專利名稱：注入虛置圖案的方法及掩模的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路工藝，特別涉及虛置圖案(dummypatterns),尤其涉 及注入虛置圖案的演算法(algorithms)。
背景技術(shù)：
在集成電路工藝中，因晶片中圖案密度的不同，會(huì)發(fā)生圖案效應(yīng)(pattem effect),即為眾所周知的微負(fù)荷效應(yīng)(micro-loading effect)。微負(fù)荷效應(yīng)是有 關(guān)同時(shí)于較高密度圖案與較低密度圖案上進(jìn)行曝光、蝕刻、及/或拋光時(shí)所發(fā) 生的現(xiàn)象。由于薄膜上不同位置間在曝光/蝕刻/拋光速率上的差異，由曝光/ 蝕刻/拋光所產(chǎn)生的反應(yīng)量會(huì)變得局部密集或稀疏，并且在曝光后造成蝕刻/ 拋光速率或圖案尺寸上的不均勻。有效圖案的密度差異過大可能造成顯著且 不良的效應(yīng)，例如圖案尺寸誤差及厚度變異。
為了抵消此效應(yīng)，發(fā)展了一種稱為虛置注入(dummy insertion)的布局設(shè) 計(jì)，在虛置注入期間，調(diào)整電路布局并將虛置圖案注入到具有低圖案密度的 位置。虛置圖案的注入有助于在晶片上達(dá)到均勻的有效圖案密度(effect pattern density),因而避免問題的發(fā)生。
通常，在完成集成電路的設(shè)計(jì)后，會(huì)產(chǎn)生圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)文件(graphicdata system, GDS)，其為包括集成電路布局的二進(jìn)制文件(binary file)?？墒褂靡怀?序來(lái)注入虛置圖案。在注入虛置圖案后，可將圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)提供給晶片廠 (foundry)。接著，晶片廠或掩模廠商(maskvendors)可據(jù)以生產(chǎn)掩模。
虛置圖案可分為OD(有源區(qū))虛置圖案、多晶(poly)虛置圖案、金屬虛置 圖案等。OD虛置圖案為虛置的有源區(qū)圖案(active region patterns),多晶虛置 圖案包括用以形成晶體管柵極的多晶硅柵極圖案，而金屬虛置圖案為金屬化 層中金屬結(jié)構(gòu)的圖案。OD虛置圖案與多晶虛置圖案常一起運(yùn)行。以O(shè)D虛 置圖案為例，為了注入虛置圖案， 一般虛置注入程序(dummy insertion program) 需找出OD(有源區(qū))與多晶區(qū)的主要圖案，并接著找出不包含OD與多晶區(qū)的
5區(qū)域以注入虛置圖案。圖l顯示用在OD區(qū)與多晶區(qū)的虛置單元(dummycdl)。 虛置單元1包括虛置多晶區(qū)10及環(huán)繞虛置多晶區(qū)10的虛置有源區(qū)(OD)環(huán) 12。虛置單元2包括虛置多晶區(qū)14及環(huán)繞虛置多晶區(qū)14的虛置有源區(qū)(OD) 環(huán)16。虛置單元2明顯小于虛置單元1。多晶硅的形成對(duì)于圖案密度更為敏 感，因此需要分布更均勻的虛置多晶圖案。因此，單元3為虛置多晶圖案， 其不與虛置OD圖案配置在一起。
在公知的虛置注入工藝中，虛置注入程序會(huì)檢示GDS文件，并將虛置 圖案單元l注入于任何不違反設(shè)計(jì)法則(designmle)的位置。接著，虛置注入 程序會(huì)尋找大小不足以注入虛置圖案單元1但足以注入虛置圖案單元2的區(qū) 域，并將虛置圖案單元2注入。關(guān)于虛置多晶硅(即單元3)的注入，虛置注 入程序可能需尋找大小不足以注入虛置圖案單元1及2但足以注入虛置多晶 圖案單元3的區(qū)域。
圖2顯示包含注入虛置OD圖案的OD掩模圖案，其中僅顯示有源區(qū)及 虛置有源區(qū)的圖案。區(qū)域20為元件區(qū)，也稱為主要圖案。方塊22為虛置單 元1的虛置圖案，而方塊24為虛置單元2的虛置圖案。若所顯示的為多晶 掩模而非OD掩模，還可能出現(xiàn)虛置圖案單元3。
公知的虛置圖案注入方式具有一些缺點(diǎn)。第一，注入虛置圖案通常是很 長(zhǎng)時(shí)間的工藝，其可能需耗費(fèi)數(shù)小時(shí)或甚至幾天的時(shí)間。因此，晶片廠常將 虛置注入程序提供給設(shè)計(jì)公司(design houses),而使設(shè)計(jì)公司能自行注入虛置 圖案。因此，如何注入虛置圖案的專屬技術(shù)信息便會(huì)公開。第二，在注入虛 置圖案后，GDS文件的大小會(huì)大幅增加，常會(huì)增加到從約1Gbits(十億位)或 略少到約數(shù)十Gbits。除了占去大量?jī)?chǔ)存空間外，找到能進(jìn)行如此大文件程 序的電腦更為困難。第三，如圖2所示，虛置圖案并非均勻地注入，會(huì)對(duì)臨 界尺寸一致性控制及化學(xué)機(jī)械研磨一致性控制造成不利的效應(yīng)。因此，業(yè)界 急需新穎的虛置圖案注入方法以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決上述技術(shù)問題而提供一種注入虛置圖案的方法，包括提 供包括主要圖案的窗口區(qū)，其中主要圖案包括具有第一結(jié)構(gòu)類型的第一圖案 及具有第二結(jié)構(gòu)類型的第二圖案，且其中第一結(jié)構(gòu)類型與第二結(jié)構(gòu)類型是不
6同的類型，全面性地于窗口區(qū)注入第一虛置圖案，其中第一虛置圖案為第一 結(jié)構(gòu)類型的虛置圖案，放大主要圖案以產(chǎn)生放大型主要圖案，其中放大型主 要圖案占據(jù)窗口區(qū)的放大區(qū)域，自第一虛置圖案移除第一虛置圖案位于放大 區(qū)域中的部分，以產(chǎn)生第一反相虛置圖案，以及結(jié)合主要圖案中的第一圖案 與第一反相虛置圖案，以產(chǎn)生第一結(jié)構(gòu)類型的第一掩模圖案。
本發(fā)明還提供一種注入虛置圖案的方法，包括提供包括主要圖案的窗口 區(qū)，其中主要圖案的結(jié)構(gòu)類型包括柵極電極及有源區(qū)，在整個(gè)窗口區(qū)注入虛 置圖案，放大主要圖案以產(chǎn)生放大型主要圖案，其中放大型主要圖案占據(jù)窗 口區(qū)的放大區(qū)域，自虛置圖案移除虛置圖案位于放大區(qū)域中的部分，以產(chǎn)生 反相虛置圖案，以及結(jié)合主要圖案與反相虛置圖案，以產(chǎn)生掩模圖案，其中 主要圖案放置于放大區(qū)域的中間部分中。
本發(fā)明還提供一種掩模，包括包含主要圖案的窗口區(qū)，以及位于主要圖 案所占據(jù)區(qū)域外圍的區(qū)域中的虛置圖案，其中虛置圖案在整個(gè)窗口區(qū)中大抵 具有一單位間距。
本發(fā)明的效果包括第一，GDS文件尺寸上的增加可縮到最小。 一實(shí)施
例的實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示GDS文件大小在虛置圖案注入之后，僅增加少于約百分 之一的容量。與公知技術(shù)相比，公知的虛置圖案注入一般會(huì)造成GDS文件 大小增加10倍。第二，虛置圖案的注入顯著地加快， 一般只需少于一天的 時(shí)間，而公知的虛置注入工藝一般需花費(fèi)好幾天的時(shí)間。第三，由于注入效 率的增進(jìn)，晶片廠可自行進(jìn)行虛置注入工藝，不需設(shè)計(jì)公司(design houses) 進(jìn)行虛置注入工藝?？蓽p少設(shè)計(jì)公司產(chǎn)品定案(tapeout)的負(fù)擔(dān)。此外，對(duì)于 掩模制造廠的專屬技術(shù)機(jī)密可給予較佳的保護(hù)。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉 出優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下


圖l顯示公知的虛置單元，其包括虛置有源區(qū)及虛置多晶區(qū)。 圖2顯示于公知有源區(qū)(OD)掩模注入虛置有源區(qū)。 圖3-圖8顯示反相虛置注入工藝的中間步驟。 圖9A-圖9C顯示不同虛置圖案的實(shí)施例。
7其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下-
1、 2、 3~單元；
10、 14 虛置多晶區(qū)；
12、 16 虛置有源區(qū)環(huán)；
20 區(qū)域；
22、 24~方塊；
30~窗口區(qū)；
32、 34、 36、 40、 40，、 44、 46 圖案; 32' 放大型主要圖案。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明實(shí)施例提供一種注入虛置圖案到集成電路布局中的方法。以下將 討論本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一些變化。本發(fā)明的數(shù)個(gè)實(shí)施例與附圖之間，將使 用相似標(biāo)號(hào)標(biāo)示相似的元件。
通常，集成電路布局是以圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)(graphic data system, GDS)格式儲(chǔ) 存，因此以下敘述中集成電路的布局文件也指GDS格式的文件。可了解的 是，布局文件也可能是以其它不同的格式儲(chǔ)存。然而，本發(fā)明實(shí)施例的概念 仍可應(yīng)用到其它文件格式。
在優(yōu)選實(shí)施例中，GDS文件需經(jīng)過(go through)布林運(yùn)算(Boolean operation)及光學(xué)鄰近修正(optical proximity correction)以調(diào)整布局。接著通過 調(diào)整后的GDS文件以制造掩模。虛置圖案較佳在布林運(yùn)算中被注入。此外， 可進(jìn)行布局調(diào)整，例如調(diào)整接點(diǎn)尺寸、增加輕摻雜源極/漏極(LDD)區(qū)的圖案、 及其它相似調(diào)整。接著，進(jìn)行光學(xué)鄰近修正步驟以抵消光學(xué)鄰近效應(yīng)(optical proximity effect)。以下，將討論一種注入虛置有源區(qū)的方法，其中有源區(qū)也 可稱為OD。
圖3顯示電路布局的窗口區(qū)(windowarea)30，其中窗口區(qū)30為形成集成 電路(包括虛置圖案)的位置。在窗口區(qū)30提供主要圖案32，其包括OD圖案 34及多晶硅圖案36。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員當(dāng)可了解，雖然使用"多晶硅" 或"多晶"來(lái)敘述圖案36，但圖案36可實(shí)際上為晶體管柵極電極的圖案及 其它與柵極電極同時(shí)形成的導(dǎo)電圖案，例如電阻器。圖案36的材質(zhì)可包括
8金屬、金屬硅化物、金屬氮化物、多晶硅、前述的組合、或前述的疊層。
接著，對(duì)主要圖案32進(jìn)行尺寸運(yùn)算(sizing operation)。圖4顯示主要圖 案32的放大類型(enlarged version)32'，或稱放大型主要圖案32，。主要圖案 32也顯示于圖中以作比較用。在優(yōu)選實(shí)施例中，主要圖案32的寬度與長(zhǎng)度 均增加，例如增加約百分之十到約百分之五百。在另一實(shí)施例中，主要圖案 32的長(zhǎng)度及寬度在每一側(cè)邊增加約1倍到約30倍設(shè)計(jì)法則所允許的"最小 寬度"。因此，主要圖案34中的OD圖案34及多晶硅圖案36的尺寸也增加 約百分之十。
在圖5中，虛置OD圖案40全面性地注入于窗口區(qū)30中。在優(yōu)選實(shí)施 例中，GDS文件具有階層式(hierarchical)架構(gòu)，而虛置OD圖案40增加作 GDS文件中與OD圖案34及多晶硅圖案36分開的獨(dú)立層(s印arate layer)。因 此，虛置OD圖案40包括與主要圖案32重疊的區(qū)域及不與主要圖案32重 疊的區(qū)域。在優(yōu)選實(shí)施例中，虛置OD圖案40為平行的細(xì)條(strips)，并以陣 列方式設(shè)置。增加作為獨(dú)立層的虛置OD圖案40可顯著地減少虛置注入的 困難度(可直接注入而不需尋找空白處)。最終GDS文件所增加的文件大小也 大抵可忽略。
在圖6中，虛置OD圖案40包括與放大型主要圖案32'重疊的部分，該 部分位于由放大型主要圖案32'所定義的區(qū)域內(nèi)。將虛置OD圖案40的這些 部分(與圖案32'重疊處)自全面性注入虛置OD圖案40減去。既然放大型主 要圖案32'包括有源區(qū)(ODs)與多晶硅區(qū)的主要圖案，虛置圖案40的余留部 分不包括任何與OD區(qū)(圖案34)及多晶硅區(qū)(圖案36)重疊的虛置圖案。虛置 圖案40的余留部分大體上為放大型主要圖案32'的反相(inversed)圖案，并可 稱之為虛置圖案40'。
虛置圖案40'可包括虛置圖案44，其為非常小或不規(guī)則形狀的圖案。虛 置圖案44不必要地造成虛置圖案復(fù)雜度的增加，但對(duì)于圖案負(fù)荷效應(yīng)的減 小僅有微小的幫助。因此，進(jìn)行一平滑運(yùn)算(smoothingoperation)以移除小虛 置圖案44，并使不規(guī)則形的虛置圖案44成形為規(guī)則形狀。平滑運(yùn)算可以一 微形繪圖程序(miniature program)進(jìn)行。平滑運(yùn)算后的最終圖案顯示于圖7A 中。
圖7B顯示另一實(shí)施例，其中因?yàn)樘撝脠D案自放大型主要圖案移除，不
9僅虛置圖案44尺寸減小，且任何虛置圖案46的尺寸也減小(請(qǐng)參照?qǐng)D6)。 換句話說(shuō)，只要是具有任何部分位于放大型主要圖案32'中的任何注入虛置 圖案40會(huì)被移除。在此實(shí)施例中，運(yùn)算不必經(jīng)過圖6所示的步驟。取而代 之地，圖7B所示的圖案可直接以顯示于圖5的圖案計(jì)算。此實(shí)施例可進(jìn)一
步節(jié)省虛置注入工藝所花費(fèi)的時(shí)間。
請(qǐng)參照?qǐng)D8，主要圖案32與虛置圖案40'結(jié)合而形成新的圖案。既然虛 置圖案40，是由移除放大型主要圖案32'所形成，虛置圖案40'中的空白處 (vacancy)會(huì)大于主要圖案32。借著將主要圖案32放置于空白處的中心，主 要圖案32可與所有方向的鄰近虛置圖案具有一致的間隔。既然GDS文件的 圖案具有層狀結(jié)構(gòu)，主要圖案32中的OD圖案34可容易地取得，并與虛置 圖案40，結(jié)合而形成顯現(xiàn)于OD掩模上的圖案(此后將也稱作OD掩模圖案)。 相似地，主要圖案32中的多晶硅圖案36可被取得，并與虛置圖案40'結(jié)合 而形成多晶硅的掩模的圖案(此后也稱作多晶掩模圖案)。
在先前段落所討論的工藝步驟之后，接著對(duì)GDS文件進(jìn)行額外的主要 邏輯運(yùn)算(main logic operations),其可包括布局調(diào)整(layout modifications),例 如調(diào)整接點(diǎn)的尺寸、增加輕摻雜源極/漏極(LDD)區(qū)的圖案，及其相似調(diào)整。 接著進(jìn)行光學(xué)鄰近修正以抵消光學(xué)鄰近效應(yīng)。接著，將OD掩模圖案與多晶 掩模圖案轉(zhuǎn)移到對(duì)應(yīng)的掩模。
在前述實(shí)施例中，既然多晶掩模圖案及OD掩模圖案均包括虛置圖案40'
的圖案，虛置多晶圖案與虛置OD圖案是相同的。然而，在實(shí)際情形中，OD 圖案與多晶圖案常不相同。例如，OD圖案常為長(zhǎng)方形區(qū)塊，而多晶硅圖案 常為細(xì)長(zhǎng)的細(xì)條狀區(qū)塊。為了使圖案密度更為均勻，虛置OD圖案與虛置多 晶圖案較佳分別仿照OD圖案與多晶圖案。在此情形中，虛置OD圖案的注 入與虛置多晶圖案的注入均需經(jīng)過圖5-圖8的工藝，且全面性注入的虛置 OD圖案(圖5)與全面性注入的虛置多晶圖案在形狀、密度、尺寸、及/或其相 似外觀上是不同的。在一注入虛置OD圖案的實(shí)施例中，全面性注入的虛置 OD圖案(請(qǐng)參照?qǐng)D5中的虛置圖案40)包括塊狀類型(blocktype)的虛置區(qū)域， 其相似于圖9A所示。另一方面，關(guān)于虛置多晶圖案的注入，全面性注入的 虛置圖案40為如圖5所示的細(xì)條狀(strips)。在其它實(shí)施例中，也可使用其它 形狀的圖案，例如圓形、六邊形、及其相似形狀。圖9B顯示圓形的虛置圖
10案40。在另一實(shí)施例中，如圖9C所示，全面性注入的虛置圖案包括多個(gè)相 同的虛置(圖案)群(dummy group)。雖然虛置群中的虛置圖案的數(shù)量及形狀可 改變，但整個(gè)窗口區(qū)中的每一虛置(圖案)群為彼此相同，且具有一特定的單 位間距(unit pitch)。
在前述實(shí)施例中，主要圖案32包括OD圖案34及多晶圖案36。在其它 實(shí)施例中，關(guān)于注入虛置OD圖案，主要圖案32只包括OD圖案34。相似 地，關(guān)于注入虛置多晶圖案，主要圖案32只包括多晶圖案36。相應(yīng)的虛置 注入工藝與圖5-圖8所討論的工藝相似，除了其中的主要圖案32只包括OD 圖案34與多晶圖案36的其中之一。
除了形成多晶區(qū)與OD區(qū)的掩模圖案，本發(fā)明實(shí)施例的概念還可應(yīng)用到 金屬線路、金屬化層中的金屬接墊、金屬化層間的介層窗(via)、及/或?qū)娱g介 電層(ILD)中的接觸插塞。在這些情形中，主要圖案可為所需金屬線路、金屬 介層窗或接觸插塞、或前述的組合的圖案。在每一情形中，注入虛置圖案的 形狀、尺寸、及圖案密度較佳與相應(yīng)的真實(shí)圖案(非虛置圖案)在形狀、尺寸、 及圖案密度上相仿。此外，主要圖案32可包括集成電路中的其它類型的結(jié) 構(gòu)，例如接觸插塞、介層窗、及其相似結(jié)構(gòu)。因此，最終的注入虛置結(jié)構(gòu)(最 終虛置圖案)不包括相應(yīng)的接觸插塞、介層窗、及其相似結(jié)構(gòu)的放大區(qū)域(即 不包括放大型主要圖案)。
可了解的是，本發(fā)明實(shí)施例中所注入的虛置圖案在整個(gè)窗口區(qū)中具有一 單位間距。如圖8所示，在窗口區(qū)30中的注入虛置圖案間的單位間距是相 同的(除了鄰近主要圖案的邊緣虛置圖案之外)，因此最終掩模圖案中的虛置 圖案也可稱作單位間距虛置圖案(unit-pitch dummy patterns)。本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員當(dāng)可了解間距的大小可隨著所測(cè)量的間距方向不同而不同。然而，對(duì)于 某一特定方向，掩模中虛置圖案的相應(yīng)間距是相同的。另外，大抵所有虛置 圖案(除了鄰近主要圖案的邊緣虛置圖案外)在形狀與尺寸上均大抵相同。在 圖9C所示的情形中，虛置圖案40所組成的虛置圖案群具有一單位間距。
本發(fā)明實(shí)施例也可稱作反相虛置注入工藝(reversed dummy insertion process),這是因?yàn)椴煌诠に囅日页鰣D案稀疏區(qū)(pattem-sparse regions) 并接著注入虛置圖案到圖案稀疏區(qū)，本發(fā)明實(shí)施例將虛置圖案整個(gè)注入到窗 口區(qū)，并接著移除主要圖案區(qū)上不需要的虛置圖案。本發(fā)明實(shí)施例具有許多
li優(yōu)點(diǎn)。第一，GDS文件尺寸上的增加可縮到最小。 一實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示
GDS文件大小在虛置圖案注入之后，僅增加少于約百分之一的容量。與公知 技術(shù)相比，公知的虛置圖案注入一般會(huì)造成GDS文件大小增加10倍。第二， 虛置圖案的注入顯著地加快， 一般只需少于一天的時(shí)間，而公知的虛置注入 工藝一般需花費(fèi)好幾天的時(shí)間。第三，由于注入效率的增進(jìn)，晶片廠可自行 進(jìn)行虛置注入工藝，不需設(shè)計(jì)公司(designhouses)進(jìn)行虛置注入工藝?？蓽p少 設(shè)計(jì)公司產(chǎn)品定案(tapeout)的負(fù)擔(dān)。此外，對(duì)于掩模制造廠的專屬技術(shù)機(jī)密 可給予較佳的保護(hù)。
雖然本發(fā)明己以數(shù)個(gè)優(yōu)選實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明， 任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神 和范圍內(nèi)，當(dāng)可作任意的改動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán) 利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
1權(quán)利要求
1. 一種注入虛置圖案的方法，包括提供包括一主要圖案的一窗口區(qū)，其中該主要圖案包括具有一第一結(jié)構(gòu)類型的第一圖案及具有一第二結(jié)構(gòu)類型的第二圖案，且其中該第一結(jié)構(gòu)類型與該第二結(jié)構(gòu)類型是不同的類型；全面性地于該窗口區(qū)注入第一虛置圖案，其中所述第一虛置圖案為所述第一結(jié)構(gòu)類型的虛置圖案；放大該主要圖案以產(chǎn)生一放大型主要圖案，其中該放大型主要圖案占據(jù)該窗口區(qū)的一放大區(qū)域；自所述第一虛置圖案移除所述第一虛置圖案位于該放大區(qū)域中的部分，以產(chǎn)生第一反相虛置圖案；以及結(jié)合該主要圖案中的所述第一圖案與所述第一反相虛置圖案，以產(chǎn)生所述第一結(jié)構(gòu)類型的第一掩模圖案。
2. 如權(quán)利要求1所述的注入虛置圖案的方法，其中所述第一結(jié)構(gòu)類型包 括有源區(qū)，而所述第二結(jié)構(gòu)類型包括柵極電極，或其中所述第一結(jié)構(gòu)類型包 括柵極電極，而所述第二結(jié)構(gòu)類型包括有源區(qū)。
3. 如權(quán)利要求1所述的注入虛置圖案的方法，還包括 在該窗口區(qū)全面性地注入第二虛置圖案；自所述第二虛置圖案移除所述第二虛置圖案位于該放大區(qū)域中的部分， 以產(chǎn)生第二反相虛置圖案；以及結(jié)合該主要圖案中的所述第二圖案與所述第二反相虛置圖案，以產(chǎn)生所 述第二結(jié)構(gòu)類型的第二掩模圖案，其中該主要圖案中的所述第二圖案放置于 該放大區(qū)域中的一中間部分。
4. 如權(quán)利要求1所述的注入虛置圖案的方法，其中所述第一虛置圖案在 整個(gè)該窗口區(qū)中具有一單位間距。
5. 如權(quán)利要求1所述的注入虛置圖案的方法，其中所述第一虛置圖案包 括重復(fù)的相同虛置圖案群，且其中所述虛置圖案群在該窗口區(qū)中具有一單位 間距。
6. 如權(quán)利要求1所述的注入虛置圖案的方法，其中該放大型主要圖案的 一寬度比該主要圖案的一寬度大了百分之十到百分之五百之間。
7. 如權(quán)利要求1所述的注入虛置圖案的方法，在移除所述第一虛置圖案 位于該放大區(qū)域中的部分的步驟后，還包括進(jìn)行一平滑運(yùn)算步驟。
8. —種注入虛置圖案的方法，包括提供包括一主要圖案的一窗口區(qū)，其中該主要圖案的結(jié)構(gòu)類型包括柵極電極及有源區(qū)；在整個(gè)該窗口區(qū)注入虛置圖案；放大該主要圖案以產(chǎn)生一放大型主要圖案，其中該放大型主要圖案占據(jù) 該窗口區(qū)的一放大區(qū)域；自所述虛置圖案移除所述虛置圖案位于該放大區(qū)域中的部分，以產(chǎn)生反 相虛置圖案；以及結(jié)合該主要圖案與所述反相虛置圖案，以產(chǎn)生掩模圖案，其中該主要圖 案放置于該放大區(qū)域的一中間部分中。
9. 如權(quán)利要求8所述的注入虛置圖案的方法，其中所述虛置圖案在整個(gè) 該窗口區(qū)具有一單位間距。
10. 如權(quán)利要求8所述的注入虛置圖案的方法，其中所述虛置圖案包括 重復(fù)的相同虛置圖案群，且其中所述虛置圖案群在整個(gè)該窗口區(qū)中具有一單 位間距。
11. 一種掩模，包括 一窗口區(qū)，包括一主要圖案；以及虛置圖案，位于該主要圖案所占據(jù)區(qū)域外圍的一區(qū)域中，其中所述虛置 圖案在整個(gè)該窗口區(qū)中大抵具有一單位間距。
12. 如權(quán)利要求11所述的掩模，其中該主要圖案包括具有一第一結(jié)構(gòu)類 型的第一圖案及具有一第二結(jié)構(gòu)類型的第二圖案，且其中該第一結(jié)構(gòu)類型與 該第二結(jié)構(gòu)類型是不同的類型，且其中所述虛置圖案具有該第一結(jié)構(gòu)類型及 該第二結(jié)構(gòu)類型其中的一的類型。
13. 如權(quán)利要求11所述的掩模，其中所述虛置圖案具有朝向該主要圖案 的邊緣，且其中所述邊緣與該主要圖案的相應(yīng)最近部分之間具有一大抵相同 距離。
14. 如權(quán)利要求11所述的掩模，其中所有由其它虛置圖案所圍繞的中間 虛置圖案具有大抵相同的尺寸及形狀。
15.如權(quán)利要求11所述的掩模，其中所述虛置圖案包括相同的虛置圖案 群，每一所述虛置圖案群包括至少兩個(gè)彼此不相同的虛置圖案，且其中所述 虛置圖案群之間具有該單位間距。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種注入虛置圖案的方法及掩模，該方法包括提供包括主要圖案的窗口區(qū)，其中主要圖案包括具有第一結(jié)構(gòu)類型的第一圖案及具有第二結(jié)構(gòu)類型的第二圖案，且第一結(jié)構(gòu)類型與第二結(jié)構(gòu)類型是不同的類型，全面性地于窗口區(qū)注入第一虛置圖案，其中第一虛置圖案為第一結(jié)構(gòu)類型的虛置圖案，放大主要圖案以產(chǎn)生放大型主要圖案，其中放大型主要圖案占據(jù)窗口區(qū)的放大區(qū)域，自第一虛置圖案移除第一虛置圖案位于放大區(qū)域中的部分，以產(chǎn)生第一反相虛置圖案，及結(jié)合主要圖案中的第一圖案與第一反相虛置圖案，以產(chǎn)生第一結(jié)構(gòu)類型的第一掩模圖案。本發(fā)明中GDS文件尺寸增加可縮到最小，虛置圖案的注入加快，減少產(chǎn)品定案負(fù)擔(dān)，并可較佳的保護(hù)技術(shù)機(jī)密。
文檔編號(hào)G03F1/14GK101487973SQ20081016911
公開日2009年7月22日 申請(qǐng)日期2008年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月14日
發(fā)明者徐景馨, 羅增錦 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司