專利名稱：監(jiān)控光刻工藝的方法與監(jiān)控標記的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種可利用來監(jiān)控光刻工藝的監(jiān)控標記與監(jiān)控光刻工藝方 法，尤其涉及一種通過量測監(jiān)控標記的直線末端緊縮尺寸以監(jiān)控光刻工藝的 方法。
背景技術：
一般半導體裝置經(jīng)由上百道的半導體工藝所完成，其中芯片上的各種電
路布局則須以多道光刻工藝(photolithography processes)力。以定義形成。在執(zhí) 行光刻工藝時，先在半導體晶片的表面上涂布一層光致抗蝕劑，之后再通過 曝光過程將一光掩模的電路布局圖案映射至光致抗蝕劑上，以使光致抗蝕劑 的化學性質(zhì)因曝光而產(chǎn)生變化，之后可再通過去光致抗蝕劑劑將被光源照射 過的光致抗蝕劑或未經(jīng)曝光的光致抗蝕劑從晶片上去除，以形成對應于光掩 模的線路布局。通常光刻工藝的良率會受到其光刻系統(tǒng)的對焦位置的影響， 若對焦位置發(fā)生偏移，則會影響曝出圖案的精確度與關鍵尺寸(critical dimension, CD)大小，進而影響到分屬上、下層的電路布局是否能如預期 的接合以及半導體裝置的導電性品質(zhì)。
由上述可知，光刻工藝的對焦位置若發(fā)生偏差，則會對晶片上所形成光 刻圖案的精確度具有相當?shù)挠绊?，因此在生產(chǎn)線上必須定期檢視光刻工藝機 臺的各種工藝參數(shù)，包括其對焦位置是否具有變異的情形。目前業(yè)界用來檢 測機臺對焦參數(shù)的方法，在光掩模上制作類似對準標記的簡單幾何圖案，通 過量測其光刻后尺寸來判斷機臺是否在優(yōu)選對焦位置下進行工藝。然而，上 述傳統(tǒng)的標記圖案其光刻后尺寸變異對于對焦位置變化的敏感度較小，僅能 測試單點對焦情形，或是必須制作測機光掩模，影響到整體工藝成本。此外，
現(xiàn)行管理機臺對焦位置的方法并沒有即時監(jiān)控機臺工藝條件的功能，亦無法 根據(jù)測試結(jié)果隨時通報問題或調(diào)整工藝參數(shù)，因此無法有效掌握產(chǎn)品品質(zhì)， 對整體產(chǎn)能與成本有相當?shù)挠绊憽?br>
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種設于光掩模上的監(jiān)控標記以及利用該 監(jiān)控標記以即時監(jiān)控光刻工藝的方法，以改善已知因無法即時監(jiān)控光刻工藝 機臺的對焦工藝條件而影響產(chǎn)能與成本等問題。
根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求，提供一種監(jiān)控光刻工藝的方法，其包含提供一
光掩模，該光掩模包括一監(jiān)控標記，其具有至少一組直線末端圖案(line-end monitor pattern );提供一光刻系統(tǒng)，其可進行一光刻工藝以將光掩模上的圖 案轉(zhuǎn)移至一基底；提供一工藝條件數(shù)據(jù)庫，其包含該直線末端圖案經(jīng)過該光 刻工藝后發(fā)生的直線末端緊縮(line end shortening )尺寸與光刻系統(tǒng)的對焦 位置的一相對關系；進行該光刻工藝，以將光掩模上的圖案轉(zhuǎn)移至基底上， 形成至少一光刻標記圖案對應于監(jiān)控標記，且光刻標記圖案包含一光刻直線 圖案，對應于該直線圖案；量測光刻標記圖案的光刻后直線末端緊縮尺寸， 以得到一量測結(jié)果；以及將該量測結(jié)果與工藝條件數(shù)據(jù)庫進行比對，以監(jiān)控 光刻工藝的對焦位置是否發(fā)生偏差。
根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求，另披露一種用于監(jiān)控光刻工藝的監(jiān)控標記，其 具有至少一組直線末端圖案。該直線末端圖案包含至少一直線圖案與至少一 基準圖案，其中基準圖案設于直線圖案的一末端的一側(cè)，且基準圖案距離直 線圖案的該末端具有二線距。


圖1為本發(fā)明用于進行光刻工藝的一光刻系統(tǒng)的示意圖。 圖2為本發(fā)明RTFM監(jiān)控標記的示意圖。
圖3為圖2所示監(jiān)控標記經(jīng)光刻工藝后形成的光刻標記圖案的示意圖。 圖4為本發(fā)明RTFM監(jiān)控標記經(jīng)曝光后的光刻后直線末端線距對應光刻 系統(tǒng)對焦位置的 一 關系曲線圖。
圖5為本發(fā)明RTFM監(jiān)控標記的另一實施例的示意圖。 圖6為本發(fā)明包含圖5所示監(jiān)控標記的光掩模的示意圖。 圖7為本發(fā)明監(jiān)控光刻工藝的方法的流程示意圖。 圖8為本發(fā)明建立工藝條件數(shù)據(jù)庫的流程示意圖。
附圖標記說明10光刻系統(tǒng)
14光源
12步進機
16光掩模承座
20晶片承座
24半導體晶片
32直線末端監(jiān)控圖案
34a直線圖案末端
30，光刻標記圖案
34a，光刻直線圖案末端
40監(jiān)控標記
42a第一組直線末端監(jiān)控圖案
18光學裝置 22光掩模 30監(jiān)控標記 34直線圖案 36基準圖案
34'光刻直線圖案 36，光刻基準圖案 42直線末端監(jiān)控圖案
42b第二組直線末端監(jiān)控圖案 42c第三組直線末端監(jiān)控圖案 42d第四組直線末端監(jiān)控圖案
100 ~ 114 監(jiān)控光刻工藝的方法流程 116工藝條件數(shù)據(jù)庫
118光刻后直線末端緊縮尺寸最小CD值 200 ~ 204建立工藝條件數(shù)據(jù)庫的方法流程
具體實施例方式
請參考圖1,圖1為本發(fā)明進行一光刻工藝的示意圖。本發(fā)明利用一光 刻系統(tǒng)IO來進行光刻工藝，光刻系統(tǒng)IO可包含一步進機12,其具有一光源 14、 一光掩模承座16、 一光學裝置18以及一晶片承座20。在進行光刻工藝 時，提供包含產(chǎn)品圖案的光掩模22設置于光掩模承座16,并同時提供如半 導體晶片24的目標基底設置于晶片承座20上，再利用步進機12的光源14 提供曝光能量而將產(chǎn)品聚焦光刻至半導體晶片24表面的光致抗蝕劑材料， 以在光致抗蝕劑材料上形成光刻圖案。通過步進機12重復地對半導體晶片 24的不同區(qū)域進行曝光程序(shot),以在半導體晶片24表面形成多個光刻 后的產(chǎn)品圖案，之后可進行顯影、蝕刻等其他半導體工藝，以圖案化半導體 晶片24的表層材料。
44直線圖案 50光掩模 54切割道區(qū)域
46、 48基準圖案 52產(chǎn)品圖案區(qū)域 56曝光區(qū)域為了監(jiān)控光刻系統(tǒng)10是否在良好對焦位置設定下進行光刻工藝，本發(fā)
明設計在光掩模22的產(chǎn)品圖案的一側(cè)另設置至少一監(jiān)控標記，以提供即時 監(jiān)控光刻系統(tǒng)IO的工藝條件與良率的功能。請參考圖2，圖2為本發(fā)明提供 即時對焦監(jiān)控(real-time focus monitor, RTFM )功能的監(jiān)控標記30的示意 圖。監(jiān)控標記30包含一組直線末端監(jiān)控圖案32，其中直線末端監(jiān)控圖案32 包括至少一直線圖案34與一基準圖案36，設于直線圖案34的一末端34a 的一側(cè)，且基準圖案36優(yōu)選包含垂直于直線圖案34的一基準直線圖案(如 圖2所示)，其和直線圖案34的末端34a具有一線距D。在本發(fā)明的優(yōu)選實 施例中，直線圖案34的線寬W可為約0.15至0.3(H鼓米，而線距D可為約 0.5樣i米左右。
由于一般曝光機臺的解析度極限會導致光刻圖案發(fā)生直線末端緊縮效 應(line-end shortening effect),因此在光刻工藝后，本發(fā)明的監(jiān)控標記30 于半導體晶片24表面所形成的圖案，亦會因為直線末端緊縮效應而使得末 端34a向下緊縮一尺寸。請參考圖3,圖3為本發(fā)明的監(jiān)控標記30經(jīng)光刻工 藝后，在目標基底表面形成的光刻標記圖案30，的示意圖。光刻標記圖案30' 包含一光刻直線圖案34，與一光刻基準圖案36，，分別對應于光掩模22上的 直線圖案34與基準圖案36,且光刻標記圖案30，另包含一線距D，，對應于 原監(jiān)控標記30的線距D。在直線末端緊縮效應的影響下，末端34a'因緊縮 而使得線距D，較大于原本的線距D，且線距D，為原本的線距D與 一直線末 端緊縮尺寸S的總和。由于直線末端緊縮尺寸S對于光刻系統(tǒng)10的對焦位 置具有相當高的敏感度，因此光刻系統(tǒng)10的對焦位置若稍有偏差，則直線 末端緊縮尺寸S即會有較大的變異，且對焦位置偏差越大時，直線末端緊縮 尺寸S亦越大，故本發(fā)明即利用此特性，通過量測直線末端緊縮尺寸S或線 距D，而對光刻系統(tǒng)10進行工藝條件的監(jiān)控。
請參考圖4,圖4為本發(fā)明RTFM監(jiān)控標記經(jīng)曝光后的線距D，相對光刻 系統(tǒng)對焦位置的一關系曲線圖，其中縱軸表示線距D，的CD值。如圖所示， 當對焦位置有稍微變異的情形時，線距D，即有很明顯的改變，且對焦位置 偏移越多，線距D，的CD值也越大。再者，由于線距D，對光刻系統(tǒng)對焦位 置的關系曲線為一呈下凹圓弧狀的曲線，在圓弧狀曲線的最低點即可視為光 刻系統(tǒng)具有最佳對焦位置的情形，此時，線距D，亦具有最小CD值，如圖中 虛線圓圈標示處。如前所述，本發(fā)明利用直線末端圖案對于光刻系統(tǒng)對焦位置具有相當高 的敏感度特性，而將其應用于監(jiān)控標記中，通過量測其光刻后直線末端線距
的CD值，并對照圖4所示的曲線圖，即可監(jiān)控了解光刻系統(tǒng)或機臺是否在 優(yōu)選的對焦情形下進行光刻工藝。舉例而言，依據(jù)圖4所示，當光刻系統(tǒng)在 最佳的對焦位置0.1微米下進行光刻工藝時，其在目標基底上所形成的光刻 標記圖案的光刻后線距D，的CD值應為約0.93微米。然而，若在光刻工藝 后，量測光刻標記圖案的線距D，所得的結(jié)果大于0.93微米，即可得知光刻 系統(tǒng)的對焦位置發(fā)生了偏差。進一步言之，若量測所得的線距D，的CD值為 0.98微米，則根據(jù)圖4的曲線圖可得知，光刻系統(tǒng)的對焦位置可能偏移至-0.3 或0.45微米。因此，在光刻工藝之前提供一包含圖4所示曲線圖的工藝條件 數(shù)據(jù)庫，并通過即時量測各光刻工藝后的光刻標記圖案線距D，，再與工藝 條件數(shù)據(jù)庫進行比對，便可即時掌握光刻系統(tǒng)的對焦情形，若發(fā)生對焦偏差， 亦可隨時調(diào)整光刻系統(tǒng)的工藝參數(shù)以維持良好的工藝條件。
值得注意的是，在其他的實施例中，圖4所示曲線圖亦可以圖3所示的 直線末端緊縮尺寸S作為縱軸座標，同樣能顯示出光刻標記圖案對于光刻系 統(tǒng)對焦位置的變異的高敏感性與相對關系。
請參考圖5，圖5為本發(fā)明監(jiān)控標記的一優(yōu)選實施例的示意圖。本發(fā)明 監(jiān)控標記40包含多組直線末端監(jiān)控圖案42(圖5顯示出四組)，各組直線末 端監(jiān)控圖案42皆包含一直線圖案44與二基準圖案46、 48,分別設于直線圖 案44的一直線末端的一側(cè)，且與直線圖案44具有一線距D。此外，各組直 線末端監(jiān)控圖案42的直線圖案44不互相平行，例如各組直線末端監(jiān)控圖案 42的直線圖案44與水平軸的夾角分別為0°、 45°、 90°與135°，并且相交于 一交點O,呈"米"字型排列，其中交點O優(yōu)選約為直線圖案44的中點。 且在對光刻工藝進行監(jiān)控時，可利用量測四組直線末端監(jiān)控圖案42經(jīng)光刻 后的線距D，，以監(jiān)控不同角度圖案的光刻與對焦情形。
另一方面，在實際利用本發(fā)明監(jiān)控標記40來監(jiān)控光刻系統(tǒng)IO時，將監(jiān) 控標記40整合設置于包含產(chǎn)品圖案的光掩模上。圖6為本發(fā)明包含圖5所 示監(jiān)控標記40的光掩模的示意圖。如圖6所示，光掩模50包含一曝光區(qū)域 56，而在光刻工藝的一次曝光程序中，會將曝光區(qū)域56內(nèi)的圖案轉(zhuǎn)移至目 標基底上。曝光區(qū)域56內(nèi)包含多個產(chǎn)品圖案區(qū)域52與至少 一切割道區(qū)域54， 其中切割道區(qū)域54環(huán)繞于產(chǎn)品圖案區(qū)域52的外圍。產(chǎn)品圖案區(qū)域52內(nèi)分別設置了產(chǎn)品圖案(圖未示)，進行光刻工藝的主要目的即為了將產(chǎn)品圖案 轉(zhuǎn)移至目標基底。本發(fā)明監(jiān)控標記40設于切割道區(qū)域54內(nèi)，相鄰于產(chǎn)品圖
案區(qū)域52，且優(yōu)選位于曝光區(qū)域56的邊角、中心點以及上述部分的中點， 一般而言，監(jiān)控標記40亦鄰近于產(chǎn)品圖案區(qū)域52的邊角外圍而設置。在圖 6中，進行光刻工藝的一曝光程序時，會同時將產(chǎn)品圖案區(qū)域52內(nèi)的產(chǎn)品圖 案與切割道區(qū)域54內(nèi)的監(jiān)控標記40光刻至目標基底，類似地進行重復的曝 光程序，將曝光區(qū)域56光刻至目標基底表面的不同部分，以完成一光刻工
藝
本發(fā)明監(jiān)控對焦情形的方法，即在進行一光刻工藝之后，利用掃描式電 子顯凝:鏡(scanning electron microscopy, SEM )或其他4義器對光刻在目標基 底上的光刻標記圖案進行量測，例如依據(jù)需要而分別量測第一組、第二組、 第三組或第四組直線末端監(jiān)控圖案42a、 42b、 42c、 42d所對應的線距D，的 CD值，再與如圖4所示曲線圖等工藝條件數(shù)據(jù)庫進行對比，進行如前所述 的光刻后直線末端線距D，的CD值比對與分析，即可得知是否發(fā)生對焦偏差 以及偏差多少距離。
在本實施例中，在一曝光區(qū)域56設置至少三監(jiān)控標記40于切割道區(qū)域 54內(nèi)的不同部分，以對光刻工藝進行對焦平面偏差的監(jiān)控。其方法在進行光 刻工藝后或一次曝光程序后，分別纟企查至少三監(jiān)控標記40對應的光刻標記 圖案，量測各光刻標記圖案的直線末端緊縮尺寸S或線距D，，將量測結(jié)果 與工藝條件數(shù)據(jù)庫進行比對，便可了解對焦平面是否發(fā)生傾斜偏差，并進一 步得知水平、垂直方向的偏差數(shù)值。
圖7為本發(fā)明監(jiān)控光刻工藝的方法的流程示意圖，其包含有下列步驟
步驟100:提供一光掩模，其包含至少一產(chǎn)品圖案與至少一本發(fā)明監(jiān)控 標記，如圖6所示，其中本發(fā)明監(jiān)控標記包含至少一組直線末端監(jiān)控圖案， 且在優(yōu)選實施例中，其包含如圖5所示的四組直線末端監(jiān)控圖案，且各組直 線末端監(jiān)控圖案皆具有一直線圖案與一基準圖案，又該基準圖案與該直線圖 案的末端具有一線距；
步驟102:提供用來進行一光刻工藝的一光刻系統(tǒng)，以將步驟100中光 掩模的圖案轉(zhuǎn)移至一目標基底的表層上，例如一光致抗蝕劑材料上，其中本 發(fā)明監(jiān)控標記經(jīng)光刻后會在該表層上形成對應的光刻標記圖案；
步驟104:提供該光刻系統(tǒng)的一工藝條件數(shù)據(jù)庫116,其有關于光刻標記圖案的線距D，(或直線末端緊縮尺寸S)與光刻系統(tǒng)的對焦位置的相對關 系數(shù)據(jù)，如圖4所示的曲線步驟106:可選擇性地(optionally)根據(jù)工藝條件數(shù)據(jù)庫116，設定該 光刻工藝的最佳對焦位置與相對應的一線距D，(或直線末端緊縮尺寸S) 的最小CD值118;
步驟108:進行光刻工藝，將光掩模上的監(jiān)控標記轉(zhuǎn)移至目標基底上， 以得到一光刻標記圖案；
步驟110:量測該光刻標記圖案的直線末端緊縮尺寸S或線距D，的CD 值，以得到一量測結(jié)果；
步驟112:將步驟110的量測結(jié)果與步驟104的工藝條件數(shù)據(jù)庫116進 行比對，或?qū)⒘繙y結(jié)果與線距D， /直線末端緊縮尺寸S的最小CD值118進 行比對，即可得知光刻系統(tǒng)是否發(fā)生對焦偏差與偏差的距離；以及
步驟114:當步驟110的量測結(jié)果大于線距D， /直線末端緊縮尺寸S的 最小CD值118時，可根據(jù)工藝條件數(shù)據(jù)庫116進行檢測與調(diào)整該光刻工藝 的工藝條件。
其中，才艮據(jù)本發(fā)明的方法，可另外才是供一工藝統(tǒng)計控制(statistical process control, SPC)系統(tǒng)，并將步驟112的比對結(jié)果即時回傳給SPC系統(tǒng)，若發(fā) 現(xiàn)光刻工藝的對焦位置發(fā)生偏差時，SPC系統(tǒng)即可于步驟114中通知相關操 作人員根據(jù)比對結(jié)果對光刻系統(tǒng)進行檢測與調(diào)整，以達到即時監(jiān)控與調(diào)整工 藝參數(shù)的目的，將光刻系統(tǒng)維持在優(yōu)選的對焦位置等工藝條件下，同時改善 產(chǎn)品良率。另一方面，SPC系統(tǒng)亦可紀錄每一次步驟112的比對結(jié)果，或設 定SPC系統(tǒng)在固定周期下對光刻工藝進行對焦平面偏差檢測，以提供光刻系 統(tǒng)性能的周期性分析。
此外，在步驟104中提供工藝條件數(shù)據(jù)庫116時，可預先提供本發(fā)明光 刻系統(tǒng)的一標準工藝條件，其包含光刻工藝的光致抗蝕劑材料、曝光條件和 光刻系統(tǒng)的工藝參數(shù)及其相關設定，例如對焦位置，再根據(jù)該標準工藝條件 而建立工藝條件數(shù)據(jù)庫116。此外，建立工藝條件數(shù)據(jù)庫116的方法顯示于 圖8,其包含下列步驟
步驟200:提供至少一測試基底；
步驟202:利用光刻系統(tǒng)進行光刻測試工藝，包括以不同的對焦位置而 進行多次光刻工藝，反復地將步驟100的光掩模的圖案光刻于該測試基底上，形成多個測試標記圖案；以及
步驟204:量測該測試基底上的各測試標記圖案的線距D，或直線末端緊 縮尺寸S，將量測所得的數(shù)據(jù)與這些測試工藝的相對應對焦位置制作成如圖 4的曲線圖，以建立工藝條件數(shù)據(jù)庫116。
另一方面，除了在線上量產(chǎn)時可利用本發(fā)明監(jiān)控標記來即時監(jiān)控光刻系 統(tǒng)的對焦位置，本發(fā)明如圖5所示的監(jiān)控標記40亦可應用于測試光掩模的 開發(fā)上，同樣地，通過在測試光掩模的切割道區(qū)域設置至少三監(jiān)控標記40 并進行測試光刻工藝，即可了解機臺在進行光刻工藝時是否發(fā)生聚焦平面偏 差、傾斜(tilt )、光學系統(tǒng)變形(lens aberration )或幾何曲率(curvature )變 異等情形，進而改善光掩模設計或機臺設定。
相較于已知技術，本發(fā)明利用直線圖案末端相對機臺對焦位置的敏感度 特性，提供一對于對焦位置具有高敏感的監(jiān)控標記。此外，本發(fā)明監(jiān)控光刻 工藝的方法細將監(jiān)控標記設于光掩模的切割道區(qū)域中，在進行曝光工藝時， 同時將本發(fā)明監(jiān)控標記與產(chǎn)品圖案光刻至目標基底上，并在線上量產(chǎn)的每一 批次光刻工藝后，通過量測本發(fā)明監(jiān)控標記的直線末端線距或者直線末端緊 縮尺寸而即時得知機臺對焦位置是否發(fā)生偏差，因此不需要停機進行測試， 可配合SPC系統(tǒng)隨產(chǎn)品進行監(jiān)控，不會影響工藝產(chǎn)能，更可即時掌握光刻工 藝結(jié)果，提高良率與降低工藝成本。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的等同變 化與修飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1、一種監(jiān)控光刻工藝的方法，其包含(a)提供一光掩模，其包含一監(jiān)控標記，該監(jiān)控標記包含至少一組直線末端圖案；(b)提供一光刻系統(tǒng)，該光刻系統(tǒng)可進行一光刻工藝，以將該光掩模上的圖案轉(zhuǎn)移至一基底；(c)提供該光刻工藝的一工藝條件數(shù)據(jù)庫，其包含該直線末端圖案經(jīng)過該光刻工藝后發(fā)生的直線末端緊縮尺寸與該光刻系統(tǒng)的對焦位置的一相對關系；(d)進行該光刻工藝，將該光掩模上的圖案轉(zhuǎn)移至該基底上而形成至少一光刻標記圖案對應于該監(jiān)控標記；(e)量測該光刻標記圖案的一直線末端緊縮尺寸，以得到一量測結(jié)果；以及(f)將該量測結(jié)果與該工藝條件數(shù)據(jù)庫進行比對，以監(jiān)控該光刻工藝的對焦位置是否發(fā)生偏差。
2、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該組直線末端圖案至少由一直線圖 案以及一基準圖案所構(gòu)成，該基準圖案與該直線圖案的一末端具有一線距。
3、 如權(quán)利要求2所述的方法，其中該工藝條件數(shù)據(jù)庫包含該光刻標記 圖案的該線距相對該光刻系統(tǒng)的對焦位置變異的 一 曲線圖。
4、 如權(quán)利要求2所述的方法，其中該基準圖案包含一基準直線圖案， 垂直于該直線圖案。
5、 如權(quán)利要求2所述的方法，其中該監(jiān)控標記包含多組直線末端圖案， 且這些直線末端圖案的這些直線圖案不互相平行。
6、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該工藝條件數(shù)據(jù)庫包含該光刻系統(tǒng) 在最佳對焦位置所對應的一直線末端緊縮尺寸，并且該直線末端緊縮尺寸具 有一最小值。
7、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該光掩模包含一產(chǎn)品圖案區(qū)域與一 切割道區(qū)域，且該監(jiān)控標記設于該切割道區(qū)域內(nèi)。
8、 如權(quán)利要求7所述的方法，其中該光掩模包含至少三監(jiān)控標記設于 該切割道區(qū)域內(nèi)，.以利用這些監(jiān)控標記監(jiān)控該光刻系統(tǒng)是否發(fā)生對焦平面偏差。
9、 如權(quán)利要求l所述的方法，其另包含 提供一工藝統(tǒng)計控制系統(tǒng)；以及將該直線末端緊縮尺寸與該工藝條件數(shù)據(jù)庫的比對結(jié)果回傳至該工藝 統(tǒng)計控制系統(tǒng)，當監(jiān)控出該光刻工藝的對焦位置發(fā)生偏差時，即時調(diào)整該光 刻工藝的工藝條件。
10、 一種用于監(jiān)控光刻工藝的監(jiān)控標記，其具有至少一組直線末端圖案， 其包含至少一直線圖案；以及至少一基準圖案，設于該直線圖案的一末端的一側(cè)，該基準圖案距離該 直線圖案的該末端具有一線距。
11、 如權(quán)利要求10所述的監(jiān)控標記，其中該基準圖案包含一基準直線 圖案，垂直于該直線圖案，且該基準直線圖案與該直線圖案的距離為該線距。
12、 如權(quán)利要求10所述的監(jiān)控標記，其包含多組直線末端圖案，且這 些直線末端圖案的這些直線圖案不互相平行。
13、 如權(quán)利要求12所述的監(jiān)控標記，其包含四組直線末端圖案，且這 些直線末端圖案的這些直線圖案與一水平軸的夾角分別為0°、 45°、 90°與 135。。
14、 如權(quán)利要求13所述的監(jiān)控標記，其中這些直線末端圖案的這些直 線圖案相交于一交點。
15、 如權(quán)利要求14所述的監(jiān)控標記，其中該交點為這些直線圖案的一 巾點。
16、 如權(quán)利要求14所述的監(jiān)控標記，其中這些直線圖案呈一 "米"字 型排列。
17、 如權(quán)利要求12所述的監(jiān)控標記，其中各該直線末端圖案包含二基 準圖案，分別設于相對應的該直線圖案的一末端的一側(cè)。
18、 如權(quán)利要求10所述的監(jiān)控標記，其設于一光掩模的一切割道區(qū)域 內(nèi)，并且該監(jiān)控標記與該光掩模上的 一產(chǎn)品圖案經(jīng)過一光刻工藝同時轉(zhuǎn)移至 一基底上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種監(jiān)控光刻工藝的方法與一種監(jiān)控標記，其提供對于光刻工藝的對焦位置具高敏感度的監(jiān)控標記，并在光刻工藝中同時形成該監(jiān)控標記，通過量測該監(jiān)控標記經(jīng)光刻后圖案尺寸的變異，以即時監(jiān)控光刻工藝的對焦位置。該監(jiān)控標記具有至少一組直線末端圖案，并包含至少一直線圖案；以及至少一基準圖案，設于該直線圖案的一末端的一側(cè)，該基準圖案距離該直線圖案的該末端具有一線距。
文檔編號G03F1/44GK101561633SQ20081009331
公開日2009年10月21日 申請日期2008年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月18日
發(fā)明者吳健民, 陳建志 申請人:力晶半導體股份有限公司