專利名稱：光學(xué)鄰近校正的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)鄰近校正的方法，特別涉及用于半導(dǎo)體層上的不同區(qū) 域的光學(xué)鄰近校正的方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的技術(shù)中，半導(dǎo)體都要經(jīng)過光刻流程，光刻流程就是光線通過掩膜 對抗蝕劑進行曝光，掩膜上的圖案被轉(zhuǎn)移而形成抗蝕圖案的過程。如果掩膜圖 案的尺寸非常小，掩膜圖案的尺寸會接近形成抗蝕圖案的光線的波長，從而產(chǎn)
生光學(xué)臨近效應(yīng)(Optical Proximity Effect, OPE),掩膜上的圖案就會在轉(zhuǎn) 移時變形，而且掩膜圖案上相鄰圖案區(qū)域的光刻質(zhì)量受光學(xué)臨近效應(yīng)的影響越 來越大。 一般光學(xué)臨近效應(yīng)的消除方法采用光學(xué)臨近修正(Optical Proximity Corrections, OPC ),光學(xué)臨近修正對半導(dǎo)體某一特定層形成修正圖案進行修正。 現(xiàn)在半導(dǎo)體設(shè)計中引入了臨界尺寸(critical dimension, CD),會限制光刻時 的焦深(depth of focus, DOF )，所以半導(dǎo)體基質(zhì)的拓樸開始影響光刻過程。 比如在90納米的半導(dǎo)體制造工藝中，半導(dǎo)體多晶硅層上被分成兩個部分 一個部分為位于有源區(qū)域上的柵極部分，另一個部分為位于淺溝槽(STI)上的 多晶硅部分，其中柵極部分和多晶硅部分的厚度和材質(zhì)堆疊均不同，這樣其中 相對于另 一部分會產(chǎn)生不同焦距的問題。雖然可以通過釆用防反射層減弱上述 不同焦距的問題，但是效果不是很理想。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種光學(xué)鄰近校正的方法，通過該方法能實現(xiàn)半導(dǎo) 體層上的不同區(qū)域的光學(xué)鄰近校正。
為了達到所述的目的，本發(fā)明提供了 一種用于半導(dǎo)體層的光學(xué)鄰近校正的 方法，所述半導(dǎo)體層的表面具有一最佳聚焦平面和一散焦平面，其中，所述方 法包括以下步驟首先使用用于最佳聚焦平面的光學(xué)鄰近校正模型對半導(dǎo)體層 表面的最佳聚焦平面進行光學(xué)鄰近校正；再使用用于散焦平面的光學(xué)鄰近校正 模型對半導(dǎo)體層表面的散焦平面進行光學(xué)鄰近校正。
在上述的用于半導(dǎo)體層的光學(xué)鄰近校正的方法中，所述的半導(dǎo)體層包括兩 個多晶硅層，兩個多晶硅層不相交的平面為最佳聚焦平面，兩個多晶硅層相交 的平面為散焦平面。
在上述的用于半導(dǎo)體層的光學(xué)鄰近校正的方法中，所述的兩個多晶硅層的 相交區(qū)域的厚度大于兩個多晶硅層未相交區(qū)域的厚度。
本發(fā)明由于采用了上述的技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu) 點和積極效果通過本發(fā)明的光學(xué)鄰近校正的方法可以補償由于拓樸效應(yīng)產(chǎn)生 的臨界尺寸變化。


本發(fā)明的光學(xué)鄰近校正的方法由以下的實施例及附圖給出。 圖1為一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的俯視示意圖； 圖2為沿圖1中A-A方向的剖視圖。
具體實施例方式
以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明的光學(xué)鄰近^^正的方法作進一步的詳細描述。 如圖1、圖2所示，半導(dǎo)體層包括一半導(dǎo)體襯底5，形成于襯底5上的兩個 多晶硅層l、 2，由于半導(dǎo)體的拓樸效應(yīng)，兩個多晶硅層l、 2有一相交區(qū)域3， 在相交疊區(qū)域3下方形成一有源區(qū)6,其中，相交區(qū)域3的厚度比多晶硅層1、 2其他區(qū)域的厚度大。如圖2所示，圖2為沿圖1中A-A方向的剖視圖，半導(dǎo)體 上的最佳聚焦平面a包括多晶硅層1、 2的表面且不包括相交區(qū)域3的表面，也 就是說兩個多晶硅層l、 2不相交的平面，提供一用于最佳聚焦平面的光學(xué)鄰近 校正模型；散焦平面為相交區(qū)域3形成的表面(如圖中的梯形表面)，提供一用 于散焦平面的光學(xué)鄰近校正模型。當需要對半導(dǎo)體層進行光學(xué)鄰近校正時，本 發(fā)明的光學(xué)鄰近校正的方法可以分成兩個步驟第一步驟是對為最佳聚焦平面a 的半導(dǎo)體平面，使用用于最佳聚焦平面的光學(xué)鄰近校正模型；第二步驟是對為 散焦平面的半導(dǎo)體平面，使用用于散焦平面的光學(xué)鄰近校正模型，其中，用于
散焦平面的光學(xué)鄰近校正模型利用散焦值和光學(xué)模型對掩模圖案進行光刻模擬 成像，迭代優(yōu)化校正目標掩模圖案形狀。
通過本發(fā)明的光學(xué)鄰近校正的方法，可以補償由于拓樸效應(yīng)產(chǎn)生的臨界尺 寸變化。
以上介紹的僅僅是基于本發(fā)明的較佳實施例，并不能以此來限定本發(fā)明的 范圍。任何對本發(fā)明的方法作本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的步驟的替換、組合、分立， 以及對本發(fā)明實施步驟作本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的等同改變或替換均不超出本發(fā)明 的揭露以及保護范圍。
權(quán)利要求
1、一種用于半導(dǎo)體層的光學(xué)鄰近校正的方法，所述半導(dǎo)體層的表面具有一最佳聚焦平面和一散焦平面，其特征在于，所述方法包括以下步驟首先使用用于最佳聚焦平面的光學(xué)鄰近校正模型對半導(dǎo)體層表面的最佳聚焦平面進行光學(xué)鄰近校正；再使用用于散焦平面的光學(xué)鄰近校正模型對半導(dǎo)體層表面的散焦平面進行光學(xué)鄰近校正。
2、 如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體層的光學(xué)鄰近校正的方法，其特征在于 所述的半導(dǎo)體層包括兩個多晶硅層，兩個多晶硅層不相交的表面為最佳聚焦平 面，兩個多晶硅層相交的表面為散焦平面。
3、 如權(quán)利要求2所述的用于半導(dǎo)體層的光學(xué)鄰近校正的方法，其特征在于 所述的兩個多晶硅層的相交區(qū)域的厚度大于兩個多晶硅層未相交區(qū)域的厚度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體層的光學(xué)鄰近校正的方法，在該光學(xué)鄰近校正的方法中，半導(dǎo)體層包括最佳聚焦平面和散焦平面的半導(dǎo)體平面，其中，包括以下步驟首先對為最佳聚焦平面的半導(dǎo)體平面使用用于最佳聚焦平面的光學(xué)鄰近校正模型；再對為散焦平面的半導(dǎo)體平面使用用于散焦平面的光學(xué)鄰近校正模型。采用本發(fā)明的光學(xué)鄰近校正的方法不僅能實現(xiàn)半導(dǎo)體層上的不同區(qū)域的光學(xué)鄰近校正，而且可以補償由于拓撲效應(yīng)產(chǎn)生的臨界尺寸變化。
文檔編號G03F7/14GK101359178SQ20071004454
公開日2009年2月4日 申請日期2007年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月3日
發(fā)明者劉慶煒 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司