專利名稱：顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種能夠改進(jìn)信號的輸出特性并防止由斷開的信號線引起的缺陷顯示器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般來說，液晶顯示(LCD)器件在液晶中的透光率的控制下顯示圖像。LCD器件由包括多個排列成矩陣結(jié)構(gòu)的像素區(qū)域的LCD面板以及驅(qū)動該LCD面板的驅(qū)動電路組成。
驅(qū)動電路包括驅(qū)動?xùn)啪€的柵驅(qū)動器；驅(qū)動數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)驅(qū)動器；以及控制柵驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器的時序控制器。
柵驅(qū)動器包括順序輸出掃描脈沖的移位寄存器。移位寄存器包括多個互相級聯(lián)的級，其中多個級順序輸出掃描脈沖以依次掃描LCD面板的柵線。
多個具有相續(xù)的相位差的時鐘脈沖其中至少之一施加給多個級。因此，移位寄存器需要多條信號線提供時鐘脈沖。
然而，如果移位寄存器在LCD面板的薄膜晶體管(TFT)陣列基板中形成，在TFT陣列基板上形成多條信號線，從而引起以下問題。
當(dāng)在基板上形成信號線時，信號線由和柵線或數(shù)據(jù)線相同的金屬材料形成，并且各信號線的寬度是幾微米(μm)。同時，由于信號線以單條線形成，信號線具有較小的橫截面積。當(dāng)通過信號線傳輸電信號時，電阻由于信號線較小的橫截面積而增加。因此，通過信號線發(fā)送電信號的時間被延遲從而移位寄存器的輸出特性惡化。在器件的制造工藝上，信號線容易斷開，從而器件的不合格率增加。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種顯示器件及其制造方法，其基本上消除由于現(xiàn)有技術(shù)的局限性和缺陷引起的一個或多個問題。
本發(fā)明的一個目的在于提供一種能夠改善信號的輸出特性并防止由斷開的信號線引起缺陷的顯示器件，以及其制造方法。
本發(fā)明的其它優(yōu)點、目的和特征將在說明書中闡明，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員從說明書可以明白，或可以通過本發(fā)明的實施方式理解。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點將通過說明書和權(quán)利要求書以及附圖所指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。
為了獲得這些目的和其它的優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體和廣泛描述的，一種顯示器件包括在基板上形成的驅(qū)動電路；至少一條第一信號線，包括互相重疊且其間夾有絕緣層的下線和上線，該第一信號線在所述驅(qū)動電路的一側(cè)形成；以及至少一條第二信號線，將所述第一信號線連接到所述驅(qū)動電路。
在另一方面，一種顯示器件的制造方法，包括形成至少一條第一信號線，所述至少一條第一信號線包括互相重疊且其間夾有第一絕緣層的下線和上線；以及形成至少一條第二信號線，以將所述第一信號線電連接到驅(qū)動電路。
應(yīng)該理解，本發(fā)明上面的概括性描述和下面的詳細(xì)說明都是示例性和解釋性的，其目的在于對本發(fā)明的權(quán)利要求作進(jìn)一步解釋。


本申請所包含的附圖用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，其與說明書相結(jié)合并構(gòu)成說明書的一部分，所述附圖表示本發(fā)明的實施例并與說明書一起解釋本發(fā)明的原理。在圖中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的LCD器件的示意圖；圖2示出了包括在圖1的柵驅(qū)動器中的移位寄存器的示意圖；圖3A至3C示出了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的圖2中各種信號線的平面圖；圖4A示出了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的信號線的接觸結(jié)構(gòu)的平面圖；圖4B是沿著圖4A中的IV-IV’的信號線的橫截面圖；圖5A示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施方式的信號線的另一接觸結(jié)構(gòu)的平面圖；以及圖5B是沿著圖5A的V-V’的信號線的橫截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在詳細(xì)參照附圖所示的示例，說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。盡可能的，相同的附圖標(biāo)記在所有的圖中指代相同或相似的部分。
下文中，將參照

根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的LCD器件及其制造方法。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的LCD器件的示意圖。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的LCD器件包括包括多條在TFT陣列基板10上形成的柵線和數(shù)據(jù)線的LCD面板20；包括多個數(shù)據(jù)驅(qū)動器30以驅(qū)動多條數(shù)據(jù)線的多個數(shù)據(jù)電路薄膜50，其中多個數(shù)據(jù)驅(qū)動器30分別設(shè)置在數(shù)據(jù)驅(qū)動薄膜50上；以及驅(qū)動多條柵線的柵驅(qū)動器40。
LCD面板20包括由多條柵線和數(shù)據(jù)線限定的各像素區(qū)域中形成的薄膜晶體管(TFT)；以及驅(qū)動液晶分子的像素電極。薄膜晶體管(TFT)響應(yīng)柵線的掃描脈沖向像素電極提供數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號。
各數(shù)據(jù)驅(qū)動器30設(shè)置在數(shù)據(jù)電路薄膜50上，從而數(shù)據(jù)驅(qū)動器30連接在LCD面板20和數(shù)據(jù)印刷電路板(數(shù)據(jù)PCB)60之間。數(shù)據(jù)驅(qū)動器30轉(zhuǎn)換來自外部的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)為模擬視頻數(shù)據(jù)；并且每一水平周期向數(shù)據(jù)線提供一水平行的模擬視頻數(shù)據(jù)。即，數(shù)據(jù)驅(qū)動器30基于模擬視頻數(shù)據(jù)的灰度值選擇具有預(yù)先確定級別的伽馬電壓；并且向數(shù)據(jù)線提供選擇的伽馬電壓。
柵驅(qū)動器40包括順序產(chǎn)生掃描脈沖的移位寄存器。響應(yīng)該掃描脈沖，薄膜晶體管(TFT)導(dǎo)通。同時，移位寄存器在TFT陣列基板10中形成并與其集成在一起。
圖2示出了包括在圖1的柵驅(qū)動器中的移位寄存器的示意圖。
如圖2所示，移位寄存器包括互相級聯(lián)的‘n’個級(ST1至STn)；和一個虛擬級(STn+1)?！畁’個級(ST1至STn)和一個虛擬級(STn+1)依次輸出掃描脈沖(Vout1至Voutn+1)。這時，從‘n’個級(ST1至STn)輸出的掃描脈沖(Vout1至Voutn+1)被順序提供給柵線從而依次掃描柵線。
這樣，‘n+1’個級(ST1至STn+1)共同施加有第一和第二驅(qū)動電壓。同時，‘n+1’個級(ST1至STn+1)施加有多個時鐘脈沖，例如，第一至第三時鐘脈沖(CLK1至CLK3)中至少之一。多條信號線在移位寄存器的周圍形成從而移位寄存器被提供有時鐘脈沖和驅(qū)動電壓。特別是，信號線通過在下導(dǎo)電層和上導(dǎo)電層之間夾有絕緣層的雙導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)中形成。下導(dǎo)電層和上導(dǎo)電層并聯(lián)連接從而信號線電阻可以減少并且可以防止信號線的斷開。下面詳細(xì)說明該信號線。
同時，第一級(ST1)提供有起始脈沖(SP)，而第二至虛擬級(ST2至STn+1)依次提供有前一級的輸出信號，其中前一級的輸出信號的作用為觸發(fā)信號。同時，第一至‘n’級(ST1至STn)提供有下一級的輸出信號作為復(fù)位信號。第一驅(qū)動電壓(VDD)是柵導(dǎo)通電壓(VGON)，而第二驅(qū)動電壓(VSS)是柵截止電壓(VGOFF)。
圖3A至3C示出了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的圖2中各種信號線的平面圖。
如圖3A所示，信號線103可以包括下線100和上線102，其中下線100在基板(未示出)上形成，而上線102與下線100重疊。絕緣層(未示出)夾在下線100和上線102之間，并且下線100包括預(yù)定的突出101。
下線100由與顯示區(qū)域的柵線相同的金屬材料形成。具體地說，通過濺射在基板上形成柵金屬層，然后通過光刻和蝕刻構(gòu)圖，從而形成柵線和下線100。此外，突出101在下線100中形成。各柵線和下線100具有大約2000的厚度。同時，柵線和下線100可以由鋁(AL)、釹化鋁(AlNd)、鉬(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)、或鉻(Cr)形成，其中柵線和下線100各以單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)形成。
雖然未示出，但是在包括下線100和柵線的基板的整個表面上形成絕緣層。絕緣層可以由無機(jī)絕緣材料形成，例如，氮化硅(SiN)或二氧化硅(SiO2)。
上線102和顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線由相同的金屬材料形成。這時，上線102在下線100上形成。具體地說，通過濺射在基板上形成數(shù)據(jù)金屬層，然后通過光刻和蝕刻構(gòu)圖，從而形成數(shù)據(jù)線和上線102。雖然未示出，但是在上線102中形成突起。數(shù)據(jù)線和上線102各具有大約3000的厚度。同時，數(shù)據(jù)線和上線102可以由鋁(AL)、釹化鋁(AlNd)、鉬(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)、或鉻(Cr)形成，其中數(shù)據(jù)線和上線102各以單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)形成。
在另一方面，上線102可以像顯示區(qū)域的像素電極一樣由透明導(dǎo)電層形成，但是，在透反式(透射-反射)類型顯示器件中，上線102可以由與反射電極相同的反射金屬材料形成。
如圖3B所示，信號線103可以包括下線100和上線102，其中下線100在基板上形成(未示出)，而上線102和下線100重疊。這時，在互相重疊的下線100和上線102之間存在絕緣層。此外，提供多個接觸點104和105以電連接下線100和上線102到彼此。
下線100和上線102通過由焊接或在絕緣層中形成接觸孔通過多個接觸點104和105互相電連接。因此，包括下線100和上線102的雙層結(jié)構(gòu)的信號線103形成的厚度大約5000，從而信號線的電阻由于信號線的橫截面的增加而降低。信號線的電阻可以基于信號線的橫截面以及周圍環(huán)境如溫度或氣壓而改變。因為信號線的電阻和信號線的橫截面成反比，由于信號線103的大尺寸橫截面而改善了信號的輸出特性。
雖然未示出，但是即使下線100和上線102在形成信號線103的過程中斷開，由于多個接觸點器件沒有電斷開，從而減少器件的不合格率。
如圖3C所示，信號線103包括下線100和上線102，其中下線100在基板(未示出)上形成，而上線102和下線100以其間夾有絕緣層的狀態(tài)重疊。這時，上線102具有預(yù)定的開口部分。在開口部分的周圍，存在多個接觸點106和107，通過這些接觸點下線100電連接到上線102。
上線102的開口部分可以通過形成上線102的工藝中的光刻和蝕刻而形成。通過上線的開口部分，可以補償通過以下工藝形成的第二信號線的高度差。
圖4A示出了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式信號線的接觸結(jié)構(gòu)的平面圖。圖4B是沿著圖4A中的IV-IV’的信號線的橫截面圖。
如圖4A和4B所示，信號線包括由互相重疊且其間夾有絕緣層500的下線100和上線102形成的第一信號線103；以及通過多個接觸孔202和203連接到第一信號線103的第二信號線201。
此外，第一信號線103的下線100包括突出101。同時，第二信號線201與第一信號線以其間夾有第二絕緣層600狀態(tài)垂直交叉。第一信號線103通過第二信號線201電連接到柵驅(qū)動器。
具體地說，第二信號線201和第一信號線103的上線102通過貫穿第二絕緣層600的第一接觸孔202電連接。同時，第二信號線201和在第一信號線103的下線100中形成的突出101通過貫穿第一和第二絕緣層500和600的第二接觸孔203電連接。因此，第二信號線201可以并行地連接第一信號線的下線100和上線102。通過第一和第二接觸孔202和203，第一信號線103和第二接觸孔201之間的接觸面積比相關(guān)技術(shù)的單線增加，從而改善了信號傳輸?shù)妮敵鎏匦浴?br> 將參照圖4B說明根據(jù)本發(fā)明的形成信號線的方法。
首先，通過濺射在基板10沉積上對應(yīng)第一導(dǎo)電層的柵金屬層，然后通過光刻和蝕刻構(gòu)圖，從而形成作為一體的下線100和突出101。
然后通過PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積)在基板10上形成對應(yīng)第一絕緣層500的柵絕緣層以覆蓋下線100。第一絕緣層500由無機(jī)絕緣材料氮化硅(SiN)或二氧化硅(SiO2)或者有機(jī)絕緣材料形成。
下面，通過濺射在第一絕緣層500上沉積對應(yīng)第二導(dǎo)電層的數(shù)據(jù)金屬層，然后通過光刻和蝕刻構(gòu)圖，從而形成和下線100重疊的上線102。
然后，通過PECVD或非旋轉(zhuǎn)涂覆方法在基板10上形成對應(yīng)第二絕緣層600的鈍化層以覆蓋上線102。此后，第二絕緣層600通過光刻和蝕刻構(gòu)圖，從而形成第一和第二接觸孔202和203以暴露出突出101和預(yù)先確定的上線102的一部分。這時，第二絕緣層600由無機(jī)絕緣材料氮化硅(SiN)或二氧化硅(SiO2)或者有機(jī)絕緣材料形成。
為了形成第二信號線201，以濺射的沉積方法形成第三導(dǎo)電層，然后通過光刻和蝕刻構(gòu)圖，從而形成第二信號線201。這時，第二信號線201可以由與像素電極相同的透明導(dǎo)電層形成。透明導(dǎo)電層可以采用ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、ITZO(氧化銦錫鋅)、或TO(氧化錫)。在透反式(透射-反射)類型顯示器件的情況下，第二信號線201可以由與顯示區(qū)域的反射電極相同的反射金屬材料形成。
圖5A示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施方式的信號線的另一接觸結(jié)構(gòu)的平面圖。圖5B是沿著圖5A的V-V’的信號線的橫截面圖。
如圖5A和5B所示，信號線包括由互相重疊且其間夾有第一絕緣層500的下線100和上線102形成的第一信號線103；與上線102作為一個整體形成的第二信號線501；以及通過第一和第二接觸孔302和303與下線100和上線102電連接的接觸電極300。
此外，在上線102中形成突出301，其中上線102的突出301通過第二接觸孔303暴露出來。同時，下線100通過相鄰第二接觸孔303形成的第一接觸孔302暴露出來。為了形成第一接觸孔302，在下線100和上線102之間的重疊區(qū)域中存在上線102的預(yù)定的開口部分。接觸電極300通過第一和第二接觸孔302和303電連接下線100和上線102。
接觸電極300通過貫穿第一和第二絕緣層500和600的第一接觸孔302與和第一信號線103的下線100電連接。同時，接觸電極300通過貫穿第二絕緣層600的第二接觸孔303和在第一信號線103的上線102中形成的突出301電連接。因此，接觸電極300并行地連接第一信號103的下線100和上線102。不采用接觸電極300，下線100和上線102可以通過焊接直接互相連接。
第二信號線501和第一信號線103的上線102作為一個整體形成，其中第二信號線501和第一信號線103的上線102由相同的金屬材料形成。換句話說，第二信號線501從第一信號線103的上線102突出，并且也與第三信號線402垂直交叉，從而第二信號線501電連接到柵驅(qū)動器。
與第二信號線501交叉的第三信號線402提供有具有預(yù)定的開口部分的上線401，從而防止第三信號線402的上線401和第二信號線501之間的斷開。即使在上線401中發(fā)生開口部分，由于多個接觸點403和404，第二信號線501電連接到第三信號線402的下線400。
雖然未示出，但是第一信號線的上線在基板上形成，其中，第一信號線由與第二信號線相同的金屬材料形成。因此，不需要執(zhí)行形成第二信號線的附加工藝，從而簡化了顯示器件的制造工藝。
將參照圖5B說明根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式形成另一信號線的方法。
首先，通過濺射在基板10上沉積對應(yīng)第一導(dǎo)電層的柵金屬層，然后通過光刻和蝕刻構(gòu)圖，從而形成下線100。
然后，通過PECVD(等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積)在基板10上對應(yīng)第一絕緣層500的柵絕緣層形成以覆蓋下線100。第一絕緣層500由無機(jī)絕緣材料氮化硅(SiN)或二氧化硅(SiO2)或者有機(jī)絕緣材料形成。
下面，通過濺射在第一絕緣層500上沉積對應(yīng)第二導(dǎo)電層的數(shù)據(jù)金屬層，然后通過光刻和蝕刻構(gòu)圖，從而形成和下線100重疊的上線102。這時，上線102具有預(yù)定的開口部分和突出301。
上線102可以由與顯示區(qū)域的像素電極相同的透明導(dǎo)電材料形成。透明導(dǎo)電層可以采用ITO、IZO、ITZO、或TO。在透反式(透射-反射)類型顯示器件的情況下，上線102可以由與顯示區(qū)域的反射電極相同的反射金屬材料形成。
之后，以PECVD的沉積方法或非旋轉(zhuǎn)涂覆方法形成對應(yīng)第二絕緣層600的鈍化層，從而鈍化層覆蓋上線102和突出301。然后，第二絕緣層600通過光刻和蝕刻構(gòu)圖，從而形成第一和第二接觸孔302和303以暴露出突出301和上線102預(yù)定的部分。這時，第二絕緣層600可以由無機(jī)絕緣材料氮化硅(SiN)或二氧化硅(SiO2)或者有機(jī)絕緣材料形成。
然后，通過濺射形成對應(yīng)第三導(dǎo)電層的接觸電極層，從而形成接觸電極300。接觸電極300電連接下線100和突出301。
如上所述的根據(jù)本發(fā)明的顯示器件及其制造方法具有以下優(yōu)勢。
對于根據(jù)本發(fā)明的顯示器件，第一信號線以包括互相電連接的下線和上線的雙層結(jié)構(gòu)形成，從而改善了信號的輸出特性。同時，可以防止由第一信號線的斷開引起的器件的缺陷。
此外，第二信號線和上線作為一個整體形成，從而簡化了顯示器件的制造工藝。
顯然，對于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說在不脫離本發(fā)明精神或范圍的情況下，對本發(fā)明可以進(jìn)行各種修改和變形。從而，本發(fā)明意在覆蓋落入所附權(quán)利要求書及其等同物范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變形。
權(quán)利要求
1.一種顯示器件，包括在基板上形成的驅(qū)動電路；至少一條第一信號線，包括互相重疊且其間夾有絕緣層的下線和上線，該第一信號線在所述驅(qū)動電路的一側(cè)形成；以及至少一條第二信號線，連接所述第一信號線到所述驅(qū)動電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，還包括至少一個突出，從所述下線和上線中至少之一突出出來。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示器件，其特征在于，所述第二信號線通過第一和第二接觸孔連接到下線和上線以暴露出第一信號線的下線和上線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器件，其特征在于，所述第二信號線連接到通過第一接觸孔暴露出的下線的突出，并且也連接到通過第二接觸孔暴露出的上線。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示器件，其特征在于，所述第二信號線和上線作為一個整體形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示器件，其特征在于，所述上線包括預(yù)定的開口部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器件，其特征在于，還包括連接到另一條第一信號線的另一條第二信號線，其中另一條第二信號線橫跨第一信號線的上線的預(yù)定的開口部分以與第一信號線絕緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器件，其特征在于，還包括接觸電極，其連接到由在上線的開口部分中形成的第一接觸孔暴露出的下線，并且還連接到由第二接觸孔暴露出的上線的突出。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述下線和柵線由相同的金屬材料并且在同一層形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述上線和數(shù)據(jù)線由相同的金屬材料并且在同一層形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述第二信號線和像素電極由相同的透明材料并且在同一層形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述第一信號線通過將下線和上線焊接到一起形成，或者通過絕緣層中提供的接觸孔電連接下線和上線而形成。
13.一種顯示器件的制造方法，包括形成至少一條第一信號線，所述至少一條第一信號線包括互相垂直且其間夾有第一絕緣層的下線和上線；以及形成至少一條第二信號線，將所述第一信號線電連接到驅(qū)動電路。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述形成所述第一信號線的步驟包括在基板上形成下線；形成第一絕緣層，以覆蓋基板上的下線；以及在第一絕緣層上形成與下線重疊的上線。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成下線或上線的步驟包括形成和下線或上線作為一個整體的至少一個突出。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述上線具有預(yù)定的開口部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，還包括連接到另一條第一信號線的另一條第二信號線，其中另一條第二信號線橫跨第一信號線的上線的預(yù)定的開口部分以與第一信號線絕緣。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述形成第二信號線的步驟包括連接第二信號線到由第一和第二接觸孔暴露出的下線和上線，并且將第二信號線連接到在下線和上線中形成的突出。
19.根據(jù)權(quán)利要求1 8所述的方法，其特征在于，所述第二信號線和上線作為一個整體形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述下線在形成柵線的工藝中和柵線由相同的金屬材料并且在同一層形成。
21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述上線在形成數(shù)據(jù)線的工藝中和數(shù)據(jù)線由相同的金屬材料并且在同一層形成。
22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二信號線在形成像素電極的工藝中和像素電極由相同的透明材料并且在同一層形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯示器件及其制造方法，其改善信號的輸出特性并且防止由斷開的信號線引起的缺陷，該顯示器件包括在基板上形成的驅(qū)動電路；至少一條第一信號線，包括互相重疊且其間夾有絕緣層的下線和上線，該第一信號線在所述驅(qū)動電路的一側(cè)形成；以及至少一條第二信號線，將所述第一信號線連接到所述驅(qū)動電路。
文檔編號G02F1/1362GK101089686SQ20071010613
公開日2007年12月19日 申請日期2007年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月16日
發(fā)明者張容豪, 崔承燦 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社