專利名稱:以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)鄰近校正法(optical proximity correct)。特別是涉及一種以接觸孔模型為基礎(chǔ)(contact hole model-base)的光學(xué)鄰近校正法。
背景技術(shù)：
在電路集成化的要求愈來愈高的情況下，整個(gè)電路元件大小的設(shè)計(jì)也朝向尺寸不?？s小的方向前進(jìn)。而整個(gè)半導(dǎo)體制造工藝中最舉足輕重的步驟之一可說是光刻(photolithography)了，凡是與金氧半導(dǎo)體(metal-oxide-semiconductor；MOS)元件結(jié)構(gòu)相關(guān)的，例如各層薄膜的圖案，及摻有雜質(zhì)(dopants)的區(qū)域，都是由光刻這個(gè)步驟來決定的。
此外，整個(gè)半導(dǎo)體工業(yè)的元件集成度，是否能繼續(xù)往更小的線寬(criticaldimension；CD)推進(jìn)，也決定于光刻制造工藝技術(shù)的發(fā)展。為了適應(yīng)這一需求，一些提高光掩模解析度的方法被不斷地提出來，例如光學(xué)鄰近校正法(optical proximity correction，OPC)。
光學(xué)鄰近校正法的目的，是用以消除因鄰近效應(yīng)(Proximity Effect)所造成的線寬偏差現(xiàn)象。所謂鄰近效應(yīng)是當(dāng)光束透過光掩模上的圖案投影在晶片上時(shí)，一方面由于光束會(huì)產(chǎn)生散射現(xiàn)象而使得光束被擴(kuò)大。另一方面，光束會(huì)透過晶片表面的光致抗蝕劑層經(jīng)由晶片的半導(dǎo)體基底再反射回來，產(chǎn)生干涉的現(xiàn)象，因此會(huì)重復(fù)曝光，而改變?cè)诠庵驴刮g劑層上實(shí)際的曝光量。此種現(xiàn)象當(dāng)制造工藝的線寬愈小時(shí)愈明顯，尤其當(dāng)其線寬接近于光源的波長(zhǎng)時(shí)。
目前，以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法是利用不同間距、不同線寬所建立的測(cè)試圖案(test pattern)來收集數(shù)據(jù)。
圖1A是現(xiàn)有技術(shù)的一種以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法的測(cè)試圖案示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D1A。測(cè)試圖案100的方形接觸孔102的線寬104為其一邊的長(zhǎng)度；間距106則是從方形接觸孔102的一邊到鄰近方形接觸孔相對(duì)位置的距離。因此，光掩模上的方形測(cè)試圖案100的接觸孔102的線寬為0.8μm、間距為1.6μm；依此類推，測(cè)試圖案110的接觸孔112的線寬為0.84μm、間距為1.68μm；測(cè)試圖案114的接觸孔116的線寬為0.88μm、間距為1.76μm，利用包含上述不同線寬、不同間距的測(cè)試圖案100、110、114的光掩模，在已涂布光致抗蝕劑層的晶片上進(jìn)行曝光與顯影制造工藝，并測(cè)量顯影以后光致抗蝕劑層的線寬，此時(shí)晶片上的接觸孔圖案因?yàn)猷徑?yīng)的關(guān)系，呈現(xiàn)出不同于光掩模上方形的測(cè)試圖案，而是在角落呈現(xiàn)圓弧形且線寬也較小的圖案。將測(cè)量到的線寬與光掩模上的線寬做比較，比較實(shí)際線寬(測(cè)量到的線寬)與預(yù)定線寬之后，可以將線寬與間距的關(guān)系制作成以間距為橫軸、以線寬為縱軸的關(guān)系圖。
圖1B是現(xiàn)有技術(shù)的一種接觸孔模型的線寬與間距的關(guān)系示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D1B，當(dāng)接觸孔的間距愈短時(shí)，在光致抗蝕劑層上實(shí)際測(cè)量到的線寬會(huì)比光掩模上預(yù)定的線寬長(zhǎng)；當(dāng)接觸孔的間距愈長(zhǎng)時(shí)，實(shí)際線寬則會(huì)愈接近光掩模上預(yù)定的線寬。
利用圖1B所建立的光學(xué)鄰近校正法模型，可以在正式進(jìn)行接觸孔的光刻制造工藝時(shí)，選擇符合預(yù)設(shè)線寬的光掩模圖案來制作。但是在實(shí)際操作之后發(fā)現(xiàn)，以上述方式所建立的模型并無法確實(shí)精準(zhǔn)模擬出實(shí)際的狀況。這是因?yàn)猷徑?yīng)會(huì)隨著間距寬度的變化而改變對(duì)線寬的影響，也就是當(dāng)間距寬度比線寬大數(shù)倍時(shí)，鄰近效應(yīng)對(duì)線寬尺寸并無影響；反之，當(dāng)間距寬度與線寬相差不大時(shí)，鄰近效應(yīng)會(huì)對(duì)線寬尺寸造成影響。因此單就不同間距與不同線寬所建立的模型，并不能準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)出實(shí)際的接觸孔尺寸以及位置。
光刻成像的精確度會(huì)直接影響到產(chǎn)品的成品率。如果光刻成像的精確度未能達(dá)到產(chǎn)品要求的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，則無論制造工藝進(jìn)行到任何步驟都必須報(bào)廢。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是建立一種接觸孔模型，這個(gè)模型可以比現(xiàn)有的接觸孔模型更能精準(zhǔn)模擬出實(shí)際的狀況，使得芯片在進(jìn)行光刻制造工藝時(shí)，能達(dá)到產(chǎn)品要求的標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)而提升產(chǎn)品的成品率與產(chǎn)能。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一方面提出一種以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法，包括提供一光掩模；形成以不同的線寬、相同的間距所建立的具有多個(gè)方形接觸孔的測(cè)試圖案在該光掩模上，其中，該線寬為該些方形接觸孔的邊長(zhǎng)，該間距為該些方形接觸孔其中的一個(gè)方形接觸孔的一邊到該方形接觸孔鄰近的另一方形接觸孔的對(duì)應(yīng)邊的距離；以該光掩模在一已涂布光致抗蝕劑層的一晶片上進(jìn)行曝光與顯影制造工藝，形成不同線寬、相同間距所組成的具有多個(gè)接觸孔的圖案于該晶片上；測(cè)量該晶片上該些接觸孔的線寬；比較該晶片上該些接觸孔的線寬與該光掩模上該些方形接觸孔的線寬；以及建立一接觸孔模型，待正式進(jìn)行接觸孔的光刻制造工藝時(shí)，選擇符合預(yù)設(shè)線寬的光掩模上該些方形接觸孔來制作。
優(yōu)選地，該光掩模上該些方形接觸孔的該間距與該線寬呈多個(gè)比例，該些比例稱為間距比。
優(yōu)選地，該光掩模上該些方形接觸孔所使用的該些比例包括有1∶0.8，1∶1，1∶1.2，1∶1.4，1∶1.6，1∶1.8，1∶2，1∶2.4，1∶2.8，1∶3.4，1∶4，1∶5，1∶6。
本發(fā)明還提供一種以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法，包括提供一光掩模；形成一第一組測(cè)試圖案在該光掩模上，該第一組測(cè)試圖案有多個(gè)以不同的線寬、相同的間距所組成的方形接觸孔，其中，該線寬為該些方形接觸孔的邊長(zhǎng)，該間距為該些方形接觸孔其中的一個(gè)方形接觸孔的一邊到該方形接觸孔鄰近的另一方形接觸孔的對(duì)應(yīng)邊的距離；形成一第二組測(cè)試圖案在該光掩模上，該第二組測(cè)試圖案有多個(gè)以不同線寬、相同間距所組成的方形接觸孔，且該第二組測(cè)試接觸孔與該第一組測(cè)試接觸孔的不同處只有為其中方形接觸孔間距不同；形成多組測(cè)試圖案在該光掩模上，且該些組測(cè)試圖案每組相互不同處為其中方形接觸孔的間距不同；
以該光掩模在一已涂布光致抗蝕劑層的一晶片上進(jìn)行曝光、顯影制造工藝，形成以不同線寬所組成的具有多個(gè)接觸孔的圖案于該晶片上；測(cè)量該晶片上該些接觸孔的線寬；比較該晶片上該些接觸孔的線寬與該光掩模上該些方形接觸孔的線寬；以及建立一接觸孔模型，待正式進(jìn)行接觸孔的光刻制造工藝時(shí)，選擇符合預(yù)設(shè)線寬的光掩模上該些方形接觸孔來制作。
本發(fā)明提出的以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法是利用相同間距、不同線寬的一系列測(cè)試圖案所收集的數(shù)據(jù)，來建立接觸孔模型，以校正鄰近效應(yīng)所造成的線寬偏差現(xiàn)象。達(dá)到精準(zhǔn)的產(chǎn)品尺寸要求，減少制造工藝上所造成的失誤，進(jìn)而增加成品率、提高產(chǎn)能。
為使本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明。附圖中圖1A是現(xiàn)有技術(shù)的一種以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法的測(cè)試圖案示意圖；圖1B是現(xiàn)有技術(shù)的一種接觸孔模型的線寬與間距的關(guān)系示意圖；圖2A是依照本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法的測(cè)試圖案示意圖；圖2B是依照?qǐng)D2A的測(cè)試圖案所得的接觸孔模型的線寬與間距的關(guān)系示意圖；圖2C是依照?qǐng)D2A的測(cè)試圖案延伸出的接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法的測(cè)試圖案示意圖；圖2D是依照?qǐng)D2A與圖2C的測(cè)試圖案所得的接觸孔模型的線寬與間距的關(guān)系示意圖；以及圖3是依照本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法的測(cè)試圖案示意圖。
附圖標(biāo)號(hào)的簡(jiǎn)單說明100，110，114，200，210，214，218，220，222，224，226，228，230，232，234，236，238，240，300，310，314測(cè)試圖案
102，112，116，202，212，216，302，312，316接觸孔104，204，304線寬106，206，306間距具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例圖2A是依照本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法的測(cè)試圖案示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D2A。光學(xué)鄰近校正法是一種提高光掩模解析度的方法，其主要目的是消除因鄰近效應(yīng)所造成的線寬偏差現(xiàn)象。本發(fā)明是以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法，其利用相同間距、不同線寬的一系列測(cè)試圖案所收集的數(shù)據(jù)，來建立接觸孔模型，以校正鄰近效應(yīng)所造成的線寬偏差現(xiàn)象。測(cè)試圖案200的方形接觸孔202的線寬204為其一邊的長(zhǎng)度；間距206則是從方形接觸孔202的一邊到鄰近方形接觸孔對(duì)應(yīng)位置的距離。圖2A中的方形測(cè)試圖案200的接觸孔202的線寬204為0.8μm、間距206為1.6μm；依此類推，方形測(cè)試圖案210的接觸孔212的線寬為0.84μm、間距為1.6μm，以及方形測(cè)試圖案214的接觸孔216的線寬為0.88μm、間距為1.6μm，利用上述不同線寬、相同間距的測(cè)試圖案200、210、214的光掩模，在一已涂布光致抗蝕劑層的晶片上進(jìn)行曝光與顯影制造工藝，并測(cè)量顯影以后在光致抗蝕劑層上的線寬，此時(shí)晶片上的接觸孔圖案因?yàn)猷徑?yīng)的關(guān)系，呈現(xiàn)出不同于光掩模上方形的測(cè)試圖案，而是在角落呈現(xiàn)圓弧形且線寬也較小的圖案。然后將測(cè)量到的線寬與光掩模上的線寬做比較，以獲得接觸孔模型。比較實(shí)際線寬(測(cè)量到的線寬)與預(yù)定線寬之后，可以將線寬與間距的關(guān)系制作成以間距為橫軸、以線寬為縱軸的關(guān)系圖。
圖2B是依照?qǐng)D2A的測(cè)試圖案所得的接觸孔模型的線寬與間距的關(guān)系示意圖。其中，◇表示在預(yù)定線寬為0.80μm，間距為1.6μm的情況下所測(cè)量到的實(shí)際的線寬值，□表示在預(yù)定線寬為0.84μm，間距為1.6μm的情況下所測(cè)量到的實(shí)際的線寬值，△表示在預(yù)定線寬為0.88μm，間距為0.6μm的情況下所測(cè)量到的實(shí)際的線寬值。
請(qǐng)參照?qǐng)D2B，當(dāng)接觸孔的線寬愈短時(shí)，在光致抗蝕劑層上實(shí)際測(cè)量到的線寬會(huì)比光掩模上預(yù)定的線寬長(zhǎng)；當(dāng)接觸孔的線寬愈長(zhǎng)時(shí)，實(shí)際線寬則會(huì)愈接近光掩模上預(yù)定的線寬。這是因?yàn)楫?dāng)光束透過光掩模上的圖案投影在晶片上時(shí)，一方面由于光束會(huì)產(chǎn)生散射現(xiàn)象而使得光束被擴(kuò)大。另一方面，光束會(huì)透過晶片表面的光致抗蝕劑層經(jīng)由晶片的半導(dǎo)體基底再反射回來，產(chǎn)生干涉的現(xiàn)象，因此會(huì)重復(fù)曝光，而改變?cè)诠庵驴刮g劑層上實(shí)際的曝光量。此種現(xiàn)象當(dāng)制造工藝的線寬愈小時(shí)愈明顯，也就是所謂的鄰近效應(yīng)。
圖2C是依照?qǐng)D2A的測(cè)試圖案延伸出的接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法的測(cè)試圖案示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D2C。依照?qǐng)D2A的不同線寬、相同間距測(cè)試圖案的規(guī)則，將測(cè)試圖案218、220、222作為一組具有不同線寬、相同間距測(cè)試圖案，其間距均為1.64μm，線寬則依序?yàn)?.8μm、0.84μm、0.88μm；依此類推，測(cè)試圖案224、226、228的間距均為1.68μm，線寬則依序?yàn)?.8μm、0.84μm、0.88μm；測(cè)試圖案230、232、234的間距均為1.72μm，線寬則依序?yàn)?.8μm、0.84μm、0.88μm；測(cè)試圖案236、238、240的間距均為1.76μm，線寬則依序?yàn)?.8μm、0.84μm、0.88μm。由圖2A與以上四組依間距與線寬的改變而作的測(cè)試圖案，可以獲得一連串的接觸孔模型。
圖2D是依照?qǐng)D2A與圖2C的測(cè)試圖案所得的接觸孔模型的線寬與間距的關(guān)系示意圖。其中，◇表示在預(yù)定線寬為0.80μm的情況下所測(cè)量到的實(shí)際的線寬值，□表示在預(yù)定線寬為0.84μm的情況下所測(cè)量到的實(shí)際的線寬值，△表示在預(yù)定線寬為0.88μm的情況下所測(cè)量到的實(shí)際的線寬值。
請(qǐng)參照?qǐng)D2D。此即是將不同線寬、相同間距的測(cè)試圖案當(dāng)作一組模型，然后依照間距的尺寸依序建立數(shù)組模型，利用此種光學(xué)鄰近校正法進(jìn)行曝光與顯影制造工藝后，所得到線寬與間距的關(guān)系示意圖。
第二實(shí)施例圖3是依照本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法的測(cè)試圖案示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D3。測(cè)試圖案300的方形接觸孔302的線寬304為其一邊的長(zhǎng)度；間距306則是從方形接觸孔302的一邊到鄰近方形接觸洞窗的一邊的最短距離。圖3中的方形測(cè)試圖案300的接觸孔302的線寬304為0.8μm、間距306為0.8μm；依此類推，方形測(cè)試圖案310的接觸孔312的線寬為0.4μm、間距為0.8μm，以及方形測(cè)試圖案314的接觸孔316的線寬為0.2μm、間距為0.8μm。上述測(cè)試圖案300、310、314分別是不同線寬、相同間距的圖案，其中間距比(pitch ratio)是測(cè)試圖案重要的設(shè)計(jì)依據(jù)，所謂間距比是指制作半導(dǎo)體元件的線寬與間距的比值，以圖3來說，測(cè)試圖案300的間距比為0.8∶0.8，也就是1∶1；測(cè)試圖案310的間距比為0.4∶0.8，也就是1∶2；以及測(cè)試圖案314的間距比為0.2∶0.8，也就是1∶4。由上可知，測(cè)試圖案300、310、314是以不同線寬、不同的間距比來建立測(cè)試圖案。而本方法所使用的間距比可包括1∶0.8，1∶1，1∶1.2，1∶1.4，1∶1.6，1∶1.8，1∶2，1∶2.4，1∶2.8，1∶3.4，1∶4，1∶5，1∶6等。利用上述測(cè)試圖案的光掩模，在已涂布光致抗蝕劑層的晶片上進(jìn)行曝光、顯影制造工藝，測(cè)量顯影以后光致抗蝕劑層的線寬，此時(shí)晶片上的接觸孔圖案因?yàn)猷徑?yīng)的關(guān)系，呈現(xiàn)出不同于光掩模上方形的測(cè)試圖案，而是在角落呈現(xiàn)圓弧形且線寬也較小的圖案。并將測(cè)量到的線寬與光掩模上的線寬做比較，最后可得到一接觸窗模型。
本發(fā)明提出一種以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法，包括提供一光掩模；形成以不同的線寬、相同的間距所建立的多個(gè)方形測(cè)試圖案在該光掩模上，其中，該線寬為該些方形測(cè)試圖案的邊長(zhǎng)，該間距為該些方形測(cè)試圖案其中的一個(gè)方形圖案的一邊到該方形圖案鄰近的另一方形圖案的對(duì)應(yīng)邊的距離；以該光掩模在一已涂布光致抗蝕劑層的一晶片上進(jìn)行曝光與顯影制造工藝，形成不同線寬、相同間距的多個(gè)圖案于該晶片上；測(cè)量該晶片上該些圖案的線寬；比較該晶片上該些圖案的線寬與該光掩模上該些方形測(cè)試圖案的線寬；以及建立一接觸孔模型，待正式進(jìn)行接觸孔的光刻制造工藝時(shí)，選擇符合預(yù)設(shè)線寬的光掩模上該些方形測(cè)試圖案來制作。
本發(fā)明另一方面提供一種以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法，包括提供一光掩模；形成一第一組測(cè)試圖案在該光掩模上，該第一組測(cè)試圖案有多個(gè)不同的線寬、相同的間距所組成的方形圖案，其中，該線寬為該些方形圖案的邊長(zhǎng)，該間距為該些方形圖案其中的一個(gè)方形圖案的一邊到該方形圖案鄰近的另一方形圖案的對(duì)應(yīng)邊的距離；形成一第二組測(cè)試圖案在該光掩模上，該第二組測(cè)試圖案有多個(gè)不同線寬、相同間距所組成的方形圖案，且該第二組測(cè)試圖案與該第一組測(cè)試圖案的不同處只有間距不同；形成多組測(cè)試圖案在該光掩模上，且該些組測(cè)試圖案每組相互不同處為間距不同；以該光掩模在一已涂布光致抗蝕劑層的一晶片上進(jìn)行曝光、顯影制造工藝，形成不同線寬的多個(gè)圖案于該晶片上；測(cè)量該晶片上該些圖案的線寬；比較該晶片上該些圖案的線寬與該光掩模上該些方形測(cè)試圖案的線寬；以及建立一接觸孔模型，待正式進(jìn)行接觸孔的光刻制造工藝時(shí)，選擇符合預(yù)設(shè)線寬的光掩模上該些方形測(cè)試圖案來制作。
本發(fā)明又一方面提出一種以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法，包括提供一光掩模；形成以不同的線寬、相同的間距所建立的多個(gè)方形測(cè)試圖案在該光掩模上，其中該線寬為該些方形測(cè)試圖案的邊長(zhǎng)，該間距為該些方形測(cè)試圖案間的最短距離；以該光掩模在一已涂布光致抗蝕劑層的一晶片上進(jìn)行曝光、顯影制造工藝，形成不同線寬的多個(gè)圖案于該晶片上；測(cè)量該晶片上該些圖案的線寬；比較該晶片上該些圖案的線寬與該光掩模上該些方形測(cè)試圖案的線寬；以及建立一接觸孔模型，待正式進(jìn)行接觸孔的光刻制造工藝時(shí)，選擇符合預(yù)設(shè)線寬的光掩模上該些方形測(cè)試圖案來制作。
綜上所述，本發(fā)明能夠在制作接觸孔的過程中，比現(xiàn)有方法更精準(zhǔn)地預(yù)測(cè)出實(shí)際的接觸孔尺寸與間距，使晶片在進(jìn)行曝光、顯影制造工藝時(shí)，能達(dá)到產(chǎn)品要求的標(biāo)準(zhǔn)，減少制作產(chǎn)品的失敗率，進(jìn)而提升產(chǎn)品的成品率與增加產(chǎn)能。
雖然本發(fā)明已結(jié)合一優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作出一些更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)由后附的權(quán)利要求
所界定。
權(quán)利要求
1.一種以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法，包括提供一光掩模；形成以不同的線寬、相同的間距所建立的具有多個(gè)方形接觸孔的測(cè)試圖案在該光掩模上，其中，該線寬為該些方形接觸孔的邊長(zhǎng)，該間距為該些方形接觸孔其中的一個(gè)方形接觸孔的一邊到該方形接觸孔鄰近的另一方形接觸孔的對(duì)應(yīng)邊的距離；以該光掩模在一已涂布光致抗蝕劑層的一晶片上進(jìn)行曝光與顯影制造工藝，形成不同線寬、相同間距所組成的具有多個(gè)接觸孔的圖案于該晶片上；測(cè)量該晶片上該些接觸孔的線寬；比較該晶片上該些接觸孔的線寬與該光掩模上該些方形接觸孔的線寬；以及建立一接觸孔模型，待正式進(jìn)行接觸孔的光刻制造工藝時(shí)，選擇符合預(yù)設(shè)線寬的光掩模上該些方形接觸孔來制作。
2.如權(quán)利要求
1所述的以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法，其中該光掩模上該些方形接觸孔的該間距與該線寬呈多個(gè)比例，該些比例稱為間距比。
3.如權(quán)利要求
2所述的以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法，其中該光掩模上該些方形接觸孔所使用的該些比例包括有1∶0.8，1∶1，1∶1.2，1∶1.4，1∶1.6，1∶1.8，1∶2，1∶2.4，1∶2.8，1∶3.4，1∶4，1∶5，1∶6。
4.一種以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法，包括提供一光掩模；形成一第一組測(cè)試圖案在該光掩模上，該第一組測(cè)試圖案有多個(gè)以不同的線寬、相同的間距所組成的方形接觸孔，其中，該線寬為該些方形接觸孔的邊長(zhǎng)，該間距為該些方形接觸孔其中的一個(gè)方形接觸孔的一邊到該方形接觸孔鄰近的另一方形接觸孔的對(duì)應(yīng)邊的距離；形成一第二組測(cè)試圖案在該光掩模上，該第二組測(cè)試圖案有多個(gè)以不同線寬、相同間距所組成的方形接觸孔，且該第二組測(cè)試接觸孔與該第一組測(cè)試接觸孔的不同處只有為其中方形接觸孔間距不同；形成多組測(cè)試圖案在該光掩模上，且該些組測(cè)試圖案每組相互不同處為其中方形接觸孔的間距不同；以該光掩模在一已涂布光致抗蝕劑層的一晶片上進(jìn)行曝光、顯影制造工藝，形成以不同線寬所組成的具有多個(gè)接觸孔的圖案于該晶片上；測(cè)量該晶片上該些接觸孔的線寬；比較該晶片上該些接觸孔的線寬與該光掩模上該些方形接觸孔的線寬；以及建立一接觸孔模型，待正式進(jìn)行接觸孔的光刻制造工藝時(shí)，選擇符合預(yù)設(shè)線寬的光掩模上該些方形接觸孔來制作。
專利摘要
一種以接觸孔模型為基礎(chǔ)的光學(xué)鄰近校正法。此方法是利用相同間距、不同線寬的一系列測(cè)試圖案所收集的數(shù)據(jù)，來建立接觸孔模型，以校正鄰近效應(yīng)所造成的線寬偏差現(xiàn)象。
文檔編號(hào)G03F1/08GKCN1185549SQ01103097
公開日2005年1月19日 申請(qǐng)日期2001年2月6日
發(fā)明者陳明瑞, 林金隆 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan