專利名稱：制作一金屬圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種制作金屬圖案的方法，尤指一種可以有效減少蝕刻殘留物的制作金屬圖案的方法。
背景技術(shù)：
在薄膜晶體管液晶顯示器面板的工藝中，金屬圖案制作的良窳對于液晶面板的品質(zhì)影響很大。舉例而言，在液晶面板的工藝中需進行數(shù)道光蝕程序，以分別定義薄膜晶體管的柵極、源極/漏極以及接觸洞等堆疊結(jié)構(gòu)。為了提高后續(xù)介電沉積層的覆蓋能力，通常在定義這些金屬圖案時，均會盡量避免在蝕刻工藝中使金屬圖案產(chǎn)生底切(undercut)的情況，以免蝕刻后的金屬碎屑殘留于金屬圖案下方的孔隙，影響薄膜晶體管的電性表現(xiàn)。因此目前業(yè)界在制作金屬圖案時是形成錐狀的側(cè)壁結(jié)構(gòu)，亦即使金屬圖案形成良好的平臺(taper)形狀較佳。
已知在玻璃基板上進行金屬層蝕刻工藝時，為了形成良好的平臺形狀，采取浸泡式(Dip)濕蝕刻工藝，即將玻璃基板以浸泡的方式浸泡在蝕刻液中，使蝕刻液中的化學藥劑與金屬薄膜產(chǎn)生化學反應(yīng)，以去除未被遮罩層覆蓋的金屬層，來定義玻璃基板上的金屬圖案。以浸泡方式進行濕蝕刻，固然可以形成良好蝕刻形狀，然而其缺點在于玻璃基板上的金屬圖案密度有疏有密，因此極容易產(chǎn)生負載效應(yīng)(loading effect)，使得蝕刻液中化學藥劑與金屬層反應(yīng)不均，造成部分應(yīng)去除掉的金屬殘留在基板表面。尤其在金屬圖案線寬較狹窄處，由于需要蝕刻掉大量的金屬，但因為蝕刻不均勻往往會導(dǎo)致大量金屬殘留使基板產(chǎn)生缺陷，進而影響產(chǎn)品良率。
因此在玻璃基板的制作過程中，如何解決基板蝕刻不均造成的金屬殘留問題，實為當前的重要課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種液晶顯示器基板的金屬圖案的蝕刻方法，以解決金屬殘留的問題。
在本發(fā)明的一較佳實施例中，該方法是利用準分子紫外光(excimer UV)在蝕刻工藝之前照射玻璃基板表面金屬層，以降低金屬層表面張力，之后再進行濕蝕刻工藝，去除部分該金屬層并形成金屬圖案。
由于本發(fā)明是利用高能量光線，在進行蝕刻工藝之前先照射基板，使基板表面金屬層的表面張力降低，故在進行蝕刻工藝時，蝕刻液中的化學藥劑便不會因為表面張力過大，而與金屬表面產(chǎn)生過大的接觸角度，造成蝕刻不均，產(chǎn)生金屬殘留物的情形，所以可以有效提升蝕刻工藝的效率，改進已知金屬蝕刻工藝的缺點。


圖1為經(jīng)準分子紫外光照射后的玻璃基板在蝕刻工藝后的檢視圖。
具體實施例方式
在本發(fā)明的較佳實施例中，首先在玻璃基板上形成鉬/鋁/鉬復(fù)合金屬層，或是鉬/鋁合金金屬層，并以遮罩層覆蓋住該金屬層的部分表面，然后以波長172nm的準分子紫外光照射該玻璃基板表面，再進行浸泡式濕蝕刻，去除部分金屬層，以形成金屬圖案。同時在本實施例中，經(jīng)過準分子紫外光照射后所蝕刻出的金屬圖案，具有錐狀側(cè)壁結(jié)構(gòu)，可形成良好的平臺形狀。
由于金屬圖案蝕刻工藝中，采用浸泡式濕蝕刻工藝容易造成蝕刻不完全，其中一原因為基板上金屬層的表面張力過大，致使在蝕刻過程中蝕刻液中的化學藥劑與金屬表面形成過大的接觸角度，而無法均勻蝕刻金屬，特別是在基板上金屬線寬較狹窄處，如源極與漏極間的空間、拉線區(qū)及孔洞的位置，由于此類區(qū)域需要蝕刻掉大量的金屬，常會有金屬殘留物形成，因而影響基板品質(zhì)。
請參考表1，表1為在本發(fā)明較佳實施例中，基板上的鉬/鋁/鉬復(fù)合金屬層或是鉬/鋁合金金屬層以準分子紫外光(excimer ultraviolet)照射前后的表面張力比較表。由表1可知，將基板分成九個區(qū)塊的情形下進行準分子紫外光照射，基板上金屬層大部分區(qū)塊的表面張力均明顯下降，且平均下降程度達35％，由此可知以高能照射來處理基板表面，確實能有效降低基板表面金屬層的表面張力。
表1本發(fā)明玻璃基板利用準分子紫外光照射前后的表面張力比較表。

請參考圖1，圖1為在本發(fā)明中的較佳實施例中，一先以準分子紫外光照射部分區(qū)域的玻璃基板后，再進行蝕刻工藝的基板檢視圖。其中基板被分成24個區(qū)域，圖中的黑點表金屬殘留造成的缺陷，且基板上A-H、X、Y、Z為進行蝕刻工藝前經(jīng)由準分子紫外光照射處理過的區(qū)域。由圖1可知，經(jīng)準分子紫外光照射處理過的區(qū)域中，出現(xiàn)的缺陷數(shù)目遠低于基板上其他區(qū)域，且S-W區(qū)域更因為蝕刻工藝后被檢測出缺陷數(shù)過多而無法正常運作。由此可知在進行玻璃基板上金屬層的蝕刻工藝時，利用如準分子紫外光的高能照射確實可解決金屬殘留的問題。
除了在本發(fā)明較佳實施例中使用的準分子紫外光外，在本發(fā)明其他實施例中，可使用紫外光(ultraviolet)、深紫外光(deep ultraviolet)、等離子體(plasma)及常壓等離子體(atmospheric pressure plasma)等高能照射光束來降低玻璃基板表面張力，亦可達到與準分子紫外光類似的效果，有效改善已知技術(shù)金屬殘留的問題。
與已知的玻璃基板金屬蝕刻技術(shù)相比，本發(fā)明在蝕刻基板金屬圖案之前，先進行一高能照射降低基板上金屬層的表面張力，使得在進行濕蝕刻工藝時，蝕刻液的化學藥劑能均勻地與金屬層表面薄膜進行蝕刻，有效改善蝕刻不均所造成的金屬殘留問題。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的同等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明專利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示面板的金屬圖案的制作方法，該液晶顯示面板包含有基板，以及設(shè)于該基板表面的金屬層，該制作方法包含有下列步驟在該基板表面進行高能照射；以及進行濕蝕刻工藝，以去除部分的該金屬層并形成該金屬圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該液晶顯示面板還包含有遮罩層覆蓋于該金屬層的部分表面，以用來定義該金屬圖案。
3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該高能照射是利用準分子紫外光照射該基板表面。
4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該高能照射是利用紫外光照射該基板表面。
5.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該高能照射是利用深紫外光照射該基板表面。
6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該高能照射是利用等離子體照射該基板表面。
7.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該高能照射是利用常壓等離子體照射該基板表面。
8.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該濕蝕刻工藝是為浸泡式的濕蝕刻。
9.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該金屬圖案包含錐狀側(cè)壁結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該金屬層是由鉬/鋁/鉬或是鉬/鋁合金等金屬材料所形成的復(fù)合層。
11.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該金屬圖案是用來作為導(dǎo)線。
12.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該基板為玻璃基板。
13.一種減少蝕刻殘留物的方法，其包含有下列步驟提供玻璃基板，該玻璃基板表面包含有金屬層；于該基板表面進行高能照射，以降低該金屬層的表面張力；以及進行濕蝕刻工藝，以去除部分的該金屬層并形成金屬圖案。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該玻璃基板還包含有遮罩層覆蓋于該金屬層的部分表面，以用來定義該金屬圖案。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該高能照射是利用準分子紫外光照射該基板表面。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該高能照射是利用紫外光照射該基板表面進行的。
17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該高能照射是利用深紫外光照射該基板表面。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該高能照射是利用等離子體照射該基板表面。
19.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該高能照射是利用常壓等離子體照射該基板表面。
20.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該濕蝕刻工藝是為浸泡式的濕蝕刻。
21.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該金屬圖案包含錐狀側(cè)壁結(jié)構(gòu)。
22.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該金屬層是由鉬/鋁/鉬等金屬材料所形成的復(fù)合層。
23.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該金屬圖案是用來作為導(dǎo)線。
全文摘要
本發(fā)明提供一種于液晶顯示面板上制作金屬圖案的方法，該液晶顯示面板包含有基板，以及設(shè)于該基板表面金屬層，該方法是先對該基板表面進行高能照射，以降低該金屬層的表面張力，之后再進行濕蝕刻工藝，以去除部分金屬層并完成金屬圖案的制作。
文檔編號G03F7/26GK1517800SQ0310157
公開日2004年8月4日 申請日期2003年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月15日
發(fā)明者陳慶仁 申請人:友達光電股份有限公司