn)層10的面和為了防止 附著焊料，向一個(gè)面涂抹焊接抗蝕劑，通過(guò)進(jìn)行曝光和顯影來(lái)形成抗蝕 劑掩模9。然后，例如通過(guò)電鍍，在形成在一個(gè)面上的布線(xiàn)層10上形成 由快速鍍金而成的金屬20f。另外，在另一個(gè)面上覆蓋覆蓋薄膜20g。 覆蓋薄膜20g是在聚酰亞胺薄膜的一個(gè)面上涂抹了粘接劑的薄膜。當(dāng) 然，也可以代替覆蓋薄膜20g適用焊接抗蝕劑。
如上所述，通過(guò)層疊凸起間的距離為最小限的布線(xiàn)電路基板，能夠 制作高集成化的多層布線(xiàn)J41。
另外，在本實(shí)施例中，利用通過(guò)實(shí)施例8的制造方法制作的布線(xiàn)電 路基板23來(lái)制作多層布線(xiàn)基板，但本發(fā)明并不只限于此。例如，可以 利用布線(xiàn)電路J4！ 23a和布線(xiàn)電路基板23b等其他141,制作多層布線(xiàn) 基板。
另外，在本實(shí)施例中，使用形成了由金屬構(gòu)成的凸起物13的布線(xiàn) 電路基板23和粘接膜31制造多層布線(xiàn)基板，但不使用這些也能夠制造 多層布線(xiàn)基板。例如，通過(guò)使用實(shí)施例8的布線(xiàn)電路J4！ 22a，不使用 粘接膜31也能夠制造多層布線(xiàn)基板。布線(xiàn)電路基板22a由于凸起6的 高度比絕緣膜4的膜厚度高，所以凸起6的頂面從絕緣膜4突出。所 以，另行通過(guò)電鍍法形成由金構(gòu)成的凸起物13,通過(guò)使用未硬化狀態(tài)的 絕緣樹(shù)脂和熱可塑性樹(shù)脂，不經(jīng)由粘接膜31,通過(guò)直接壓接凸起6的頂 面和另一個(gè)布線(xiàn)電路基板的布線(xiàn)層11使之接觸，也能夠形成多層布線(xiàn) 基板。
接著，作為本發(fā)明的實(shí)施例13，參照?qǐng)D22A-22C說(shuō)明使用了通過(guò) 實(shí)施例8到11的制造方法制作的布線(xiàn)電路基板的多層布線(xiàn)141的制造 工序。圖22A~圖22C是以工序順序展示實(shí)施例13相關(guān)的布線(xiàn)電路基 板的制造方法的基&的截面圖。
首先，如圖22A所示，準(zhǔn)備2個(gè)布線(xiàn)電路基板23和布線(xiàn)電路皿 2a。布線(xiàn)電路基tl 2a是通過(guò)實(shí)施例1相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的制造方法制作的M。另外，布線(xiàn)電路141 23是通過(guò)實(shí)施例8相關(guān)的布線(xiàn)電路 基板的制造方法制作的J41。
相對(duì)于布線(xiàn)電路M 22的露出了凸起6的頂面的面，在壓接了布 線(xiàn)層形成用金屬層(未圖示)后，通過(guò)部分地蝕刻上下兩面的布線(xiàn)層形 成用金屬層而形成布線(xiàn)層10和布線(xiàn)層11，從而制作該布線(xiàn)電路基板 2a。例如，向該布線(xiàn)層形成用金屬層上涂抹正片型的抗蝕劑，使用具有 規(guī)定圖形的曝光掩模對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝光。然后，然后通過(guò)進(jìn)行顯影處 理，除去曝光了的抗蝕劑，形成抗蝕劑掩模(未圖示)。然后，將該抗 蝕劑掩模作為掩模蝕刻布線(xiàn)層形成用金屬層，從而形成布線(xiàn)層10和布 線(xiàn)層11。
接著，如圖22B所示，在布線(xiàn)電路基板2a的兩面上一邊加熱一邊 壓接布線(xiàn)電路基板23，制作多層布線(xiàn)基板。這時(shí)，對(duì)布線(xiàn)電路基板2a 和23進(jìn)行壓接，使得布線(xiàn)電路基板23的凸起物13和布線(xiàn)電路基板2a 的布線(xiàn)層10接觸。另外，對(duì)布線(xiàn)電路基板2a和布線(xiàn)電路J4！ 23進(jìn)行 壓接，使得另一個(gè)布線(xiàn)電路基tl 23的凸起物13和布線(xiàn)電路J4！ 2a的 布線(xiàn)層11接觸。
接著，向多層布線(xiàn)基板的上下兩面涂抹抗蝕劑，通過(guò)進(jìn)行曝光和顯 影，形成抗蝕劑掩模(未圖示)。例如，涂抹正片型的抗蝕劑，使用具 有規(guī)定圖形的曝光掩模，依照該圖形對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝光。然后通過(guò)顯影 處理，除去曝光了的抗蝕劑，形成抗蝕劑掩模。然后，如圖22C所示， 將該抗蝕劑掩模作為掩模蝕刻多層布線(xiàn)電路基板的上下兩面的布線(xiàn)層形 成用金屬層23c，從而在兩面形成布線(xiàn)層10。布線(xiàn)層10經(jīng)由蝕刻阻擋 層8與凸起6連接。這樣，通過(guò)凸起與布線(xiàn)層連接，從而凸起作為層間 連接部分發(fā)揮功能。
如上所述，通過(guò)層疊凸起間的距離為最小限的布線(xiàn)電路基板，能夠 制作高集成化的多層布線(xiàn)^。
另外，在本實(shí)施例中，利用通過(guò)實(shí)施例8的制造方法制作的布線(xiàn)電 路基板23來(lái)制作多層布線(xiàn)基板，但本發(fā)明并不只限于此。例如，可以 利用布線(xiàn)電路J4！ 23a和布線(xiàn)電路U1 23b等其他基敗，制作多層布線(xiàn)基板。
另外，在本實(shí)施例中，使用形成了凸起物13的布線(xiàn)電路14123制 造多層布線(xiàn)基板，但不使用這些也能夠制造多層布線(xiàn)基板。例如，可以 使用實(shí)施例8的布線(xiàn)電路141 22a等。布線(xiàn)電路M 22a由于凸起6的 高度比絕緣膜4的膜厚度高，所以凸起6的頂面從絕緣膜4突出。所 以，不形成凸起物13，通過(guò)直接壓接凸起6的頂面與布線(xiàn)電路J4！ 2a 的布線(xiàn)層10和布線(xiàn)層11使之接觸，也能夠形成多層布線(xiàn)基板。
接著，作為本發(fā)明的實(shí)施例14，參照?qǐng)D23A~23D說(shuō)明使用了通過(guò) 實(shí)施例8到11的制造方法制作的布線(xiàn)電路基板的另一個(gè)多層布線(xiàn)基板 的制造工序。圖23A~圖23D是以工序順序展示實(shí)施例14相關(guān)的布線(xiàn) 電路基板的制造方法的J41的截面圖。
首先，如圖23A所示，準(zhǔn)備布線(xiàn)電路基板22。接著，向布線(xiàn)層形 成用金屬層20c上涂抹抗蝕劑，通過(guò)進(jìn)行曝光和顯影，形成抗蝕劑掩模 (未圖示)。例如，涂抹正片型的抗蝕劑，使用具有規(guī)定圖形的曝光掩 模，依照該圖形對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝光。然后通過(guò)顯影處理，除去曝光了的 抗蝕劑，形成抗蝕劑掩模(未圖示)。然后，如圖23B所示，將該抗蝕 劑掩模作為掩模蝕刻布線(xiàn)層形成用金屬層20c，形成布線(xiàn)層10a和布線(xiàn) 層10b。交互配置地形成布線(xiàn)層10和布線(xiàn)層11。另外，布線(xiàn)層10a經(jīng) 由蝕刻阻擋層20b與凸起6連接。
接著，向露出了凸起6的頂面的面粘貼由銅箔、氧化鋁箔、鐵箔、 SUS箔等和粘接劑構(gòu)成的電磁屏蔽膜32。電磁屏蔽膜32具有以下功 能屏蔽從布線(xiàn)電路基板產(chǎn)生的電磁波，同時(shí)防止因來(lái)自外部的不必要 的電磁波造成的誤動(dòng)作。在本實(shí)施例中，在整個(gè)面上粘貼有電磁屏蔽膜 32，但也可以與凸起6的頂面相接地部分地粘貼。然后，如圖23D所 示，為了保護(hù)布線(xiàn)層10a和布線(xiàn)層10b,向形成了布線(xiàn)層10a和布線(xiàn)層 10b的面涂抹抗蝕劑，制作具有電磁屏蔽的布線(xiàn)電路基仗。
在本實(shí)施例中，布線(xiàn)層10a由于經(jīng)由凸起6與電磁屏蔽膜32連 接，所以作為地線(xiàn)發(fā)揮功能。另一方面，布線(xiàn)層10b作為信號(hào)線(xiàn)路發(fā)揮功能。另外，布線(xiàn)層10a和布線(xiàn)層10b由于交互被配置，所以能夠減少 在相互鄰接的布線(xiàn)層10b之間產(chǎn)生的交調(diào)失真。另外，通過(guò)利用凸起間 的距離為最小限的布線(xiàn)電路基板，能夠制作高集成化的具有電,茲屏蔽的 布線(xiàn)電路基板。
另外，可以在布線(xiàn)電路基板的兩面粘貼電磁屏蔽膜。該結(jié)構(gòu)具有能 夠作為高頻線(xiàn)路用帶狀傳輸線(xiàn)使用的效果。進(jìn)而，在本實(shí)施例中，針對(duì) 每個(gè)信號(hào)線(xiàn)(一個(gè)布線(xiàn)膜10b)配置地線(xiàn)，但也可以不針對(duì)每個(gè)信號(hào)線(xiàn) 配置地線(xiàn)。
另外，在本實(shí)施例中，利用通過(guò)實(shí)施例8的制造方法制作的布線(xiàn)電 路基板22,制作具有電磁屏蔽的布線(xiàn)電路基板，但本發(fā)明并不只限于 此。也可以使用涂抹或印刷導(dǎo)電粘接劑并燒結(jié)的方法，形成電磁屏蔽 層。另外，也可以利用通過(guò)實(shí)施例8的制造方法制作的布線(xiàn)電路基板 22a等，制作具有電磁屏蔽的布線(xiàn)電路a。
接著，作為本發(fā)明的實(shí)施例15，參照?qǐng)D24A 24F說(shuō)明使用了通過(guò) 實(shí)施例8到11的制造方法制作的布線(xiàn)電路14l的另一個(gè)布線(xiàn)電路基板 的制造工序。圖24A~圖24F是以工序順序展示實(shí)施例15相關(guān)的布線(xiàn) 電路基板的制造方法的M的截面圖。
如圖24A所示，準(zhǔn)備布線(xiàn)電路^L 22。然后，如圖24B所示，通 過(guò)噴墨法、絲網(wǎng)印刷法或調(diào)和法等方法，在露出了凸起6的頂面的面上 部分地形成由金、銀或銅等金屬構(gòu)成的導(dǎo)電粘接劑34。導(dǎo)電粘接劑34 的一部分與凸起6的頂面相接。
接著，向布線(xiàn)層形成用金屬層20c上涂抹抗蝕劑，通過(guò)進(jìn)行曝光和 顯影，形成抗蝕劑掩模(未圖示)。例如，向布線(xiàn)層形成用金屬層20c 上涂抹正片型的抗蝕劑，使用具有規(guī)定圖形的曝光掩模，依照該圖形對(duì) 抗蝕劑進(jìn)行曝光。然后通過(guò)顯影處理，除去曝光了的抗蝕劑，形成抗蝕 劑掩模(未圖示)。然后，如圖24C所示，將該抗蝕劑掩模作為掩模蝕 刻布線(xiàn)層形成用金屬層20c，形成布線(xiàn)層10。該布線(xiàn)層10經(jīng)由蝕刻阻 擋層20b與凸起6連接。接著，如圖24D所示，通過(guò)噴墨法、絲網(wǎng)印刷法或調(diào)和法等方法， 在相互鄰接的導(dǎo)電粘接劑34之間形成電阻粘接劑35。然后，如圖24E 所示，通過(guò)噴墨法、絲網(wǎng)印刷法或調(diào)和法等方法，在與凸起6的頂面相 接的導(dǎo)電粘接劑34上形成導(dǎo)電粘接劑36。接著，如圖24F所示，在導(dǎo) 電粘接劑36上形成導(dǎo)電粘接劑34。這樣，通過(guò)用導(dǎo)電粘接劑34夾著導(dǎo) 電粘接劑36,形成電容元件。
如上所述，能夠通過(guò)在布線(xiàn)電路基板的一個(gè)面上形成電阻粘接劑或 電容元件來(lái)形成聚合體型厚膜電路，同時(shí)通過(guò)在另一個(gè)面上形成由銅構(gòu) 成的布線(xiàn)膜來(lái)形成電路。另外，由于使凸起6的高度與絕緣膜4的厚度 近似，所以就沒(méi)有必要增大不必要的凸起6的高度了。另外，通過(guò)利用 凸起間的距離為最小限的布線(xiàn)電路基板，能夠形成高密度地形成了微弱 電流的信號(hào)電路和需要電源等高電流的電路的布線(xiàn)電路基板。
另外，在本實(shí)施例中，在形成了導(dǎo)電粘接劑34后形成布線(xiàn)層10， 但本發(fā)明并不只限于此。也可以在形成導(dǎo)電粘接劑34之前形成布線(xiàn)層 10。另外，也可以在形成了電容元件后，蝕刻并形成布線(xiàn)層IO。
另外，在本實(shí)施例中，通過(guò)噴墨法、絲網(wǎng)印刷法或調(diào)和法等方法， 形成導(dǎo)電粘接劑、電阻粘接劑和電介質(zhì)粘接劑制作電容元件，但本發(fā)明 并不只限于此。例如，也可以通過(guò)噴射法、CVD法或蒸鍍法在布線(xiàn)電 路基板的一個(gè)面上形成導(dǎo)電材料、電阻材料和電介質(zhì)材料的膜，通過(guò)蝕 刻形成圖形，從而形成導(dǎo)電膜、電阻膜和電介質(zhì)膜。由于可以通過(guò)噴射 法等形成薄膜，所以能夠在聚合體膜上制作薄膜電路。
另外，導(dǎo)電材料寸吏用Cu、 Au、 Ag、 Al、 Ni、 Ti、 Cr、 NiCr、 Nb 或V等金屬，電阻材料使用NiCr、 Ta2N、 Ru02或SnO等，電介質(zhì)材 料使用SrTi03、 BaTi()3或TiO等。
另外，在本實(shí)施例中，在布線(xiàn)電路基板的一個(gè)面上形成厚膜或薄膜 電路，但也可以在兩面上形成厚膜或薄膜電路。參照?qǐng)D25A 圖25E說(shuō) 明該方法。圖25A~圖25E是以工序順序展示布線(xiàn)電路基&的制造方法 的基板的截面圖。
如圖25A所示，準(zhǔn)備在絕緣膜4的內(nèi)部貫通設(shè)置了凸起6的布線(xiàn)電路基板。通過(guò)全面地蝕刻并除去設(shè)置在布線(xiàn)電路基板22的布線(xiàn)層形成 用金屬層20c，來(lái)制作該布線(xiàn)電路基板。接著，如圖25B所示，通過(guò)噴 墨法、絲網(wǎng)印刷法或調(diào)和法等方法，在該布線(xiàn)電路基板的上下兩面上部 分地形成由金、銀或銅構(gòu)成的導(dǎo)電粘接劑34。
接著，如圖25C所示，通過(guò)噴墨法等方法，在相互鄰接的導(dǎo)電粘接 劑34之間形成電阻粘接劑35。然后，如圖25D所示，通過(guò)噴墨法等方 法，在與凸起6的頂面相接的導(dǎo)電粘接劑34上形成導(dǎo)電粘接劑36。接 著，如圖25E所示，在導(dǎo)電粘接劑36上形成導(dǎo)電粘接劑34。這樣，通 過(guò)用導(dǎo)電粘接劑34夾著導(dǎo)電粘接劑36，形成電容元件。
如上所述，能夠通過(guò)在布線(xiàn)電路基板的兩個(gè)面上形成電阻粘接劑或 電容元件來(lái)形成厚膜電路。另外，由于使凸起6的高度與絕緣膜4的厚 度近似，所以就沒(méi)有必要增大不必要的凸起6的高度了。另外，通過(guò)利 用凸起間的距離短的布線(xiàn)電路基板，能夠形成高密度地形成了信號(hào)電路 的布線(xiàn)電路基板。另外，也可以代替噴墨法等，通過(guò)噴射法來(lái)形成導(dǎo)電 材料等的膜。由于通過(guò)噴射法能夠形成薄膜，所以能夠制作更細(xì)微的薄 膜電路。
另外，在本實(shí)施例中，利用通過(guò)實(shí)施例8的制造方法制作的布線(xiàn)電 路基板22來(lái)制作布線(xiàn)電路基板，但本發(fā)明并不只限于此。也可以利用 通過(guò)實(shí)施例8的制造方法制作的布線(xiàn)電路基板22a,制作布線(xiàn)電路基 板。
接著，作為本發(fā)明的實(shí)施例16，參照?qǐng)D26A-26C說(shuō)明使用了通過(guò) 實(shí)施例8到11的制造方法制作的布線(xiàn)電路基板的多層布線(xiàn)電路基板的 制造工序。圖26A~圖26C是以工序順序展示實(shí)施例16相關(guān)的多層布 線(xiàn)M的制造方法的141的截面圖。
如圖26A所示，準(zhǔn)備布線(xiàn)電路a 2和布線(xiàn)電路基板22。布線(xiàn)電 路1412是通過(guò)實(shí)施例1相關(guān)的制造方法制作的基&。布線(xiàn)電路基板22 是通過(guò)實(shí)施例8相關(guān)的制造方法制作的141。
接著，如圖26B所示，對(duì)布線(xiàn)電路基板2和布線(xiàn)電路J4！ 22進(jìn)行壓接，使得布線(xiàn)電路141 22的凸起6的頂面與布線(xiàn)電路基板2的布線(xiàn) 層10接觸，制作多層布線(xiàn)基板。這樣，通過(guò)將凸起6和布線(xiàn)層IO連接 起來(lái)，凸起6作為層間連接部分發(fā)揮功能。
然后，如圖26C所示，部分地蝕刻多層布線(xiàn)基板的布線(xiàn)層形成用金 屬層20c而形成布線(xiàn)層10。該布線(xiàn)層10經(jīng)由蝕刻阻擋層20b與凸起6 連接。
如上所述，通過(guò)層疊凸起間的距離為最小限的布線(xiàn)電路基板，能夠 制作高集成化的多層布線(xiàn)基板。另外，在本實(shí)施例的多層布線(xiàn)基板中， 由于凸起6的頂面從絕緣膜4露出，所以能夠用焊料等將部件(元件) 牢固地直接安裝到其頂面上。進(jìn)而，由于在圖形上沒(méi)有安裝部件(元 件)，所以也不會(huì)有圖形被剝離而取下部件(元件)的情況。另外，由 于凸起6被絕緣膜4圍著，所以絕緣膜4具有與形成了牢固的焊接抗蝕 劑同樣的效果。
另外，在本實(shí)施例中，利用通過(guò)實(shí)施例8的制造方法制作的布線(xiàn)電 路基板22來(lái)制作多層布線(xiàn)基板，但本發(fā)明并不只限于此。也可以利用 通過(guò)實(shí)施例8的制造方法制作的布線(xiàn)電路基板22a，制作多層布線(xiàn)基 板。
接著，作為本發(fā)明的實(shí)施例18，參照?qǐng)D28A~28D以及圖29A~ 29E說(shuō)明使用了通過(guò)實(shí)施例8到11的制造方法制作的布線(xiàn)電路J4l的 另一個(gè)布線(xiàn)電路J4l的制造工序。圖28A~28D以及圖29A 29E是以 工序順序展示實(shí)施例18相關(guān)的多層布線(xiàn)皿的制造方法的基板的截面 圖。
如圖28A所示，準(zhǔn)備布線(xiàn)電路J4122。布線(xiàn)電路J4122是通過(guò)實(shí) 施例8相關(guān)的制造方法制作的J41。接著，如圖28B所示，通過(guò)電解電 鍍法，針對(duì)凸起6的頂面從絕緣膜4露出的面形成由銅構(gòu)成的薄膜 20d。
接著，如圖28C所示，通過(guò)電解電鍍法，在薄膜20d上形成由銅構(gòu) 成的金屬膜20e。然后，向金屬膜20e上涂抹抗蝕劑，通過(guò)進(jìn)行曝光和 顯影，形成抗蝕劑掩模(未圖示)。例如，涂抹正片型的抗蝕劑，使用 具有規(guī)定圖形的曝光掩模，依照該圖形對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝光。在本實(shí)施例中，對(duì)各凸起6之間的抗蝕劑進(jìn)行曝光。然后通過(guò)顯影處理，除去曝光 了的抗蝕劑，只在各凸起6的頂面上形成抗蝕劑掩模(未圖示)。
接著，如圖28D所示，將該抗蝕劑掩才莫作為掩模蝕刻薄膜20d和金 屬膜20e，形成具有規(guī)定的圖形的布線(xiàn)層lla，制作布線(xiàn)電路a。
在本實(shí)施例中，通過(guò)電解電鍍法形成薄膜，進(jìn)而通過(guò)電解電鍍法形 成布線(xiàn)層lla，從而制作布線(xiàn)電路基板。但是，通過(guò)其他方法也能夠制 作該布線(xiàn)電路基板。參照?qǐng)D29A 29E說(shuō)明該方法。
如圖29A所示，準(zhǔn)備布線(xiàn)電路基板22。接著，如圖29B所示，通 過(guò)電解電鍍法，針對(duì)凸起6的頂面從絕緣膜4露出的面形成由銅構(gòu)成的 薄膜20d。
接著，如圖29C所示，向薄膜20d上涂抹抗蝕劑，通過(guò)進(jìn)行曝光和 顯影，在各凸起6之間形成抗蝕劑掩模9。例如，涂抹正片型的抗蝕 劑，使用具有規(guī)定圖形的曝光掩模，依照該圖形對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝光。在 本實(shí)施例中，對(duì)涂抹在各凸起6的頂面上的抗蝕劑進(jìn)行曝光。然后通過(guò) 顯影處理，除去曝光了的抗蝕劑，在各凸起6之間形成抗蝕劑掩模9。 通過(guò)這樣形成抗蝕劑掩模9，在各凸起6上不形成抗蝕劑掩模9。
接著，如圖29D所示，通過(guò)電鍍法，在薄膜20d上析出由銅構(gòu)成的 金屬膜20e。這時(shí)，只在除去了抗蝕劑的部分上析出銅，在形成了抗蝕 劑掩模9的部分上不析出銅。然后，在除去抗蝕劑掩模9的同時(shí)，通過(guò) 進(jìn)行全面蝕刻，除去形成在金屬膜20e之間的薄膜20d,形成布線(xiàn)層 lla。通過(guò)該蝕刻削掉了布線(xiàn)層lla的一部分表面，但由于布線(xiàn)層lla 的膜厚度比薄膜20d的膜厚度厚，所以即使完全除去了薄膜20d，也不 會(huì)除去布線(xiàn)層lla。
另外，在本實(shí)施例中，通過(guò)電解電鍍法形成薄膜20d，但也可以代 替它，通過(guò)噴射法形成薄膜20d。另外，利用通過(guò)實(shí)施例8的制造方法 制作的布線(xiàn)電路J4！ 22來(lái)制作另一個(gè)布線(xiàn)電路141，但本發(fā)明并不只 限于此。也可以利用通過(guò)實(shí)施例8的制造方法制作的布線(xiàn)電路基板 22a，制作另一個(gè)布線(xiàn)電路基板。接著，作為本發(fā)明的實(shí)施例19，參照?qǐng)D30A~30E以及圖31A~ 31F說(shuō)明使用了通過(guò)實(shí)施例8到11的制造方法制作的布線(xiàn)電路141的 多層布線(xiàn)基板的制造工序。圖30A~30E以及圖31A~31F是以工序順
序展示實(shí)施例19相關(guān)的多層布線(xiàn)J4l的制造方法的a的截面圖。
如圖30A所示，準(zhǔn)備布線(xiàn)電路基板2。接著，在形成了布線(xiàn)層10 的面上層疊絕纟彖膜4d，如圖30B所示，在絕纟彖膜4d上開(kāi)孔形成貫通孔 15。例如，可以通過(guò)向絕緣膜4d的一部分照射激光形成該貫通孔15。 另外，除了通過(guò)激光開(kāi)孔以外，還可以通過(guò)蝕刻絕緣膜4d的一部分進(jìn) 行開(kāi)孔。
接著，如圖30C所示，通過(guò)電解電鍍法，在絕緣膜4d上形成由銅 構(gòu)成的薄膜20d。在貫通孔15內(nèi)也形成薄膜20d,與布線(xiàn)層10接觸。 接著，如圖30D所示，通過(guò)電解電鍍法在薄膜20d上形成金屬膜20e。
然后，向金屬膜20e上涂抹抗蝕劑，通過(guò)進(jìn)行曝光和顯影，在貫通 孔15的內(nèi)壁和貫通孔15的周?chē)纬煽刮g劑掩才莫(未圖示)。例如，涂 抹正片型的抗蝕劑，使用具有規(guī)定圖形的曝光掩模，依照該圖形對(duì)抗蝕 劑進(jìn)行曝光。在本實(shí)施例中，對(duì)涂抹在貫通孔15以外的部分的抗蝕劑 進(jìn)行曝光。然后通過(guò)顯影處理，除去曝光了的抗蝕劑，在貫通孔15的 內(nèi)壁和貫通孔15的周?chē)纬煽刮g劑掩才莫(未圖示)。
接著，如圖30E所示，將該抗蝕劑掩模作為掩模蝕刻薄膜20d和金 屬膜20e，形成具有規(guī)定的圖形的布線(xiàn)層10a。
在本實(shí)施例中，通過(guò)電解電鍍法形成薄膜20d，進(jìn)而通過(guò)電解電鍍 法形成布線(xiàn)層10a,從而制作布線(xiàn)電路基板。但是，通過(guò)其他方法也能 夠制作該多層布線(xiàn)141。參照?qǐng)D31A 31Fil明該方法。
如圖31A所示，準(zhǔn)備布線(xiàn)電路基板2。接著，在形成了布線(xiàn)層10 的面上層疊絕緣膜4d，如圖31B所示，在絕緣膜4d上開(kāi)孔形成貫通孔 15。接著，如圖31C所示，通過(guò)電解電鍍法，在絕緣膜4d上形成由銅 構(gòu)成的薄膜20d。在貫通孔15內(nèi)也形成薄膜20d,與布線(xiàn)層10接觸。
接著，如圖31D所示，向薄膜20d上涂抹抗蝕劑，通過(guò)進(jìn)行曝光和 顯影，在貫通孔15以外的部分形成抗蝕劑掩模9。例如，涂抹正片型的抗蝕劑，使用具有規(guī)定圖形的啄光掩模，依照該圖形對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝
光。在本實(shí)施例中，對(duì)涂抹在貫通孔15的內(nèi)部及其周?chē)目刮g劑進(jìn)行 曝光。然后通過(guò)顯影處理，除去形成在貫通孔15的內(nèi)部及其周?chē)目?蝕劑。
接著，如圖31E所示，通過(guò)電鍍法，在薄膜20d上析出由銅構(gòu)成的 金屬膜20e。這時(shí)，只在除去了抗蝕劑的部分上析出銅，在形成了抗蝕 劑掩模9的部分上不析出銅。然后，在除去抗蝕劑掩才莫9的同時(shí)，通過(guò) 蝕刻除去形成在貫通孔15以外的部分上的薄膜20d，如圖31F所示地 形成布線(xiàn)層10a。通過(guò)該蝕刻削掉了布線(xiàn)層10a的一部分，但由于布線(xiàn) 層10a的膜厚度比薄膜20d的膜厚度厚，所以即使完全除去了薄膜 20d，也不會(huì)除去布線(xiàn)層10a。
另外，在本實(shí)施例中，通過(guò)電解電鍍法形成薄膜20d,但也可以代 替它，通過(guò)噴射法形成薄膜20d。另外，利用通過(guò)實(shí)施例8的制造方法 制作的布線(xiàn)電路基板22來(lái)制作多層布線(xiàn)基板，但本發(fā)明并不只限于 此。也可以利用通過(guò)實(shí)施例8的制造方法制作的布線(xiàn)電路基板22a等。
[實(shí)施例20〗
接著，作為本發(fā)明的實(shí)施例20，參照?qǐng)D32A 32E以及圖33A~ 33F說(shuō)明使用了通過(guò)實(shí)施例8到11的制造方法制作的布線(xiàn)電路141的 另一個(gè)布線(xiàn)電路14l的制造工序。圖32A-32E以及圖33A 33F是以
工序順序展示實(shí)施例20相關(guān)的布線(xiàn)電路基板的制造方法的14aL的截面圖。
如圖32A所示，準(zhǔn)備布線(xiàn)電路基板22。布線(xiàn)電路基板22是通過(guò)實(shí) 施例8相關(guān)的制造方法制作的J41。接著，如圖32B所示，在絕緣膜4 上開(kāi)孔形成貫通孔15。例如，可以通過(guò)向絕緣膜4的一部分照射激光形 成該貫通孔15。另外，除了通過(guò)激光開(kāi)孔以外，還可以通過(guò)蝕刻絕緣膜 4的一部分進(jìn)行開(kāi)孔。
接著，如圖32C所示，通過(guò)電解電鍍法，在絕緣膜4上形成由銅構(gòu) 成的薄膜20d。在貫通孔15內(nèi)也形成薄膜20d，與布線(xiàn)層10接觸。接 著，如圖32D所示，通過(guò)電解電鍍法在薄膜20d上形成金屬膜20e。然后，向金屬膜20e上涂抹抗蝕劑，通過(guò)進(jìn)行曝光和顯影，在貫通 孔15的內(nèi)壁和凸起6上形成抗蝕劑掩模(未圖示)。例如，涂抹正片型 的抗蝕劑，使用具有規(guī)定圖形的曝光掩模，依照該圖形對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝 光。在本實(shí)施例中，對(duì)涂抹在貫通孔15以及凸起6以外的部分上的抗 蝕劑進(jìn)行曝光。然后通過(guò)顯影處理，除去曝光了的抗蝕劑，在貫通孔15 的內(nèi)壁和凸起6上形成抗蝕劑掩模(未圖示)。然后，如圖32E所示， 將該抗蝕劑掩模作為掩模蝕刻薄膜20d和金屬膜20e，形成具有規(guī)定的 圖形的布線(xiàn)層lla。
在本實(shí)施例中，通過(guò)電解電鍍法形成薄膜20d,進(jìn)而通過(guò)電解電鍍 法形成布線(xiàn)層lla，從而制作布線(xiàn)電路基板。但是，通過(guò)其他方法也能 夠制作該布線(xiàn)電路基板。參照?qǐng)D33A 33F說(shuō)明該方法。
如圖33A所示，準(zhǔn)備布線(xiàn)電路基板22。接著，如圖33B所示，在 絕緣膜4上開(kāi)孔形成貫通孔15。接著，如圖33C所示，通過(guò)電解電鍍 法，在絕緣膜4上形成由銅構(gòu)成的薄膜20d。在貫通孔15的內(nèi)部也形 成薄膜20d，與布線(xiàn)層形成用金屬層20c接觸。
接著，如圖33D所示，向薄膜20d上涂抹抗蝕劑，通過(guò)進(jìn)行曝光和 顯影，在貫通孔15以及凸起6以外的部分上形成抗蝕劑掩模9。例如， 涂抹正片型的抗蝕劑，使用具有規(guī)定圖形的曝光掩模，依照該圖形對(duì)抗 蝕劑進(jìn)行曝光。在本實(shí)施例中，對(duì)涂抹在貫通孔15的內(nèi)部以及凸起6 上的抗蝕劑進(jìn)^f亍曝光。然后通過(guò)顯影處理，除去形成在貫通孔15的內(nèi) 部以及凸起6上的抗蝕劑。
接著，如圖33E所示，通過(guò)電鍍法，在薄膜20d上析出由銅構(gòu)成的 金屬膜20e。這時(shí)，只在除去了抗蝕劑的部分上析出銅，在形成了抗蝕 劑掩才莫9的部分上不析出銅。然后，在除去抗蝕劑掩才莫9的同時(shí)，通過(guò) 蝕刻除去形成在貫通孔15以及凸起6以外的部分上的薄膜20d，如圖 33F所示地形成布線(xiàn)層lla。通過(guò)該蝕刻削掉了布線(xiàn)層lla的一部分， 但由于布線(xiàn)層lla的膜厚度比薄膜20d的膜厚度厚，所以即使完全除去 了薄膜20d，也不會(huì)除去布線(xiàn)層10a。
另外，在本實(shí)施例中，通過(guò)電解電鍍法形成薄膜20d，但也可以代替它，通過(guò)噴射法形成薄膜20d。另外，利用通過(guò)實(shí)施例8的制造方法 制作的布線(xiàn)電路基板22來(lái)制作布線(xiàn)電路基板，但本發(fā)明并不只限于 此。也可以利用通過(guò)實(shí)施例8的制造方法制作的布線(xiàn)電路基板22a等， 制作布線(xiàn)電路基板。
本發(fā)明能夠適用于例如IC、 LSI等電子設(shè)備安裝用布線(xiàn)電路基板， 特別是能夠進(jìn)行高密度安裝的布線(xiàn)電路基板、其制造方法、具備該布線(xiàn) 電路基板的電路模塊。作為電路模塊的具體例子列舉液晶裝置，但本發(fā) 明并不只限于此，也能夠在其他模塊中使用。
權(quán)利要求
1.一種電路模塊，其特征在于包括在布線(xiàn)層的表面上，直接或者經(jīng)由蝕刻阻擋層地形成多個(gè)凸起，在上述布線(xiàn)層的形成了凸起的面上，在沒(méi)有形成上述凸起的部分形成絕緣膜的一個(gè)布線(xiàn)電路基板；以及成為液晶元件的基板，具有透明布線(xiàn)膜的液晶裝置用透明基板，其中上述一個(gè)布線(xiàn)電路基板的凸起和上述液晶裝置用透明基板的透明布線(xiàn)膜的上述凸起所對(duì)應(yīng)的部分直接或經(jīng)由形成在上述凸起的頂面上的布線(xiàn)層和焊球連接，構(gòu)成液晶裝置。
2. 根據(jù)l所述的電路模塊，其特征在于 上述一個(gè)布線(xiàn)電路M的凸起的頂面形成為凹球面， 在該頂面上直接形成焊J求。
全文摘要
本發(fā)明的布線(xiàn)電路基板的目的在于削減連接布線(xiàn)電路基板和印刷電路基板的工序，謀求降低布線(xiàn)電路基板的價(jià)格。布線(xiàn)電路基板(2)由絕緣膜(4)、凸起(6)、蝕刻阻擋層(8)、布線(xiàn)層(10)構(gòu)成。凸起(6)由銅構(gòu)成，形成為貫穿絕緣膜(4)。凸起(6)的頂面從絕緣膜(4)露出，形成為位于與絕緣膜(4)的表面同一平面上。蝕刻阻擋層(8)由鎳構(gòu)成，形成在凸起(6)的底面。凸起(6)經(jīng)由蝕刻阻擋層(8)與布線(xiàn)層(10)連接。焊球(12)形成在凸起(6)的頂面上。印刷電路基板(14)是不易彎曲的基板，與布線(xiàn)電路基板(2)連接。布線(xiàn)層(16)和凸起(6)經(jīng)由焊球(12)連接，布線(xiàn)電路基板(2)安裝在印刷電路基板(14)上。
文檔編號(hào)G02F1/133GK101408688SQ20081016913
公開(kāi)日2009年4月15日 申請(qǐng)日期2004年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月31日
發(fā)明者三成尚人, 加藤貴, 大平洋, 池永和夫, 遠(yuǎn)藤仁譽(yù), 飯島朝雄 申請(qǐng)人:德塞拉互連材料股份有限公司