專利名稱：：改善臨界尺寸均勻度的顯影方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種改善臨界尺寸均勻度的方法，特別涉及一種改善顯影步驟臨界尺寸均勻度的方法。
背景技術：
：經過曝光及曝光后烘烤的光致抗蝕涂層，即可準備進行顯影(development)的步驟，以便將光致抗蝕涂層所轉移的潛在圖案顯現(xiàn)出來。因此顯影的精確度關系到整個工藝線寬精確度。特別是在現(xiàn)今組件特征己進入納米階段的情況下，顯影的臨界尺度更畢占影響整個工藝精確度舉足輕重的地位?，F(xiàn)有的顯影過程是用以噴灑/混拌(Spray/Puddle)的方式來進行，其首先將顯影液噴灑在置于旋轉器上的芯片表面，然后，將芯片在靜止的狀態(tài)下，靠表面張力單向進行混拌顯影，最后，經過水洗便旋干(spingdry)，即完成所謂的顯影過程。但是，在上述的顯影過程下，往往因為單向混拌顯影時，顯影液將會因為趨向單一方向作用力的因素，造成臨界尺寸限制的問題。因此，本發(fā)明提出一種改善臨界尺寸均勻度的顯影方法，在不增加額外機臺設備的前提下，大幅度改善現(xiàn)有顯影工藝所存在的臨界尺寸問題。
發(fā)明內容本發(fā)明的主要目的在于，提供一種改善臨界尺寸均勻度的顯影方法，其能夠有效改善現(xiàn)有光刻技術中存在的臨界尺度問題。本發(fā)明的另一目的在于，提供一種改善臨界尺寸均勻度的顯影方法，其能有效提高工藝的精確度，使所制得的組件更為輕薄短小，進而大幅度提高組件的市場競爭力。本發(fā)明提供一種改善臨界尺寸均勻度的顯影方法，其包括以下步驟-提供一表面具有一已曝光光致抗蝕涂層的芯片；接著，將芯片置于一預進行混攪的機臺上；然后噴灑顯影液于芯片上；利用順時針與逆時針交替方向的方式對顯影液進行混拌；最后對芯片之表面與背面進行清洗，以完成整個顯影工藝。本發(fā)明在不增加機臺等額外的設備成本的前提下，增加顯影液與已曝光光致抗蝕涂層的接觸程度，以大幅度提高曝光的精確度，改善顯影時臨界尺度的均勻性，使符合現(xiàn)今微小化的工藝尺度。以下結合附圖及實施例進一步說明本發(fā)明。圖1為本發(fā)明對一芯片進行顯影的步驟流程圖。圖2為旋轉器帶動表面上依次具有一顯影液與一己曝光光致抗蝕涂層的芯片進行順時針與逆時針攪拌的示意圖。標號說明10旋轉器12光致抗蝕涂層14芯片16顯影液具體實施例方式本發(fā)明涉及一種改善臨界尺寸均勻度的顯影方法，其能夠在不額外增加機臺設備成本的前提下，大幅度改善現(xiàn)有顯影技術所存在的臨界尺度問題。請一并參閱圖1與圖2所示，本發(fā)明是在現(xiàn)有工藝所使用的顯影工藝參數(shù)(recipe)中關于混拌的工藝參數(shù)，新加入負向混拌的工藝參數(shù)，以增加反向作用力施加于已顯影的光刻膠，以增加曝光的精確度。采用本發(fā)明方案修正后的顯影步驟，將如圖1所示，首先如步驟Sl所述，將表面具有已曝光光致抗蝕涂層的芯片吸附于旋轉器上；再如步驟S2所述，將顯影液噴灑于芯片表面；接著再如步驟S3與圖2所示，利用旋轉器10進行順時針、逆時針交替方向旋轉，以對位于表面具有己曝光光致抗蝕涂層12的芯片14上的顯影液16進行混拌顯影，在此一步驟內交替方向可以進行數(shù)次，且單一方向轉動時間的長短，可視工藝需求而定；最后如步驟S4所述，利用去離子水對芯片表面與背面進行清洗，以去除顯影液。當然，在此步驟后，還會對顯影成效進行檢測，但是檢測并非本發(fā)明的目的，因此不再對該部分進行贅述。以下舉一現(xiàn)有的工藝參數(shù)，進行說明。請參閱下表，其為現(xiàn)有的光刻工藝參數(shù)設定:<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>其中，"Dispense"是指在這個工藝步驟內是使用何種溶劑，或者是進行何種作動。舉例來說在上述的所舉的實施例工藝中"1"代表的是使用顯影劑，"24"所代表的是"autodamper"，"13"所指的是用去離子水對芯片頂面進行沖洗，"21"所指的是用去離子水對芯片底面進行沖洗。而本發(fā)明在上述的混拌工藝參數(shù)內適當添加入負向混拌的工藝參數(shù)，因此工藝參數(shù)將修正呈為下列狀態(tài)<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>通過這樣的混拌工藝修正，將能夠在不增加額外機臺設施的前提下，通過混拌的作用力，使顯影劑與已曝光光刻膠的接觸是全面且均勻的，進而使得顯影過程精密度更高，臨界尺寸均勻性更好。綜上所述，本發(fā)明提供的改善臨界尺寸均勻度的顯影方法，其于現(xiàn)有的顯影單向混拌過程加入適當?shù)哪嫦蚧彀韫に噮?shù)，以修正顯影液單向作用力的缺點所引起的臨界尺寸一致性不良的缺失。此外，利用本發(fā)明所修改后的混拌工藝參數(shù)所制得的顯影效果，將更為精密，在不增加工藝機臺設備成本的前提下，即改善工藝的缺失，以現(xiàn)有的機臺來迎合未來堆疊密度更高的納米
技術領域：
。以上所述的實施例僅用于說明本發(fā)明的技術思想及特點，其目的在使本領域內的技術人員能夠了解本發(fā)明的內容并據(jù)以實施，當不能僅以本實施例來限定本發(fā)明的專利范圍，即凡依本發(fā)明所揭示的精神所作的同等變化或修飾，仍落在本發(fā)明的專利范圍內。權利要求1、一種改善臨界尺寸均勻度的顯影方法，其特征在于包括以下步驟提供一芯片，其表面具有一已曝光光致抗蝕涂層；將該芯片置于一預進行混攪的機臺上；噴灑顯影液于該芯片上；利用該機臺以順時針與逆時針交替方向旋轉的方式對該顯影液進行混拌；對該芯片之表面與背面進行清洗，以完成整個顯影工藝。2、根據(jù)權利要求1所述的改善臨界尺寸均勻度的顯影方法，其特征在于該順時針與逆時針交替方向的混拌過程重復多次。3、根據(jù)權利要求1所述的改善臨界尺寸均勻度的顯影方法，其特征在于該清洗步驟中使用去離子水來達成。4、根據(jù)權利要求1所述的改善臨界尺寸均勻度的顯影方法，其特征在于該機臺為一旋轉器。5、一種改善臨界尺寸均勻度的顯影方法，其特征在于在顯影工藝步驟的混拌步驟采順時針與逆時針混拌的方法來進行混拌。6、根據(jù)權利要求5所述的改善臨界尺寸均勻度的顯影方法，其特征在于該順時針與逆時針交替方向的混拌過程重復多次。7、根據(jù)權利要求5所述的改善臨界尺寸均勻度的顯影方法，其特征在于該清洗步驟中使用去離子水。8、根據(jù)權利要求5所述的改善臨界尺寸均勻度的顯影方法，其特征在于該機臺為一旋轉器。全文摘要本發(fā)明提供一種改善臨界尺寸均勻度的顯影方法，其利用于現(xiàn)有的機臺設備，在現(xiàn)有的顯影過程步驟中的單向混拌過程變更為交替方向混拌過程，以此在不增加機臺等額外的設備成本的前提下，增加顯影液與已曝光光致抗蝕涂層的接觸程度，以大幅度提高曝光的精確度，改善顯影時臨界尺度的均勻性，使符合現(xiàn)今微小化的工藝尺度。文檔編號G03F7/30GK101286015SQ20071003942公開日2008年10月15日申請日期2007年4月12日優(yōu)先權日2007年4月12日發(fā)明者鄭銘仁申請人:上海宏力半導體制造有限公司