顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本揭露是有關(guān)于一種顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]為適應移動裝置面板的發(fā)展趨勢，目前顯示面板的解析度(Resolut1n)和像素密度(Pixels per inch ;PPI)都愈來愈高。由于像素密度愈來愈高，導致每個子像素(Subpixel)的尺寸愈來愈小。然而子像素中主動元件的尺寸無法適應子像素縮小而微縮的情況之下，會導致子像素中的透光區(qū)域下降，進而使得面板的開口率(Aperture rat1 ；AR)下降，而開口率下降會導致面板的穿透率下降，進而嚴重影響顯示器的亮度。
[0003]在降低面板開口率的因素中，其中一個具有代表性的因素就是黑色矩陣圓角(Black matrix rounding ；BM rounding)對面板開口率所帶來的沖擊。在黑色矩陣的顯影及蝕刻工藝(Photolithography process)時，由于光學繞射和工藝限制，會導致黑色矩陣于圖案化后在開口區(qū)域的角落無法形成直角，而會在開口區(qū)域的角落形成圓角區(qū)域(Rounding area)。當有圓角區(qū)域形成時，會降低開口率。當像素密度提高時，黑色矩陣圓角區(qū)域占開口區(qū)域的比例會愈來愈高，進而降低面板開口率。
[0004]先前技術(shù)解決圓角區(qū)域的方式，是利用光罩及曝光補償?shù)姆绞絹斫档蛨A角區(qū)域的影響，通過光學模擬來決定補償?shù)姆秶统潭取Ｈ欢朔N解決方式常因黑色矩陣材料與工藝的限制，使得光學模擬的結(jié)果與實際產(chǎn)品有相當大的差異，因此需要通過不斷的模擬及試驗，以確認符合產(chǎn)品設(shè)計的規(guī)格。這個過程需要耗費大量的成本及時間。因此，如何有效的降低成本及時間，實為一重要的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的一方面是在于提供一種顯示面板，用以改善以上先前技術(shù)所提到的問題。
[0006]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，一種顯示面板包括主動元件陣列基板、子像素、黑色矩陣圖案、遮光金屬層、對向基板與顯示介質(zhì)。子像素設(shè)置于主動元件陣列基板上。子像素包括切換元件與像素電極。像素電極電性連接切換元件。黑色矩陣圖案包括本體部以及島部，并具有多個開口區(qū)域，本體部部分圍繞開口區(qū)域，本體部與島部之間具有斷開區(qū)域，開口區(qū)域與像素電極至少部分相對應。遮光金屬層在主動元件陣列基板上的正投影，與斷開區(qū)域在主動元件陣列基板上的正投影至少部分重疊。對向基板相對主動元件陣列基板設(shè)置。顯示介質(zhì)設(shè)置于主動元件陣列基板與對向基板之間。
[0007]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，上述的黑色矩陣圖案設(shè)置于對向基板。
[0008]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，上述的黑色矩陣圖案設(shè)置于主動元件陣列基板。
[0009]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，上述的遮光金屬層電性連接切換元件，作為數(shù)據(jù)線用。
[0010]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，上述的顯示面板還包括數(shù)據(jù)線，此數(shù)據(jù)線電性連接切換元件。上述的遮光金屬層與數(shù)據(jù)線至少部分重疊。
[0011 ] 在本發(fā)明的一或多個實施方式中，上述的遮光金屬層為浮動電位。
[0012]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，上述的斷開區(qū)域的數(shù)量為多個，且遮光金屬層一并與斷開區(qū)域重疊。
[0013]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，上述的斷開區(qū)域的數(shù)量為多個。上述的遮光金屬層的數(shù)量亦為多個。遮光金屬層分別與斷開區(qū)域重疊。
[0014]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，上述的本體部至少與切換元件重疊。上述的島部至少與數(shù)據(jù)線重疊。
[0015]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，上述的遮光金屬層的寬度大于或等于島部的寬度。
[0016]根據(jù)本發(fā)明一或多個實施方式，一種顯示面板包括主動元件陣列基板、多個子像素、黑色矩陣圖案、遮光金屬層、對向基板與顯示介質(zhì)。子像素設(shè)置于主動元件陣列基板上。每一子像素均包括切換元件與像素電極。像素電極電性連接切換元件。黑色矩陣圖案具有多個開口區(qū)域。開口區(qū)域分別與像素電極至少部分相對應，且任兩相鄰的開口區(qū)域之間具有至少一連通區(qū)域以連通兩者。遮光金屬層在主動元件陣列基板上的正投影，與連通區(qū)域在主動元件陣列基板上的正投影至少部分重疊。對向基板相對主動元件陣列基板設(shè)置。顯示介質(zhì)設(shè)置于主動元件陣列基板與對向基板之間。
[0017]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，上述的黑色矩陣圖案設(shè)置于對向基板。
[0018]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，上述的黑色矩陣圖案設(shè)置于主動元件陣列基板。
[0019]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，上述的遮光金屬層電性連接多個切換元件其中至少之一，作為數(shù)據(jù)線用。
[0020]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，上述的顯示面板還包括數(shù)據(jù)線，此數(shù)據(jù)線電性連接多個切換元件其中至少之一。上述的遮光金屬層與數(shù)據(jù)線至少部分重疊。
[0021]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，上述的遮光金屬層為浮動電位。
[0022]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，兩相鄰的開口區(qū)域之間的連通區(qū)域的數(shù)量為多個，且遮光金屬層一并與連通區(qū)域重疊。
[0023]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，兩相鄰的開口區(qū)域之間的連通區(qū)域的數(shù)量為多個。遮光金屬層的數(shù)量也為多個。遮光金屬層分別與連通區(qū)域重疊。
[0024]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，上述的黑色矩陣圖案包括本體部與島部。本體部至少與切換元件重疊。島部與本體部分開，使得本體部與島部之間存在連通區(qū)域。
[0025]在本發(fā)明的一或多個實施方式中，上述的遮光金屬層的寬度大于或等于島部的寬度。
[0026]本發(fā)明將黑色矩陣圖案斷開為本體部與島部。由于黑色矩陣圖案被斷開為本體部與島部，因此在工藝中，黑色矩陣圖案可以被過度曝光(over dosing)或過度蝕刻(overetching)，讓后續(xù)黑色矩陣圖案的圓角區(qū)域可大幅減少，并讓開口區(qū)域的面積增加，進而提升顯不面板的開口率。
【附圖說明】
[0027]圖1繪示依照本發(fā)明一實施方式的顯示面板的局部俯視圖。
[0028]圖2繪示沿圖1的線段2-2的剖面圖。
[0029]圖3繪示依照本發(fā)明另一實施方式的顯示面板的剖面圖，其剖面位置與圖2相同。
[0030]圖4繪示依照本發(fā)明另一實施方式的顯示面板的局部俯視圖。
[0031]圖5繪示沿圖4的線段5-5的剖面圖。
[0032]圖6繪示依照本發(fā)明另一實施方式的顯示面板的剖面圖，其剖面位置與圖5相同。
[0033]圖7繪示依照本發(fā)明另一實施方式的顯示面板的局部俯視圖。
[0034]圖8繪示沿圖7的線段8-8的剖面圖。
[0035]圖9繪示依照本發(fā)明另一實施方式的顯示面板的剖面圖，其剖面位置與圖8相同。
[0036]其中，附圖標記說明如下:
[0037]2-2:線段
[0038]5-5:線段
[0039]8-8:線段
[0040]100:顯示面板
[0041]110:主動元件陣列基板
[0042]120:子像素
[0043]122:切換元件
[0044]124:像素電極
[0045]126:掃描線
[0046]128:數(shù)據(jù)線
[0047]130:黑色矩陣圖案
[0048]132:本體部
[0049]134:島部
[0050]140:對向基板
[0051]150:顯示介質(zhì)
[0052]160:保護層
[0053]170:彩色光阻
[0054]180:共同電極
[0055]190:遮光金屬層
[0056]C:通道層
[0057]D:漏極
[0058]G:柵極
[0059]G1:柵介電層
[0060]Il:正投影
[0061]12:正投影
[0062]L:斷開區(qū)域
[0063]LD:雙箭頭