專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶面板的晶胞厚間隙形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，特別是應(yīng)用于液晶面 板制造，通過(guò)一上下可粘貼的隔離層與液晶面板的頂?shù)讓踊逭迟N結(jié)合而形 成厚液晶晶胞間隙的方法。二、 背景技術(shù)液晶是廣泛使用于顯示產(chǎn)品的材料，液晶通過(guò)電壓加在兩面電極而形成 一光通開(kāi)-關(guān)作用。通常，現(xiàn)有液晶層在二個(gè)電極之間的厚度是非常稀薄的，舉例而言，在TFT-LCD型態(tài)的液晶顯示面板，厚度在6到8微米(um);在TN 或STN型態(tài)的液晶顯示面板的液晶層與間隙則是在IO微米以下；LCOS微型 顯示器(micro display)的液晶層平均厚度在3到5微米左右?，F(xiàn)有的較薄厚度的液晶面板特性歸納如下1、液晶分子極快速上升與 下降反應(yīng)時(shí)間，厚度較薄的晶胞間隙及低電壓驅(qū)動(dòng)的液晶材料，低電壓驅(qū)動(dòng) 可以達(dá)到更低的電力消耗，和容易設(shè)計(jì)電子控制電路。2、較高的透射率， 厚度較薄的液晶層可以產(chǎn)生較高的穿透率。3、容易組裝，厚度較薄的晶胞 間隙，通常以間隔粒來(lái)維持晶胞間隙一致。晶胞間隙廣泛被液晶顯示器產(chǎn)業(yè) 采用，更小的間隔粒子，較容易取得及在制程中易處理。但是，在某些應(yīng)用領(lǐng)域中，厚度較厚的液晶層是有其必要與需求，厚度 較厚的液晶層如以上述現(xiàn)有厚度較薄的液晶層制法，將遇到不利制造問(wèn)題。 如在現(xiàn)有的液晶面板生產(chǎn)過(guò)程中，由玻璃基板在內(nèi)面點(diǎn)膠并形成一液晶腔以 供容置液晶，再由一頂端玻璃基板蓋在頂端，形成內(nèi)部液晶腔結(jié)構(gòu)，然后于 邊緣處開(kāi)口，讓液晶腔由抽真空機(jī)抽真空后將液晶注入真空的液晶腔內(nèi)，或 者是通過(guò)另外一種現(xiàn)有滴下式液晶注入方式，由液晶液滴填入液晶腔中，并 混合間隔粒，使該晶胞間隙可以被形成與維持。如果液晶晶胞間隙增加到30微米(um)， 50微米(um)， 100微米(um)， 或者更高時(shí)，間隔粒取得不易，并且所需花費(fèi)的成本會(huì)大幅增加。即使較大 粒徑的間隔粒供應(yīng)問(wèn)題可以勉強(qiáng)解決，但液晶腔結(jié)構(gòu)無(wú)法維持與形成厚度較 薄的粘著內(nèi)壁，且寬度將大為增加，無(wú)法滿(mǎn)足小型化需求，在某些制程情況
下，是無(wú)法接受此種結(jié)構(gòu)。相關(guān)在先專(zhuān)利技術(shù)文獻(xiàn)方面，如中國(guó)臺(tái)灣發(fā)明公開(kāi)公報(bào)第200610585號(hào) "液晶顯示面板間隙物制造方法"發(fā)明公開(kāi)案，揭示典型現(xiàn)有液晶顯示面板 的制作方法，僅能夠使間隙物分布均勻，無(wú)法達(dá)到厚間隙的形成效果。 三、發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于克服現(xiàn)有產(chǎn)品存在的上述缺點(diǎn)，而提供一種液晶 面板的晶胞厚間隙形成方法，其是通過(guò)一隔離層預(yù)先設(shè)置系列空洞，以供液 晶以O(shè)DF方法注入，并進(jìn)而由隔離層形成晶胞厚間隙。本發(fā)明的再一目的在于提供一種液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，增加 ,生產(chǎn)周期，節(jié)省間隔粒成本，并提升液晶晶胞生產(chǎn)質(zhì)量。本發(fā)明的目的是由以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的。本發(fā)明液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于，包括下列步驟(A) 底面基板及頂面基板定位，將一底面基板與一頂面基板輸送至之固 定位置，即頂面基板位于底面基板上方；(B) 隔離層移動(dòng)至定位，即至少一隔離層移動(dòng)對(duì)應(yīng)至步驟A的底面基板 與頂面基板之間位置，即位于底面基板上方及頂面基板下方間位置，隔離層 內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)隔離柱與空洞；(C) 隔離層粘合至底面基板，即將步驟B的隔離層下方粘合至底面基板 頂端；， (D)注入液晶于隔離層之空洞中，將步驟c完成粘合底面基層之隔離層， "供液晶注入該步驟A的隔離層的空洞中；'(E)粘合隔離層與頂面基板，即藉由步驟D完成液晶注入步驟的隔離層 '頂端的上端粘合至步驟A的頂面基板下方，使該底面基板、隔離層與頂面基 板結(jié)合為一體；(F) 用紫外光設(shè)備照射加熱，即將步驟E完成底面基板、隔離層與頂面基 板組合一體的結(jié)構(gòu)，通過(guò)紫外光設(shè)備進(jìn)行照射加熱，使隔離層與底面基板、 頂面基板間穩(wěn)固結(jié)合；(G) 裁切成型，即將步驟F完成紫外光照射的底面基板、隔離層與頂面 .基板組合一體的結(jié)構(gòu)中的隔離層進(jìn)行切割，形成一厚晶胞間隙的液晶面板產(chǎn)品o前述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于，所述步驟A中的
底面基板包括 一底層，位于底部；一ITO導(dǎo)電層，結(jié)合于底層上； 一配向 層，結(jié)合于ITO導(dǎo)電層上。前述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于，所述底層為玻璃； 所述底層為撓性基板構(gòu)成。前述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于，所述步驟B中的 隔離層包括數(shù)個(gè)隔離柱與空洞，分布于隔離層內(nèi)，且隔離柱與空洞形成交 錯(cuò)方式布置； 一下UV粘膠層，結(jié)合于隔離柱與空洞下方； 一下保護(hù)膜，結(jié) 合下UV粘膠層，以保護(hù)下UV粘膠層； 一上UV粘膠層，結(jié)合于隔離柱與 空洞上方； 一上保護(hù)膜，結(jié)合UV粘膠層，以保護(hù)上UV粘膠層并可用于封 住空洞頂面。前述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于，所述隔離柱為聚 四氟乙烯構(gòu)成。前述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于，所述步驟B的隔 離層為帶狀。前述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于，所述步驟A的頂 面基板包括一配向?qū)?，位于頂面基板底面；一ITO導(dǎo)電層，結(jié)合于配向?qū)由希?一玻 璃基體，結(jié)合于ITO導(dǎo)電層上。前述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于，所述步驟D的液 晶注入隔離層空洞的方式為滴下式液晶注入(ODF)方法。前述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于，所述步驟B的隔 離層數(shù)量為二個(gè)；所述兩隔離層之間結(jié)合一雙向配向薄膜，該雙向配向薄膜 包括 一透明基板； 一第一配向膜，涂鍍于透明基板頂面，結(jié)合于一隔離層； 一第二配向膜，涂鍍于透明基板底面，結(jié)合于另一隔離層；所述透明基板為 一異向性聚合物薄片；所述第一配向膜的配向角度與第二配向膜之配向角度 相差九十度。本發(fā)明液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于，其包括以下步驟:(a) 底面基板及頂面基板定位，即將一底面基板與頂面基板輸送至之固定 位置，即頂面基板位于底面基板上方；(b) 離層移動(dòng)至定位，即一帶狀隔離層，移動(dòng)對(duì)應(yīng)至步驟(a)底面基 板與頂面基板之間位置，即位于底面基板上方及頂面基板下方位置，該隔離 層內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)隔離柱與空洞，該空洞一側(cè)至少形成一注入孔；(c) 隔離層粘合至底面基板，即將步驟(c)的隔離層下方粘合至底面基 板頂端；(d) 粘合隔離層與頂面基板，即通過(guò)步驟(c)完成隔離層粘合至底面基 板步驟的隔離層頂端的上端粘合至步驟(a)頂面基板下方，使該底面基板、 隔離層與頂面基板結(jié)合為一體；(e) 通過(guò)紫外光設(shè)備照射加熱，即將步驟(d)完成底面基板、隔離層與 頂面基板組合一體的結(jié)構(gòu)，用一紫外光設(shè)備進(jìn)行照射加熱，使隔離層下端的 下UV粘膠層與上端的上UV粘膠層加熱硬化，讓隔離層與底面基板和頂面 基板穩(wěn)固結(jié)合；(f) 裁切成型，即將步驟(e)完成紫外光照射的底面基板、隔離層與頂 面基板組合一體的結(jié)構(gòu)中的隔離層切割后，形成一液晶面板的單元件；(g) 液晶真空注入隔離層空洞，即通過(guò)現(xiàn)有真空注入方式，將液晶經(jīng)由步 驟(f)的液晶面板單元件的隔離層注入孔注入以填滿(mǎn)整個(gè)空洞；(h) 密封注入孔，即在步驟(g)完成液晶注入隔離層的空洞步驟后，將 隔離層注入孔予以密封，形成一液晶面板產(chǎn)品。11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征 在于，所述步驟(b)中的隔離層包括數(shù)個(gè)隔離柱與空洞，分布于隔離層 內(nèi)； 一下UV粘膠層，結(jié)合于隔離柱與空洞下方； 一下保護(hù)膜，結(jié)合下UV 粘膠層，以保護(hù)下UV粘膠層； 一上LTV粘膠層，結(jié)合于隔離柱與空洞上方;一上保護(hù)膜，結(jié)合uv粘膠層，以保護(hù)上uv粘膠層并可封住空洞頂面。12、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征 在于，所述隔離柱為不規(guī)則形狀。本發(fā)明液晶面板的晶胞厚間隙形成方法的有益效果是，本發(fā)明之液晶面 板之晶胞厚間隙形成方法，是由一液晶面板的底面基板固定至定位，至少一 隔離層，上、下設(shè)有至少一UV粘膠層，隔離層內(nèi)部設(shè)有數(shù)個(gè)空洞(畫(huà)素顯示 區(qū)域)，該隔離層對(duì)位至底面基層位置，并通過(guò)下端的UV粘膠層粘貼于底板 基層；再通過(guò)滴下式液晶注入方法或真空液晶注入方式將液晶填入隔離層的 各孔中，由隔離層上端的UV粘膠層與一液晶面板的頂面基板粘貼對(duì)位，之 后通過(guò)紫外光照射加熱，使該上下兩個(gè)UV粘膠層硬化，也可以上下兩個(gè)UV 粘膠層分開(kāi)照射硬化方式，讓液晶面板的底面基板與頂面基板分別結(jié)合于隔
離層的底面與頂面，達(dá)到使隔離層形成液晶面板的晶胞厚間隙的功效。 四

圖1為本發(fā)明方法第一實(shí)施例的底層基板結(jié)構(gòu)放大剖面圖。圖2為本發(fā)明方法第一實(shí)施例隔離層結(jié)構(gòu)放大剖面圖。 圖3為本發(fā)明方法第一實(shí)施例頂層基板結(jié)構(gòu)放大剖面圖。 圖4為本發(fā)明方法第一實(shí)施例流程圖。圖5為本發(fā)明方法第一實(shí)施例底面基板、隔離層及頂面基板定位結(jié)構(gòu)立 體圖。圖6為本發(fā)明放大結(jié)構(gòu)剖面圖，顯示第一實(shí)施例隔離層粘合至底面基板 狀態(tài)。圖7為本發(fā)明放大結(jié)構(gòu)剖面圖，顯示第一實(shí)施例注入液晶于隔離層空洞 中狀態(tài)。圖8為本發(fā)明放大結(jié)構(gòu)剖面圖，顯示第一實(shí)施例底面基板、隔離層及頂 面基板結(jié)合一體照射加熱狀態(tài)。圖9為本發(fā)明方法第一實(shí)施例所形成的液晶面板結(jié)構(gòu)放大剖面圖。圖IO為本發(fā)明方法所形成的液晶面板第二實(shí)施例圖。圖11為圖10中雙面配向薄膜立體分解結(jié)構(gòu)圖。圖12為發(fā)明方法第三實(shí)施例底面基板、隔離層及頂面基板結(jié)構(gòu)。圖13為本發(fā)明方法第三實(shí)施例底面基板、隔離層及頂面基板定位立體圖。圖14為本發(fā)明方法第三實(shí)施例流程圖。圖15為本發(fā)明方法第三實(shí)施例液晶面板單元件結(jié)構(gòu)圖。圖16為本發(fā)明方法的液晶面板結(jié)構(gòu)圖。圖中主要標(biāo)號(hào)說(shuō)明IO底面基板、ll底層、12為ITO導(dǎo)電層、13配向?qū)印?20隔離層、20'隔離層、21隔離柱、22空洞、23下UV粘膠層、24下保護(hù)膜、 25上UV粘膠層、26上保護(hù)膜、30頂面基板、31配向?qū)印?2為ITO導(dǎo)電層、33 玻璃基體、40底面基板及頂面基板定位、41隔離層移動(dòng)至定位、42隔離層粘 合至底面基板、43注入液晶于隔離層空洞中、44粘合隔離層與頂面基板、45 以紫外光設(shè)備照射加熱、46裁切成型、50紫外光設(shè)備、60雙面配向薄膜、61 透明基板、62第一配向膜、63第二配向膜、70隔離層、71隔離柱、72空洞、 721注入孔、73下UV粘膠層、74下保護(hù)膜、75上UV粘膠層、76上保護(hù)膜、80
底面基板及頂面基板定位、81隔離層移動(dòng)至定位、82隔離層粘合至底面基板、 83粘合隔離層與頂面基板、84以紫外光設(shè)備照射加熱、85裁切成型、86液晶 真空注入隔離層空洞、87密封注入孔、100液晶面板、100'液晶面板、H高 度。五具體實(shí)施方式
參閱圖1所示，本發(fā)明液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，包括一液晶面 板的底面基板10，該底面基板IO包括一底層11 、ITO導(dǎo)電層(Indium Tin Oxide Layer)12及至少一配向?qū)?AlignmentLayer)13，該底層ll位于底部，可以是玻 璃或其它透明物質(zhì)，或者為可撓性基板(flexible substrate)構(gòu)成，例如PC、 PET及PES等材料；一ITO導(dǎo)電層12，結(jié)合于底層ll上，該配向?qū)?3結(jié)合 于ITO導(dǎo)電層12上。參閱圖2所示，至少一隔離層20,包括數(shù)個(gè)隔離柱21、數(shù)個(gè)空洞22、 至少一下UV粘膠層23、下保護(hù)膜24、至少一上UV粘膠層25及上保護(hù)膜 26,該隔離柱21與空洞22分布于隔離層20內(nèi)，且隔離柱21與空洞22形成 交錯(cuò)方式布置，隔離柱21材料不限，在本發(fā)明中是以聚四氟乙烯(Teflon)或 不會(huì)與液晶相互起反應(yīng)的材料為例，隔離柱21高度H可以無(wú)限范圍預(yù)先設(shè) 定制成，即隔離層20整體厚度范圍也可無(wú)限范圍加厚，該下UV粘膠層23 結(jié)合于隔離柱21與空洞22下方，下UV粘膠層23表面由下保護(hù)膜24貼合 保護(hù)， 一旦剝除下保護(hù)膜24，即可讓下UV粘膠層23具有粘性，該上UV 粘膠層25結(jié)合于隔離柱21與空洞22上方，該上LTV粘膠層25表面由上保 護(hù)膜26貼合保護(hù)，上保護(hù)膜26可用于封住空洞22頂面，同樣地，撕去上保 護(hù)膜26，可使上UV粘膠層25具有黏性及使空洞22露出。上述UV粘膠層 23及粘膠層25并非以具有保護(hù)膜24及保護(hù)膜26者為限，如以UV粘膠層23 直接涂布結(jié)合于隔離柱21與空洞22下方，及粘膠層25直接涂布結(jié)合于隔離 柱21與空洞22上方的方式，也屬于本發(fā)明的技術(shù)范疇。該隔離層20的形式 不限，在本發(fā)明中是以數(shù)個(gè)隔離層20相鄰連接而構(gòu)成帶狀(如圖5所示)，也可以是單一組件形式。參閱圖3所示， 一液晶面板之頂面基板30，包括一配向?qū)?1、 ITO導(dǎo)電 層32及玻璃基體(Glass Substrate)33，配向?qū)?1位于頂面基板30底面，ITO 導(dǎo)電層32結(jié)合于配向?qū)?1上，玻璃基體33結(jié)合于ITO導(dǎo)電層32上。參閱圖4、圖5、圖6、圖7及圖8所示，本發(fā)明液晶面板的晶胞厚間隙 形成方法，其步驟包括步驟40至49;其中(40) 底面基板及頂面基板定位，即將上述圖1所示底面基板10與頂面基 板30輸送至如圖5所示的固定位置，即頂面基板30位于底面基板10上方。(41) 隔離層移動(dòng)至定位，即如圖2所示的帶狀隔離層20移動(dòng)對(duì)應(yīng)至步驟 (40)底面基板10與頂面基板30之間位置，即如圖5所示位于底面基板10上方及頂面基板30下方位置。(42) 隔離層粘合至底面基板，即將步驟(41)隔離層20的下保護(hù)膜24 除去，使下UV粘膠層23黏合至底面基板10頂端的配向?qū)?3上，如圖6所 示。(43) 注入液晶于隔離層的空洞中，即將步驟(42)完成粘合底面基層10 的隔離層20的上保護(hù)膜26除去，使空洞22露出，并逐一注入液晶于空洞22 中，如以滴下式液晶注入方法充填于空洞22中，如圖7所示。(44) 粘合隔離層與頂面基板，即藉由步驟(43)完成液晶注入步驟的隔 離層20頂端的上UV粘膠層25粘合至步驟40所示的頂面基板30下方的配 向?qū)?1，使底面基板IO、隔離層20與頂面基板30結(jié)合為如圖8所示的一體 結(jié)構(gòu)。(45) 以紫外光設(shè)備照射加熱，即將步驟(44)完成底面基板10，隔離層 20與頂面基板30組合一體的結(jié)構(gòu)，利用一紫外光設(shè)備50進(jìn)行照射加熱，使 隔離層20下端的下UV粘膠層23與上端的上UV粘膠層25加熱硬化，如圖 8所示，使隔離層20與底面基板10和頂面基板30穩(wěn)固結(jié)合。(46) 裁切成型，即將步驟(45)完成紫外光照射的底面基板10、隔離層 20與頂面基板30組合一體的結(jié)構(gòu)中的隔離層20切割后，即形成如圖9所示 本發(fā)明的厚晶胞間隙之液晶面板100產(chǎn)品。參閱圖IO所示，顯示本發(fā)明液晶面板的晶胞厚間隙形成方法的第二實(shí) 施例，其中，顯示在頂面基板30及底面基板IO之間，底面基板連結(jié)有兩個(gè) 隔離層20及20'，該隔離層20與頂面基板30間的連結(jié)方式及隔離層20'與 底面基板IO的連結(jié)方式，與圖8及圖9所示的隔離層20與底面基板10及頂 面基板30之間連結(jié)方式相同。參閱圖ll所示，上述兩個(gè)隔離層20及20'間結(jié)合有一雙面配向薄膜60， 該雙面配向薄膜60包括一透明基板61、第一配向膜62及第二配向膜63，透 明基板61為一異向性聚合物薄片(anistrop/c polymer films)構(gòu)成，該第一配 向膜62涂鍍結(jié)合于透明基板61頂面，第二配向膜63涂鍍結(jié)合于透明基板61 底面，第一配向膜62由隔離層20的UV粘膠層25黏合，第二配向膜63由 該隔離層20'的UV粘膠層23加以粘合，該第一配向膜62及第二配向膜63 的配向角度不限，在本發(fā)明中是以第一配向膜62的配向角度為45度，第二 配向膜63的配向角度為145度為例，此種正交配向角度設(shè)計(jì)，可以使兩個(gè)隔 離層20及20'間的液晶光學(xué)偏極光依存性作最適當(dāng)?shù)呐鋵?duì)，并且可以增加 液晶面板100的液晶晶胞間隙厚度，又不會(huì)增加所需驅(qū)動(dòng)電壓與相對(duì)應(yīng)的反 應(yīng)時(shí)間。圖10及圖ll所示，本發(fā)明液晶面板100的液晶晶胞厚間隙構(gòu)成方法的 第二實(shí)施例，其形成步驟可依如圖4所示的步驟40至46完成，同時(shí)，加上 如可撓性的底面基板10的底層11，可以改變液晶面板100的外形，以符合 不同的應(yīng)用場(chǎng)合需求，例如球面鏡的液晶鏡頭或增加液晶面板100的液晶 晶胞間隙的光學(xué)特性，例如光學(xué)焦距特性。參閱圖12、圖13所示，為本發(fā)明液晶面板的晶胞厚間隙形成方法的第 三實(shí)施例，其中， 一隔離層70位于該底面基板10及頂面基板30間，該隔離 層70，包括數(shù)個(gè)隔離柱71、數(shù)個(gè)空洞72、至少一下UV粘膠層73、下保護(hù) 膜74、至少一上UV粘膠層75及上保護(hù)膜76,隔離柱71形狀不限，在圖12 及圖13中為一不規(guī)則形狀之例，且并非為上述隔離層20或20'的隔離柱21 圓柱形狀，該空洞72分布于隔離層70內(nèi)，每一空洞72—側(cè)形成至少一注入 孔721，該下UV粘膠層73結(jié)合于封閉隔離柱71與空洞72下方，該下UV 粘膠層73表面由下保護(hù)膜74加以貼合保護(hù)， 一旦剝除下保護(hù)膜74，即可讓 下UV粘膠層73具有粘性，上UV粘膠層75結(jié)合封閉于隔離柱71與空洞72 上方，且上UV粘膠層75表面由該上保護(hù)膜76加以貼合保護(hù)，同樣地，撕 去上保護(hù)膜76，可使上UV粘膠層75具有黏性。參閱圖14、圖15及圖16所示，圖14為上述圖12及圖13所示本發(fā)明 液晶面板的晶胞厚間隙形成方法第三實(shí)施例的流程圖，包括步驟80至86， 其中-(80) 底面基板及頂面基板定位，即將圖13所示的底面基板10與頂面基 板30輸送至如圖13所示的固定位置，即頂面基板30位于底面基板10上方。(81) 隔離層移動(dòng)至定位，即如圖13所示的帶狀隔離層70,移動(dòng)對(duì)應(yīng)至步 驟80的底面基板10與頂面基板30之間位置，即如圖13所示位于底面基板 10上方及頂面基板30下方位置。(82) 隔離層粘合至底面基板，即將步驟(81)的隔離層70的下方UV粘 膠層73的保護(hù)膜74除去，使下UV粘膠層73黏合至底面基板10頂端的配 向?qū)?3上，其作法類(lèi)同于上述步驟(42)。(83) 粘合隔離層與頂面基板，即借助步驟(82)完成隔離層70黏合至底 面基板10步驟后，該隔離層70頂端的上UV粘膠層75粘合至步驟(80)所 示的頂面基板30下方的配向?qū)?1，使該底面基板IO、隔離層70與頂面基板 30結(jié)合為如圖12所示的一體結(jié)構(gòu)。(84) 以紫外光設(shè)備照射加熱，即將步驟(83)完成底面基板10、隔離層 70與頂面基板30組合一體結(jié)構(gòu)，通過(guò)一紫外光設(shè)備50進(jìn)行照射加熱，使隔 離層70下端的下UV粘膠層73與上端的上UV粘膠層75加熱硬化，讓隔離 層20與底面基板10與頂面基板30穩(wěn)固結(jié)合。(85) 裁切成型，即將步驟(84)完成紫外光照射的底面基板10、隔離層 70與頂面基板30組合一體的結(jié)構(gòu)中的隔離層70加以切割后，即形成如圖15 所示的液晶面板100'的單元件。(86) 液晶真空注入隔離層空洞，即通過(guò)現(xiàn)有真空注入方式，將液晶經(jīng)由 步驟(85)所形成的液晶面板100'的單元件的隔離層70的注入孔721注入， 以填滿(mǎn)整個(gè)空洞72。(87) 密封注入孔，即將步驟(86)完成液晶注入隔離層70的空洞72制 程后，將隔離層70的注入孔721予以密封，形成如同圖16所示的液晶面板 100'產(chǎn)品。上述圖1至圖16所示本發(fā)明的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其中 所揭示的說(shuō)明及圖式，是為便于闡明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)手段，所揭示 較佳實(shí)施例之一隅，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形 式上的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修 改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于，包括下列步驟(A)底面基板及頂面基板定位，將一底面基板與一頂面基板輸送至之固定位置，即頂面基板位于底面基板上方；(B)隔離層移動(dòng)至定位，即至少一隔離層移動(dòng)對(duì)應(yīng)至步驟A的底面基板與頂面基板之間位置，即位于底面基板上方及頂面基板下方間位置，隔離層內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)隔離柱與空洞；(C)隔離層粘合至底面基板，即將步驟B的隔離層下方粘合至底面基板頂端；(D)注入液晶于隔離層之空洞中，將步驟c完成粘合底面基層之隔離層，供液晶注入該步驟A的隔離層的空洞中；(E)粘合隔離層與頂面基板，即藉由步驟D完成液晶注入步驟的隔離層頂端的上端粘合至步驟A的頂面基板下方，使該底面基板、隔離層與頂面基板結(jié)合為一體；(F)用紫外光設(shè)備照射加熱，即將步驟E完成底面基板、隔離層與頂面基板組合一體的結(jié)構(gòu)，通過(guò)紫外光設(shè)備進(jìn)行照射加熱，使隔離層與底面基板、頂面基板間穩(wěn)固結(jié)合；(G)裁切成型，即將步驟F完成紫外光照射的底面基板、隔離層與頂面基板組合一體的結(jié)構(gòu)中的隔離層進(jìn)行切割，形成一厚晶胞間隙的液晶面板產(chǎn)品。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于，所述步驟A中的底面基板包括 一底層，位于底部；一ITO導(dǎo)電層，結(jié) .合于底層上； 一配向?qū)?，結(jié)合于ITO導(dǎo)電層上。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于，所述底層為玻璃；所述底層為撓性基板構(gòu)成。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于， 所述步驟B中的隔離層包括數(shù)個(gè)隔離柱與空洞，分布于隔離層內(nèi)，且隔離 柱與空洞形成交錯(cuò)方式布置； 一下UV粘膠層，結(jié)合于隔離柱與空洞下方； 一下保護(hù)膜，結(jié)合下UV粘膠層，以保護(hù)下UV粘膠層；-一上UV粘膠層， 結(jié)合于隔離柱與空洞上方； 一上保護(hù)膜，結(jié)合UV粘膠層，以保護(hù)上UV粘膠層并可用于封住空洞頂面。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于，所述隔離柱為聚四氟乙烯構(gòu)成。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在 于，所述步驟B的隔離層為帶狀。
7、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于， 所述步驟A的頂面基板包括一配向?qū)樱挥陧斆婊宓酌?；一ITO導(dǎo)電層，結(jié)合于配向?qū)由希?一玻 璃基體，結(jié)合于ITO導(dǎo)電層上。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在 于，所述步驟D的液晶注入隔離層空洞的方式為滴下式液晶注入(ODF)方法。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在 于，所述步驟B的隔離層數(shù)量為二個(gè)；所述兩隔離層之間結(jié)合一雙向配向薄 膜，該雙向配向薄膜包括 一透明基板； 一第一配向膜，涂鍍于透明基板頂 面，結(jié)合于一隔離層； 一第二配向膜，涂鍍于透明基板底面，結(jié)合于另一隔 離層；所述透明基板為一異向性聚合物薄片；所述第一配向膜的配向角度與 第二配向膜之配向角度相差九十度。
10、 一種液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征在于，其包括以下步驟(a) 底面基板及頂面基板定位，即將一底面基板與頂面基板輸送至之固定 位置，即頂面基板位于底面基板上方；(b) 隔離層移動(dòng)至定位，即一帶狀隔離層，移動(dòng)對(duì)應(yīng)至步驟(a)底面基 板與頂面基板之間位置，即位于底面基板上方及頂面基板下方位置，該隔離 層內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)隔離柱與空洞，該空洞一側(cè)至少形成一注入孔；(c) 隔離層粘合至底面基板，即將步驟(c)的隔離層下方粘合至底面基 板頂端；(d) 粘合隔離層與頂面基板，即通過(guò)步驟(c)完成隔離層粘合至底面基 板步驟的隔離層頂端的上端粘合至步驟(a)頂面基板下方，使該底面基板、 隔離層與頂面基板結(jié)合為一體；(e) 通過(guò)紫外光設(shè)備照射加熱，即將步驟(d)完成底面基板、隔離層與 頂面基板組合一體的結(jié)構(gòu)，用一紫外光設(shè)備進(jìn)行照射加熱，使隔離層下端的下UV粘膠層與上端的上UV粘膠層加熱硬化，讓隔離層與底面基板和頂面 基板穩(wěn)固結(jié)合；(f) 裁切成型，即將步驟(e)完成紫外光照射的底面基板、隔離層與頂 面基板組合一體的結(jié)構(gòu)中的隔離層切割后，形成一液晶面板的單元件；(g) 液晶真空注入隔離層空洞，即通過(guò)現(xiàn)有真空注入方式，將液晶經(jīng)由步 驟(f)的液晶面板單元件的隔離層注入孔注入以填滿(mǎn)整個(gè)空洞；(h) 密封注入孔，即在步驟(g)完成液晶注入隔離層的空洞步驟后，將 隔離層注入孔予以密封，形成一液晶面板產(chǎn)品。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征 在于，所述步驟(b)中的隔離層包括數(shù)個(gè)隔離柱與空洞，分布于隔離層 內(nèi)； 一下UV粘膠層，結(jié)合于隔離柱與空洞下方； 一下保護(hù)膜，結(jié)合下UV 粘膠層，以保護(hù)下UV粘膠層； 一上LTV粘膠層，結(jié)合于隔離柱與空洞上方;一上保護(hù)膜，結(jié)合uv粘膠層，以保護(hù)上uv粘膠層并可封住空洞頂面。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，其特征 .在于，所述隔離柱為不規(guī)則形狀。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶面板的晶胞厚間隙形成方法，包括(A)底面基板及頂面基板定位；(B)隔離層移動(dòng)至定位；(C)隔離層粘合至底面基板(D)注入液晶于隔離層之空洞中；(E)粘合隔離層與頂面基板；(F)用紫外光設(shè)備照射加熱；(G)裁切成型，形成一厚晶胞間隙的液晶面板產(chǎn)品；節(jié)省間隔粒成本，提升液晶晶胞生產(chǎn)質(zhì)量。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101211071SQ20061017049
公開(kāi)日2008年7月2日 申請(qǐng)日期2006年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月31日
發(fā)明者廖正興, 曾令遠(yuǎn) 申請(qǐng)人:曾令遠(yuǎn);草田敦男