專利名稱：：包括衍射浮雕結(jié)構(gòu)的多層體及其制備方法包括衍射浮雕結(jié)構(gòu)的多層體及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及具有復(fù)制層(replicationlayer)和至少一個(gè)設(shè)置在該復(fù)制層上與第一浮雕結(jié)構(gòu)成對齊(inregister)關(guān)系的部分成形的笫一層的多層體，和所述多層體的制備方法。此類元件適合用作遠(yuǎn)程通訊領(lǐng)域中的光學(xué)元件或還用作透鏡系統(tǒng)。GB2136352A描述了制備配備有全息圖作為安全特性的密封薄膜的制備方法。在那種情況下，在衍射浮雕結(jié)構(gòu)的壓印操作之后，在塑料薄膜的整個(gè)面積上鍍金屬，然后按區(qū)域(region-wise)方式以與經(jīng)壓印的衍射浮雕結(jié)構(gòu)精確對齊的關(guān)系脫金屬。以精確對齊的關(guān)系脫金屬是昂貴的并且可能獲得的分辯率受到調(diào)節(jié)容限和所使用的程序限制。EP0537439B2描述了具有細(xì)絲(filigree)圖案的安全性構(gòu)件的制備方法。該圖案由衍射性結(jié)構(gòu)形成，所述結(jié)構(gòu)覆蓋有金屬層并且被其中除去了金屬層的透明區(qū)域圍繞。要求將細(xì)絲圖案的輪廓以凹部(depression)形式引入金屬涂覆的載體中，在那種情況下，同時(shí)為該凹部的底部提供衍射性結(jié)構(gòu)然后用保護(hù)性漆填充該凹部。通過刮刀除去過量的保護(hù)性漆。在涂覆保護(hù)性漆之后，要求在無保護(hù)的透明區(qū)域通過蝕刻除去金屬層。凹部為大約liam-5jum,而衍射性結(jié)構(gòu)可以有大于lnm的高度差。在重復(fù)步驟中，需要調(diào)節(jié)步驟用于以精確對齊的關(guān)系取向的方法當(dāng)處理更精細(xì)結(jié)構(gòu)時(shí)失敗。另外，對于刮除保護(hù)性漆的操作來說，隨著"間隔物"消失，難以實(shí)現(xiàn)覆蓋面積的連續(xù)金屬區(qū)域。本發(fā)明的目的是提供多層體和多層體的制備方法，其中可以在高精確水平下廉價(jià)地以對齊關(guān)系施加層，該層具有其中該層不存在的區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明，該目的由具有部分成形的第一層的多層體的制備方法達(dá)到，其中要求在該多層體的復(fù)制層的第一區(qū)域中成形衍射性第一浮雕結(jié)構(gòu)，在該第一區(qū)域中和其中在復(fù)制層中沒有成形浮雕結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域中將第一層施加到復(fù)制層上，由復(fù)制層限定的平面具有恒定的表面密度，將光敏層施加到第一層上或?qū)⒐饷粜韵礈煅谀Ｗ鳛閺?fù)制層施加到其上，透過第一層將該光敏層或洗滌掩模曝光以致由于第一和第二區(qū)域中的第一浮雕結(jié)構(gòu)而引起該光敏層或洗滌掩模被不同地曝光，和在第一區(qū)域而不是第二區(qū)域中或在第二區(qū)域而不是第一區(qū)域中使用曝光的光敏層或洗滌掩模作為掩模層將第一層除去。所述目的進(jìn)一步由具有復(fù)制層和至少一個(gè)設(shè)置在該復(fù)制層上的部分成形的第一層的多層體達(dá)到，其中要求在復(fù)制層的第一區(qū)域中成形衍射性第一浮雕結(jié)構(gòu)，在復(fù)制層的第二區(qū)域中的復(fù)制層中不成形第一浮雕結(jié)構(gòu)，和以由第一浮雕結(jié)構(gòu)的設(shè)置確定的方式將第一層部分地除去，以致在第一區(qū)域而不是第二區(qū)域中或在第二區(qū)域而不是第一區(qū)域中以與第一浮雕結(jié)構(gòu)精確對齊的關(guān)系將第一層除去。該目的進(jìn)一步由具有部分成形的笫二層的多層體的制備方法達(dá)到，其中要求在該多層體的復(fù)制層的第一區(qū)域中成形衍射性第一浮雕結(jié)構(gòu)，在該第一區(qū)域中和其中在復(fù)制層中沒有成形浮雕結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域中將第一層施加到復(fù)制層上，由復(fù)制層限定的平面具有恒定的表面密度，透過第一層將光敏層或光敏性洗滌掩模曝光以致由于第一和第二區(qū)域中的第一浮雕結(jié)構(gòu)而引起該光敏層或洗滌掩模被不同地曝光，和在第一區(qū)域而不是第二區(qū)域中或在第二區(qū)域而不是第一區(qū)域中使用曝光的光敏層或洗滌掩模作為掩模層將第二層除去。層的多層體的曝光掩模是理想的。在這方面要求曝光:模具有復(fù)制層，在復(fù)制層的第一區(qū)域中成形衍射性第一浮雕結(jié)構(gòu)，在復(fù)制層的第二區(qū)域中的復(fù)制層中不成形第一浮雕結(jié)構(gòu)，在該第一區(qū)域中和其中在復(fù)制層中沒有成形第一浮雕結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域中將第一層施加到復(fù)制層上，以致透過第一層曝光的光敏層或光敏性洗滌掩模由于第一浮雕結(jié)構(gòu)在第一和第二區(qū)域中被不同地曝光。本發(fā)明基于以下目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)第一區(qū)域中的衍射性浮雕結(jié)構(gòu)影響施加到該區(qū)域中的復(fù)制層上的第一層的物理性能，例如有效厚度或光學(xué)密度，以致該第一層的透射性能在第一和第二區(qū)域中有差異?，F(xiàn)在該第一層在曝光方法中用作"掩模層"以通過一種程序?qū)⒃摰谝粚颖旧砭植砍ィ逵稍摮绦?，透過第一層(即功能層)將鄰接該第一層的光敏層曝光。與通過常規(guī)方法施加的掩模層相比，這提供的優(yōu)點(diǎn)是在沒有附加的調(diào)整復(fù)雜性和費(fèi)用下以精確對齊的關(guān)系將掩模層取向。第一層是在復(fù)制層中成形的結(jié)構(gòu)的不可或缺的組件。因此，僅該浮雕結(jié)構(gòu)的容限對第一層的位置的容限有影響。第一浮雕結(jié)構(gòu)和具有相同物理性能的第一層的區(qū)域之間的橫向位移不會(huì)發(fā)生。具有相同的物理性能的第一層的區(qū)域的設(shè)置與第一浮雕結(jié)構(gòu)精確地對齊。不會(huì)產(chǎn)生附加的容限。第一層是發(fā)揮雙重作用的層。一方面，它發(fā)揮用于制備程序的高精確曝光掩模的作用，而另一方面，在制備程序結(jié)束時(shí)，它形成高精確定位的功能層，例如OVD層或?qū)w跡線(track)或電子元件例如有機(jī)半導(dǎo)體元件的功能層。另外，有可能利用本發(fā)明制備很高分辨率的結(jié)構(gòu)化層?？梢赃_(dá)到的對齊和分辨的程度比可以通過已知的脫金屬方法達(dá)到的大致好ioo倍。因?yàn)榈谝桓〉窠Y(jié)構(gòu)的構(gòu)件的寬度可以為大約可見光的波長(大約380-780nm)甚至更小，所以有可能制備具有非常細(xì)小輪廓的圖案區(qū)域。這意味著在這個(gè)方面與至今使用的脫金屬方法相比獲得顯著的優(yōu)點(diǎn)，并且采用本發(fā)明有可能制備具有比今天更高防復(fù)制和防偽造水平的安全性構(gòu)件。有可能制備具有高分辨率水平的線和/或點(diǎn)，例如寬度或直徑分別小于5jam，尤其是達(dá)到大約200nm。優(yōu)選地，獲得了大約0.5mm-5|am,尤其是大約lMm的分辨率水平。比較起來，包括以對齊關(guān)系調(diào)整的方法僅在非常高的復(fù)雜性和費(fèi)用水平下才使實(shí)現(xiàn)小于10)am的線寬度成為可能。優(yōu)選利用濺鍍、蒸汽沉積或噴霧將第一層施加到復(fù)制層上。由于所包括的程序?yàn)R鍍操作包括將材料定向施加，以致當(dāng)相對于由復(fù)制層限定的平面以恒定表面密度通過濺鍍將第一層的材料施加到設(shè)置有浮雕結(jié)構(gòu)的復(fù)制層上時(shí)，以不同的厚度局部地沉積所述材料。由于所包括的程序，當(dāng)通過蒸汽沉積和噴霧施加第一層時(shí)，優(yōu)選還進(jìn)行材料的至少部分定向施加。多層體可以是膜構(gòu)件或剛性體。膜構(gòu)件用來例如提供具有安全特性的文件、鈔票等。這可以包括織入紙或引入卡片中的安全線，它們i形成。，、、，'-"",一'、、有利地，剛性體如身份證、傳感元件的基板或手機(jī)的外殼部分也可以設(shè)置有根據(jù)本發(fā)明的部分脫金屬的層，它們與功能結(jié)構(gòu)或衍射性設(shè)計(jì)構(gòu)件對齊?？梢匀缦乱?guī)定用注射模塑工具或使用UV漆通過采用沖床或?？壮尚蝸硪霃?fù)制層并將該復(fù)制層直接地結(jié)構(gòu)化。然而也可以如下規(guī)定可以使用以上所述的方法制備用于制備其它多層體的曝光掩模。根據(jù)本發(fā)明的曝光掩模的特征在于尤其高水平的分辨率，這種分辨率不能采用其它用于安全構(gòu)件等的大規(guī)模制備方法達(dá)到。這些多層體適合例如用作光學(xué)元件如透鏡系統(tǒng)、曝光和投影掩?；蛴米鞅Ｗo(hù)(safeguarding)文件或身份證的安全構(gòu)件，因?yàn)樗鼈兏采w文件如護(hù)照照片或所有者簽名的關(guān)鍵區(qū)域或整個(gè)文件。它們也可以用作無線電通訊領(lǐng)域中的元件或裝飾構(gòu)件。如果在有價(jià)值的文件等的范圍中以安全特性形式設(shè)置多層體，則已進(jìn)一步證明是合乎需要的。具有尤其明亮和細(xì)絲外觀的新型安全特性可以利用根據(jù)本發(fā)明的方法產(chǎn)生。因此，有可能例如通過形成第一層的光柵產(chǎn)生在透射模式下是半透明的圖像。另外，有可能賦予第一信息項(xiàng)在此種范圍內(nèi)在反射模式下是可見的并且賦予第二信息項(xiàng)在透射模式下是可見的。本發(fā)明的有利配置在所附權(quán)利要求書中闡明。可以有利地規(guī)定將第一層施加到復(fù)制層的整個(gè)表面積上，優(yōu)選通過蒸汽沉積施加。當(dāng)不規(guī)則地施加第一層時(shí)，光學(xué)密度的差異可能在設(shè)置有恒定光學(xué)密度的區(qū)域中發(fā)生，那樣可能產(chǎn)生缺陷結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步可以如下要求以第一層基本上不透明并且優(yōu)選具有大于1.5的光學(xué)密度的厚度將第一層施加到復(fù)制層上。令人驚奇地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)具有衍射性浮雕結(jié)構(gòu)的區(qū)域的透射率的比率可以通過增加第一層的不透明性而增加。因此，如果采用相應(yīng)的光照強(qiáng)度通過通常確定為是不透明的(例如5的光學(xué)密度)并且由于其高的光學(xué)密度通常不用作掩模層的層實(shí)施曝光，則可以獲得尤其好的結(jié)果。如果以第一層具有2-7的光學(xué)密度的厚度將第一層施加到復(fù)制層的整個(gè)表面積上，則是尤其有利的。有利地，規(guī)定通過金屬層或金屬合金的層形成第一層?？梢圆捎脟L試-和-試驗(yàn)方法如濺鍍施加此類層并且當(dāng)包括小的層厚度時(shí)它們已經(jīng)具有足夠的光學(xué)密度。然而，第一層也可以是非金屬層，該非金屬層例如可以是著色或摻雜的，例如用納米顆?；蚣{米球體著色或摻雜的以增加它們的光學(xué)密度?？梢赃M(jìn)一步規(guī)定在第二區(qū)域中的復(fù)制層中成形第二浮雕結(jié)構(gòu)，并且在該復(fù)制層中成形的浮雕結(jié)構(gòu)如第一浮雕結(jié)構(gòu)那樣是衍射性浮雕結(jié)構(gòu)，相對于第二區(qū)域中的笫一層的透射性，它增加第一區(qū)域中的第一層的透射性。為此，可以在比第二結(jié)構(gòu)更大的浮雕深度下制備第一結(jié)構(gòu)?？梢赃M(jìn)一步要求第一結(jié)構(gòu)的空間頻率和浮雕深度的乘積大于第二結(jié)構(gòu)的空間頻率和浮雕深度的乘積。從而還可能的是，相對于在第二區(qū)域中施加的層，第一區(qū)域和第二區(qū)域中的復(fù)制層的浮雕結(jié)構(gòu)的構(gòu)型增加施加到第一區(qū)域中的復(fù)制層上的層的透射性。第二浮雕結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步滿足，在第二區(qū)域中，復(fù)制層和第一層之間的界面層是基本上平坦的。為了在第一和第二浮雕結(jié)構(gòu)的光學(xué)密度方面產(chǎn)生尤其顯著的差異，可以將相對于各個(gè)構(gòu)件具有高深寬比并且尤其是具有〉0.3的深寬比的衍射性浮雕結(jié)構(gòu)成形為第一區(qū)域中的第一浮雕結(jié)構(gòu)并且第二浮雕結(jié)構(gòu)可以呈低深寬比的浮雕結(jié)構(gòu)形式。在適當(dāng)?shù)剡x擇第一層的層厚度的情況下，使用一類特定衍射性浮雕結(jié)構(gòu)使得第一區(qū)域和第二區(qū)域中的第一層在光學(xué)密度方面產(chǎn)生非常顯著的差異成為可能，這種差異已經(jīng)可用眼睛分辨。然而，令人驚奇地發(fā)現(xiàn)，在第一和第二區(qū)域中在透射性方面的這種顯著差異就實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的方法而言不是強(qiáng)制必需的。當(dāng)涉及薄蒸汽沉積時(shí)，在深寬比方面具有微小差異的結(jié)構(gòu)還通常在透射性方面具有較小差異。然而，即使微小的相對差異也可能通過增加第一層的層厚度和因此的平均光學(xué)密度而增強(qiáng)。因此，當(dāng)?shù)谝缓偷诙^(qū)域中的第一層的透射性差異已非常小時(shí)，可以獲得好的結(jié)果。第一層可以是非常薄的數(shù)量級為數(shù)納米的層。相對于由復(fù)制層限定的平面，所施加的具有均勻表面密度的第一層的高深寬比區(qū)域比低深寬比區(qū)域顯著更薄。無量綱的深寬比是放大優(yōu)選具有周期性結(jié)構(gòu)，例如具有正弦-正方形構(gòu)型的表面的特征。在此的深度是此種結(jié)構(gòu)的最高和最低相繼點(diǎn)之間的間距，即，"峰"和"谷"之間的間距。兩個(gè)相鄰的最高點(diǎn)之間的間距，即，兩個(gè)"峰"之間的間距稱為寬度。這樣，深寬比越高，相應(yīng)地越陡峭的是"峰側(cè)面"，并且相應(yīng)地越薄的是沉積在該"峰側(cè)面"上的第一層。在增加深寬比的情況下產(chǎn)生較高水平的透射性尤其是透明性的效果還在具有垂直側(cè)面的結(jié)構(gòu)的情況下觀察到，例如在矩形光柵的情況下觀察到。然而，這也可能涉及這種模式不能適用的結(jié)構(gòu)。舉例來說，情況可能涉及以線形式離散分布的區(qū)域，它們僅呈"谷，，的形式，其中兩個(gè)"谷"之間的間距比"谷"深度的大數(shù)倍。當(dāng)正規(guī)應(yīng)用上面規(guī)定的定義時(shí)，那樣計(jì)算的深寬比將大致為零并且不會(huì)反映特性物理狀態(tài)。因此，在基本上僅由"谷，，形成的離散布置的結(jié)構(gòu)的情況下，該"谷"的深度將與"谷"的寬度關(guān)聯(lián)。令人驚奇地發(fā)現(xiàn)，在這方面，具有高深寬比的區(qū)域是否透明不重要。這可能涉及例如形成全息圖或Kinegram⑧安全特性的光學(xué)活性區(qū)域的結(jié)構(gòu)。唯一重要的考慮是那些區(qū)域根據(jù)它們的透射性或更小或更大的光學(xué)密度而相對于其它區(qū)域劃界。可能有利地規(guī)定第二浮雕結(jié)構(gòu)呈光學(xué)活性，優(yōu)選衍射性結(jié)構(gòu)形式。實(shí)施那種形式的結(jié)構(gòu)既是反射性的又是透射衍射光、折射光或散射光的微米或納米結(jié)構(gòu)。它們可以包括例如光柵結(jié)構(gòu)如線性光柵或交叉光柵，產(chǎn)生圖象的結(jié)構(gòu)如全息圖或Kinegram0，各向同性或各向異性消光結(jié)構(gòu)，二元或連續(xù)菲涅耳透鏡，微棱鏡，微透鏡，閃耀光柵，組合結(jié)構(gòu)，宏觀結(jié)構(gòu)等。在除去第一區(qū)域中的第一層之后，以與第一層精確對齊的關(guān)系沉積該光學(xué)活性結(jié)構(gòu)以致可以那樣產(chǎn)生具有高防偽性質(zhì)的安全特性。在那種情況下，第一和第二浮雕結(jié)構(gòu)可以包括浮雕結(jié)構(gòu)，如Kinegram,其中一個(gè)或多個(gè)浮雕參數(shù)，例如取向、細(xì)度或輪廓形狀發(fā)生改變，以產(chǎn)生所需的衍射性能。那一類結(jié)構(gòu)的目的不僅是實(shí)現(xiàn)在其中浮雕結(jié)構(gòu)成形成復(fù)制層的區(qū)域中的透射性能改變，而且還發(fā)揮以下作用即在與反射層或光學(xué)隔離層沉積時(shí)充當(dāng)光學(xué)可變的設(shè)計(jì)構(gòu)件。除那一類第一浮雕結(jié)構(gòu)之外，如果還在復(fù)制層中成形那一類第二浮雕結(jié)構(gòu)，則該第一和第二浮雕結(jié)構(gòu)優(yōu)選在與第一層的透射性能相關(guān)的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)方面不同，并且因此例如在浮雕深度或深寬比方面不同。因此，有可能例如在復(fù)制層中成形兩個(gè)Kinegram⑧安全特性，以與細(xì)絲線條圖案部分重疊的關(guān)系成形。第一Kinegran^形成第一浮雕結(jié)構(gòu)并且第二Kinegrar^形成第二浮雕結(jié)構(gòu)。兩個(gè)設(shè)計(jì)的浮雕結(jié)構(gòu)在典型的深寬比方面不同而其它結(jié)構(gòu)參數(shù)類似。因此具有三"組"結(jié)構(gòu)，即，在第一kinegram⑧中的第I組結(jié)構(gòu)，在第二kinegran^中的第II組結(jié)構(gòu)和在背景中的第III組結(jié)構(gòu)。在第一步驟中，第一層保留，例如蒸氣沉積的金屬層如銅層，而在第一設(shè)計(jì)的Kinegraii^區(qū)域中，除去其余部分。然后，在整個(gè)面積上蒸氣沉積另一種材料，例如鋁，并通過適合的方法在背景區(qū)域中除去該材料。那一程序提供兩種設(shè)計(jì)，所述設(shè)計(jì)以對齊關(guān)系被部分地鍍金屬但是在面向觀察者的金屬層(銅，鋁)方面不同。該方法可能進(jìn)一步規(guī)定施加具有二元特性的光敏材料作為光敏層或光敏性洗滌掩模，并且以一定曝光強(qiáng)度和在一定曝光時(shí)間下透過第一層將該光敏層或光敏性洗滌掩模曝光，第一區(qū)域中的光敏層或光敏性洗滌掩模被活化并且第二區(qū)域中的沒有被活化，在第一區(qū)域中，第一層的透射性由于第一浮雕結(jié)構(gòu)而增加。若第一區(qū)域和第二區(qū)域的光學(xué)密度僅彼此略微不同也可以使用根據(jù)本發(fā)明的方法，在那個(gè)方面，如上文已解釋的那樣，令人驚奇地，基于高的平均光學(xué)密度是可能的。有利的構(gòu)型規(guī)定利用uv輻射透過第一層將光敏層或洗滌掩模曝光。實(shí)驗(yàn)表明，在第一層的透射性能方面，可能由于第一和第二區(qū)域中的浮雕結(jié)構(gòu)的不同構(gòu)型而產(chǎn)生的差異在uv輻射范圍內(nèi)尤其顯著。當(dāng)就曝光操作而言使用uv輻射時(shí)，因此可以獲得尤其好的結(jié)果?？梢蕴峁┕饷粜韵礈煅谀Ｗ鳛楣饷魧樱谶@個(gè)方面，按洗滌方法將由于膝光操作而活化的光敏性洗滌掩模的區(qū)域和布置在那里的第一層的區(qū)域除去。然而，光敏層也可以包括在曝光操作之后進(jìn)行顯影然后形成籌一層的蝕刻掩模的層。另外，可以存在光敏層，它在其中第一層的透射性由于第一浮雕結(jié)構(gòu)而提高的第一區(qū)域中通過曝光而活化，然后形成第一層的蝕刻劑。光敏層可以是光致抗蝕劑，該光致抗蝕劑可以呈正性或負(fù)性光致抗蝕劑形式。那樣，可以除去第一層的不同區(qū)域，而復(fù)制層具有相同性質(zhì)?？梢赃M(jìn)一步規(guī)定，光敏層呈光聚合物形式。舉例來說，可以提供堿液或酸作為第一層的蝕刻劑?？梢赃M(jìn)一步規(guī)定，僅部分地除去第一層并且一旦達(dá)到預(yù)定的透明度就中斷蝕刻操作。那樣使得產(chǎn)生例如基于局部不同透明度的安全特性成為可能。如杲將例如鋁用作第一層，則堿液如NaOH或KOH可以用作各向同性作用蝕刻劑。還可能使用酸介質(zhì)如PAN(磷酸、硝酸和水的混合物)。反應(yīng)速度通常隨堿液的濃度和溫度增加。工藝參數(shù)的選擇取決于程序的可再現(xiàn)性和多層體的耐性。當(dāng)用堿液蝕刻時(shí)影響因素通常是蝕刻浴的組成，尤其是蝕刻劑的濃度、蝕刻浴的溫度和在蝕刻浴中的待蝕刻的層的流動(dòng)條件。在蝕刻浴中的蝕刻劑的濃度方面的典型參數(shù)范圍為大約0.1%-10%,在溫度方面的典型參數(shù)范圍為大約20。C-80。C。第一層的蝕刻操作可以用電化學(xué)方法促進(jìn)。通過施加電壓加強(qiáng)蝕刻操作。該作用通常是各向同性的，以致表面積方面的結(jié)構(gòu)依賴性增加也使蝕刻效果強(qiáng)化。為了除去例如氧化層，典型的電化學(xué)添加劑如濕潤劑、緩沖物質(zhì)、抑制劑、活化劑、催化劑等可以促進(jìn)蝕刻程序。在蝕刻程序期間，蝕刻介質(zhì)的消耗或在蝕刻產(chǎn)物方面的富集可能在相對于第一層的界面層中發(fā)生，藉此蝕刻速度減慢。蝕刻介質(zhì)的強(qiáng)制混合(可能通過產(chǎn)生適合的流動(dòng)或超聲激發(fā)來進(jìn)行)改進(jìn)蝕刻特性。蝕刻程序可以進(jìn)一步包括在時(shí)間方面的溫度分布以將蝕刻結(jié)果優(yōu)化。因此，蝕刻可以在開始時(shí)在低溫條件下進(jìn)行并且隨操作時(shí)間的增加而升溫。那優(yōu)選在蝕刻浴中通過三維溫度梯度實(shí)現(xiàn)，在這種情況下，將多層拉過具有不同溫度帶的延長蝕刻浴。第一層的最后數(shù)納米可能證明是較頑固的并且耐蝕刻程序中的蝕刻。因此，為了除去最后一層的殘留物，對刻蝕過程的微小機(jī)械幫助是有利的。所述頑固基于第一層的可能稍有不同的組成，大概歸因于當(dāng)在復(fù)制層上形成第一層時(shí)的界面層現(xiàn)象。在那種情況下，優(yōu)選通過擦拭方法除去第一層的最后數(shù)納米，即讓該多層體通過覆蓋有細(xì)布的輥?zhàn)?。該布料擦去第一層的殘留物而不?huì)破壞該多層體。蝕刻操作不必包括用流體進(jìn)行的完工步驟。它也可以是"干式法"，例如等離子蝕刻。另外，激光燒蝕已經(jīng)證明對除去第一層是有用的。在具有高深寬比的結(jié)構(gòu)的情況下，尤其是其中兩個(gè)相鄰?fù)蛊鸩糠种g的典型間距小于入射光波長的浮雕結(jié)構(gòu)(所謂的零階結(jié)構(gòu))的情況下，即使在包括鏡面反射的區(qū)域中反射層的反射程度較高，入射光的大部分也能被吸收。利用聚集的激光束輻射呈反射層形式的第一層，在這樣情況下，在增加的程度下吸收激光輻射并且在強(qiáng)烈吸收的區(qū)域中反射層的溫度相應(yīng)增加，所述吸收區(qū)域具有上述高深寬比的結(jié)構(gòu)。在高水平的能量輸入下，反射層可能局部散裂，在這樣情況下，會(huì)發(fā)生反射層的除去或燒蝕或反射層的材料的聚結(jié)。如果來自激光的能量輸入僅在短期內(nèi)進(jìn)行并且熱傳導(dǎo)的效果因此僅是微小的，則燒蝕或聚結(jié)僅在由浮雕結(jié)構(gòu)預(yù)限定的區(qū)域中發(fā)生。激光燒蝕方面的影響因素是浮雕結(jié)構(gòu)的構(gòu)型(時(shí)間、深度、取向、輪廓)，波長，入射光輻射的偏振和入射角，激光輻射的作用持續(xù)時(shí)間(與時(shí)間有關(guān)的功率)和局部劑量，第一層的性能和吸收特性，以及第一層可能具有在其上面或其下面將它覆蓋的其它層，如結(jié)構(gòu)化的光敏性或洗滌用漆層。Nd:YAG激光尤其證明適合于該激光處理。它們在大約1064mm下發(fā)射并且還優(yōu)選以脈沖模式操作。進(jìn)一步可能使用二極管激光?？梢岳妙l率變化，例如倍頻改變激光輻射的波長。利用所謂的掃描裝置，例如利用電流反射鏡和聚焦透鏡引導(dǎo)在多層體上的激光束。在掃描操作過程中發(fā)射大約納秒至微秒的持續(xù)脈沖并引起第一層的上述燒蝕或聚結(jié)，如由結(jié)構(gòu)預(yù)先確定的那樣。脈沖持續(xù)時(shí)間通常小于毫秒，有利地大約為數(shù)微秒或更少。因此當(dāng)然還可以使用納秒至毫微微秒的脈沖持續(xù)時(shí)間。激光束的精確位置是沒有必要的，因?yàn)樵谝越Y(jié)構(gòu)形式存在的光敏層或洗滌掩模部分地防止了激光輻射到達(dá)第一層的情況下程序是自參照的。優(yōu)選通過在激光束輪廓和鄰接脈沖的重疊方面進(jìn)行適合的選擇進(jìn)一步優(yōu)化程序。然而同樣可以控制在多層體上的激光通路與布置在復(fù)制層中的浮雕結(jié)構(gòu)或光敏層或洗滌掩模中的開口為對齊關(guān)系，以致僅輻射光敏層或洗滌掩模中的具有相同浮雕結(jié)構(gòu)或具有/不具有開口的區(qū)域。例如，可以使用照相機(jī)系統(tǒng)用于此種控制。代替集中于點(diǎn)或線的激光，還可以使用發(fā)射短控制脈沖例如閃光的區(qū)域輻射設(shè)備。激光燒蝕方法的優(yōu)點(diǎn)尤其包括以下事實(shí)如果第一層的兩面覆蓋有一個(gè)或多個(gè)其它的相對于激光輻射是透射性的層，并且它因此沒有直接地與蝕刻介質(zhì)接觸，則也可以按與浮雕結(jié)構(gòu)對齊的關(guān)系將第一層局部地除去。僅通過激光破碎第一層。第一層的材料再次以小聚結(jié)物或小球形式脫落，所述小聚結(jié)物或小球不可為觀察者肉眼看見并且僅非實(shí)質(zhì)性地影響輻射區(qū)域的透明度。如果第一層是可直接接觸的，則該第一層的在激光處理之后仍保留在復(fù)制層上的殘留物可以任選地利用隨后的洗滌程序除去。在第一層的蝕刻之后，可以規(guī)定除去蝕刻掩模的殘留物。在進(jìn)一步有利的構(gòu)型中，可以將第二層引入其中第一層已被除去的區(qū)域中。可以進(jìn)一步規(guī)定除去第一層并用第三層替換。因此根據(jù)本的互換的方法步驟或當(dāng)使;光學(xué)密度的差^形成或區(qū)分區(qū):時(shí)的方法步驟的重復(fù)。可以進(jìn)一步規(guī)定，如果第一層和/或笫二層和/或笫三層包括導(dǎo)電層或適合于無電流通電的層，則將這些通電增強(qiáng)。對于根據(jù)所述方法制備的多層體來說，可以規(guī)定，笫二區(qū)域包括兩個(gè)或更多個(gè)由第一區(qū)域包圍的局部區(qū)域，在第二區(qū)域中的復(fù)制層中成形光學(xué)活性的第二浮雕結(jié)構(gòu)并且第一層是在第一區(qū)域中除去的反射層并因此以與第二浮雕結(jié)構(gòu)精確對齊的關(guān)系布置。此類多層體可以有利地提供作為防偽安全構(gòu)件。它們已是特別防偽的，這是因?yàn)橛酶鶕?jù)本發(fā)明的方法可以形成尤其小的線寬度。關(guān)系取向，所以那些細(xì)線可能產(chǎn)生光學(xué)效果，所述效果僅可能極度困難地模仿。該多層體可以包括例如轉(zhuǎn)移膜，尤其是燙印膜或?qū)訅耗?。可以進(jìn)一步規(guī)定，第一區(qū)域包括兩個(gè)或更多個(gè)由第二區(qū)域包圍的局部區(qū)域或反之，并且第一層是中第二區(qū)域中除去的反射層并因此以與第一浮雕結(jié)構(gòu)精確對齊的關(guān)系布置。有利的構(gòu)型規(guī)定第二區(qū)域的局部區(qū)域或第一區(qū)域的局部區(qū)域具有小于2mm,優(yōu)選小于lmm的寬度。其它構(gòu)型規(guī)定，在根據(jù)本發(fā)明的多層體中，將第二層布置在其中已經(jīng)除去了第一層的復(fù)制層的區(qū)域?？梢砸?guī)定第一層和/或笫二層由介電材料例如Ti02或ZnS，或半導(dǎo)體形成。在那種情況下，第一層和第二層具有不同的折射指數(shù)，以致從而可以產(chǎn)生光學(xué)效果。第一層和/或第二層也可以包括聚合物，以致例如一層可以呈導(dǎo)電體形式并且其它層可以呈電絕緣體形式，在此方面，兩個(gè)層都可以呈透明層形式。舉例來說，第一層和/或第二層可以形成電子元件，例如天線、電容器、線圏或有機(jī)半導(dǎo)體元件。如上文解釋的那樣，有可能提供其它層，可以采用根據(jù)本發(fā)明的方法將它們以精確對齊的關(guān)系布置在多層體上。也可以規(guī)定，第一和第二區(qū)域中的層的局部除去或局部脫金屬的連續(xù)性和與結(jié)構(gòu)的聯(lián)系如此選擇以致產(chǎn)生其中衍射性結(jié)構(gòu)彼此交錯(cuò)的區(qū)域。這可以包括例如第一Kinegran^和第二Kinegran^，它們具有不同的深寬比并且布置在背景前面。在那個(gè)實(shí)例中，可以規(guī)定，僅在笫一Kinegran^安全特征保留蒸氣沉積的銅層，然后通過蒸汽沉積在整個(gè)表面積上施加鋁并通過適合的方法工序在背景區(qū)域中除去該鋁。那樣產(chǎn)生兩個(gè)設(shè)計(jì)，它們是以對齊關(guān)系部分鍍金屬的并且在面向觀察者的金屬層中有不同。引入復(fù)制層的浮雕結(jié)構(gòu)也可以如此選擇以致它們可以對液晶(聚合物)的取向發(fā)揮作用。因此，在那種情況下，復(fù)制層和/或第一層可以用作液晶的取向?qū)?。例如，將凹槽形式的結(jié)構(gòu)引入此種取向?qū)?，其中所述液晶相對于此種結(jié)構(gòu)取向，然后它們在那個(gè)位置通過交聯(lián)或其它方式以它們的取向固定?？梢砸?guī)定，交聯(lián)的液晶層形成第二層。所述取向?qū)涌梢跃哂衅渲薪Y(jié)構(gòu)的取向方向不斷改變的區(qū)域。如果通過具有例如旋轉(zhuǎn)的偏振方向的偏振器觀察利用此種衍射性結(jié)構(gòu)形成的區(qū)域，則由于區(qū)域的偏振的線性變向，因此可以產(chǎn)生各種清楚可辨的安全特征，例如移動(dòng)效果。也可以規(guī)定，所述取向?qū)泳哂杏糜谝壕∠虻难苌湫越Y(jié)構(gòu)，所述液晶是局部不同取向的以致當(dāng)在偏振光下觀察時(shí)該液晶代表信息項(xiàng)例如圖標(biāo)。也可以規(guī)定，第一層和/或第二層呈有色層形式。有色區(qū)域也可以根據(jù)下文中描述的方法產(chǎn)生。使用有色光敏層或洗滌掩模，利用根據(jù)本發(fā)明的方法制備多層體。在那種情況下，可以利用顏料或可溶性染料進(jìn)行著色。然后，透過第一層，利用例如uv輻射將光敏層膝光，并且在第一區(qū)域中進(jìn)行硬化或破壞，這取決于它是否是正性或負(fù)性抗蝕劑。在那種情況下，也可以按相互并置的關(guān)系施加正性和負(fù)性抗蝕劑層并同時(shí)曝光。在那種情況下，第一層用作掩模并且優(yōu)選與光致抗蝕劑直接接觸地布置以致可以進(jìn)行精確的曝光。最后，當(dāng)顯影光致抗蝕劑時(shí)，洗掉沒有硬化的區(qū)域或除去破壞的區(qū)域。取決于所使用的相應(yīng)的光致抗蝕劑，經(jīng)顯影的有色光致抗蝕劑現(xiàn)在精確地在其中笫一層相對于uv輻射是透明或不透明的區(qū)域中存在。為了增加已經(jīng)被保留并且根據(jù)第一層結(jié)構(gòu)化的光致抗蝕劑層的耐性，優(yōu)選在顯影操作之后將已經(jīng)被保留的區(qū)域進(jìn)行后硬化。最后，可以通過進(jìn)一步的蝕刻步驟將用作掩模的第一層除去以致于該多層體對觀察者來說僅具有高度分辨的光致抗蝕劑的"彩色印刷，，，但是其它情況下是透明的。在那種情形下，光致抗蝕劑起蝕刻掩模作用。有利地，那樣可以制備高分辨率的顯示元件。在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，有可能以精確對齊的關(guān)系施加不同顏色的顯示元件并且將它們例如設(shè)置在圖像點(diǎn)光柵中。因?yàn)橥ㄟ^一種程序采用相對于第一層的初始布置可以制備不同的多層體，通過該程序例如將不同的曝光和蝕刻過程結(jié)合在一起或連續(xù)地進(jìn)行，所以當(dāng)使用根據(jù)本發(fā)明的方法時(shí)以連續(xù)施加的層的精確對齊關(guān)系定位是可能的，盡管有方法步驟的增加。如果第一層和/或笫二層由許多局部層形成，尤其是如果所述局部層形成薄膜層體系，則可以產(chǎn)生其它的光學(xué)效果?？梢砸?guī)定，局部層由不同的材料形成。此類構(gòu)型可以不僅僅是對上述薄膜層體系提供。那樣，例如還可以制備納米技術(shù)功能構(gòu)件，例如，可以由兩種不同的金屬層制備尺寸在jam范圍內(nèi)的雙金屬開關(guān)。在其它構(gòu)型中，可以規(guī)定第一層和/或第二層形成光學(xué)圖案。這可以包括光柵圖象。第一層的光柵還可能達(dá)到以下效果，在置于反射層下的并且具有可能不同的衍射性衍射結(jié)構(gòu)的光柵零件旁邊，提供代表沒有反射層的透明區(qū)域的光柵構(gòu)件。在這方面，可以選擇幅度-調(diào)制或面積-調(diào)制的光柵作為光柵效果?？梢酝ㄟ^將這些反射性/衍射性區(qū)域和非反射性透明(在一些情形下還有衍射性)區(qū)域組合獲得有吸引力的光學(xué)效果。如果此種光柵圖像例如設(shè)置在有價(jià)值文件中的窗口(window)中，則可以在透射模式下察覺到透明的光柵圖像。在入射光照模式下，光柵圖像僅在給定的角度范圍中可見，在該角度范圍中，沒有燈光被反射面衍射/反射。還可能的是，此類構(gòu)件不但用于透明窗口而且施加到有色印記上。在給定的角度范圍中，有色印記例如以光柵圖像形式可見，而在另一個(gè)角度范圍中，它不可見，這歸因于被衍射結(jié)構(gòu)或其它(宏觀)結(jié)構(gòu)反射的光。另外，還可能通過適當(dāng)選擇的光柵效果制備許多反射性降低的向外反射區(qū)域。也可以規(guī)定不完全除去笫一層，而僅是減少其層厚度。如果將要產(chǎn)生具有相互疊置的層的區(qū)域，例如以改變光學(xué)性能和/或電性能或產(chǎn)生裝飾效果，此種構(gòu)型可能是尤其有利的。在上述與復(fù)制層和第一層一起使用曝光掩模以使第二層結(jié)構(gòu)化的方法中，可以規(guī)定，將該復(fù)制層施加到曝光掩模的栽體層上。那種方法可以優(yōu)選還與上述其它步驟結(jié)合，即，權(quán)利要求"的方結(jié)合。那還適用于在該方法中使用的權(quán)利要求51的曝光掩模?？梢赃M(jìn)一步規(guī)定，光敏層或光敏性洗滌掩模設(shè)置在第二層上并且透過笫二層進(jìn)行曝光。如上文中為此已經(jīng)描述的那樣，第二層不必呈透明層形式。第二層可以呈不透明層形式，因?yàn)樗鼘⒐饷魧踊蚬饷粜韵礈煅谀５乃袇^(qū)域中的照明強(qiáng)度減少到相同的程度。因此，保持了曝光掩模在光學(xué)密度方面的差異并且曝光掩模的真實(shí)表現(xiàn)在光敏層或光敏性洗滌掩模上產(chǎn)生。當(dāng)使用洗滌掩模時(shí)，可以規(guī)定，將第二層作為最終的最底層設(shè)置在洗滌掩模上以致不按曝光掩模和洗滌掩模之間的光束路徑設(shè)置第二層。這該情形下，第二層可以是完全不透明的。沖洗掉洗滌掩模的經(jīng)曝光的區(qū)域提供可以除去布置在那些區(qū)域中的第二層?？梢杂欣匾?guī)定，通過施加保護(hù)層將已經(jīng)保留在第二層的未除去區(qū)域下的洗滌掩模相對于環(huán)境影響封閉并且那樣形成了尤其可靠的多層體。在進(jìn)一步有利的構(gòu)型中，可以規(guī)定曝光掩模與多層體連接。如上文中已經(jīng)描述的那樣，根據(jù)本發(fā)明的方法提供許多不同可能的制備多層體的途徑并且該方法步驟不限于一次使用。因此如果首先已經(jīng)制備了呈膝光掩模形式的多層體，則它可以如常規(guī)曝光掩模那樣例如用作半導(dǎo)體制造中的曝光掩模。此類曝光掩模非永久地與笫二多層體連接并且可以在曝光操作之后除去。然而，也可以規(guī)定，在曝光掩模上按逐層方式形成第二多層體。如果規(guī)定在曝光之后或更晚除去曝光掩模，則可以在曝光掩模和第二多層體之間設(shè)置隔離層，該隔離層允許此種脫模。在進(jìn)一步有利的構(gòu)型中，可以規(guī)定，曝光掩模永久地與第二多層體連接并且那樣制備笫三多層體，它可以提供作為最終制品或作為更復(fù)雜的多層體的進(jìn)一步逐層構(gòu)造的中間制品。如已經(jīng)闡明的那樣，多層體可以包括兩個(gè)柔韌性膜構(gòu)件以及剛性構(gòu)件，例如半導(dǎo)體芯片或電子設(shè)備如手機(jī)的表面。將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明，其中圖l示出了根據(jù)本發(fā)明的多層體的第一實(shí)施方案的剖視示意圖，圖2示出了圖l的多層體的第一制備階段的剖視示意圖，圖3示出了圖l的多層體的第二制備階段的剖視示意圖，圖4示出了圖l的多層體的笫三制備階段的剖視示意圖，圖5示出了圖l的多層體的第四制備階段的剖視示意圖，圖5a示出了圖5所示的制備階段的改進(jìn)配置的剖視示意圖，圖5b示出了圖5a所示的階段后的制備階段的剖視示意圖，圖6示出了圖l的多層體的第五制備階段的剖視示意圖，圖7示出了圖1的多層體的第六制備階段的剖視示意圖，圖8示出了圖l的多層體的第七制備階段的剖視示意圖，圖9示出了圖l的多層體的第二實(shí)施方案的第五制備階段的剖視示意圖，圖10示出了圖l的多層體的第二實(shí)施方案的第六制備階段的剖視示意圖，圖ll示出了圖l的多層體的第二實(shí)施方案的第七制備階段的剖視示意圖，圖12示出了圖l的多層體的第二實(shí)施方案的第八制備階段的剖視示意圖，圖13示出了根據(jù)本發(fā)明的多層體的第二階段的橫截面示意圖，圖14a至14d示出了根據(jù)本發(fā)明的多層體的第三實(shí)施方案的制備步驟的橫截面示意圖，圖15示出了光敏層的蝕刻速率的示意圖，圖16a和16b示出了根據(jù)本發(fā)明的多層體的用途的第一實(shí)例，和圖17a至17d示出了根據(jù)本發(fā)明的多層體的用途的第二實(shí)例。圖1示出了多層體100，其中設(shè)置在載體膜1上的是功能層2、復(fù)制層3、金屬層3m和粘合劑層12。功能層2是主要用來提高多層體機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性的層，但是它也可以按已知的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)以產(chǎn)生光學(xué)效果，在此方面，也可以規(guī)定該層由許多局部層形成。它也可以包括由蠟制成的或呈防粘層形式的層。然而，還可以規(guī)定，省去那一層并直接地將復(fù)制層3布置在載體膜1上?？梢赃M(jìn)一步規(guī)定，栽體膜l本身呈復(fù)制層形式。多層體100可以是轉(zhuǎn)移膜(例如燙印膜)的一部分，利用粘合劑層12將它施加到基材上。粘合劑層12可以是熔體粘合劑，它在熱的作用下熔融并永久地將多層體接合到基材的表面。載體膜1可以呈包含PET的機(jī)械和熱穩(wěn)定的膜形式?？梢岳靡阎姆椒▽ú煌Y(jié)構(gòu)的區(qū)域成形成復(fù)制層3。在所示實(shí)施方案中，這些包括具有衍射性結(jié)構(gòu)的區(qū)域4和反射區(qū)6。布置在復(fù)制層3上的金屬層3m具有脫金屬區(qū)域10d，該脫金屬區(qū)域10d以與衍射性結(jié)構(gòu)4對齊的關(guān)系設(shè)置。多層體100在區(qū)域10d中看起來是透明或半透明的。圖2至8現(xiàn)在示出了多層體100的制備階段。與圖l相同的元件由相同的標(biāo)記表示。圖2示出了多層體100a,其中功能層2和復(fù)制層3設(shè)置在載體膜l上。通過已知的方法例如燙印將復(fù)制層3的表面結(jié)構(gòu)化。為此，例如通過印刷、噴霧或涂漆施加熱塑性復(fù)制漆以構(gòu)成復(fù)制層3，并且利用熱?；驘釓?fù)制輥將浮雕結(jié)構(gòu)成形成復(fù)制漆。復(fù)制層3也可以是UV可硬化的復(fù)制漆，它例如通過復(fù)制輥加以結(jié)構(gòu)化。然而，結(jié)構(gòu)化也可以通過UV輻射經(jīng)由曝光掩模進(jìn)行。那樣，可以將區(qū)域4和6成形成復(fù)制層3。區(qū)域4可以例如是全息圖或Kinegran^安全特征的光學(xué)活性區(qū)域。圖3現(xiàn)在示出了多層體100b,它由圖2中的多層體100a通過一程序形成，通過該程序，例如通過濺鍍將金屬層3m施加到具有均勻表面密度的復(fù)制層3上。在這個(gè)實(shí)施方案中，金屬層3m具有大約10nm的層厚度。金屬層3m的層厚度可以優(yōu)選如此選擇以致區(qū)域4和6具有低的透射性水平，例如10%至0.001%,即，光學(xué)密度為l-5，優(yōu)選1.5-3。因此，金屬層3m的光學(xué)密度即透光率的負(fù)十為底對數(shù)，在區(qū)域4和6中為l-3?？梢詢?yōu)選地規(guī)定金屬層3m具有1.5-2.5的光學(xué)密度。因此，從觀察它們的觀察者的眼睛觀察，區(qū)域4和6是不透明的或反光的。在此尤其有利的以此種層厚度施加層3m，即在該層厚度下，當(dāng)施于金屬層3m的透射特性，施加到復(fù)制層3上的金屬層3m越厚，有效的光學(xué)層厚度的變化效果越大，這是由區(qū)域4中提供的衍射性結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的。研究表明，由衍射性結(jié)構(gòu)所引起的金屬層3m的有效光學(xué)厚度變化大致學(xué)密度表示透光率的負(fù)對數(shù)，所以區(qū)域4和6之間的透光率差異由于在金屬材料方面的表面施加的增加而按那種方式超比例地增加。然而，應(yīng)指出，金屬層3m的光學(xué)密度在區(qū)域4和6中不同，滿足區(qū)域4的光學(xué)密度比區(qū)域6中的低。其責(zé)任在于區(qū)域4表面積的增加，這歸因于該構(gòu)件的深寬比(其不同于零)和因此減少的金屬層的厚度。無量綱的深寬比和空間頻率是優(yōu)選周期性結(jié)構(gòu)的表面積增加的特性化特征。此種結(jié)構(gòu)周期性相繼地形成"峰"和"谷，，。"峰"和"谷"之間的間距在此稱為深度，而兩個(gè)"峰"之間的間距稱為寬度?，F(xiàn)在，深寬比越高，"峰側(cè)面"相應(yīng)地越陡峭，并且沉積在該"峰側(cè)面"上的金屬層3m相應(yīng)地越薄。當(dāng)情況包括離散分布的"谷"，這些谷可以相互之間以比該"谷"的深度大倍數(shù)的間距設(shè)置時(shí)，也將觀察到那種效果。這該情形下，將"谷"的深度將與"谷"的寬度相關(guān)聯(lián)，以通過規(guī)定深寬比正確地描述"谷"的幾何結(jié)構(gòu)。當(dāng)產(chǎn)生降低光學(xué)密度的區(qū)域時(shí)，相對于參數(shù)的相關(guān)性，知道和適當(dāng)?shù)剡x擇各個(gè)參數(shù)是重要的。光學(xué)密度的降低程度可能根據(jù)基材、發(fā)光體等而改變。在這方面，金屬層中的光的吸收發(fā)揮重要的作用。舉例來說，鉻和銅在一些情形下反射更少的光。表l示出了在入-550nm的光波長下設(shè)置在塑料薄膜(折射指數(shù)n-1.5)之間的Ag、Al、Au、Cr、Cu、Rh和Ti金屬層的確定的反射程度。在這種情況下，厚度比s作為金屬層的厚度t(反射程度R-最大RMu的80。/。所需要的厚度)和反射程度R-最大R吣的20。/。所需要的厚度的商而形成。<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>表1從試探性考慮銀和金(Ag和Au)的觀點(diǎn)，可以看出，在上述實(shí)例中為了產(chǎn)生透明性，具有高的最大反射程度Ri和需要較小的深寬比以降低金屬層的光學(xué)密度。鋁(Al)公認(rèn)也具有高的最大反射程度R吣，但是它需要較高的深寬比。因此可以優(yōu)選地規(guī)定金屬層由銀或金形成。然而也可以規(guī)定金屬層由其它金屬或金屬合金形成。表2現(xiàn)在示出了對具有不同深寬比的浮雕結(jié)構(gòu)進(jìn)行精確衍射計(jì)算獲得的計(jì)算結(jié)果，所述浮雕結(jié)構(gòu)呈光柵間距為350nm的線性、正弦式光柵形式。用公稱厚度U-40nm的銀覆蓋該浮雕結(jié)構(gòu)。投射到該浮雕結(jié)構(gòu)上的光具有波長入=550nm(綠色)并且是TE偏振或TM偏振的。<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>表2如之前發(fā)現(xiàn)的那樣，透明度或透光度除了深寬比尤其依賴于輻射光的偏振。表2中示出了深寬比d/h-l.l時(shí)的那種依賴性?？梢砸?guī)定將那種效果用于其它層的選擇性形成。進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，金屬層3m的透明度或反射度是波長依賴性的。對于TE偏振的光，那種效果是尤其顯著的。進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，如果光的入射角不同于入射的法線角，則透明度或透光度減小，即，如果光不垂直入射，則透明度減小。那預(yù)示著，僅以受約束的錐形入射光，金屬層3m可能是透明的或比在反射區(qū)6中更少不透明。因此可以規(guī)定，當(dāng)傾斜照射時(shí)金屬層是不透明的，在此方面，那種效果也可以用于其它層的選擇性形成。除結(jié)構(gòu)的深寬比之外，光學(xué)密度的變化還受結(jié)構(gòu)的空間頻率影響。因此，進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，如果該結(jié)構(gòu)第一區(qū)域中的空間頻率和浮雕深度的乘積大于該結(jié)構(gòu)第二區(qū)域中的空間頻率和浮雕深度的乘積，則可以實(shí)現(xiàn)施加到結(jié)構(gòu)上的層的透明特性的變化。然而，不同透明性或透光率的區(qū)域的產(chǎn)生也可以通過其它效果獲得，例如通過-由于不同取向的結(jié)構(gòu)，透光率水平的偏振依賴性；-結(jié)構(gòu)的形狀因數(shù)，即，矩形、正弦式、鋸齒或其它輪廓的結(jié)構(gòu)可能包括不同水平的透光率而具有相同的空間頻率和浮雕深度的乘積；和-第一層的定向蒸汽沉積和空間結(jié)構(gòu)或結(jié)構(gòu)組合或結(jié)構(gòu)設(shè)置的組合。如果第一結(jié)構(gòu)是包括隨機(jī)輪廓的結(jié)構(gòu)，例如消光結(jié)構(gòu)，則該輪廓的相關(guān)長度、粗糙度深度和統(tǒng)計(jì)分布可能是影響透光率的典型參數(shù)。因此，為了產(chǎn)生包括不同透明性或透光率的區(qū)域，還可能使用在第一區(qū)域和第二區(qū)域中上述參數(shù)中一個(gè)或多個(gè)不同的浮雕結(jié)構(gòu)。圖4示出了由圖3所示的多層體100b和光敏層8形成的多層體100c。它可以是通過常規(guī)涂覆方法如以流體形式的凹版印刷施加的有機(jī)層。也可以規(guī)定，該光敏層是通過蒸汽沉積施加的或通過以干膜形式的層壓施力口的。光敏層8可以例如是以0.lg/m2-50g/n^的表面密度施加到金屬層3m上的正性光致抗蝕劑如得自Clariant的AZ1512或AZP4620或得自Shipley的S1822。層厚度取決于所需的分辨率和程序。因此，lift-off程序包括層厚度〉1pm的相當(dāng)更厚的層，對應(yīng)于大約lg/m2的表面密度。優(yōu)選的相對表面積的重量為O.2g/m2-10g/m2?？梢栽谡麄€(gè)表面積上進(jìn)行施加。然而還可能在局部區(qū)域中進(jìn)行施加，例如在設(shè)置在上述區(qū)域4和6外部的區(qū)域中施加。這可以包括必須僅以與設(shè)計(jì)較粗糙對齊關(guān)系設(shè)置的區(qū)域，例如裝飾性圖標(biāo)例如隨機(jī)圖案或由重復(fù)圖像或文本形成的圖案。圖5現(xiàn)在示出了多層體100d，其通過將圖4中的多層體100c透過載體膜l曝光而形成。UV光9可以提供曝光操作。如以上所述，因?yàn)楝F(xiàn)在度，所以UV輻射操作在光敏層8中產(chǎn)生區(qū)域10，該區(qū)域10已受更大程度地曝光并且在它們的化學(xué)性能方面與受更少曝光的區(qū)域ll不同。圖5所示的實(shí)施方案包括在多層體100d的所有區(qū)域中具有相等強(qiáng)度的均勻光照。然而還可能提供局部光照，例如a)以留下具有高深寬比的結(jié)構(gòu)作為設(shè)計(jì)構(gòu)件并且不對它們脫金屬；b)以引入附加的信息項(xiàng)，例如通過條狀掩模，它在曝光操作過程中隨多層體100d移動(dòng)，c)以引入個(gè)別信息項(xiàng)例如序列號。在這方面可以規(guī)定，利用可編程空間光調(diào)制器或受控激光經(jīng)由短期曝光引入標(biāo)識。那樣，因此，脫金屬的區(qū)域僅在那里形成，其中深寬比是合適的并且其中提供了字母數(shù)字標(biāo)識。,光的波長和偏振以及光的入射角是光照參數(shù)，它們使得特別地強(qiáng)化和選擇性地加工結(jié)構(gòu)成為可能。化學(xué)性能也可以用于該目的。區(qū)域10和11可以不同，例如由于它們在溶劑中的溶解性而不同。那樣，可以在采用uv光的曝光操作之后將光敏層8"顯影"，如圖6中進(jìn)一步示出。光敏層的"顯影，，產(chǎn)生以金屬層3m的掩模形式的可見圖像，所述金屬層3m釆用不同光學(xué)密度的區(qū)域通過光敏層中的曝光產(chǎn)生的潛像通過區(qū)域的除去產(chǎn)生。如果通常在區(qū)域4中提供〉0.3的深寬比以產(chǎn)生人眼看得見的透明性，則令人驚奇地發(fā)現(xiàn)適用于該光敏層顯影的深寬比可以顯著地更小。也不需要金屬層3m如此薄以致當(dāng)視覺上考慮時(shí)區(qū)域4看起來是透明的。蒸氣沉積的載體膜因此可以是不透明的，因?yàn)闇p少的透明性可以通過相對于光敏層8的增加的膝光劑量補(bǔ)償。應(yīng)進(jìn)一步考慮，光敏層的曝光通常在近UV范圍內(nèi)提供以致肉眼所見的印模在評價(jià)光學(xué)密度方面不是關(guān)鍵的。圖5a和5b示出了改進(jìn)的實(shí)施方案。圖5所示的光敏層8在圖5a中的多層體100d'中沒有提供。而是存在作為光敏性洗滌掩模的復(fù)制層3'。自下將多層體100d'曝光，藉此，在更大程度曝光的區(qū)域100中，復(fù)制層3'發(fā)生改變以致可以將其洗去。圖5b現(xiàn)在示出了功能上與以下圖8所示的多層體對應(yīng)的多層體100d"。然而，應(yīng)指出，采用洗滌方法不僅將區(qū)域10中的金屬層3m除去，而且還除去復(fù)制層3'。在那些區(qū)域中產(chǎn)生透明性，相對于圖8所示的多層體，需要更少的生產(chǎn)步驟。圖6示出了在涂覆到經(jīng)曝光的光敏層8的表面上的溶劑的作用下由多層體100d形成的"經(jīng)顯影的"多層體100e。那樣現(xiàn)在產(chǎn)生了其中除去了光敏層8的區(qū)域10e。區(qū)域10e是參照圖3描述的區(qū)域4，其中構(gòu)件的深寬比大于零。在區(qū)域11中保留光敏層8，因?yàn)樗鼈儼▍⒄請D3描述的并且其中構(gòu)件具有等于零的深寬比的區(qū)域6。在圖6所示的實(shí)施方案中，光敏層8由正性光致抗蝕劑形成。當(dāng)使用此類光致抗蝕劑時(shí)，經(jīng)曝光的區(qū)域可溶于顯影劑。與此相反，當(dāng)使用負(fù)性光致抗蝕劑時(shí)，未曝光的的區(qū)域可溶于顯影劑，如以下圖9至12所示的實(shí)施方案中描述那樣?，F(xiàn)在，如參考圖7中的多層體100f所示，可以除去區(qū)域10e中的金屬層3m，該區(qū)域10e沒有受到用作蝕刻掩模的經(jīng)顯影的光敏層保護(hù)，后者防止蝕刻劑的侵蝕。所述蝕刻劑可以是例如酸或堿液。按那種方式產(chǎn)生也在圖l中示出的脫金屬區(qū)域10d。那樣，因此可以以精確對齊的關(guān)系將金屬層3m脫金屬，而不會(huì)涉及額外的工藝復(fù)雜性。為此不必考慮復(fù)雜且昂貴的預(yù)防措施，例如當(dāng)通過掩模曝光或印刷施加蝕刻掩模時(shí)。當(dāng)此種常規(guī)方法包括〉0.2隨的容限時(shí)是正常的。與此相反，采用根據(jù)本發(fā)明的方法，在jam范圍到nm范圍內(nèi)的容限是可能的，即，容限僅由為復(fù)制層的結(jié)構(gòu)化所選的復(fù)命J方'法和;^,泉(origination)支酉己?？梢砸?guī)定，金屬層3m呈一系列不同金屬形式并且利用金屬部分層的物理和/或化學(xué)性能方面的差異。可以規(guī)定，例如沉積鋁作為第一金屬部分層，該層具有高水平的反射并因此當(dāng)從栽體一側(cè)觀察該多層體時(shí)使得反射區(qū)清楚可見。沉積的第二金屬局部層可以是鉻，它具有高水平的對各種蝕刻劑的化學(xué)耐性?，F(xiàn)在可以在二個(gè)階段中完成金屬層3m的蝕刻操作?？梢砸?guī)定，在第一階段中蝕刻該鉻層，在這樣情況下，提供經(jīng)顯影的光敏層8作為蝕刻掩模，然后在第二階段中，蝕刻該鋁層，在這樣情況下，該鉻層現(xiàn)在充當(dāng)蝕刻掩模。此類多層體系在用于光致抗蝕劑、光致抗蝕劑的蝕刻劑和金屬層的制備程序中的材料的選擇方面允許更大程度的靈活性。圖8示出了在圖7所示的生產(chǎn)步驟之后除去光敏層的任選的可能性。圖8舉例說明了由載體膜1、功能層2、復(fù)制層3和結(jié)構(gòu)化金屬層3m形成的多層體100g。該多層體100g可以通過隨后施加粘合劑層12轉(zhuǎn)變成圖l所示的多層體IOO。圖9現(xiàn)在示出了多層體100e的第二個(gè)實(shí)施方案，其中光敏層8由負(fù)性光致抗蝕劑形成。從圖9可以看出，多層體100e'具有區(qū)域10e'，其中未曝光的光敏層8通過顯影除去。區(qū)域10e'包括金屬層3m的不透明區(qū)域(參見圖3中的標(biāo)記6)。沒有除去在區(qū)域11中的經(jīng)曝光的光敏層8，該區(qū)域ll包括更小不透明的金屬層3m的區(qū)域(參見圖3中的標(biāo)記4)，即比區(qū)域10e'具有更低光學(xué)密度的區(qū)域。圖10示出了多層體100f'，其通過蝕刻方法從多層體100e'(圖9)除去金屬層3m而形成。為此，提供經(jīng)顯影的光敏層8作為蝕刻掩模，在區(qū)域10e'(圖9)中將它除去以致在那里該蝕刻劑使金屬層3111破裂。那樣導(dǎo)致不再具有金屬層3m的區(qū)域10d'形成。如圖11所示，多層體100f〃現(xiàn)在由多層體100f'形成，其具有在區(qū)域10d'中覆蓋經(jīng)曝光的復(fù)制層3的第二層3p。該層3p可以是介電材料如Ti02或ZnS，或聚合物。此種層可以例如蒸氣沉積在表面上，在這一方面，可以規(guī)定該層由許多相互疊置的薄層形成，這些薄層可以例如在它們的折射指數(shù)方面不同并且那樣可以在光射到其上時(shí)產(chǎn)生顏色效果。具有顏色效果的薄層可以例如由三個(gè)具有高-低-高指數(shù)配置的薄層形成。該顏色效果與金屬反射層相比顯得更不醒目，如果那樣在護(hù)照或身份證上產(chǎn)生圖案，則是有利的。該圖案對觀察者來說看起來為透明i錄色或紅色的。聚合物層可以例如呈有機(jī)半導(dǎo)體層形式。那樣，有機(jī)半導(dǎo)體元件可以通過與其它層組合來形成。圖12現(xiàn)在示出了由多層體100f〃(圖ll)在保留的光敏層除去之后形成的多層體100f〃'。那可能包括"lift-off"程序。那樣，在前一個(gè)步驟中施加的第二層3p在那里再一次同時(shí)除去。因此，具有層3p和3m的相鄰區(qū)域現(xiàn)在形成于多層體100f'〃上，所述區(qū)域可以彼此例如在它們的光學(xué)折射指數(shù)和/或它們的導(dǎo)電性方面不同。可以規(guī)定，通電增強(qiáng)金屬層3m并且那樣區(qū)域11例如呈提供尤其良好的導(dǎo)電性的區(qū)域的形式。也可以規(guī)定，區(qū)域ll是透明的并且為此通過蝕刻除去金屬層3m。有可能提供不侵蝕在其它區(qū)域中施加的層3p的蝕刻劑。然而也可以規(guī)定，直到金屬層被除去時(shí)才使蝕刻劑發(fā)揮作用。可以進(jìn)一步規(guī)定，然后將可以由介電材料或聚合物形成的第三層施加到多層體100f〃'(圖12)上。那可以采用以上描述的方法步驟通過一程序完成，通過該程序再次施加光敏層，該光敏層在曝光和顯影之后覆蓋區(qū)域ll外部的多層體100f〃'。該第三層現(xiàn)在可以如以上描述那樣施加然后除去光敏層的殘留物并且因此同時(shí)在那些區(qū)域中除去第三層。那樣，例如有機(jī)半導(dǎo)體元件的層能夠按尤其精細(xì)的方式并且以精確對齊的關(guān)系加以結(jié)構(gòu)化。圖13現(xiàn)在示出了由多層體100f'〃(圖12)通過添加圖l所示的粘合劑層12形成的多層體100'。如同圖l所示的多層體l,通過使用相同的復(fù)制層3制備該多層體100'。因此可能采用根據(jù)本發(fā)明的方法從整體式布局開始制備具有不同構(gòu)型的多層體。根據(jù)本發(fā)明的方法可以在沒有不利地影響質(zhì)量的情況下進(jìn)一步開發(fā)，以按精確對齊的關(guān)系將其它層結(jié)構(gòu)化。為此，可以規(guī)定，將先前施加的層的其它光學(xué)效果如全反射、偏振和譜線透明性用來形成具有不同光學(xué)密度的區(qū)域，以制備包括精確對齊關(guān)系的曝光掩模。也可以規(guī)定，通過相互疊置的層提供不同的局部吸收能力并且通過激光支持的熱燒蝕制備曝光或蝕刻掩模。圖14a至14d現(xiàn)在示出了通過參考實(shí)施方案，舉例說明可以如何以精確對齊的關(guān)系從圖12所示的多層體100f〃'上除去區(qū)域ll中設(shè)置的金屬層3m和可以如何以精確對齊的關(guān)系用非金屬層3p'替代。所述層3p'可以是光學(xué)折射指數(shù)與層3p不同的介電層。圖14a示出了多層體100g,其中在區(qū)域4中的金屬層3m滿足它具有與區(qū)域6中的層3p不同的光學(xué)密度。光敏層8覆蓋在布置在復(fù)制層3上的區(qū)域3p和3m上。圖14b現(xiàn)在示出了通過光敏層8的曝光和顯影獲得的多層體100g'、如以上參照圖5和6描述的那樣。被經(jīng)顯影的光敏層覆蓋的區(qū)域ll形成蝕刻掩模以致金屬層3m可以通過在區(qū)域10e中的蝕刻除去，在區(qū)域10e中，光敏層在顯影操作之后被除去。圖14c示出了在進(jìn)一步的方法步驟之后，獲得了多層體100g〃，在該多層體100g〃上，例如將可以呈介電材料形式的層3p'施加在整個(gè)表面積上。所述層3p'也可以呈包括許多相繼施加的層的薄層體系形式，藉此所述層3p'可以按已知的方式產(chǎn)生變色效應(yīng)。圖14d現(xiàn)在示出了在將光敏層8和設(shè)置在其上的層3p'的區(qū)域的殘留物除去之后的多層體100g〃'，該多層體100g〃'可以例如通過添加以上參照圖13描述的粘合劑層而制成完整的多層體。在復(fù)制層3上，該多層體100g'〃具有被層3p覆蓋的區(qū)域和被層3p'覆蓋的區(qū)域。因?yàn)閷?p和/或3p'可以是薄層體系，所以它們可以產(chǎn)生變色效果，如以上已經(jīng)描述的那樣。在這方面，可以規(guī)定，例如在圖1化中的實(shí)施方案中覆蓋在深寬比大于零的復(fù)制層3的區(qū)域上的層3p呈薄層體系形式。那樣細(xì)絲圖案如扭索狀裝飾圖案有可能呈安全特征形式，它們不太突出地顯得與它們的環(huán)境不同并且仍然清楚可見地顯示置于其下方的表示物。參照圖14a至14d描述的方法可以用于施加其它層。因?yàn)閷?p和3p'是數(shù)量級約為jam或nm的薄層，所以引入復(fù)制層3中的結(jié)構(gòu)仍保留以致例如有可能施加另一個(gè)金屬層，該金屬層在深寬比大于零的復(fù)制層3的區(qū)域中比深寬比等于零的區(qū)域中具有低的光學(xué)密度。那樣，所述另一個(gè)金屬層可以用作掩模層，該掩模層可以采用上述方法步驟部分地除去或可以提供為臨時(shí)中間層以按精確對齊的關(guān)系施加一個(gè)或多個(gè)非金屬層。對于形成掩模來說，根據(jù)本發(fā)明的方法包括提供同時(shí)具有大于零但是具有不同值的深寬比的區(qū)域的可能性，藉此在相同表面速率下涂覆的區(qū)域的光學(xué)密度是不同的。圖15現(xiàn)在示出了用于由光敏層制備蝕刻掩模的顯影劑的三個(gè)蝕刻特性的示意圖。蝕刻特性表示蝕刻速率，即，每單位時(shí)間除去的材料，這取決于將光敏層曝光所釆用的能量密度。第一蝕刻特性150I是線性的。如果根據(jù)時(shí)間進(jìn)行顯影，則此種蝕刻特性可能是優(yōu)選的。然而，一般說來二元蝕刻特性150b可能是優(yōu)選的，這是因?yàn)闉榱水a(chǎn)生顯著不同的蝕刻速率并且由此在相鄰區(qū)域的光學(xué)密度方面的微小差異下，為了高度可靠地在包括較高深寬比(反之亦然)的區(qū)域中完全除去掩模層在能量密度方面僅需要微小的差異。為了根據(jù)區(qū)域的光學(xué)密度選擇性地除去或獲得結(jié)構(gòu)，可以使用包括鐘形構(gòu)型的第三蝕刻特性150g，該構(gòu)型可以通過光致抗蝕劑和方法的選擇加以調(diào)節(jié)。當(dāng)例如存在三個(gè)包括不同光學(xué)密度的區(qū)域時(shí)，那一蝕刻特性可能是尤其優(yōu)選的。圖16a和16b現(xiàn)在示出了包括根據(jù)本發(fā)明的多層體160的第一使用實(shí)例。它可以例如設(shè)置在ID卡162的前側(cè)上。該多層體160配備有金屬層，該金屬層以對齊關(guān)系部分地被除去且覆蓋在衍射性結(jié)構(gòu)上，并且呈扭索狀裝飾圖案166g、166g'和166g〃、星形構(gòu)件166s和字母數(shù)字符號166a和166a'形式。在這方面，圖16a和16b示出了該多層體160的不同視圖，這通過樞轉(zhuǎn)該ID卡162產(chǎn)生。扭索狀裝飾圖案166g是線形的細(xì)小區(qū)域，它們在ID卡162的樞轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)后保持它們的位置。扭索狀裝飾圖案166g'和166g〃是線形的細(xì)小區(qū)域，它們在ID卡162的樞轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)后變得連續(xù)可見以致產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)錯(cuò)覺。星形構(gòu)件166s和166s'是具有全息結(jié)構(gòu)的區(qū)域的構(gòu)型以致它們根據(jù)ID卡162的相應(yīng)的傾斜位置而具有不同的尺寸和/或顏色。字母數(shù)字符號166a和166a'可以包括例如具有Kinegran^結(jié)構(gòu)的區(qū)域。圖17a至17d示出了根據(jù)本發(fā)明的多層體的用途的第二實(shí)例。第一多層體20在這一使用實(shí)例中呈曝光掩模形式。如圖17a所示，第一多層體20包括具有復(fù)制層30的載體膜1，該復(fù)制層30涂有部分成形的金屬層30m。第一多層20可以優(yōu)選已經(jīng)采用以上描述的方法制備。如圖17a所示，第一多層體200布置在第二多層體170a上，后者由載體膜31、金屬層31m和光敏層8形成。笫一多層體200的金屬層30m的外部面對栽體膜31的外部并且倚靠著該栽體膜。在區(qū)域40中除去金屬層30m，其中如以上所述，復(fù)制層30比其中沒有除去金屬層S0in的區(qū)域中具有更大的深寬比。在圖17a所示的使用實(shí)例中，透過呈曝光掩模形式的第一多層體200將第二多層體170a曝光。通過箭頭9指示膝光。由于栽體膜31和金屬層31m的極小的層厚度，局部金屬層31m的圖像現(xiàn)在轉(zhuǎn)移到光敏層8上，藉此，如圖17b所示，產(chǎn)生了多層體170b,其中光敏層8具有已被更大程度曝光的區(qū)域8b。如已發(fā)現(xiàn)的那樣，在那種情況下，設(shè)置在光束路徑中的金屬層31m可以是不透明的。不透明的金屬層31m公認(rèn)減少在光敏層8上產(chǎn)生的光照強(qiáng)度，但是它不會(huì)干擾更大程度曝光的區(qū)域8b的產(chǎn)生。如前所述，金屬層31m具有小的層厚度以致例如歸因于散射的成像誤差將觀察到不到。圖17c現(xiàn)在示出了通過將圖17c中的多層體170b的光敏層8顯影形成的多層體170c。在這一使用實(shí)例中，光敏層8是所謂的負(fù)性光致抗蝕劑，其中未曝光的區(qū)域通過顯影而除去。圖17d最后示出了多層體170，它是通過從圖17c的多層體170c開始將金屬層31m蝕刻并除去光敏層8的殘留物而形成的。在被經(jīng)過顯影的光敏層8覆蓋的區(qū)域中產(chǎn)生金屬層31m?？梢栽谠摱鄬芋w170上形成例如電子元件如天線和/或線圏，或一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體跡線。雖然在這一使用實(shí)例中在沒有調(diào)節(jié)下不能設(shè)置對齊精確性，但是有利地可能產(chǎn)生細(xì)絲圖案，它們在其局部區(qū)域中以精確對齊的關(guān)系互相取向。然而，也可以規(guī)定，如果例如該多層體170形成安全特征如覆蓋安全文件的扭索狀裝飾圖案，為了發(fā)揮安全功能，所述圖案不必以精確對齊的關(guān)系取向，則省去以精確對齊的關(guān)系取向?？梢赃M(jìn)一步規(guī)定，將區(qū)域40相對于其深寬比和/或偏振依賴性加以區(qū)分并且由此有可能形成可以具有微細(xì)厚度的光刻灰度掩模。常規(guī)的玻璃掩模不能薄于5nm，這可能限制其應(yīng)用性。權(quán)利要求1.具有部分成形的第一層(3m)的多層體(100，100′)的制備方法，其特征在于在多層體的復(fù)制層(3)的第一區(qū)域中成形衍射性第一浮雕結(jié)構(gòu)(4)，在該第一區(qū)域中和其中在復(fù)制層(3)中沒有成形第一浮雕結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域中將第一層(3m)施加到復(fù)制層(3)上，其中由復(fù)制層(3)限定的平面具有恒定的表面密度，將光敏層(8)施加到第一層(3m)上或?qū)⒐饷粜韵礈煅谀Ｗ鳛閺?fù)制層施加到其上，透過第一層(3m)將該光敏層或洗滌掩模(8)曝光以致由于第一和第二區(qū)域中的第一浮雕結(jié)構(gòu)而引起該光敏層或洗滌掩模(8)不同地曝光，和在第一區(qū)域而不是第二區(qū)域中或在第二區(qū)域而不是第一區(qū)域中使用經(jīng)曝光的光敏層或洗滌掩模(8)作為掩模層將第一層(3m)除去。2.權(quán)利要求1的方法，其特征在于將第一層(3m)施加到復(fù)制層(3)的整個(gè)表面積上，尤其是通過蒸汽沉積施加。3.權(quán)利要求1或權(quán)利要求2的方法，其特征在于以第一層(3m)基本上不透明并且優(yōu)選具有大于l.5的光學(xué)密度的厚度將第一層(3m)施加到復(fù)制層(3)上。4.權(quán)利要求1或權(quán)利要求2的方法，其特征在于以第一層(3m)具有2-7的光學(xué)密度的厚度將第一層(3m)施加到復(fù)制層(3)的整個(gè)表面積上。5.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于第一層(3m)由金屬層或金屬合金的層形成。6.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于在復(fù)制層的第二區(qū)域中成形第二浮雕結(jié)構(gòu)并且作為第一浮雕結(jié)構(gòu)在該復(fù)制層中成形的那個(gè)是衍射性浮雕結(jié)構(gòu)，相對于第二區(qū)域中的第一層(3m)的透射性尤其是透明性，它增加第一區(qū)域中的第一層(3m)的透射性尤其是透明性。7.權(quán)利要求6的方法，其特征在于該第一浮雕結(jié)構(gòu)具有比該第二浮雕結(jié)構(gòu)更大的浮雕深度。8.權(quán)利要求6和7中一項(xiàng)的方法，其特征在于該第一浮雕結(jié)構(gòu)的空間頻率和浮雕深度的乘積大于該第二浮雕結(jié)構(gòu)的空間頻率和浮雕深度的乘積。9.權(quán)利要求6至8中一項(xiàng)的方法，其特征在于所述第一或第二浮雕結(jié)構(gòu)呈以下形式光學(xué)活性、反射或透射性光衍射和/或光折射和/或光散射微米或納米結(jié)構(gòu)，例如呈光柵結(jié)構(gòu)如線性光柵或交叉光柵形式，各向同性或各向異性消光結(jié)構(gòu)，二元或連續(xù)菲涅耳透鏡，微棱鏡、閃耀光柵，組合結(jié)構(gòu)或宏觀結(jié)構(gòu)。10.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于將相對于各個(gè)結(jié)構(gòu)元件具有高深寬比，尤其具>0.3的深寬比的衍射性浮雕結(jié)構(gòu)成形為第一區(qū)域中的第一浮雕結(jié)構(gòu)。11.權(quán)利要求10的方法，其特征在于該第二浮雕結(jié)構(gòu)呈具有低深寬比的浮雕結(jié)構(gòu)形式.12.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于該復(fù)制層和該第一層之間的界面層在第二區(qū)域中基本上是平坦的。13.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于將具有二元特征的光敏材料作為光敏層(8)或光敏性洗滌掩模施加并且以一定曝光強(qiáng)度和在一定曝光時(shí)間下透過第一層將光敏層或光敏性洗滌掩模曝光，所述光敏層(8)或光敏性洗滌掩模在第一區(qū)域中被活化并且在第二區(qū)域中沒有被活化，在所述笫一區(qū)域中，第一層(3m)的透射性由于笫一浮雕結(jié)構(gòu)而增加。14.權(quán)利要求13的方法，其特征在于利用UV輻射透過第一層(3m)將光敏層或洗滌掩模(8)曝光。15.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于以洗滌工藝將通過曝光操作活化的光敏性洗滌掩模的區(qū)域和設(shè)置在那里的第一層(3m)的區(qū)域除去。16.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于將透過第一層(3m)曝光的光敏層(8)顯影并且經(jīng)顯影的光敏層(8)形成第一層(3m)的蝕刻掩模。17.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于在其中第一層(3m)的透射性由于第一浮雕結(jié)構(gòu)而增加的第一區(qū)域中通過曝光將光敏層活化并且經(jīng)活化的光可活化層形成第一層(3m)的蝕刻劑。18.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于該光敏層(8)由光致抗蝕劑形成。19.權(quán)利要求18的方法，其特征在于所述光致抗蝕劑為正性光致抗蝕劑形式。20.權(quán)利要求18的方法，其特征在于所述光致抗蝕劑為負(fù)性光致抗蝕劑形式。21.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于所述光敏層(8)呈光聚合物形式。22.權(quán)利要求16至21中一項(xiàng)的方法，其特征在于將蝕刻掩模的殘留物除去。23.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于將第二層(3p)引入其中第一層(3m)被除去的區(qū)域。24.權(quán)利要求23的方法，其特征在于將第一層(3m)仍然留下的區(qū)域除去并用第三層(3p')替換。25.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于將第一層(3m)和/或笫二層(3p)和/或第三層(3p')通電增強(qiáng)。26.可以根據(jù)權(quán)利要求1至25中一項(xiàng)制備的多層體，其具有復(fù)制層(3)和設(shè)置在該復(fù)制層上的至少一個(gè)部分成形的第一層(3m),其特征在于在復(fù)制層(3)的第一區(qū)域中成形衍射性第一浮雕結(jié)構(gòu)，在復(fù)制層(3)的第二區(qū)域中在復(fù)制層(3)中沒有成形第一浮雕結(jié)構(gòu)，和以通過第一浮雕結(jié)構(gòu)的設(shè)置確定的方式將第一層(3m)部分地除去，以致在第一區(qū)域而不是第二區(qū)域中或在第二區(qū)域而不是第一區(qū)域中以與第一浮雕結(jié)構(gòu)精確對齊的關(guān)系將第一層(3m)除去。27.權(quán)利要求26的多層體，其特征在于以圖案形式成形第二區(qū)域并且以直接相互相鄰連接的關(guān)系設(shè)置第一區(qū)域和第二區(qū)域，優(yōu)選第二區(qū)域被第一區(qū)域包圍或第一區(qū)域被第二區(qū)域包圍。28.權(quán)利要求26的多層體，其特征在于第二區(qū)域包括兩個(gè)或更多個(gè)被第一區(qū)域包圍的局部區(qū)域，在復(fù)制層的第二區(qū)域中成形光學(xué)活性的笫二浮雕結(jié)構(gòu)并且第一層是反射層，它在第一區(qū)域中被除去并且因此以與第二浮雕結(jié)構(gòu)精確對齊的關(guān)系設(shè)置。29.權(quán)利要求26的多層體，其特征在于第一區(qū)域包括兩個(gè)或更多個(gè)被第二區(qū)域包圍的局部區(qū)域，反之亦然，并且第一層是反射層，它在笫二區(qū)域中被除去并且因此以與第一浮雕結(jié)構(gòu)精確對齊的關(guān)系設(shè)置。30.權(quán)利要求26至29中一項(xiàng)的多層體，其特征在于第二區(qū)域的局部區(qū)域或第一區(qū)域的局部區(qū)域具有小于2mm，優(yōu)選小于lmm的寬度。31.權(quán)利要求26至30中一項(xiàng)的多層體，其特征在于將第二層(3p)設(shè)置在其中不存在第一層(3ra)的復(fù)制層(3)的區(qū)域。32.權(quán)利要求26至31中一項(xiàng)的多層體，其特征在于第一層(3m)和/或第二層(3p)由介電材料，例如Ti02或ZnS形成。33.權(quán)利要求32的多層體，其特征在于第一層(3m)和第二層(3p)具有不同的折射指數(shù)。34.權(quán)利要求26至33中一項(xiàng)的多層體，其特征在于第一層(3m)和/或第二層(3p)由聚合物形成。35.權(quán)利要求26至34中一項(xiàng)的多層體，其特征在于第一層(3m)和/或笫二層(3p)呈有色層形式。36.權(quán)利要求26至35中一項(xiàng)的多層體，其特征在于第一層(3m)和/或第二層(3p)由許多部分層形成。37.權(quán)利要求36的多層體，其特征在于所述局部層形成薄膜層體系。38.權(quán)利要求36或權(quán)利要求37的多層體，其特征在于所述局部層由不同的材料形成。39.權(quán)利要求26至38中一項(xiàng)的多層體，其特征在于第一層(3m)和/或第二層(3p)形成光學(xué)圖案。40.權(quán)利要求26至39中一項(xiàng)的多層體，其特征在于第一層(3m)和/或第二層(3p)形成光柵圖象。41.權(quán)利要求26至40中一項(xiàng)的多層體，其特征在于第一層(3m)和/或第二層(3p)形成一個(gè)或多個(gè)光學(xué)安全特性。42.權(quán)利要求26至41中一項(xiàng)的多層體，其特征在于第一層(3m)和/或第二層(3p)形成電子元件，例如天線、電容器、線圏或有機(jī)半導(dǎo)體元件。43.權(quán)利要求26至42中一項(xiàng)的多層體，其特征在于所述多層體是膜構(gòu)件，尤其是轉(zhuǎn)移膜、熱沖壓膜或?qū)訅耗ぁ?4.權(quán)利要求26至42中一項(xiàng)的多層體，其特征在于第一層(3m)和/或第二層(3p)形成取向?qū)佑糜谝壕У娜∠颉?5.權(quán)利要求44的多層體，其特征在于所述取向?qū)泳哂杏糜谝壕∠虻难苌湫越Y(jié)構(gòu)，所述液晶是局部不同取向的以致當(dāng)在偏振光下觀察時(shí)該液晶表示信息項(xiàng)例如圖標(biāo)。46.具有部分成形的第二層(31m)的多層體(200)的制備方法，其特征在于在復(fù)制層(30)的第一區(qū)域中成形衍射性第一浮雕結(jié)構(gòu)(40)，在該第一區(qū)域中和其中在復(fù)制層(30)中沒有成形浮雕結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域中將第一層(30m)施加到復(fù)制層(30)上，其中由復(fù)制層(30)限定的平面具有恒定的表面密度，透過第一層(30m)將光敏層或光敏性洗滌掩模(8)曝光以致由于第一和第二區(qū)域中的第一浮雕結(jié)構(gòu)而引起該光敏層或洗滌掩模被不同地曝光，和在第一區(qū)域而不是第二區(qū)域中或在第二區(qū)域而不是第一區(qū)域中使用經(jīng)曝光的光敏層或洗滌掩模(8)作為掩模層將笫二層(31m)除去。47.權(quán)利要求46的方法，其特征在于透過第二層將所述光敏層或光敏性洗滌掩模(8)曝光。48.權(quán)利要求46或權(quán)利要求47的方法，其特征在于將所述復(fù)制層施加到曝光掩模的載體層上。49.權(quán)利要求46至48中一項(xiàng)的方法，其特征在于將所述光敏層施加到第二層上。50.權(quán)利要求46至49中一項(xiàng)的方法，其特征在于將第二層施加到所述光敏性洗滌掩模上。51.權(quán)利要求26的多層體作為曝光掩模用于制備具有部分成形的其它層的其它多層體(170)的用途。52.權(quán)利要求51的用途，其特征在于所述曝光掩模(200)形成其它多層體(170)的一個(gè)或多個(gè)層。53.權(quán)利要求51或權(quán)利要求52的用途，其特征在于在曝光掩模(200)和其它多層體(170)之間設(shè)置隔離層。全文摘要本發(fā)明涉及具有部分成形的第一層(3m)的多層體(100)的制備方法以及根據(jù)所述方法制備的多層體。本方法特征在于在多層體的復(fù)制層(3)的第一區(qū)域中成形衍射性第一浮雕結(jié)構(gòu)(4)，在該第一區(qū)域中和其中在復(fù)制層(3)中沒有成形第一浮雕結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域中將第一層(3m)施加到復(fù)制層(3)上，將光敏層施加到第一層(3)上或?qū)⒐饷粜韵礈煅谀?8)作為復(fù)制層施加到其上，透過第一層(3m)將該光敏層或洗滌掩模曝光以致由于第一和第二區(qū)域中的第一浮雕結(jié)構(gòu)而引起該光敏層或洗滌掩模不同地曝光，和在第一區(qū)域而不是第二區(qū)域中或在第二區(qū)域而不是第一區(qū)域中使用經(jīng)曝光的光敏層或洗滌掩模作為掩模層將第一層(3m)除去。文檔編號B44C1/14GK101115627SQ200680004626公開日2008年1月30日申請日期2006年2月9日優(yōu)先權(quán)日2005年2月10日發(fā)明者A·席林,R·施陶布,W·R·湯普金申請人:Ovd基尼格拉姆股份公司