專利名稱：基板等離子除靜電工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于液晶顯示器制造工藝，尤其涉及一種基板等離子除靜電工藝。
背景技術(shù)：
在液晶顯示器制造工藝中，由于基板在制造過程中不可避免地會產(chǎn)生摩擦，和/或在帶有電荷的溶液中進行蝕刻和清洗，達到一定程度，基板上就帶有大量的靜電荷。而這些基板由于帶有大量的靜電荷，從而影響后一步工藝，所以基板上的電荷必須除去。
現(xiàn)有技術(shù)中的干刻設(shè)備通常使用等離子除靜電工藝處理基板上的靜電。等離子除靜電工藝為在O2氣流量800標準毫升分下，RF(射頻)功率500瓦下，壓力6.67帕下，支撐銷高度為20mm下，用帶正電的陶瓷電極對三層CVD/Cr/PR/D-WE基板[該基板為先經(jīng)過三層化學(xué)氣相沉積(CVD)，再進過Cr處理，接著進行光阻(PR)處理，最后經(jīng)蝕刻(D-WE)處理的基板]進行處理5秒鐘。由于支撐銷是從四周將基板頂起懸空進行除電，基板中心由于無支撐銷不能完全懸空脫離下部電極表面(四周銷上升高度20mm)，從而有靜電破壞現(xiàn)象發(fā)生，影響后一部工序，最終影響產(chǎn)品合格率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中除靜電不充分而造成靜電破壞問題，提供一種基板等離子除靜電工藝，在該工藝中，支撐銷從四周將基板頂起懸空進行除電，其特征在于該支撐銷的高度調(diào)節(jié)至40mm。
本發(fā)明通過改變支撐銷的高度來有效充分地將基板中所帶靜電除去，以解決除靜電不充分而造成靜電破壞問題。
本發(fā)明的積極進步效果在于通過改善等離子除電工序中支撐銷高度，以避免基板未進行充分除電而造成靜電破壞，提高產(chǎn)品的合格率。
具體實施例方式
實施例1在O2氣流量為800標準毫升分下，RF功率500瓦下，壓力6.67帕下，支撐銷高度分別為20mm和40mm下，用帶正電的陶瓷電極將三層CVD/Cr/PR/D-WE基板處理5秒鐘，各基板靜電破壞發(fā)生率如表1所示。
表1 發(fā)生靜電破壞的基板枚數(shù)和靜電破壞發(fā)生率

結(jié)果表明支撐銷高度20mm條件下，靜電破壞現(xiàn)象較嚴重；在支撐銷高度40mm條件下，可以顯著改善靜電破壞現(xiàn)象，可以提高產(chǎn)品合格率。
實施例2在O2氣流量為800標準毫升分下，RF功率500瓦下，壓力6.67帕下，支撐銷高度分別為20mm和40mm下，用帶正電的陶瓷電極將若干枚三層CVD/Cr/PR/D-WE基板各處理5秒鐘，各基板靜電破壞發(fā)生率如表2和表3所示。
表2 在支撐銷高度為20mm下發(fā)生靜電破壞的基板枚數(shù)和靜電破壞發(fā)生率

表3 在支撐銷高度為40mm下發(fā)生靜電破壞的基板枚數(shù)和靜電破壞發(fā)生率

結(jié)果表明支撐銷高度20mm條件下，靜電破壞現(xiàn)象較嚴重；在支撐銷高度40mm條件下，可以顯著改善靜電破壞現(xiàn)象，可以提高產(chǎn)品合格率。
結(jié)論應(yīng)用上述試驗數(shù)據(jù)及實際平均靜電破壞發(fā)生率，可以得出通過改善支撐銷的高度，有效抑制了由等離子除靜電不充分造成的靜電破壞問題的發(fā)生。
權(quán)利要求
1.一種基板等離子除靜電工藝，在該工藝中，支撐銷從四周將基板頂起懸空進行除電，其特征在于該支撐銷的高度調(diào)節(jié)至40mm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基板等離子除靜電工藝，在該工藝中，支撐銷從四周將基板頂起懸空進行除電，其特征在于該支撐銷的高度調(diào)節(jié)至40mm。本發(fā)明對支撐銷的上升高度進行改善，有效解決了除靜電不充分而造成靜電破壞的問題。
文檔編號G02F1/13GK1997254SQ20051011227
公開日2007年7月11日 申請日期2005年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月28日
發(fā)明者汪建平 申請人:上海廣電Nec液晶顯示器有限公司