薄膜、顯影及蝕刻工藝。
[0088]上述的黑色矩陣圖案130的材質(zhì)可為任何低反射率的感光材料，例如黑色感光樹月旨，其形成方式可為旋轉(zhuǎn)涂布及顯影及蝕刻工藝。
[0089]上述的顯示介質(zhì)150可為非自發(fā)光顯示介質(zhì)，例如:液晶、電泳顯示介質(zhì)或上述的任意組合。此外，上述的顯示介質(zhì)150亦可為自發(fā)光顯示介質(zhì)。舉例來說，當(dāng)上述顯示面板100 為主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示器(Active-Matrix Organic Light-Emitting D1deDisplay ；AM0LED Display)時，顯示介質(zhì)150可以被考慮為有機發(fā)光二極管中的主動發(fā)光層O
[0090]圖4繪示依照本發(fā)明另一實施方式的顯示面板100的局部俯視圖。圖5繪示沿圖4的線段5-5的剖面圖。本實施方式與前述實施方式的不同點在于:本實施方式并未利用數(shù)據(jù)線128來作為遮光金屬層，而是另外設(shè)置遮光金屬層190來遮蔽斷開區(qū)域L。在本實施方式中，遮光金屬層190、掃描線126與柵極G可屬于同一圖案化導(dǎo)電層，例如第一金屬層。但此并不限制本發(fā)明，在本發(fā)明部分實施方式中，遮光金屬層190亦可為獨立的第三金屬層，其既未與掃描線126和柵極G屬于同一圖案化導(dǎo)電層，亦未與源極S、漏極D和數(shù)據(jù)線128屬于同一圖案化導(dǎo)電層。
[0091]在本實施方式中，由于斷開區(qū)域L與數(shù)據(jù)線128至少部分重疊，因此遮蔽斷開區(qū)域L的遮光金屬層190也會與數(shù)據(jù)線128至少部分重疊，但彼此并不屬于同一圖案化導(dǎo)電層。此外，遮光金屬層190雖然可與掃描線126和柵極G屬于同一圖案化導(dǎo)電層，但遮光金屬層190可與掃描線126和柵極G電性絕緣，而維持浮動電位，以避免給數(shù)據(jù)線128帶來過大的電阻電容負載(Resistance-Capacitance loading ；RC loading)。
[0092]同樣地，雖然圖5將黑色矩陣圖案130繪示為設(shè)置在對向基板140上。但此并不限制本發(fā)明，在本發(fā)明其他實施方式中，如圖6所繪示，黑色矩陣圖案130亦可設(shè)置于主動元件陣列基板110上，而成為黑色矩陣圖案130于主動元件陣列基板110 (Black matrix OnArray ；B0A)上的架構(gòu)。
[0093]至于其他相關(guān)的結(jié)構(gòu)細節(jié)，由于均與前述實施方式相同，因此不再重復(fù)贅述。
[0094]圖7繪示依照本發(fā)明另一實施方式的顯示面板100的局部俯視圖。圖8繪示沿圖7的線段8-8的剖面圖。如圖7?8所示，本實施方式與圖4?5所繪示的實施方式的不同點在于:圖4?5所繪示的實施方式是以一遮光金屬層190 —并遮蔽多個斷開區(qū)域L，或者說一遮光金屬層190—并與多個斷開區(qū)域L重疊。但本實施方式是利用多個遮光金屬層190分別遮蔽多個斷開區(qū)域L，或者說分別與多個斷開區(qū)域L重疊。
[0095]同樣地，雖然圖8將黑色矩陣圖案130繪示為設(shè)置在對向基板140上。但此并不限制本發(fā)明，在本發(fā)明其他實施方式中，如圖9所繪示，黑色矩陣圖案130亦可設(shè)置于主動元件陣列基板110上，而成為黑色矩陣圖案130于主動元件陣列基板110 (Black matrix OnArray ；B0A)上的架構(gòu)。
[0096]至于其他相關(guān)的結(jié)構(gòu)細節(jié)，由于均與前述實施方式相同，因此不再重復(fù)贅述。
【主權(quán)項】
1.一種顯不面板，包括: 一主動元件陣列基板； 至少一子像素，設(shè)置于該主動元件陣列基板上，該子像素包括: 一切換元件；以及 一像素電極，電性連接該切換元件； 一黑色矩陣圖案，包括至少一本體部以及至少一島部，并具有多個開口區(qū)域，該本體部部分圍繞該開口區(qū)域，該本體部與該島部之間具有一斷開區(qū)域，該開口區(qū)域與該像素電極至少部分相對應(yīng)； 至少一遮光金屬層，該遮光金屬層在該主動元件陣列基板上的正投影與該斷開區(qū)域在該主動元件陣列基板上的正投影至少部分重疊； 一對向基板，相對該主動元件陣列基板設(shè)置；以及 一顯示介質(zhì)，設(shè)置于該主動元件陣列基板與該對向基板之間。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該黑色矩陣圖案設(shè)置于該對向基板。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該黑色矩陣圖案設(shè)置于該主動元件陣列基板。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該遮光金屬層電性連接該切換元件，作為一數(shù)據(jù)線用。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中還包括: 至少一數(shù)據(jù)線，電性連接該切換元件，其中該遮光金屬層與該數(shù)據(jù)線至少部分重疊。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示面板，其中該遮光金屬層為浮動電位。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該斷開區(qū)域的數(shù)量為多個，且該遮光金屬層一并與該多個斷開區(qū)域重疊。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該斷開區(qū)域的數(shù)量為多個，該遮光金屬層的數(shù)量也為多個，該多個遮光金屬層分別與該多個斷開區(qū)域重疊。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該本體部至少與該切換元件重疊，以及該島部至少與一數(shù)據(jù)線重疊。
10.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該遮光金屬層的寬度大于或等于該島部的寬度。
11.一種顯不面板，包括: 一主動元件陣列基板； 多個子像素，設(shè)置于該主動元件陣列基板上，該多個子像素中每一子像素包括: 一切換元件；以及 一像素電極，電性連接該切換元件； 一黑色矩陣圖案，具有多個開口區(qū)域，該多個開口區(qū)域分別與該多個像素電極至少部分相對應(yīng)，且任兩相鄰的該多個開口區(qū)域之間具有至少一連通區(qū)域以連通兩者； 至少一遮光金屬層，該遮光金屬層在該主動元件陣列基板上的正投影，與該連通區(qū)域在該主動元件陣列基板上的正投影至少部分重疊； 一對向基板，相對該主動元件陣列基板設(shè)置；以及 一顯示介質(zhì)，設(shè)置于該主動元件陣列基板與該對向基板之間。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中該黑色矩陣圖案設(shè)置于該對向基板。
13.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中該黑色矩陣圖案設(shè)置于該主動元件陣列基板。
14.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中該遮光金屬層電性連接該多個切換元件其中至少之一，作為一數(shù)據(jù)線用。
15.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中還包括: 至少一數(shù)據(jù)線，電性連接該多個切換元件其中至少之一，其中該遮光金屬層與該數(shù)據(jù)線至少部分重疊。
16.如權(quán)利要求15所述的顯示面板，其中該遮光金屬層為浮動電位。
17.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中兩相鄰的該多個開口區(qū)域之間的該連通區(qū)域的數(shù)量為多個，且該遮光金屬層一并與該多個連通區(qū)域重疊。
18.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中兩相鄰的該多個開口區(qū)域之間的該連通區(qū)域的數(shù)量為多個，該遮光金屬層的數(shù)量也為多個，該多個遮光金屬層分別與該多個連通區(qū)域重疊。
19.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中該黑色矩陣圖案包括: 一本體部，至少與該切換元件重疊；以及 至少一島部，與該本體部分開，使得該本體部與該島部之間存在該連通區(qū)域。
20.如權(quán)利要求19所述的顯示面板，其中該遮光金屬層的寬度大于或等于該島部的寬度。
【專利摘要】一種顯示面板包括主動元件陣列基板、多個子像素、黑色矩陣圖案、遮光金屬層、對向基板與顯示介質(zhì)。子像素設(shè)置于主動元件陣列基板上。每一子像素均包括切換元件與像素電極。像素電極電性連接切換元件。黑色矩陣圖案具有多個開口區(qū)域。開口區(qū)域分別與像素電極至少部分相對應(yīng)，且任兩相鄰的開口區(qū)域之間具有至少一連通區(qū)域以連通兩者。遮光金屬層在主動元件陣列基板上的正投影，與連通區(qū)域在主動元件陣列基板上的正投影至少部分重疊。對向基板相對主動元件陣列基板設(shè)置。顯示介質(zhì)設(shè)置于主動元件陣列基板與對向基板之間。
【IPC分類】G09G3-20, G09F9-30
【公開號】CN104794999
【申請?zhí)枴緾N201510242173
【發(fā)明人】李明賢, 郭博裕
【申請人】友達光電股份有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2015年5月13日