專利名稱：光敏聚合物及含有該聚合物的化學擴增的光刻膠組合物的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及光敏聚合物及含有該聚合物的化學擴增的光刻膠組合物。更具體地，本發(fā)明涉及用于通過使用短波長的深度UV曝光光源來形成高分辨率精細電路圖案的光敏聚合物，以及含有該聚合物的化學擴增的光刻膠組合物。
背景技術：
由于3年內(nèi)半導體集成電路的集成度增長了4倍，已經(jīng)開發(fā)出了存儲容量超過1GB的動態(tài)隨機存取存儲器(下文稱為“DRAM”)。為了生產(chǎn)大容量的DRAM，需要開發(fā)能夠形成線寬為0.18μm的精細光刻膠圖案的光敏聚合物和光刻膠組合物。
通常，半導體生產(chǎn)過程中的光刻過程包括如下步驟a)在半導體基體上均勻地涂覆包含光敏聚合物和溶劑的光刻膠組合物；b)對所述涂覆的光刻膠組合物進行前烘(soft baking)以驅(qū)除所述溶劑，從而在基體上形成抗蝕膜；c)將光掩膜(分劃板(reticle))和形成有抗蝕膜的基體暴露于曝光光源，從而反復地將所述光掩膜的縮小圖像投影到所述抗蝕膜；d)使用顯影劑選擇性地除去曝光的抗蝕膜；e)對顯影后的抗蝕膜進行堅膜(hard-baking)從而使所述膜嚴格地粘附在所述基體上；f)根據(jù)所述堅膜后的抗蝕膜的圖案對所述基體進行蝕刻；及g)在所述蝕刻步驟后將不需要的抗蝕膜剝離。
用于光刻過程的光刻膠組合物必須具備諸如對照射光的高分辨率、良好的光學靈敏度(optical sensitivity)和良好的透明度的特性，并且還必須具備諸如良好的對比度、較快的感光速度(photo-speed)、良好的熱穩(wěn)定性、粘附性和抗蝕性的特性。所述光敏性表示所述光刻膠對照射光的反應程度。如果光敏性良好，則每單位小時內(nèi)與照射光反應的所述光刻膠組合物的量增加，從而提高生產(chǎn)率。為了提高光敏性，引入了含有光敏聚合物和光酸發(fā)生劑(photo-acid generator)的化學擴增的光刻膠組合物。如果將所述化學擴增的光刻膠組合物曝光，則所述光酸發(fā)生劑產(chǎn)生光酸，在所述光刻膠組合物上形成潛在的圖像。所產(chǎn)生的光酸在曝光后的加熱過程被活化，引起a)含在所述光刻膠組合物中的光敏聚合物的交聯(lián)反應，或b)所述光敏聚合物的主鏈或取代在該主鏈上的官能團的解聚或脫保護。之后，所述光酸作為上述交聯(lián)反應、解聚作用或脫保護作用的副產(chǎn)物產(chǎn)生，然后發(fā)生由其引起的鏈式反應，從而增強了所述光刻膠組合物的光敏性。所述分辨率定義為在最適合的操作條件下用所述光刻膠能形成的精細電路圖案的最小尺寸，并且是評價光刻膠的重要指標。分辨率(R)在數(shù)學上定義為(κλ/NA)，其中κ是依賴于操作條件的參數(shù)，并且是所述光刻膠固有的物理性質(zhì)，λ是照射光的波長(nm)，而NA是透鏡的數(shù)值孔徑(numeral aperture)。如上所示，在曝光過程中，通過使用較短波長的光源或具有較低參數(shù)(κ)的光敏聚合物和光刻膠組合物能獲得較高的分辨率。
歷史上，早在二十世紀80年代，就引入了使用高壓水銀燈形成分辨率為1μm的電路圖案的G-line(436nm)曝光方法。并且還引入了能形成分辨率為0.5μm或更小的電路圖案的I-line(365nm)曝光方法。此后，開發(fā)出了使用300nm或更短的短波長的曝光技術(例如使用波長248nm的光的KrF準分子激光法)，來大量生產(chǎn)分辨率小于0.5μm的256M DRAM。在所述曝光過程中使用通常稱為“步進機(stepper)”的步進重復式對準儀設備。根據(jù)所用的曝光光源(如G-line(436nm)、I-line(365nm)、ArF(193nm)準分子激光、KrF(298nm)準分子激光等等)選用所述步進機。使用X-射線或EUV(極端紫外線)作為曝光光源的曝光設備正在研究和開發(fā)中。
如上所述，用于使用短波長光作為曝光光源的光刻過程的光刻膠組合物必須具備諸如良好的透明度、良好的光敏性和較高的分辨率的優(yōu)良物理特性。然而，用于常規(guī)G-line(436nm)或I-line(365nm)曝光過程的，由重氮醌(quinonediazide)光活化化合物和苯酚-酚醛樹脂構成的常規(guī)組合物吸收300nm或更小的照射光，并具有較低的透明度。同時，由常規(guī)G-line(436nm)或I-line(365nm)曝光過程形成的圖案不穩(wěn)定，并且不能形成陡直的圖案。因此，需要即使在使用300nm或更小的曝光光源的情況下仍具有優(yōu)良物理特性的化學擴增的光刻膠組合物。
在所述的化學擴增的光刻膠組合物中，負性光刻膠組合物包括可溶于堿性水溶液的結合樹脂、交聯(lián)試劑、光酸發(fā)生劑和溶劑(Jour，VacuumScience Technology.，Vol.B6，1988)。由所述光酸發(fā)生劑產(chǎn)生的光酸作為活化所述交聯(lián)試劑的催化劑起作用，使得所述結合樹脂變?yōu)椴豢扇艿?，并在后續(xù)的顯影過程中形成負性電路圖案。當所述常規(guī)光刻膠組合物包括作為結合樹脂的酚醛樹脂時，將三聚氰胺交聯(lián)樹脂和光酸發(fā)生劑暴露于248nm的KrF準分子激光或193nm的ArF準分子激光，所述酚醛結合樹脂和三聚氰胺交聯(lián)樹脂的光吸收使所述電路圖案反向錐化(tapered)(Jour，Vacuum Science Technology.，Vol.B7，1988)。因此，對替代所述化學擴增的負性光刻膠組合物的化學擴增正性光刻膠組合物tp進行了研究(Pro.Spie.，Vol 1262，p32，1990)。所述化學擴增的正性光刻膠組合物包含光敏聚合物、光酸發(fā)生劑和溶劑。在所述光刻膠膜的曝光部位，由所述光酸發(fā)生劑產(chǎn)生的光酸作為催化劑起作用，其促進了所述光敏聚合物的主鏈或取代在該主鏈上的官能團的解聚或脫保護，從而在后續(xù)的顯影過程中形成正性圖案。通常使用含有諸如聚乙烯酚(polyvinylphenol)衍生物的聚合物的抗蝕材料作為所述化學擴增的正性光刻膠組合物，其不能吸收300nm或更小波長的光。具體地，示例性的化學擴增的正性光刻膠組合物包括a)由H.Ito等(“Polymers in Electronics”，ACS Symposium Series，No.242，American Chemical Society，Washington，D.C.，1984，p.11)提供的包括用叔丁氧基羰基(t-BOC)封閉(blocked)的聚(羥基苯乙烯)和鎓鹽(onium salt)的光刻膠材料，b)由Ueno等(36th Applied Physics Society Related JointMeeting，1989，1p-k-7)提供的包括聚(對苯乙烯氧四氫吡喃基)(poly(p-styreneoxytetrahydropyranyl))和所述光酸發(fā)生劑的光刻膠材料，及c)由Schlegel等(37th Japanese Applied Physics Society announcement，28p-ZE-4，1990)提供的由酚醛樹脂、作為溶解抑制劑的叔丁氧基羰基保護的雙酚-A以及焦棓酚甲烷磺酸酯構成的三組分光刻膠材料。日本已審查專利公開第1990-27660號，日本未審查專利公開第1993-232706號，日本未審查專利公開第1993-249683號，美國專利第4,491,628和5,310,619號等公開了與上述材料制備相關的技術。上述光刻膠組合物具有較高的分辨率，但當曝光過程和曝光后烘烤(PEB)過程之間存在曝光后延遲(PED)時，由于與基體的反應，在所述圖案中可能存在footing現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供即使當曝光過程和PEB過程之間存在PED時也不產(chǎn)生footing現(xiàn)象的光敏聚合物，以及含有該聚合物的化學擴增的光刻膠組合物。本發(fā)明的另一目的是提供用于借助短波長曝光光源形成高分辨率精細電路圖案的光敏聚合物，以及含有該聚合物的化學擴增的光刻膠組合物。
為實現(xiàn)這些和其它目的，本發(fā)明提供以下式1所示的光敏聚合物，[式1] 其中R1為氫原子，R2為氫原子、 或 R3為氯原子、溴原子、羥基、氰基、叔丁氧基、CH2NH2、CONH2、CH＝NH、CH(0H)NH2或C(OH)＝NH基團，R4為氫原子或甲基，1-x-y-z、x、y和z為構成所述光敏聚合物的每種重復單元的聚合度，x、y和z分別為0.01-0.8，且n為1或2。同時，本發(fā)明提供包括式1所示的光敏聚合物、光酸發(fā)生劑和有機溶劑的化學擴增的光刻膠組合物。
發(fā)明的詳細說明參照以下的詳細說明可以更好、更完整地理解本發(fā)明及其具有的多種優(yōu)點。
本發(fā)明的光敏聚合物用于制備化學擴增的光刻膠組合物，并如以下式1所示。
在式1中，R1為氫原子，R2為氫原子、 或 R3為氯原子、溴原子、羥基、氰基、叔丁氧基、CH2NH2、CONH2、CH＝NH、CH(OH)NH2或C(0H)＝NH基團，R4為氫原子或甲基，1-x-y-z、x、y和z為構成所述光敏聚合物的每種重復單元的聚合度，x、y和z分別為0.01-0.8，且n為1或2。
所述光敏聚合物可在諸如偶氮二異丁腈(AIBN)的引發(fā)劑和諸如四氫呋喃(THF)的有機溶劑存在條件下通過封閉基團取代的苯乙烯單體的聚合來制備，優(yōu)選通過乙烯聚合來制備。優(yōu)選地，所制備的光敏聚合物具有3,000-30,000的平均分子量以及1.01-3.00的多分散性。如果其平均分子量和多分散性超過上述范圍，則光刻膠層的物理特性變差，難以形成光刻膠層或圖案對比度下降。
本發(fā)明光敏聚合物的優(yōu)選實例如以下式1a到式1d所示。
[式1b] [式1c] 在式1a到式1d中，1-x-y-z、x、y和z為構成所述光敏聚合物的每種重復單元的聚合度，且x、y和z分別為0.01-0.8。
式1所示的光敏聚合物提高了所述光刻膠膜的耐干式蝕刻的性能。在曝光過程中，所述光敏聚合物被所述光酸發(fā)生劑產(chǎn)生的光酸脫保護，且其溶解性提高，而所述膜的未曝光部分具有足夠的溶劑抑制性能。因此，所述光刻膠組合物的對比度和分辨率提高，并且即使采用短波長的曝光光源也能形成精細的電路圖案。此外，即使當曝光過程和PEB過程之間存在PED時也不產(chǎn)生footing現(xiàn)象。
本發(fā)明的化學擴增的光刻膠組合物包括a)式1所示的光敏聚合物，b)用于產(chǎn)生光酸的光酸發(fā)生劑，c)有機溶劑，及如果需要，包括各種添加劑。優(yōu)選的所述光敏聚合物的量為占所述化學擴增的光刻膠組合物總量的0.1-50重量％，且更優(yōu)選地，所述光敏聚合物的量為占所述化學擴增的光刻膠組合物總量的1-50重量％。如果所述光敏聚合物的量少于0.1重量％，則由于所述涂層形成的抗蝕膜很薄，難以形成具有所需厚度的圖案，而如果所述光敏聚合物的量高于50重量％，則其涂層的均勻度下降。
通過曝光，所述光酸發(fā)生劑產(chǎn)生諸如H+的光酸組分，其引起了化學擴增作用。本發(fā)明可廣泛地使用常規(guī)光酸發(fā)生劑?？墒褂昧蜴f鹽、諸如碘鎓的鎓鹽、N-亞氨基磺酸鹽、諸如 的二砜(其中R為-H、-CH3或-C(CH3)3)、諸如 的雙芳基磺?；氐淄?其中R為-H、-CH3或-C(CH3)3)、諸如 的芳基羰基芳基磺?；氐淄?其中R為-H、-CH3或-C(CH3)3)，或其混合物作為所述酸發(fā)生劑。硫鎓鹽的例子包括下列化合物但并不局限于此。

鎓鹽的例子包括如下化合物但并不局限于此。
示例性的N-亞氨基磺酸鹽包括 和 化合物。
優(yōu)選地，光酸發(fā)生劑的量為所述化學擴增的光刻膠組合物總量的0.1-50重量％，更優(yōu)選所述光酸發(fā)生劑的量為0.1-30重量％。如果所述光酸發(fā)生劑的量低于0.1重量％，則由于通過曝光產(chǎn)生的酸組分很少，因而難以使所述封閉基團脫保護，而如果所述光酸發(fā)生劑的量超過50重量％，則由于所述抗蝕膜的吸收增加使得所述圖案產(chǎn)生斜面(slope)。
可用各種用于常規(guī)光刻膠組合物的有機溶劑作為本發(fā)明光刻膠組合物的有機溶劑。示例性的有機溶劑包括乳酸乙酯、乙二醇單乙醚醋酸酯、丙二醇單甲醚醋酸酯、乙醚醋酸酯、乙酸正丁酯、甲基異丁基酮、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、二甘醇單乙醚、2-庚酮、雙丙酮醇、β-甲氧基異丁酸甲酯、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲基丙酸酯(propyleneglycolmonomethylpropionate)、乳酸甲酯、乳酸丁酯、丙酮酸乙酯、γ-丁內(nèi)酯及其混合物。
如果必要，除所述光敏聚合物、光酸發(fā)生劑、有機溶劑外，本發(fā)明的光刻膠組合物還可包括溶解抑制劑。所述溶劑抑制劑降低了抗蝕膜未曝光部分的溶解度，使所述未曝光部分和曝光部分的溶解度差異變大，從而增強對比度。本發(fā)明的光刻膠組合物可使用常規(guī)的溶解抑制劑。所述溶解抑制劑的量優(yōu)選為所述光敏聚合物的0.1-50重量％。
使用本發(fā)明的化學擴增的光刻膠組合物能在基體上形成光刻膠圖案。首先，用例如旋涂機將所述化學擴增的光刻膠組合物旋涂在諸如硅晶片或鋁晶片的基體上，在該基體上形成光刻膠層。因為其中的光敏聚合物的溶解度較低，因此所述光刻膠層即使用堿性水溶液處理也基本不溶。然后將所述光刻膠層暴露于短波長光源。所述光刻膠組合物的光酸發(fā)生劑與光反應產(chǎn)生光酸。通過額外的加熱過程使用于抑制顯影的封閉基團(所述光敏聚合物主鏈的側基)脫保護，所述加熱過程誘導所述光產(chǎn)生的酸的化學擴增。因此，曝光部分對顯影溶液的溶解度大大增加，使所述曝光部分和未曝光部分之間產(chǎn)生溶解度差異。和與所述G-line光和I-line光反應的常規(guī)正性化學擴增的光刻膠組合物相比，本發(fā)明的化學擴增的光刻膠組合物具有更加良好的分辨率。
以下提供了優(yōu)選的實施例用于更好地理解本發(fā)明。然而，本發(fā)明并不局限于以下實施例。
實施例1聚(HS-co-pEES-co-苯乙烯-co-CBCPS)(式1a)的合成a)4-氰基甲基苯乙烯(CyMS)的合成如以下反應1a所示，將49.01g氰化鈉(NaCN)、70.07g水和50.96g乙醇加入裝有機械攪拌的500ml 4-頸燒瓶中，并將溶液的溫度升高到60℃以使NaCN完全溶解。向所述溶液中緩慢加入87.05g 4-氯甲基苯乙烯，并使反應在60-70℃溫度條件下進行3小時。反應完成后，將所述溶液冷卻至40℃，向其中加入100g二乙醚，并分離二乙醚層。將分離的有機層用300g水萃取三次。水層用50g二乙醚萃取，并將二乙醚萃取液加入所述有機層中。分離的有機層用硫酸鎂干燥一天，隨后用蒸發(fā)器除去所述有機溶劑得到深紫色的4-氰基甲基苯乙烯。產(chǎn)物收率為80％。
b)4-(3-氰基-二-1，5-叔丁氧基羰基-戊基)苯乙烯(CBCPS)的合成如以下反應1b所示，將57.28g上述方法制備的4-氰基甲基苯乙烯和1.4g Triton表面活性劑加入裝有機械攪拌的500ml 4-頸燒瓶中，隨后用40g二噁烷溶解。保持反應器的溫度為60℃的條件下，用約30分鐘向溶液中緩慢加入102.54g丙烯酸叔丁基酯，并在攪拌下反應24小時。反應完成后，反應物用鹽酸溶液中和，中和后的反應物用100g二乙醚和300g水萃取三次。水層用50g二乙醚萃取，并將二乙醚萃取液加入所述有機層中。分離的有機層用硫酸鎂干燥一天，然后用蒸發(fā)器除去有機溶劑。所得產(chǎn)物在減壓下蒸餾除去未反應的材料，并用甲醇重結晶得到淡黃色的CBCPS，收率60％。
c)聚(HS-co-pEES-co-苯乙烯-co-CBCPS)的合成如以下反應1c所示，將200ml四氫呋喃(THF)加入裝有溫度控制裝置和氮氣通入裝置的500ml 4-頸燒瓶中，并通過通入氮氣攪動30分鐘。在25℃向該反應器中加入42.17g 4-乙酰氧基苯乙烯、53.83g 4-(1-乙氧基)-乙氧基苯乙烯、10.42g苯乙烯、15.98g上述方法中制備的CBCPS以及2.06g AIBN。將反應物的溫度升高到40℃，并在氮氣氛下將其攪拌30分鐘。然后所述反應物的溫度升高到60-70℃，并在回流條件下將其繼續(xù)攪拌24小時。反應完成后，將所述反應物的溫度冷卻至室溫(25℃)，并將反應物傾入2L己烷中得到沉淀。過濾所得沉淀，用2L己烷洗滌多次，并真空干燥。在燒瓶中將干燥后的聚合物用200ml甲醇溶解，向其中加入12.00ml的28重量％的NH3水溶液，并緩慢攪拌所得混合物。所述聚合物完全溶解后，將混合物繼續(xù)攪拌30分鐘。將攪拌后的溶液傾入2L水中得到沉淀。過濾所得沉淀，用2L純水洗滌多次，并真空干燥2天，得到44.57g聚(HS-co-pEES-co-苯乙烯-co-CBCPS)。
在反應1c中，1-x-y-z、x、y和z與式1中的定義相同。
實施例2聚(HS-co-pEES-co-pTBS-co-CBCPS)(式1b)的合成如以下反應2所示，除了使用17.63g對-叔丁氧基-苯乙烯代替10.42g苯乙烯作為單體，使用2.27g AIBN作為引發(fā)劑，以及使用11.89ml的28重量％的NH3水溶液之外，采用與實施例1中所述相同的方法得到47.73g式1b的聚(HS-co-pEES-co-pTBS-co-CBCPS)。
在反應2中，1-x-y-z、x、y和z與式1中的定義相同。
實施例3聚(HS-co-pEES-co-tBocS-co-CBCPS)(式1c)的合成a)聚(HS-co-pEES-co-CBCPS)的合成如以下反應3a所示，將200ml四氫呋喃(THF)加入裝有回流冷卻器、溫度控制裝置和氮氣通入裝置的500ml 4-頸燒瓶中，并通過通入氮氣攪動30分鐘。向反應器中加入58.39g 4-乙酰氧基苯乙烯、53.83g 4-(1-乙氧基)-乙氧基苯乙烯、15.98g實施例1(b)中制備的CBCPS以及2.23g作為引發(fā)劑的AIBN。將反應器的溫度升高到40℃，并在氮氣氛下將反應物攪拌30分鐘。然后將反應器的溫度升高到60-70℃，并在回流條件下將反應物繼續(xù)攪拌24小時。反應完成后，將所述反應物的溫度冷卻至室溫(25℃)，并將反應物傾入2L己烷中得到沉淀。過濾所得沉淀，用2L己烷洗滌多次，并真空干燥。在燒瓶中將干燥后的聚合物用200ml甲醇溶解，向其中加入17.48ml的28重量％的NH3水溶液，并緩慢攪拌所得混合物。所述聚合物完全溶解后，將混合物繼續(xù)攪拌30分鐘。將攪拌后的溶液傾入2L水中得到沉淀。過濾所得沉淀，用2L純水洗滌多次，并真空干燥2天，得到55.77g聚(HS-co-pEES-co-CBCPS)。
在反應3a中，1-x-z、x和z與式1中的定義相同。
b)聚(HS-co-pEES-co-tBocS-co-CBCPS)的合成如以下反應3b所示，將200ml THF加入500ml的單頸燒瓶中，并加入55.77g聚(HS-co-pEES-co-CBCPS)、23.57g二叔丁基碳酸氫鈉(di-tert-butyl-dicarbonate)和10.92g三乙胺。將反應物在25℃攪拌15小時。反應完成后，將反應物傾入2L水中得到沉淀。過濾所得沉淀，用2L水洗滌多次，并真空干燥2天，得到66.24g聚(HS-co-pEES-co-tBocS-co-CBCPS)。
在反應3b中，1-x-y-z、x、y和z與式1中的定義相同。
實施例4聚(HS-co-pEES-co-tHPS-co-CBCPS)(式1d)的合成如以下反應4所示，除了使用21.83g四氫吡喃基氧苯乙烯代替10.42g苯乙烯作為單體，使用2.39g AIBN作為引發(fā)劑，以及使用12.63m1的28重量％的NH3水溶液之外，采用與實施例1中所述相同的方法得到55.98g式1d的聚(HS-co-pEES-co-tHPS-co-CBCPS)。
在反應4中，1-x-y-z、x、y和z與式1中的定義相同。
實施例5-14化學擴增的光刻膠組合物的制備以及精細圖案的形成根據(jù)表1中所示的重量比例，將實施例1-4中制備的光敏聚合物和式2-5的光酸發(fā)生劑溶解在乳酸乙酯(EL，有機溶劑)中制得化學擴增的光刻膠組合物。以3000rpm將所得光刻膠組合物旋涂在硅基體上，并在130℃加熱90秒以形成光刻膠層。將精細圖案的光掩膜置于所述光刻膠層上，隨后將所述光刻膠層暴露于波長248nm的光。此后，將所述光刻膠層在130℃烘烤90秒。烘烤后的晶片用2.38重量％四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液顯影60秒，并用純水洗滌，從而形成精細圖案。檢測所得精細電路圖案的相對靈敏度和分辨率并列在表1中。
[式3] [式4] [式5]
對比實施例1和2化學擴增的光刻膠組合物的制備和精細圖案的形成根據(jù)表1中所示的重量比例，將如下式6或7的光敏聚合物和式2或3的光酸發(fā)生劑溶解在乳酸乙酯(EL，有機溶劑)中制得化學擴增的光刻膠組合物。用所得的組合物通過與實施例5中所述相同的方法形成半導體電路圖案。檢測所得精細圖案的相對靈敏度和分辨率并列在表1中。





表1中，相對靈敏度指最佳的能量值(Eop)。如表1中所示，與對比實施例1和2中制備的組合物相比，實施例5-14中制備的本發(fā)明的化學擴增的光刻膠組合物具備更為優(yōu)良的分辨率。因此，即使使用248nm的曝光光源也能形成所述精細電路圖案。如上所述，本發(fā)明的光敏聚合物和化學擴增的光刻膠組合物的優(yōu)點是即使在所述曝光過程和PEB過程之間存在PED也不會產(chǎn)生footing現(xiàn)象。同時，即使使用短波長的曝光光源，本發(fā)明的光敏聚合物和化學擴增的光刻膠組合物依然具有優(yōu)良的分辨率，從而能形成精細的電路圖案。
雖然本發(fā)明是參照優(yōu)選的實施方案進行詳細描述的，但本領域所屬技術人員應當理解，可在不脫離所附權利要求限定的本發(fā)明基本精神和范圍的條件下對其做出各種改變和替換。
權利要求
1.式1所示的光敏聚合物，[式1] 其中R1為氫原子，R2為氫原子、 或 R3為氯原子、溴原子、羥基、氰基、叔丁氧基、CH2NH2、CONH2、CH＝NH、CH(OH)NH2或C(OH)＝NH基團，R4為氫原子或甲基，1-x-y-z、x、y和z為構成所述光敏聚合物的每種重復單元的聚合度，x、y和z分別為0.01-0.8，且n為1或2。
2.如權利要求1所述的光敏聚合物，選自以下式1a到式1d所示的化合物，[式1a] [式1b] [式1c] [式1d] 其中，1-x-y-z、x、y和z為構成所述光敏聚合物的每種重復單元的聚合度，且x、y和z分別為0.01-0.8。
3.如權利要求1或2所述的光敏聚合物，其平均分子量為3,000-30,000，且多分散性為1.01-3.00。
4.化學擴增的光刻膠組合物，包括權利要求1-3中任一權利要求所述的光敏聚合物，光酸發(fā)生劑以及有機溶劑。
5.如權利要求4所述的化學擴增的光刻膠組合物，其中所述光酸發(fā)生劑選自 及其混合物，其中R為-H、-CH3或-C(CH3)3。
6.如權利要求4或5所述的化學擴增的光刻膠組合物，其中所述有機溶劑選自乳酸乙酯、乙二醇單乙醚醋酸酯、丙二醇單甲醚醋酸酯、乙醚醋酸酯、乙酸正丁酯、甲基異丁基酮、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、二甘醇單乙醚、2-庚酮、雙丙酮醇、β-甲氧基異丁酸甲酯、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲基丙酸酯、乳酸甲酯、乳酸丁酯、丙酮酸乙酯、γ-丁內(nèi)酯及其混合物。
7.如權利要求4-6中任一權利要求所述的化學擴增的光刻膠組合物，其中所述光敏聚合物的含量為所述化學擴增的光刻膠組合物總量的0.1-50重量％。
8.如權利要求7所述的化學擴增的光刻膠組合物，其中所述光敏聚合物的含量為所述化學擴增的光刻膠組合物總量的1-50重量％。
9.如權利要求4-8中任一權利要求所述的化學擴增的光刻膠組合物，其中所述光酸發(fā)生劑的含量為所述化學擴增的光刻膠組合物總量的0.1-50重量％。
10.如權利要求9所述的化學擴增的光刻膠組合物，其中所述光酸發(fā)生劑的含量為所述化學擴增的光刻膠組合物總量的0.1-30重量％。
全文摘要
本發(fā)明公開了用于采用短波長曝光光源形成高分辨率精細電路圖案的光敏聚合物，及含有該聚合物的化學擴增的光刻膠組合物。所述光敏聚合物如以下式1所示，[式1]其中R
文檔編號G03F7/039GK1704845SQ20051007480
公開日2005年12月7日 申請日期2005年6月3日 優(yōu)先權日2004年6月3日
發(fā)明者金德倍, 金相廷, 金華泳, 諸葛真, 金宰賢 申請人:株式會社東進世美肯