專利名稱：多層掩膜層的形成方法和涂布方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種多層掩膜層的形成 方法和》余布方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造中，常需要利用涂布的方法在襯底上形成各種 掩膜層，如光刻膠、抗反射層等等。該種由涂布方法形成的掩膜層對(duì)后 續(xù)工藝的影響很大，其中的關(guān)鍵參數(shù)為掩膜層的厚度及厚度的均勻性。
隨著集成電路的發(fā)展，電路的集成度及復(fù)雜性均有所提高，在同一 襯底上常會(huì)形成器件密集度不同的區(qū)域，同時(shí)，由于器件尺寸的不斷縮 小，對(duì)半導(dǎo)體制作工藝的要求進(jìn)一步提高，相應(yīng)地，對(duì)襯底表面的平坦 度的要求也更為嚴(yán)格。此時(shí)在器件密集度不同的區(qū)域之間，僅進(jìn)行一次 掩膜材料的涂布往往難以達(dá)到襯底的平坦度要求。常需要進(jìn)行多次掩膜
材料的涂布，形成多層掩膜層。如，多層光刻膠、多層抗反射層(ARC， Anti-reflective coating)或者由抗反射層和光刻膠層混和組成的多層混和 掩膜層的涂布等。但在進(jìn)行多層掩膜層的涂布時(shí)，常會(huì)出現(xiàn)一些采用單 層掩膜層時(shí)不會(huì)出現(xiàn)的問(wèn)題。
圖l為現(xiàn)有的雙層光刻膠的形成方法的流程圖，如圖l所示，先利用 蒸氣法令增黏劑均勻分布于襯底上(SIOI)，該增黏劑可以是六曱基二硅 亞胺(HMDS ， hexamethyldisilazane )等，其可以改善襯底表面的親水性， 提高光刻膠在襯底上的分布均勻性。然后，將襯底放置于涂布機(jī)內(nèi)，在 襯底上方噴灑一種濕潤(rùn)劑——RRC (Reduction Resist Consumption)溶劑， 其可以提高襯底表面的濕潤(rùn)度，在保證光刻膠涂布質(zhì)量的同時(shí)顯著減少 光刻膠的用量(S102)。接著，通過(guò)旋轉(zhuǎn)襯底令該濕潤(rùn)劑均勻分布于村底 上(S103);再接著，在襯底上方噴灑第一光刻膠(S104)，再次旋轉(zhuǎn)襯 底令該第 一光刻膠沿著濕潤(rùn)劑均勻分布于襯底上，形成第 一光刻膠層(S105)。然后，可以對(duì)村底進(jìn)行烘烤，去除第一光刻膠層中的大部分溶
劑，使其基本定型(S106);至此完成第一層光刻膠層的涂布。
形成第一層光刻膠層后，再次將襯底放置于涂布機(jī)中，在襯底上方 噴灑濕潤(rùn)劑(S107);旋轉(zhuǎn)襯底令該濕潤(rùn)劑均勻分布于襯底上(S108)。 然后，再在襯底上方噴灑第二光刻膠(S109);再次旋轉(zhuǎn)襯底令該第二光 刻膠均勾分布于襯底上，形成第二光刻膠層(S110);接著，對(duì)襯底進(jìn)行 烘烤，去除第二光刻膠層中的大部分溶劑(Slll);完成第二光刻膠層的 涂布。然后再進(jìn)行曝光、顯影、堅(jiān)膜等其他步驟。
圖2為現(xiàn)有的光刻膠涂布示意圖，如圖2所示，將襯底吸附于涂布機(jī) 內(nèi)的樣品臺(tái)上，再利用其上方的噴嘴210由襯底201的上方噴灑一定量的 濕潤(rùn)劑或光刻膠202 (前者用于S102或S107步驟中，后者用于S104或S109 步驟中)，再通過(guò)樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)襯底201,令該濕潤(rùn)劑或光刻膠202均勻分布 于襯底201的表面上。
圖3為現(xiàn)有的涂布光刻膠層時(shí)的襯底轉(zhuǎn)速示意圖，現(xiàn)有技術(shù)中，兩層 光刻膠的涂布均是按圖3中所示的轉(zhuǎn)速曲線進(jìn)行控制的，如圖3所示，圖3 中的橫坐標(biāo)為時(shí)間軸，縱坐標(biāo)為襯底轉(zhuǎn)速軸，箭頭301代表了噴灑濕潤(rùn)劑 的時(shí)刻，311代表了噴灑光刻膠的時(shí)刻，曲線300代表了在噴灑濕潤(rùn)劑后， 襯底的轉(zhuǎn)速隨時(shí)間的變化情況(濕潤(rùn)劑轉(zhuǎn)速曲線)，曲線310代表了在噴 灑光刻膠后，襯底的轉(zhuǎn)速隨時(shí)間的變化情況(光刻膠轉(zhuǎn)速曲線)。可以看 到，在濕潤(rùn)劑轉(zhuǎn)速曲線之后，噴灑光刻膠之前，為了確保襯底表面處于 較好的狀態(tài)，還對(duì)襯底進(jìn)行了一段持續(xù)約l秒左右的高速旋轉(zhuǎn)，稱之為預(yù) 旋轉(zhuǎn)。
圖4為按照現(xiàn)有的圖3中轉(zhuǎn)速情況形成第二光刻膠層后的襯底表面示 意圖，如圖4所示，在襯底401 (該襯底上已覆蓋了第一光刻膠層，其的 分布情況較為均勻)上涂布了第二光刻膠層402,但結(jié)果該第二光刻膠層 402在襯底上的分布并不理想，其厚度均勻性較差，甚至在襯底的邊緣處 形成了如圖4中403所示的缺口圖形，這對(duì)后續(xù)工藝的進(jìn)行極為不利。
上述第二光刻膠層分布不均勻的問(wèn)題，在多層掩膜層中第二層以后 的掩膜層的形成過(guò)程中普遍存在，為此，需要對(duì)第二層以后的掩膜層的 涂布方法進(jìn)4于改進(jìn)。
除了滿足平坦化要求外，多層掩膜層還可以有其他的應(yīng)用，如2005 年5月25日授權(quán)的公告號(hào)為CN1203523C的中國(guó)專利公開(kāi)了 一種采用雙層 光刻膠的另一種情形，其是為了解決曝光光源波長(zhǎng)小于193nm時(shí)光刻質(zhì)量 有所下降的問(wèn)題而采用了雙層光刻膠的方法，并針對(duì)采用雙層光刻膠后 顯影時(shí)殘留物較多的問(wèn)題提出了改進(jìn)的方案。但該專利中并未對(duì)第二光 刻膠層的涂布質(zhì)量問(wèn)題提出改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種多層掩膜層的形成方法和涂布方法，以提高現(xiàn)有的 多層掩膜層的涂布過(guò)程中第二層以后的掩膜層的形成質(zhì)量。
本發(fā)明提供的一種多層掩膜層的形成方法，包括步驟
提供襯底，所述襯底表面已形成前一掩膜層；
向所述襯底表面噴灑濕潤(rùn)劑，保持所述襯底靜止；
向所述村底表面噴灑后 一掩膜材料；
旋轉(zhuǎn)所述襯底，在所述襯底表面上形成后一掩膜層。
其中，所述前一掩膜層至少包括光刻膠層和抗反射層中的 一種。
其中，所述后一掩膜層至少包括光刻膠層和抗反射層中的一種。
其中，所述濕潤(rùn)劑為用于減少掩膜材料用量的溶劑。
其中，所述靜止的時(shí)間在1至10秒之間。
其中，噴灑后一掩膜材料之前，還可以包括步驟襯底旋轉(zhuǎn)50至 500毫秒。
另外，在旋轉(zhuǎn)所述襯底后，還包括步驟烘烤所述襯底。 本發(fā)明還提供了一種具有相同或相應(yīng)技術(shù)特征的多層掩膜層的涂
布方法，包括步驟
提供襯底，所述襯底表面已形成前一掩膜層； 將所述襯底吸附于涂布機(jī)的樣品臺(tái)上； 利用所述涂布機(jī)的噴嘴向所述襯底表面噴灑濕潤(rùn)劑； 保持所述涂布機(jī)的樣品臺(tái)靜止；
利用所述涂布機(jī)的噴嘴向所述襯底表面噴灑后 一掩膜材料； 旋轉(zhuǎn)所述涂布機(jī)的樣品臺(tái)，在所述襯底表面上形成后一掩膜層。 其中，所述前一掩膜層至少包括光刻膠層和抗反射層中的一種。 其中，所述后一掩膜層至少包括光刻膠層和抗反射層中的一種。 其中，所述濕潤(rùn)劑為用于減少掩膜材料用量的溶劑。 其中，所述靜止的時(shí)間在1至IO秒之間。
其中，噴灑后一掩膜材料之前，還可以包括步驟襯底旋轉(zhuǎn)50至 500毫秒。
其中，在旋轉(zhuǎn)所述襯底后，還包括步驟烘烤所述襯底。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)
本發(fā)明的多層掩膜層的形成方法和涂布方法，在涂布第二層以后的 后一掩膜材料時(shí)，雖然仍會(huì)在前一掩膜層上噴灑濕潤(rùn)劑，但在噴灑該后 一掩膜材料前會(huì)令襯底保持靜止(且顯著縮短其預(yù)旋轉(zhuǎn)時(shí)間)，這樣可 以在前一掩膜層上保留較多的濕潤(rùn)劑，提高了該前一掩膜層表面的濕潤(rùn) 度，改善了后一掩膜層在前一掩膜層上的涂布質(zhì)量(如厚度的均勻性 等)。


圖1為現(xiàn)有的雙層光刻月交的形成方法的流程圖；圖2為現(xiàn)有的光刻膠涂布示意圖3為現(xiàn)有的涂布第二光刻膠層時(shí)的襯底轉(zhuǎn)速示意圖4為按照現(xiàn)有的圖3中轉(zhuǎn)速情況形成第二光刻膠層后的襯底表面 示意圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例中未形成掩膜層前的襯底剖面示意圖； 圖6為本發(fā)明第 一 實(shí)施例中形成第 一掩膜層后的襯底剖面示意圖； 圖7為本發(fā)明第一實(shí)施例中形成第二掩膜層后的襯底剖面示意圖； 圖8為本發(fā)明第一實(shí)施例中雙層掩膜層的形成方法的流程圖； 圖9為本發(fā)明第一實(shí)施例中涂布第二掩膜材料時(shí)的襯底轉(zhuǎn)速示意
圖10為本發(fā)明第二實(shí)施例中多層掩膜層的形成方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合 附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。
多適當(dāng)?shù)牟牧现谱?，下面是通過(guò)具體的實(shí)施例來(lái)加以說(shuō)明，當(dāng)然本發(fā)明 并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的一般的替 換無(wú)疑地涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)， 為了便于說(shuō)明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，不 應(yīng)以此作為對(duì)本發(fā)明的限定，此外，在實(shí)際的制作中，應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬 度及深度的三維空間尺寸。
本發(fā)明中，掩膜材料是指由涂布機(jī)的噴嘴噴灑至襯底表面的用于形 成掩膜的液態(tài)的混合物；掩膜層是指已經(jīng)過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布于襯底上的薄膜 層。
為了改善多層掩膜層中，第二層以后的掩膜層的形成質(zhì)量，本發(fā)明 提出了一種多層掩膜層的形成方法，其可以提高前一掩膜層表面的濕潤(rùn) 度，改善后一掩膜層的涂布質(zhì)量。
本發(fā)明第 一 實(shí)施例中介紹了在內(nèi)部金屬層間利用雙層涂布的方法
形成一種掩膜層——底部抗反射層(BARC, Bottom Anti-reflective Coating)的具體過(guò)程，采用雙層涂布方法形成的BARC層可以提高村 底上器件密集度不同的區(qū)域間的厚度均勻性，并進(jìn)而減少關(guān)鍵尺寸 (CD, Critical Dimension)的偏差。
圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例中未形成掩膜層前的襯底剖面示意圖，如 圖5所示，在硅襯底500上分別形成了密集度較大的圖形501和密集度 較小的圖形502 (本圖中未示出各圖形的具體結(jié)構(gòu)，如其可能包含的金 屬層結(jié)構(gòu)、介質(zhì)層結(jié)構(gòu)等)。
圖6為本發(fā)明第 一 實(shí)施例中形成第 一掩膜層后的襯底剖面示意圖， 如圖6所示，利用傳統(tǒng)的涂布方法，在襯底500上涂布形成第一掩膜層 510。本實(shí)施例中該第一掩膜層為BARC層。由圖6中可以看到，在第 一掩膜層510形成后，對(duì)于襯底上器件密集度不同的區(qū)域501和502, 該第一掩膜層510的厚度是不同的，這樣，在形成第一掩膜層后襯底表 面仍會(huì)存在凹凸不平，襯底的平坦度仍較差，不能滿足小尺寸器件的制 作要求。為此，在形成第一掩膜層510后，還需要再進(jìn)行一次掩膜材料 的涂布，以改善襯底表面的平坦度。
圖7為本發(fā)明第 一實(shí)施例中形成第二掩膜層后的襯底剖面示意圖， 如圖7所示，在第一掩膜層510上再涂布一層第二掩膜層520，有效提 高了襯底表面的平坦度。本實(shí)施例中該第二掩膜層仍為BARC層，其厚 度通常會(huì)設(shè)置得小于或等于第一掩膜層，如要求的BARC總厚度為 3600A,則可以將第一掩膜層與第二掩膜層的厚度分別設(shè)置為2000A、 1600A或1800A、 1800A。但是，如果直接采用現(xiàn)有的第二掩膜層的形成方法或涂布方法，則 會(huì)出現(xiàn)如圖4中所示的情形，不能得到厚度均勻性較好的第二掩膜層， 也就無(wú)法真正實(shí)現(xiàn)襯底表面的平坦度的提高。為此，本發(fā)明對(duì)該第二掩 膜層的形成方法或涂布方法進(jìn)行了改進(jìn)。
圖8為本發(fā)明第一實(shí)施例中雙層掩膜層的形成方法的流程圖，下面
結(jié)合圖8對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
首先，提供襯底，該襯底上已涂布形成了第一掩膜層(S801 )。本 實(shí)施例中，該第一掩膜層的形成過(guò)程如下
A、 在硅襯底500上按器件的具體要求形成各種結(jié)構(gòu)；
B、 利用蒸氣法令增黏劑均勻分布于襯底500上，以改善村底500 表面的親水性，提高待在襯底上的分布均勻性；
C、 將襯底放置于涂布機(jī)內(nèi)，在襯底上方噴灑一種濕潤(rùn)劑一一RRC (Reduction Resist Consumption)溶劑；
D、 旋轉(zhuǎn)襯底令該RRC溶劑均勻分布于襯底上；
E、 在襯底上方噴灑第一掩膜材料，本實(shí)施例中為液態(tài)的抗反射層 材料；
F、 旋轉(zhuǎn)襯底令第一掩膜材料均勻分布于襯底上，形成第一掩膜層
510;
G、 對(duì)襯底進(jìn)行烘烤，去除第一掩膜層中的大部分溶劑，實(shí)現(xiàn)第一 掩膜層510的定型。
其中，對(duì)襯底轉(zhuǎn)速的控制可以按圖3中所示的轉(zhuǎn)速曲線進(jìn)行，也可 以才艮據(jù)本實(shí)施列中所用的BARC的特性作些具體調(diào)整，這一調(diào)整對(duì)于本 領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是易于理解和實(shí)現(xiàn)的，在此不再贅述。
在形成第一掩膜層后，在該襯底上方噴灑濕潤(rùn)劑，且保持襯底靜止 (S802)。本實(shí)施例中的濕潤(rùn)劑為一種RRC溶劑，如OK73溶劑，其可
以增大襯底表面的濕潤(rùn)度，在減少掩膜材料用量的同時(shí)，得到較好的涂 布效果。傳統(tǒng)的涂布方法中，第二層以后的掩膜材料在涂布時(shí)，也要在 噴灑濕潤(rùn)劑后進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，但大量實(shí)驗(yàn)證實(shí)采用該種涂布方法得到的第二 層以后的掩膜層會(huì)出現(xiàn)圖4中所示的分布不均勻的現(xiàn)象。其原因在于， 與硅村底表面相比，第一掩膜層的表面更為光滑，如果仍采用與第一掩
分濕潤(rùn)劑會(huì)在該旋轉(zhuǎn)過(guò)程中脫離第 一掩膜層表面，這將導(dǎo)致第 一掩膜層 表面的濕潤(rùn)度不足，結(jié)果使得后面形成的第二掩膜層在第 一掩膜材料上 的分布不均勻。為此，本發(fā)明在噴灑濕潤(rùn)劑后，令襯底處于了靜止的狀 態(tài)，這樣可以在第一掩膜層上保留更多的濕潤(rùn)劑，有效4是高了其表面的 濕潤(rùn)度，改善了第二掩膜層分布的均勻性。
接著，在襯底上方噴灑第二掩膜材料(S803 )。本實(shí)施例中，該第 二掩膜材料仍是抗反射層材料BARC。
再接著，旋轉(zhuǎn)襯底，在襯底表面上形成第二掩膜層520 (S804)。 采用本發(fā)明的上述方法形成的第二掩膜層，不會(huì)再出現(xiàn)圖4中所示的掩 膜厚度分布不均勻的現(xiàn)象，而是會(huì)均勻地分布于襯底上，提高了第二掩 膜層的形成質(zhì)量。
圖9為本發(fā)明第一實(shí)施例中涂布第二掩膜材料時(shí)的襯底轉(zhuǎn)速示意 圖，如圖9所示，其橫坐標(biāo)為時(shí)間軸，縱坐標(biāo)為襯底轉(zhuǎn)速軸，圖中箭頭 卯l所示為S802步驟中噴灑濕潤(rùn)劑的時(shí)刻，箭頭911為S803步驟中噴 灑第二掩膜材料的時(shí)刻，曲線910代表了在噴灑第二掩膜材料后，襯底 的轉(zhuǎn)速隨時(shí)間的變化情況(第二掩膜材料轉(zhuǎn)速曲線)。可以看到，為了 在第一掩膜層表面保留較多的濕潤(rùn)劑，提高其表面的濕潤(rùn)度，本發(fā)明第 一實(shí)施例中，在噴灑濕潤(rùn)劑后，不再旋轉(zhuǎn)襯底，而是令其保持靜止。該 靜止的時(shí)間可以在1至10秒之間，如2秒、5秒、7秒等。
另外，由圖9中可以看到，本實(shí)施例中，為了確保在噴灑第二掩膜
材料前，村底(或說(shuō)第一掩膜層)的表面能處于較好的狀態(tài)，在噴灑第 二掩膜材料前還對(duì)襯底進(jìn)行了 一個(gè)短時(shí)間的高速旋轉(zhuǎn)操作(其旋轉(zhuǎn)時(shí)間 要遠(yuǎn)小于圖3中所示的現(xiàn)有的預(yù)旋轉(zhuǎn)時(shí)間，以確保在襯底表面能夠保留
較多的濕潤(rùn)劑)。該高速旋轉(zhuǎn)過(guò)程通?？梢猿掷m(xù)50至500毫秒，如10 毫秒、200毫秒、400毫秒等。但這一步驟并不為必須，在本發(fā)明的其 他實(shí)施例中也可以沒(méi)有這一高速的預(yù)旋轉(zhuǎn)過(guò)程，而直接進(jìn)行噴灑第二掩 膜材料的操作。
本發(fā)明的第一實(shí)施例中介紹了雙層掩膜層的形成方法，在本發(fā)明的 其他實(shí)施例中，還可以利用本發(fā)明的方法形成質(zhì)量較好的兩層以上的多 層掩膜層。本發(fā)明的第二實(shí)施例就對(duì)此進(jìn)行了介紹。
圖10為本發(fā)明第二實(shí)施例中多層掩膜層的形成方法的流程圖，如 圖IO所示，利用本發(fā)明的方法形成兩層以上的多層掩膜層的步驟如下
首先，^提供襯底，該襯底上已涂布形成了前一掩膜層(S1001 )。本 實(shí)施例中，假設(shè)已按第一實(shí)施例中的雙層掩膜材料的涂布方法在襯底上 形成了兩層掩膜層(第一掩膜層和第二掩膜層)，且該兩層掩膜層均為 BARC層。還要再在其上形成至少一層光刻膠掩膜層。
注意到，本實(shí)施例中，將相鄰的兩層掩膜層中先形成的一層定義為 前一掩膜層(其所用材料稱為前一掩膜材料)；后形成的一層定義為后 一掩膜層(其所用材料為后一掩膜材料)。即對(duì)于前面形成的兩層掩 膜層(BARC層)，第一掩膜層為第二掩膜層的前一掩膜層，第二掩膜層 為第一掩膜層的后一掩膜層。而對(duì)于第二掩膜層及其上形成的相鄰的光 刻膠掩膜層而言，第二掩膜層為該相鄰光刻膠掩膜層的前一掩膜層，該 相鄰光刻膠掩膜層為第二掩膜層的后 一掩膜層。
在該襯底上方噴灑濕潤(rùn)劑，并且保持襯底靜止(S1002)。采用該種 方式可以確保在較光滑的前一掩膜層的表面上能夠保留較多的濕潤(rùn)劑。
接著，在襯底上方噴灑后一掩膜材料(S1003)。本實(shí)施例中，本步
驟中的后一掩膜材料為光刻膠材料。
再接著，旋轉(zhuǎn)襯底，在襯底表面上形成后一掩膜層(S1004)。注意
到S1003與S1004步驟中襯底的旋轉(zhuǎn)情況可以基本如圖9中所示，但其 中的910第二掩膜材料轉(zhuǎn)速曲線也可以根據(jù)后一掩膜材料的具體情況而 進(jìn)4亍相應(yīng)的改變。
然后，對(duì)襯底進(jìn)行烘烤，以去除該后一掩膜層中的大部分溶劑，使 其定型(S1005)。
接著，判斷該后一掩膜層是否為要涂布的最后一層掩膜層(S1006 ), 如果不是最后一層，則再重復(fù)進(jìn)行S1002至S1005步驟。如果是最后一 層，則結(jié)束該多層掩膜層的涂布(S1007)，再進(jìn)行后續(xù)的曝光、顯影、 堅(jiān)膜等其他步驟。
本發(fā)明的上述實(shí)施例中介紹了多層掩膜層的形成方法，本發(fā)明還提 出了一種具有相同或相應(yīng)技術(shù)特征的多層掩膜層的涂布方法，其包括步
驟提供表面已涂布形成前一掩膜層的襯底；將所述襯底吸附于涂布機(jī) 的樣品臺(tái)上；利用所述涂布機(jī)的噴嘴在所述村底上方噴灑濕潤(rùn)劑，并且 保持所述涂布機(jī)的樣品臺(tái)靜止；利用所述涂布機(jī)的噴嘴在所述襯底上方 噴灑后一掩膜材料；旋轉(zhuǎn)所述涂布機(jī)的樣品臺(tái)，在所述襯底表面上形成 后一掩膜層。
該涂布方法的具體實(shí)施步驟與思路均和本發(fā)明中多層掩膜層的形 成方法的實(shí)施例相似，在本發(fā)明上述實(shí)施例的啟示下，這一應(yīng)用的延伸 對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是易于理解和實(shí)現(xiàn)的，在此不再贅述。
本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明， 任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能 的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的 范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種多層掩膜層的形成方法，其特征在于，包括步驟提供襯底，所述襯底表面已形成前一掩膜層；向所述襯底表面噴灑濕潤(rùn)劑，保持所述襯底靜止；向所述襯底表面噴灑后一掩膜材料；旋轉(zhuǎn)所述襯底，在所述襯底表面上形成后一掩膜層。
2、 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于所述前一掩膜層 至少包括光刻膠層和抗反射層中的一種。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的形成方法，其特征在于所述后一掩 膜層至少包括光刻膠層和抗反射層中的 一種。
4、 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于所述濕潤(rùn)劑為用 于減少掩膜材料用量的溶劑。
5、 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于所述靜止的時(shí)間 在1至IO秒之間。
6、 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于噴灑后一掩膜材 料之前，還包括步驟襯底旋轉(zhuǎn)50至500毫秒。
7、 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于旋轉(zhuǎn)所述襯底后， 還包括步驟烘烤所述襯底。
8、 一種多層掩膜層的涂布方法，其特征在于，包括步驟 提供襯底，所述襯底表面已形成前一掩膜層； 將所述襯底吸附于涂布機(jī)的樣品臺(tái)上；利用所述涂布^/L的噴嘴向所述襯底表面噴灑濕潤(rùn)劑； 保持所述涂布機(jī)的樣品臺(tái)靜止；利用所述涂布機(jī)的噴嘴向所述襯底表面噴灑后 一掩膜材料；旋轉(zhuǎn)所述涂布機(jī)的樣品臺(tái)，在所述襯底表面上形成后一掩膜層。
9、 如權(quán)利要求8所述的涂布方法，其特征在于所述前一掩膜層 至少包括光刻膠層和抗反射層中的 一種。
10、 如權(quán)利要求8或9所述的涂布方法，其特征在于所述后一掩 膜層至少包括光刻膠層和抗反射層中的 一種。
11、 如權(quán)利要求1所述的涂布方法，其特征在于所述濕潤(rùn)劑為用 于減少掩膜材料用量的溶劑。
12、 如權(quán)利要求8所述的涂布方法，其特征在于所述靜止的時(shí)間 在1至10秒之間。
13、 如權(quán)利要求8所述的涂布方法，其特征在于噴灑后一掩膜材 料之前，還包括步驟襯底》走轉(zhuǎn)50至500毫秒。
14、 如權(quán)利要求8所述的涂布方法，其特征在于旋轉(zhuǎn)所述襯底后， 還包括步驟烘烤所述襯底。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種多層掩膜層的形成方法，包括步驟提供襯底，所述襯底表面已形成前一掩膜層；向所述襯底表面噴灑濕潤(rùn)劑，保持所述襯底靜止；向所述襯底表面噴灑后一掩膜材料；旋轉(zhuǎn)所述襯底，在所述襯底表面上形成后一掩膜層。本發(fā)明還公開(kāi)了相應(yīng)的多層掩膜層的涂布方法，采用本發(fā)明的多層掩膜層的形成方法和涂布方法，可以提高前一掩膜層表面的濕潤(rùn)度，進(jìn)而改善了后一掩膜層在前一掩膜層上的涂布質(zhì)量。
文檔編號(hào)G03F7/16GK101354535SQ200710044348
公開(kāi)日2009年1月28日 申請(qǐng)日期2007年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月27日
發(fā)明者輝 安, 張迎春 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司