本發(fā)明涉及薄膜制造領(lǐng)域，特別是涉及一種基于imd技術(shù)的保護膜極其制備方法。

背景技術(shù)：

手機外殼制造技術(shù)追求輕、薄以及高強度，但是上述條件不易同時滿足，往往在保證輕薄的同時，無法滿足高強度，或者在滿足高強度時，需要較厚的厚度。無法同時滿足上述要求的手機外殼會造成手機總體質(zhì)量的增加，同時影響手機的外觀美感。而且，大多數(shù)手機外殼中包含pet膜，在進行電鍍操作時容易導(dǎo)致脫層。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種基于imd技術(shù)的保護膜極其制備方法，能夠降低保護膜的厚度以減少其質(zhì)量，同時可保證電鍍操作時不脫層。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是：提供一種基于imd技術(shù)的保護膜的制備方法，包括：提供pet膜，并在pet膜的一側(cè)涂覆設(shè)置離型劑，烘干固化，得到離型層；以pet膜及離型層為載體，在載體上依次涂覆設(shè)置uv層、油墨層、貼合膠層及塑膠層，形成第一保護膜；待第一保護膜烘干固化成型后，將第一保護膜的pet膜及離型層剝離，剩余部分形成保護膜。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是：提供基于imd技術(shù)的保護膜，包括：依次層疊設(shè)置的uv層、油墨層、貼合膠層及塑膠層；其中，所述油墨層設(shè)置于所述uv層和所述貼合膠層之間，所述貼合膠層的另一側(cè)設(shè)置所述塑膠層。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的基于imd技術(shù)的保護膜的制備方法的步驟包括：提供pet膜，并在pet膜的一側(cè)涂覆設(shè)置離型劑，烘干固化，得到離型層；以pet膜及離型層為載體，在載體上依次涂覆設(shè)置uv層、油墨層、貼合膠層及塑膠層，形成第一保護膜；待第一保護膜烘干固化成型后，將第一保護膜的pet膜及離型層剝離，剩余部分形成保護膜。通過本發(fā)明，能夠降低保護膜的厚度以減少其質(zhì)量，同時可保證電鍍操作時不脫層。

附圖說明

圖1是本發(fā)明提供的一種基于imd技術(shù)的保護膜的制備方法的流程示意圖；

圖2是本發(fā)明提供的一種基于imd技術(shù)的保護膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施方式對本發(fā)明的技術(shù)方案作進一步更詳細的描述。顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都應(yīng)屬于本發(fā)明保護的范圍。

下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進行更詳細的說明。

需要說明的是，如果不沖突，本發(fā)明實施例以及實施例中的各個特征可以相互結(jié)合，均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。另外，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。

imd技術(shù)為膜內(nèi)裝飾技術(shù)，傳統(tǒng)的塑料加工技術(shù)已漸漸無法滿足新時代的需求，輕、薄、短小的消費性電子產(chǎn)品及環(huán)保意識的抬頭，imd技術(shù)就是在這個基礎(chǔ)上應(yīng)運而生。由于(imd)之諸多優(yōu)點適合于3c、家電、logo銘板及汽車零件之塑料產(chǎn)品，特別是流行的手機外殼及各式儀表面板。為此世界許多材料如德國bayer、美國ge、日本和韓國正投入大量人力和材力在研發(fā)適合于該工藝的新型材料，每一年都有涌現(xiàn)出大量功能薄膜和油墨材料。與傳統(tǒng)工藝相比(imd)能減化生產(chǎn)步驟和減少拆件組成部件，因此能快速生產(chǎn)節(jié)省時間和成本，同時還具有提高質(zhì)量，增加圖像的復(fù)雜性和提高產(chǎn)品耐久性優(yōu)點應(yīng)用在產(chǎn)品外觀上，(imd)是目前最有效率的方法，它是在薄膜表面上施以印刷、高壓成型、沖切，最后與塑料結(jié)合成型，免除二次作業(yè)程序及其人力工時，尤其一般在需背光、多曲面、仿金屬、發(fā)線處理、邏輯光紋、肋骨干涉等印刷噴漆制程無法處理的時候，更是使用imd制程的時機。

現(xiàn)有技術(shù)制作保護膜時，常用的方式是應(yīng)用pet膜，以其為載體在pet膜一側(cè)表面采用imd技術(shù)設(shè)置uv層，然后在pet膜另一側(cè)表面設(shè)置油墨層。pet膜僅僅起到載體的作用，但是增加了保護膜的厚度，且在對保護膜進行電鍍操作時容易引起脫層現(xiàn)象。

參閱圖1，圖1是本發(fā)明提供的一種基于imd技術(shù)的保護膜的制備方法的流程示意圖。該方法的步驟包括：

s110：提供pet膜，并在pet膜的一側(cè)涂覆設(shè)置離型劑，烘干固化，得到離型層。

pet在較寬的溫度范圍內(nèi)具有優(yōu)良的物理機械性能，長期使用溫度可達120℃，電絕緣性優(yōu)良，甚至在高溫高頻下，其電性能仍較好，抗蠕變性，耐疲勞性，耐摩擦性、尺寸穩(wěn)定性都很好。

將離型劑均勻的涂覆于pet膜的一側(cè)表面，涂覆完成后通過烘箱進行干燥固化，固化完成后在pet膜的一側(cè)表面形成離型層。離型劑是為防止成型的復(fù)合材料制品在模具上粘著而在制品與模具之間施加一類隔離膜，以便制品很容易從模具中脫出，同時保證制品表面質(zhì)量和模具完好無損。為最終將pet膜將制得的保護膜表面剝離，在pet膜與其他層次之間設(shè)置離型層。

s120：以pet膜及離型層為載體，在載體上依次涂覆設(shè)置uv層、油墨層、貼合膠層及塑膠層，形成第一保護膜。

以設(shè)置了離型層的pet膜作為基材，在離型層的表面設(shè)置uv層。uv層是基于imd技術(shù)制作的。uv涂料與3d立體圖案金屬版壓合，并通過uv干燥系統(tǒng)干燥，然后uv涂料與3d立體圖案金屬版分離，此時uv涂料上就壓印有與3d立體圖案金屬版一樣的鐳射條紋，完成uv層的設(shè)置。uv層的紋理朝向離型層設(shè)置。在設(shè)置uv層之前，首先需在離型層上涂覆離型層材質(zhì)與uv層間進行粘合的架橋劑。在設(shè)置完成uv層后，在uv層表面涂覆uv層材質(zhì)和油墨層材質(zhì)進行粘合的架橋劑，然后在uv層上涂覆設(shè)置油墨層。后續(xù)依次設(shè)置貼合膠層和塑膠層，同時在油墨層和貼合膠層之間、及貼合膠層和塑膠層之間設(shè)置相應(yīng)的架橋劑。在本發(fā)明中，各層之間設(shè)置的架橋劑是不同的，依據(jù)兩側(cè)的材質(zhì)選用相應(yīng)的架橋劑。各層涂覆設(shè)置完成后，形成第一保護膜。

s130：待第一保護膜烘干固化成型后，將第一保護膜的pet膜及離型層剝離，剩余部分形成保護膜。

將第一保護膜置于烘箱進行烘干固化成型，然后將pet膜和離型層進行剝離，由于離型層的作用，pet膜可以從第一保護膜上脫離，形成保護膜，保護膜有依序?qū)盈B設(shè)置的uv層、油墨層、貼合膠層及塑膠層組成，相較于第一保護膜，具有較小的厚度和質(zhì)量，強度與第一保護膜相當。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的基于imd技術(shù)的保護膜的制備方法的步驟包括：提供pet膜，并在pet膜的一側(cè)涂覆設(shè)置離型劑，烘干固化，得到離型層；以pet膜及離型層為載體，在載體上依次涂覆設(shè)置uv層、油墨層、貼合膠層及塑膠層，形成第一保護膜；待第一保護膜烘干固化成型后，將第一保護膜的pet膜及離型層剝離，剩余部分形成保護膜。通過本發(fā)明，能夠降低保護膜的厚度以減少其質(zhì)量，同時可保證電鍍操作時不脫層。

參閱圖2，圖2是本發(fā)明提供的一種基于imd技術(shù)的保護膜的結(jié)構(gòu)示意圖。該保護膜100包括依次層疊設(shè)置的uv層110、油墨層120、貼合膠層130及塑膠層140；其中，油墨層120設(shè)置于uv層110和貼合膠層130之間，貼合膠層130的另一側(cè)設(shè)置塑膠層140。uv層110與油墨層120之間、油墨層120與貼合膠層130之間以及貼合膠層130與塑膠層140之間分別涂覆架橋劑進行黏結(jié)。uv層110的紋理朝向所述油墨層120的反向設(shè)置。保護膜100的厚度為0.8mm。保護膜100相較于現(xiàn)有技術(shù)的保護膜，減少了pet膜，不僅減輕了保護膜100的厚度，而且減輕了質(zhì)量，同時可保證保護膜的強度不受影響。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的基于imd技術(shù)的保護膜包括：依次層疊設(shè)置的uv層、油墨層、貼合膠層及塑膠層；其中，所述油墨層設(shè)置于所述uv層和所述貼合膠層之間，所述貼合膠層的另一側(cè)設(shè)置所述塑膠層。通過本發(fā)明，能夠降低保護膜的厚度以減少其質(zhì)量，同時可保證電鍍操作時不脫層。

以上所述僅為本發(fā)明的實施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。