本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種陣列基板、陣列基板制造方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著信息技術(shù)的發(fā)展，人機(jī)交互過程越來越多地應(yīng)用在不同的場景中。顯示裝置作為人機(jī)交互過程中獲取信息的重要部件之一，與其相關(guān)的技術(shù)得到了快速的發(fā)展。

目前，在顯示裝置中，數(shù)據(jù)線與相鄰像素電極之間通常采用鈍化層以起到保護(hù)作用。然而，由于鈍化層的介電常數(shù)較高，可能導(dǎo)致較大的寄生電容，進(jìn)而可能增加系統(tǒng)功耗，并且可能導(dǎo)致顯示出現(xiàn)諸多不良的情況(例如，殘像)。為了解決該問題，一方面，一些技術(shù)通過采用增大數(shù)據(jù)線與像素電極之間的距離的方式來減小寄生電容，但這又會造成有效顯示區(qū)域面積減小以及開口率降低的問題；另一方面，可以研發(fā)介電常數(shù)較低的材料作為鈍化層，然而，目前這方面的研究也無實質(zhì)性進(jìn)展。

鑒于此，需要一種新的陣列基板、陣列基板制造方法、顯示面板和顯示裝置。

需要說明的是，在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強(qiáng)對本公開的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開的目的在于提供一種陣列基板、陣列基板制造方法、顯示面板和顯示裝置，進(jìn)而至少在一定程度上克服由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺陷而導(dǎo)致的一個或者多個問題。

根據(jù)本公開的一個方面，提供一種陣列基板，包括：

柵極絕緣層；

設(shè)于所述柵極絕緣層上的多個像素電極；

設(shè)于相鄰兩個所述像素電極之間的數(shù)據(jù)線；以及

設(shè)于所述數(shù)據(jù)線遠(yuǎn)離所述柵極絕緣層一側(cè)的保護(hù)圖案；

其中，所述數(shù)據(jù)線在所述柵極絕緣層上的正投影小于所述保護(hù)圖案在所述柵極絕緣層上的正投影，且所述保護(hù)圖案在所述柵極絕緣層上的正投影與所述像素電極在所述柵極絕緣層上的正投影無重疊區(qū)域。

在本公開的一種示例性實施例中，所述陣列基板還包括：

設(shè)于所述保護(hù)圖案遠(yuǎn)離所述柵極絕緣層一側(cè)的鈍化層；

其中，所述鈍化層覆蓋所述保護(hù)圖案、所述像素電極和至少部分柵極絕緣層，且所述鈍化層與所述數(shù)據(jù)線不接觸。

在本公開的一種示例性實施例中，所述陣列基板還包括：

設(shè)于所述鈍化層上的公共電極。

在本公開的一種示例性實施例中，所述陣列基板還包括：

設(shè)于所述數(shù)據(jù)線與所述柵極絕緣層之間的有源層。

根據(jù)本公開的一個方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括上述任意一項所述的陣列基板。

根據(jù)本公開的一個方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述任意一項所述的顯示面板。

根據(jù)本公開的一個方面，提供一種陣列基板制造方法，包括：

形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成多個像素電極；

在相鄰兩個所述像素電極之間形成數(shù)據(jù)線；以及

在所述數(shù)據(jù)線遠(yuǎn)離所述柵極絕緣層一側(cè)形成保護(hù)圖案；

其中，所述數(shù)據(jù)線在所述柵極絕緣層上的正投影小于所述保護(hù)圖案在所述柵極絕緣層上的正投影，且所述保護(hù)圖案在所述柵極絕緣層上的正投影與所述像素電極在所述柵極絕緣層上的正投影無重疊區(qū)域。

在本公開的一種示例性實施例中，所述陣列基板制造方法還包括：

在所述保護(hù)圖案遠(yuǎn)離所述柵極絕緣層一側(cè)形成鈍化層；

其中，所述鈍化層覆蓋所述保護(hù)圖案、所述像素電極和至少部分柵極絕緣層，且所述鈍化層與所述數(shù)據(jù)線不接觸。

在本公開的一種示例性實施例中，所述陣列基板制造方法還包括：

在所述鈍化層上形成公共電極。

在本公開的一種示例性實施例中，所述陣列基板制造方法還包括：

在所述數(shù)據(jù)線與所述柵極絕緣層之間形成有源層。

在本公開的一些實施例所提供的技術(shù)方案中，借助于數(shù)據(jù)線以及其上保護(hù)圖案的構(gòu)造，可以在保護(hù)圖案與柵極絕緣層之間且數(shù)據(jù)線周圍形成氣隙，從而可以有效地減小數(shù)據(jù)線與相鄰像素電極之間的寄生電容，進(jìn)而可以減少顯示不良的情況發(fā)生，改善顯示效果。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實施例，并與說明書一起用于解釋本公開的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中：

圖1示意性示出了一些技術(shù)的陣列基板的剖面圖；

圖2示意性示出了根據(jù)本公開的示例性實施方式的陣列基板的剖面圖；

圖3示意性示出了根據(jù)本公開的示例性實施方式的陣列基板的制造方法的流程圖；

圖4至圖7示意性示出了根據(jù)本公開的示例性實施方式的陣列基板的制造方法對應(yīng)的剖面圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實施方式；相反，提供這些實施方式使得本發(fā)明將全面和完整，并將示例實施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略它們的詳細(xì)描述。

所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個或更多實施方式中，如有可能，各實施例中所討論的特征是可互換的。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對本發(fā)明的實施方式的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到，可以實踐本發(fā)明的技術(shù)方案而沒有所述特定細(xì)節(jié)中的一個或更多，或者可以采用其它的方法、組件、材料等。在其它情況下，不詳細(xì)示出或描述公知結(jié)構(gòu)、材料或者操作以避免模糊本發(fā)明的各方面。

雖然本說明書中使用相對性的用語，例如“上”“下”來描述圖標(biāo)的一個組件對于另一組件的相對關(guān)系，但是這些術(shù)語用于本說明書中僅出于方便，例如根據(jù)附圖中所述的示例的方向。能理解的是，如果將圖標(biāo)的裝置翻轉(zhuǎn)使其上下顛倒，則所敘述在“上”的組件將會成為在“下”的組件。其他相對性的用語，例如“高”“低”“頂”“底”“前”“后”“左”“右”等也作具有類似含義。當(dāng)某結(jié)構(gòu)在其它結(jié)構(gòu)“上”時，有可能是指某結(jié)構(gòu)一體形成于其它結(jié)構(gòu)上，或指某結(jié)構(gòu)“直接”設(shè)置在其它結(jié)構(gòu)上，或指某結(jié)構(gòu)通過另一結(jié)構(gòu)“間接”設(shè)置在其它結(jié)構(gòu)上。

用語“一”、“該”、“所述”和“至少一個”用以表示存在一個或多個要素/組成部分/等；用語“包括”和“具有”用以表示開放式的包括在內(nèi)的意思并且是指除了列出的要素/組成部分/等之外還可存在另外的要素/組成部分/等。

圖1示意性示出了一些技術(shù)的陣列基板的剖面圖。參考圖1，一些技術(shù)的陣列基板可以包括柵極絕緣層110、陣列設(shè)置的像素電極121和像素電極122、數(shù)據(jù)線130、鈍化層140以及公共電極150。

由圖1可以看出，像素電極121(或像素電極122)與數(shù)據(jù)線130之間可以由鈍化層140填充，此時，像素電極121(或像素電極122)與數(shù)據(jù)線130之間會產(chǎn)生寄生電容cpd，且該寄生電容cpd可以被表示為：

cpd＝ε0*εr*s/d(1)

在式(1)中，ε0表示真空介電常數(shù)，εr表示鈍化層140的相對介電常數(shù)，s表示像素電極121(或像素電極122)與數(shù)據(jù)線130之間的正對面積，以及d表示像素電極121(或像素電極122)與數(shù)據(jù)線130之間的距離。

為了減小像素電極121(或像素電極122)與數(shù)據(jù)線130之間產(chǎn)生的寄生電容，本公開提供了一種陣列基板。

本公開的示例性實施方式的陣列基板可以包括：柵極絕緣層；設(shè)于所述柵極絕緣層上的多個像素電極；設(shè)于相鄰兩個所述像素電極之間的數(shù)據(jù)線；以及設(shè)于所述數(shù)據(jù)線遠(yuǎn)離所述柵極絕緣層一側(cè)的保護(hù)圖案；其中，所述數(shù)據(jù)線在所述柵極絕緣層上的正投影小于所述保護(hù)圖案在所述柵極絕緣層上的正投影，且所述保護(hù)圖案在所述柵極絕緣層上的正投影與所述像素電極在所述柵極絕緣層上的正投影無重疊區(qū)域。

在本公開的示例性實施方式的陣列基板中，借助于數(shù)據(jù)線以及其上保護(hù)圖案的構(gòu)造，可以在保護(hù)圖案與柵極絕緣層之間且數(shù)據(jù)線周圍形成氣隙，從而可以有效地減小數(shù)據(jù)線與相鄰像素電極之間的寄生電容，進(jìn)而可以減少顯示不良的情況發(fā)生，改善顯示效果。

圖2示意性示出了本公開的示例性實施方式的陣列基板的剖面圖。參考圖2，根據(jù)本公開的示例性實施方式的陣列基板可以包括：柵極絕緣層110；設(shè)于柵極絕緣層110上的多個像素電極，其中，多個像素電極以陣列方式設(shè)置并且可以包括像素電極121和像素電極122；設(shè)于像素電極121與像素電極122之間的數(shù)據(jù)線130；設(shè)于數(shù)據(jù)線130遠(yuǎn)離柵極絕緣層110一側(cè)的保護(hù)圖案160。

其中，數(shù)據(jù)線130在柵極絕緣層110上的正投影小于保護(hù)圖案160在柵極絕緣層110上的正投影，并且保護(hù)圖案160在柵極絕緣層110上的正投影與像素電極(像素電極121和像素電極122)在柵極絕緣層上的正投影無重疊區(qū)域。

此外，根據(jù)本公開的示例性實施方式的陣列基板還可以包括：設(shè)于保護(hù)圖案160遠(yuǎn)離柵極絕緣層110一側(cè)的鈍化層140，其中，鈍化層140覆蓋保護(hù)圖案160、像素電極121、像素電極122和至少部分柵極絕緣層110，且鈍化層140與數(shù)據(jù)線130不接觸；以及設(shè)于鈍化層140上的公共電極150。

綜上所述，在本公開的示例性實施方式的陣列基板的構(gòu)造中，在保護(hù)圖案160與柵極絕緣層110之間且在數(shù)據(jù)線130周圍可以形成有氣隙171和氣隙172。另外，應(yīng)當(dāng)理解的是，圖2僅是本公開的陣列基板的剖視圖，然而，在以俯視的角度查看本公開的陣列基板的情況下，根據(jù)本公開的一些實施例，氣隙171與氣隙172可以相互連通且圍繞數(shù)據(jù)線130。

此外，應(yīng)當(dāng)注意的是，本公開不限于上述結(jié)構(gòu)，還可以包括保護(hù)圖案160的一側(cè)與數(shù)據(jù)線130的一側(cè)對齊且保護(hù)圖案160的另一側(cè)超出數(shù)據(jù)線130的另一側(cè)的情況。在這種情況下，本公開的陣列基板可能僅包括氣隙171或氣隙172，本公開對此不做特殊限定。

本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解的是，本公開所述的陣列基板還可以包括有源層(未示出)，該有源層可以設(shè)于數(shù)據(jù)線130與柵極絕緣層110之間。

根據(jù)本公開的一些實施例，保護(hù)圖案160的材料可以為苯酚基的聚合物衍生物、基于丙烯的聚合物、基于酰亞胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于乙烯醇的聚合物及它們的組合物中的一種或多種。

根據(jù)另外一些實施例，保護(hù)圖案160的材料還可以為sio2、sinx、sion、al2o3、ti2o3、hfo2、zro2、bst(鈦酸鍶鋇)、pzt(鋯鈦酸鉛)及它們的組合物中的一種或多種。

接下來，以像素電極121與數(shù)據(jù)線130為例，對它們之間產(chǎn)生的寄生電容cpd’進(jìn)行說明。根據(jù)串聯(lián)電容的公式，可知：

1/cpd’＝1/ca+1/cb(2)

在式(2)中，ca表示像素電極121與數(shù)據(jù)線130之間的鈍化層產(chǎn)生的寄生電容，cb表示像素電極121與數(shù)據(jù)線130之間的氣隙171產(chǎn)生的寄生電容。

另外，可以分別將ca、cb表示為：

ca＝ε0*εr*s/da(3)

cb＝ε0*1*s/db(4)

其中，da表示像素電極121與氣隙171之間的距離，db表示氣隙171在像素電極121與數(shù)據(jù)線130之間的寬度。

隨后，可以將式(3)和式(4)代入式(2)中，可得：

1/cpd’＝1/(ε0*εr*s/da)+1/(ε0*1*s/db)(5)

接下來，結(jié)合式(1)和式(5)可知：

cpd/cpd’＝(da/d)+(εr*db/d)(6)

針對小尺寸及高分辨率的產(chǎn)品，像素電極171與數(shù)據(jù)線130之間的距離d可以例如為4μm，假設(shè)氣隙171的寬度db為0.5μm，并且在鈍化層140的材料為氮化硅(相對介電常數(shù)約為6.4)的情況下，根據(jù)式(6)可得：

cpd/cpd’＝(3.5/4)+(6.4*0.5/4)＝1.675

因此，相比于一些技術(shù)，根據(jù)本公開的示例性實施方式的陣列基板的單側(cè)寄生電容的減小比例可以為：

(cpd-cpd’)/cpd＝1-1/1.675≈40％

由此可見，通過本公開的示例性實施方式的陣列基板，可以有效地減小數(shù)據(jù)線與相鄰像素電極之間的寄生電容，進(jìn)而可以減少顯示不良的情況發(fā)生，改善顯示效果。

圖3示意性示出了根據(jù)本公開的示例性實施方式的陣列基板的制造方法的流程圖。參考圖3，所述陣列基板的制造方法可以包括以下步驟：

s10.形成柵極絕緣層；

s20.在所述柵極絕緣層上形成多個像素電極；

s30.在相鄰兩個所述像素電極之間形成數(shù)據(jù)線；以及

s40.在所述數(shù)據(jù)線遠(yuǎn)離所述柵極絕緣層一側(cè)形成保護(hù)圖案；

其中，所述數(shù)據(jù)線在所述柵極絕緣層上的正投影小于所述保護(hù)圖案在所述柵極絕緣層上的正投影，且所述保護(hù)圖案在所述柵極絕緣層上的正投影與所述像素電極在所述柵極絕緣層上的正投影無重疊區(qū)域。

下面將參考圖4至圖7對本公開的陣列基板的制造方法進(jìn)行說明。參考圖4，在陣列基板的整個制造過程中，可以在柵極金屬層(未示出)上形成柵極絕緣層110，隨后，可以通過構(gòu)圖工藝在柵極絕緣層110上形成多個像素電極，其中，所述多個像素電極以陣列方式設(shè)置并且可以包括像素電極121和像素電極122。接下來，可以形成覆蓋多個像素電極以及柵極絕緣層110的源漏金屬層13。應(yīng)當(dāng)注意的是，可以在源漏金屬層13與柵極絕緣層110之間形成有源層(未示出)。

接下來，參考圖5，可以在源漏金屬層13上沉積保護(hù)層16。

根據(jù)本公開的一些實施例，保護(hù)層16的材料可以為苯酚基的聚合物衍生物、基于丙烯的聚合物、基于酰亞胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于乙烯醇的聚合物及它們的組合物中的一種或多種。其中，為了方便保護(hù)圖案的形成，可以優(yōu)選基于丙烯的材料。

根據(jù)另外一些實施例，保護(hù)層16的材料還可以為sio2、sinx、sion、al2o3、ti2o3、hfo2、zro2、bst、pzt及它們的組合物中的一種或多種。

然后，參考圖6，可以通過對保護(hù)層16執(zhí)行構(gòu)圖工藝以形成保護(hù)圖案160。

接下來，參考圖7，可以對源漏金屬層13進(jìn)行刻蝕，以在保護(hù)圖案160與柵極絕緣層110之間且被刻蝕后的源漏金屬層(即數(shù)據(jù)線130)周圍形成氣隙。

具體的，氣隙的大小可以根據(jù)實際的應(yīng)用場景來確定，就制造工藝而言，可以通過調(diào)整刻蝕時間和刻蝕液濃度的方式來控制刻蝕量。另外，本公開對源漏金屬層13的材料不做特殊限定，根據(jù)材料的不同，刻蝕液成分濃度及刻蝕時間將會不同。以源漏金屬層13的材料為純mo或al/mo疊層結(jié)構(gòu)為例，一種優(yōu)選地刻蝕液成分及比例(wt％)可以為：h3po4:ch3cooh:hno3:additive(添加劑):h2o＝80:10:5:2:13

另外，根據(jù)刻蝕厚度的不同，刻蝕時間可以為20s至100s。

此外，在形成如圖7所示的結(jié)構(gòu)后，本公開所述的陣列基板制造方法還可以包括：在保護(hù)圖案160上遠(yuǎn)離柵極絕緣層一側(cè)形成鈍化層140，其中，鈍化層覆蓋保護(hù)圖案160、像素電極121、像素電極122和至少部分柵極絕緣層110，且鈍化層140與數(shù)據(jù)線130不接觸；以及在鈍化層140上形成公共電極150。

由此，可以形成如圖2所示的陣列基板的結(jié)構(gòu)。

應(yīng)當(dāng)注意，盡管在附圖中以特定順序描述了本公開中方法的各個步驟，但是，這并非要求或者暗示必須按照該特定順序來執(zhí)行這些步驟，或是必須執(zhí)行全部所示的步驟才能實現(xiàn)期望的結(jié)果。附加的或備選的，可以省略某些步驟，將多個步驟合并為一個步驟執(zhí)行，以及/或者將一個步驟分解為多個步驟執(zhí)行等。

進(jìn)一步的，本示例實施方式中還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括上面描述的陣列基板。

進(jìn)一步的，本示例性實施方式還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置可以包括上面描述的顯示面板。該顯示裝置具體可以為手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或者部件。

本公開所提供的陣列基板、顯示面板和顯示裝置可以有效地減小數(shù)據(jù)線與相鄰像素電極之間的寄生電容，進(jìn)而可以減少顯示不良的情況發(fā)生，改善顯示效果。

本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說明書及實踐這里公開的發(fā)明后，將容易想到本公開的其它實施方式。本申請旨在涵蓋本公開的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化，這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本公開的一般性原理并包括本公開未公開的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識或慣用技術(shù)手段。說明書和實施例僅被視為示例性的，本公開的真正范圍和精神由權(quán)利要求指出。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本公開并不局限于上面已經(jīng)描述并在附圖中示出的精確結(jié)構(gòu)，并且可以在不脫離其范圍進(jìn)行各種修改和改變。本公開的范圍僅由所附的權(quán)利要求來限制。