本公開的實(shí)施例涉及一種像素電路、顯示面板和顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

在顯示領(lǐng)域，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示面板具有自發(fā)光、對比度高、能耗低、視角廣、響應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、制造簡單等特點(diǎn)，具有廣闊的發(fā)展前景。

由于上述特點(diǎn)，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示面板可以適用于手機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、儀器儀表等具有顯示功能的裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的實(shí)施例提供一種像素電路，包括：驅(qū)動(dòng)晶體管，包括與第一電源線連接以接收第一電源電壓的第一極、與第一節(jié)點(diǎn)連接的柵極以及與第二節(jié)點(diǎn)連接的第二極；第一晶體管，包括與所述第二節(jié)點(diǎn)連接的第一極、與第一控制信號(hào)線連接以接收第一控制信號(hào)的柵極以及與所述第一節(jié)點(diǎn)連接的第二極；第一電容，包括與所述第一節(jié)點(diǎn)連接的第一端以及與第三節(jié)點(diǎn)連接的第二端；有機(jī)發(fā)光二極管，被配置為在工作時(shí)在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光；以及開關(guān)誤差補(bǔ)償電路，與所述第一節(jié)點(diǎn)和/或所述第二節(jié)點(diǎn)連接，被配置為補(bǔ)償所述第一晶體管的開關(guān)誤差。

例如，在本公開實(shí)施例提供的像素電路中，所述開關(guān)誤差補(bǔ)償電路包括第一補(bǔ)償晶體管，所述第一補(bǔ)償晶體管的第一極和/或第二極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，所述第一補(bǔ)償晶體管的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)。

例如，在本公開實(shí)施例提供的像素電路中，所述第一補(bǔ)償晶體管與所述第一晶體管由同一工藝制成。

例如，在本公開實(shí)施例提供的像素電路中，所述開關(guān)誤差補(bǔ)償電路包括補(bǔ)償電容，所述補(bǔ)償電容的第一端與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，所述補(bǔ)償電容的第二端與所述第二節(jié)點(diǎn)連接。

例如，在本公開實(shí)施例提供的像素電路中，所述開關(guān)誤差補(bǔ)償電路包括第二補(bǔ)償晶體管，所述第二補(bǔ)償晶體管的第一極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，所述第二補(bǔ)償晶體管的第二極與放電電壓線連接以接收所述放電電壓，所述第二補(bǔ)償晶體管的柵極與補(bǔ)償控制信號(hào)線連接以接收補(bǔ)償控制信號(hào)。

例如，本公開實(shí)施例提供的像素電路，還包括：數(shù)據(jù)寫入電路，被配置為接收所述第一控制信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)并根據(jù)所述第一控制信號(hào)向所述第三節(jié)點(diǎn)寫入所述數(shù)據(jù)信號(hào)。

例如，在本公開實(shí)施例提供的像素電路中，所述數(shù)據(jù)寫入電路包括第二晶體管，所述第二晶體管的第一極與數(shù)據(jù)信號(hào)線連接以接收所述數(shù)據(jù)信號(hào)，所述第二晶體管的第二極與所述第三節(jié)點(diǎn)連接，所述第二晶體管的柵極與所述第一控制信號(hào)線連接以接收所述第一控制信號(hào)。

例如，本公開實(shí)施例提供的像素電路，還包括：第一參考電壓寫入電路，被配置為接收發(fā)光控制信號(hào)和第一參考電壓并根據(jù)所述發(fā)光控制信號(hào)向所述第三節(jié)點(diǎn)寫入所述第一參考電壓。

例如，在本公開實(shí)施例提供的像素電路中，所述第一參考電壓寫入電路包括第三晶體管，所述第三晶體管的第一極與第一參考電壓線連接以接收所述第一參考電壓，所述第三晶體管的第二極與所述第三節(jié)點(diǎn)連接，所述第三晶體管的柵極與所述發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收所述發(fā)光控制信號(hào)。

例如，本公開實(shí)施例提供的像素電路，還包括：發(fā)光控制電路，被配置為接收所述發(fā)光控制信號(hào)并根據(jù)所述發(fā)光控制信號(hào)控制所述有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光。

例如，在本公開實(shí)施例提供的像素電路中，所述發(fā)光控制電路包括第四晶體管，所述第四晶體管的第一極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，所述第四晶體管的第二極與第四節(jié)點(diǎn)連接，所述第四晶體管的柵極與所述發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收所述發(fā)光控制信號(hào)，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括與所述第四節(jié)點(diǎn)連接的第一極以及與第二電源線連接以接收第二電源電壓的第二極。

例如，本公開實(shí)施例提供的像素電路，還包括第二參考電壓寫入電路，被配置為接收第二控制信號(hào)和第二參考電壓并根據(jù)所述第二控制信號(hào)向所述第三節(jié)點(diǎn)寫入所述第二參考電壓。

例如，在本公開實(shí)施例提供的像素電路中，所述第二參考電壓寫入電路包括第五晶體管，所述第五晶體管的第一極與第二參考電壓線連接以接收所述第二參考電壓，所述第五晶體管的第二極與所述第三節(jié)點(diǎn)連接，所述第五晶體管的柵極與第二控制信號(hào)線連接以接收所述第二控制信號(hào)。

例如，本公開實(shí)施例提供的像素電路，還包括放電電路，被配置為接收第二控制信號(hào)和放電電壓并根據(jù)所述第二控制信號(hào)向所述第一節(jié)點(diǎn)寫入所述放電電壓。

例如，在本公開實(shí)施例提供的像素電路中，所述放電電路包括第六晶體管，所述第六晶體管的第一極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，所述第六晶體管的第二極與放電電壓線連接以接收所述放電電壓，所述第六晶體管的柵極與第二控制信號(hào)線連接以接收所述第二控制信號(hào)。

例如，本公開實(shí)施例提供的像素電路，還包括第二電容，其中，所述第二電容的第一端與所述第一電源線連接以接收所述第一電源電壓，所述第二電容的第二端與所述第一節(jié)點(diǎn)連接。

本公開的實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括本公開任一實(shí)施例提供的像素電路。

本公開的實(shí)施例還提供一種顯示設(shè)備，包括本公開任一實(shí)施例提供的顯示面板。

例如，本公開實(shí)施例提供的像素電路、顯示面板和顯示設(shè)備可以減小或消除閾值補(bǔ)償過程中的開關(guān)誤差，提高顯示面板顯示的均勻性。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或相關(guān)技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實(shí)施例，并非對本公開的限制。

圖1是本公開實(shí)施例提供的一種像素電路的示意圖之一；

圖2是本公開實(shí)施例提供的一種像素電路的示意圖之二；

圖3是本公開實(shí)施例提供的一種像素電路的示意圖之三；

圖4是本公開實(shí)施例提供的一種像素電路的示意圖之四；

圖5是本公開實(shí)施例提供的一種像素電路的示意圖之五；

圖6是本公開實(shí)施例提供的一種像素電路的示意圖之六；

圖7是本公開實(shí)施例提供的一種像素電路的示意圖之七；

圖8是本公開實(shí)施例提供的一種像素電路的示意圖之八；

圖9是本公開實(shí)施例提供的一種顯示面板的示意圖；

圖10是本公開實(shí)施例提供的一種顯示設(shè)備的示意圖；

圖11是本公開實(shí)施例提供的一種像素電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖之一；

圖12是本公開實(shí)施例提供的一種像素電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖之二；

圖13是本公開實(shí)施例提供的一種像素電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖之三；

圖14是閾值電壓充電結(jié)束短接開關(guān)晶體管關(guān)斷前的狀態(tài)示意圖；以及

圖15是閾值電壓取樣充電結(jié)束短接開關(guān)晶體管關(guān)斷時(shí)的狀態(tài)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖，對本公開實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述參考在附圖中示出并在以下描述中詳述的非限制性示例實(shí)施例，更加全面地說明本公開的示例實(shí)施例和它們的多種特征及有利細(xì)節(jié)。應(yīng)注意的是，圖中示出的特征不是必須按照比例繪制。本公開省略了已知材料、組件和工藝技術(shù)的描述，從而不使本公開的示例實(shí)施例模糊。所給出的示例僅旨在有利于理解本公開示例實(shí)施例的實(shí)施，以及進(jìn)一步使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┦纠龑?shí)施例。因而，這些示例不應(yīng)被理解為對本公開的實(shí)施例的范圍的限制。

除非另外特別定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本公開所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。此外，在本公開各個(gè)實(shí)施例中，相同或類似的參考標(biāo)號(hào)表示相同或類似的構(gòu)件。

在有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示面板中，各個(gè)像素單元中的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓由于制備工藝可能彼此之間存在差異，而且由于例如溫度變化的影響，驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓也會(huì)產(chǎn)生漂移的現(xiàn)象。因此，各個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的不同也可能會(huì)導(dǎo)致顯示面板顯示不均勻。因此，需要對驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償。

傳統(tǒng)的閾值電壓補(bǔ)償電路通常包括短接開關(guān)晶體管，短接開關(guān)晶體管的源極與驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極連接，短接開關(guān)晶體管的漏極開關(guān)晶體管的柵極連接，這種設(shè)置方式配合相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)時(shí)序，在補(bǔ)償過程中，短接驅(qū)動(dòng)晶體管可將驅(qū)動(dòng)晶體管短接為二極管連接，以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓的補(bǔ)償。然而，這種閾值電壓補(bǔ)償方式的效果并不理想，一個(gè)重要原因是閾值電壓補(bǔ)償電路工作過程中，短接開關(guān)晶體管關(guān)斷時(shí)會(huì)造成電容保持電位誤差，這一誤差被稱為開關(guān)誤差(switching induced error)。

開關(guān)誤差產(chǎn)生的原因?yàn)槎探娱_關(guān)晶體管的柵極和漏極之間存在等效電容(包括電極重疊寄生電容和溝道電容)，在存儲(chǔ)電容充電完成時(shí)，與驅(qū)動(dòng)晶體管柵極相連端電位是驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，在短接開關(guān)晶體管關(guān)斷的過程中，因偏壓和容量變化短接開關(guān)晶體管的等效電容中存儲(chǔ)的電荷被注入存儲(chǔ)電容，造成存儲(chǔ)電容上保持的閾值電壓信號(hào)產(chǎn)生誤差。

因此，由開關(guān)誤差引起的閾值電壓不均勻依然是制約有機(jī)發(fā)光二級(jí)管顯示面板生產(chǎn)良率的主要原因之一，需要對開關(guān)誤差進(jìn)行補(bǔ)償。

例如，結(jié)合圖14和圖15對開關(guān)誤差產(chǎn)生的原因進(jìn)行說明。圖14是閾值電壓充電結(jié)束短接開關(guān)晶體管關(guān)斷前的狀態(tài)示意圖；圖15是閾值電壓取樣充電結(jié)束短接開關(guān)晶體管關(guān)斷時(shí)的狀態(tài)示意圖。短接開關(guān)晶體管T’的柵極和漏極之間存在等效電容CTgd0，包括電極重疊寄生電容Col和溝道電容Cchn。在存儲(chǔ)電容充電完成時(shí)，與驅(qū)動(dòng)晶體管DT’柵極相連端電位是驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth。短接開關(guān)晶體管T’關(guān)斷過程中，因偏壓和容量變化短接開關(guān)晶體管的電容CTgd0中存儲(chǔ)的電荷被注入存儲(chǔ)電容C1’，造成存儲(chǔ)電容上保持的Vth信號(hào)誤差。在不考慮其他晶體管相關(guān)電容的情況下，解相關(guān)電荷守恒方程，得短接開關(guān)晶體管關(guān)斷后驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電位為：

上式中第2、3兩項(xiàng)均為短接開關(guān)晶體管關(guān)斷過程中產(chǎn)生的誤差，第2項(xiàng)為驅(qū)動(dòng)晶體管Vth相關(guān)誤差，第3項(xiàng)為信號(hào)Vref-Vdt相關(guān)誤差，其中Vref為參考電壓，Vdt為數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓，V_gH為高電平電壓，V_gL為低電平電壓?；谙嗤ぷ鬟^程，驅(qū)動(dòng)晶體管DT的電流如下：

其中，μ_n為驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道遷移率，Cox為驅(qū)動(dòng)晶體管單位面積的溝道電容，W和L分別為驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道寬度和溝道長度，V_DTgs為驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓(驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓與源極電壓之差)。

因驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓Vth相關(guān)項(xiàng)的存在，閾值電壓不均勻仍然會(huì)影響顯示均勻性。上式Vth相關(guān)項(xiàng)中，Cgs和Cgs0分別是驅(qū)動(dòng)晶體管開啟和閾值狀態(tài)下柵極和源極間的電容，通常差異不大對Vth相關(guān)誤差影響不突出。Cgd和Cgd0分別是驅(qū)動(dòng)晶體管開啟和閾值狀態(tài)下柵極和漏極之間電容，特性與柵極和源極間電容類似。但是，由于閾值狀態(tài)下Cgd0被短接開關(guān)晶體管短路沒有存儲(chǔ)電荷，短接開關(guān)晶體管關(guān)斷后，Cgd可能吸收較多的電荷，從而可以對Vth相關(guān)誤差產(chǎn)生一定影響。

可以看出，誤差的Vth相關(guān)項(xiàng)系數(shù)主要由短接開關(guān)晶體管溝道電容Cchn和驅(qū)動(dòng)晶體管柵極和漏極間電容Cgd決定，物理過程是關(guān)斷過程中，短接開關(guān)晶體管導(dǎo)電溝道消失，相應(yīng)的等效電容也接近于0，原先存在其中的電荷注入存儲(chǔ)電容C1’，也有部分被驅(qū)動(dòng)晶體管柵極和漏極間電容Cgd等電容吸收。

例如，本公開實(shí)施例提供的像素電路、顯示面板、顯示設(shè)備及驅(qū)動(dòng)方法可以減小或消除閾值補(bǔ)償過程中的開關(guān)誤差，提高顯示面板顯示的均勻性。

本公開的實(shí)施例提供一種像素電路，包括：驅(qū)動(dòng)晶體管，包括與第一電源線連接以接收第一電源電壓的第一極、與第一節(jié)點(diǎn)連接的柵極以及與第二節(jié)點(diǎn)連接的第二極；第一晶體管，包括與第二節(jié)點(diǎn)連接的第一極、與第一控制信號(hào)線連接以接收第一控制信號(hào)的柵極以及與第一節(jié)點(diǎn)連接的第二極；第一電容，包括與第一節(jié)點(diǎn)連接的第一端以及與第三節(jié)點(diǎn)連接的第二端；有機(jī)發(fā)光二極管，被配置為在工作時(shí)在驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光；以及開關(guān)誤差補(bǔ)償電路，與第一節(jié)點(diǎn)和/或第二節(jié)點(diǎn)連接，被配置為補(bǔ)償?shù)谝痪w管的開關(guān)誤差。

第一實(shí)施例

例如，本公開的實(shí)施例提供一種像素電路100，如圖1所示，像素電路100包括驅(qū)動(dòng)晶體管DT、第一晶體管T1、第一電容C1、有機(jī)發(fā)光二極管OLED以及開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110。驅(qū)動(dòng)晶體管DT包括與第一電源線連接以接收第一電源電壓Vdd的第一極、與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的柵極以及與第二節(jié)點(diǎn)N2連接的第二極。第一晶體管T1包括與第二節(jié)點(diǎn)N2連接的第一極、與第一控制信號(hào)線連接以接收第一控制信號(hào)Sn的柵極以及與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的第二極。第一電容C1包括與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的第一端以及與第三節(jié)點(diǎn)N3連接的第二端。有機(jī)發(fā)光二極管OLED被配置為在工作時(shí)在驅(qū)動(dòng)晶體管DT的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光。開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110與第一節(jié)點(diǎn)N1連接，被配置為補(bǔ)償?shù)谝痪w管T1的開關(guān)誤差。

需要說明的是，本公開的實(shí)施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場效應(yīng)晶體管或其他特性相同的開關(guān)器件。這里采用的晶體管的源極、漏極在結(jié)構(gòu)上可以是對稱的，所以其源極、漏極在結(jié)構(gòu)上可以是沒有區(qū)別的。在本公開的實(shí)施例中，為了區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，直接描述了其中一極為第一極，另一極為第二極，所以本公開實(shí)施例中全部或部分晶體管的源極和漏極根據(jù)需要是可以互換的。此外，按照晶體管的特性區(qū)分可以將晶體管分為N型和P型晶體管，本公開的實(shí)施例均以P型晶體管為例進(jìn)行說明?；诒竟_對P型晶體管實(shí)現(xiàn)方式的描述和教導(dǎo)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下能夠容易想到本公開實(shí)施例采用N型晶體管的實(shí)現(xiàn)方式，因此，這些實(shí)現(xiàn)方式也是在本公開的保護(hù)范圍內(nèi)的。

例如，如圖1所示，本公開實(shí)施例提供的像素電路100還包括數(shù)據(jù)寫入電路120，數(shù)據(jù)寫入電路120被配置為接收第一控制信號(hào)Sn和數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt并根據(jù)第一控制信號(hào)Sn向第三節(jié)點(diǎn)N3寫入數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt。

例如，如圖1所示，本公開實(shí)施例提供的像素電路100還包括第一參考電壓寫入電路130，第一參考電壓寫入電路130被配置為接收發(fā)光控制信號(hào)EM和第一參考電壓Vref1并根據(jù)發(fā)光控制信號(hào)EM向第三節(jié)點(diǎn)N3寫入第一參考電壓Vref1。

例如，如圖1所示，本公開實(shí)施例提供的像素電路100還包括發(fā)光控制電路140，發(fā)光控制電路140被配置為接收發(fā)光控制信號(hào)EM并根據(jù)發(fā)光控制信號(hào)EM控制有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。

需要說明的是，本公開的實(shí)施例包括但不局限于像素電路100包括數(shù)據(jù)寫入電路120、第一參考電壓寫入電路130和發(fā)光控制電路140的情形，也可以是其他的情形，例如，不包括數(shù)據(jù)寫入電路120和第一參考電壓寫入電路130，而使數(shù)據(jù)信號(hào)線直接連接第三節(jié)點(diǎn)N3，同時(shí)通過設(shè)置數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt的時(shí)序和電壓值實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)信號(hào)和第一參考電壓的寫入。

例如，如圖1和圖2所示，在本公開實(shí)施例提供的像素電路100中，開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110包括第一補(bǔ)償晶體管TC1，第一補(bǔ)償晶體管TC1的第一極、第二極與第一節(jié)點(diǎn)N1連接，第一補(bǔ)償晶體管TC1的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM。

需要說明的是，本公開的實(shí)施例包括但不局限于第一補(bǔ)償晶體管TC1的第一極、第二極與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的情形，也可以是第一補(bǔ)償晶體管TC1的第一極與第一節(jié)點(diǎn)N1連接，第二極懸空，或者第一補(bǔ)償晶體管TC1的第二極與第一節(jié)點(diǎn)N1連接，第一極懸空。

例如，在本公開實(shí)施例提供的像素電路100中，第一補(bǔ)償晶體管TC1與第一晶體管T1由相同的工藝制成。

例如，由于第一補(bǔ)償晶體管TC1也具有等效的電容，在第一晶體管T1關(guān)斷的同時(shí)，第一晶體管T1柵極和漏極間的等效電容釋放的電荷可以全部或部分被第一補(bǔ)償晶體管TC1的等效電容吸收，從而達(dá)到保持第一電容C1中閾值電壓準(zhǔn)確和穩(wěn)定的目的。由于第一補(bǔ)償晶體管TC1與第一晶體管T1由相同的工藝制成，使得第一補(bǔ)償晶體管TC1與第一晶體管T1的特性相同或相似，第一補(bǔ)償晶體管TC1的等效電容與第一晶體管T1的等效電容相同或接近，第一補(bǔ)償晶體管TC1的等效電容能夠準(zhǔn)確地吸收第一晶體管T1的等效電容釋放的電荷，從而獲得較佳的補(bǔ)償效果。

例如，第一補(bǔ)償晶體管TC1的等效電容包括Ctcgs和Ctcgd，Ctcgs為第一補(bǔ)償晶體管TC1柵極和源極之間的等效電容，Ctcgd為第一補(bǔ)償晶體管TC1柵極和漏極之間的等效電容(無論第一補(bǔ)償晶體管TC1的第一極、第二極是否同時(shí)與第一節(jié)點(diǎn)N1連接，由于沒有其他旁路，第一補(bǔ)償晶體管的Ctcgd和Ctcgs都會(huì)共同參與電荷的吸收或排出)，而第一晶體管T1的等效電容僅僅包括第一晶體管T1的柵極和漏極之間的等效電容C1gd。第一晶體管T1導(dǎo)通時(shí)柵極和源極之間的等效電容C1gs與柵極和漏極之間的等效電容C1gd中總電荷量一定，但第一晶體管T1關(guān)斷時(shí)會(huì)根據(jù)電路偏置條件在C1gd和C1gs間分配電荷，造成C1gd和C1gs等效電容變動(dòng)。例如，第一晶體管T1的C1gd會(huì)大于C1gs。

例如，對于如圖2所示的像素電路，只需要提供第一控制信號(hào)Sn和發(fā)光控制信號(hào)EM，便于電路的布線，可提升顯示面板的分辨率。

例如，如圖1和圖2所示，在本公開實(shí)施例提供的像素電路100中，數(shù)據(jù)寫入電路120包括第二晶體管T2，第二晶體管T2的第一極與數(shù)據(jù)信號(hào)線連接以接收數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt，第二晶體管T2的第二極與第三節(jié)點(diǎn)N3連接，第二晶體管T2的柵極與第一控制信號(hào)線連接以接收第一控制信號(hào)Sn。

例如，如圖1和圖2所示，在本公開實(shí)施例提供的像素電路100中，第一參考電壓寫入電路130包括第三晶體管T3，第三晶體管T3的第一極與第一參考電壓線連接以接收第一參考電壓Vref1，第三晶體管T3的第二極與第三節(jié)點(diǎn)N3連接，第三晶體管T3的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM。

例如，如圖1和圖2所示，在本公開實(shí)施例提供的像素電路100中，發(fā)光控制電路140包括第四晶體管T4，第四晶體管T4的第一極與第二節(jié)點(diǎn)N2連接，第四晶體管T4的第二極與第四節(jié)點(diǎn)N4連接，第四晶體管T4的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM，有機(jī)發(fā)光二極管OLED包括與第四節(jié)點(diǎn)N4連接的第一極以及與第二電源線連接以接收第二電源電壓Vss的第二極。

例如，第一電源電壓Vdd為高電平電壓(例如8V)，第二電源電壓Vss為低電平電壓(例如，0V)。

例如，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的第一極為陽極，第二極為陰極。

需要說明的是，圖2所示的像素電路僅僅為圖1所示像素電路的一種實(shí)施方式，本公開的實(shí)施例包括但不局限于圖2所示的實(shí)施方式。

例如，在圖2所示的像素電路的基礎(chǔ)上，如圖3所示，本公開實(shí)施例提供的像素電路100還包括第二參考電壓寫入電路150，第二參考電壓寫入電路150被配置為接收第二控制信號(hào)Sn-1和第二參考電壓Vref2并根據(jù)第二控制信號(hào)Sn-1向第三節(jié)點(diǎn)N3寫入第二參考電壓Vref2。

例如，如圖3所示，在本公開實(shí)施例提供的像素電路100中，第二參考電壓寫入電路150包括第五晶體管T5，第五晶體管T5的第一極與第二參考電壓線連接以接收第二參考電壓Vref2，第五晶體管T5的第二極與第三節(jié)點(diǎn)N3連接，第五晶體管T5的柵極與第二控制信號(hào)線連接以接收第二控制信號(hào)Sn-1。

例如，第二控制信號(hào)Sn-1可以比第一控制信號(hào)Sn提前一行掃描時(shí)間，也就是說，本行像素電路的第二控制信號(hào)Sn-1可以由上一行像素電路的第一控制信號(hào)Sn來實(shí)現(xiàn)，這樣可以簡化電路的設(shè)計(jì)，方便電路的的布線。

例如，第一參考電壓Vref1和第二參考電壓Vref2是穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，它們可以是相同的電壓或者是不同的電壓。

例如，在第一參考電壓寫入電路130的基礎(chǔ)上增加第二參考電壓寫入電路150可以改善顯示品質(zhì)，防止上一幀殘存信號(hào)影響本幀的補(bǔ)償。

例如，如圖3所示，本公開實(shí)施例提供的像素電路100還包括放電電路160，被配置為接收第二控制信號(hào)Sn-1和放電電壓Vini并根據(jù)第二控制信號(hào)Sn-1向第一節(jié)點(diǎn)N1寫入放電電壓Vini。

例如，如圖3所示，在本公開實(shí)施例提供的像素電路100中，放電電路160包括第六晶體管T6，第六晶體管T6的第一極與第一節(jié)點(diǎn)N1連接，第六晶體管T6的第二極與放電電壓線連接以接收放電電壓Vini，第六晶體管T6的柵極與第二控制信號(hào)線連接以接收第二控制信號(hào)Sn-1。

例如，放電電壓Vini為低電平電壓(例如，0V)。

例如，第一參考電壓Vref1、第二參考電壓Vref2和放電電壓Vini可以是相同的電壓，這種設(shè)置方式可以簡化電路布線，提高顯示面板的分辨率。

例如，在圖3的基礎(chǔ)上，如圖4所示，本公開實(shí)施例提供的像素電路100還包括第二電容C2，第二電容C2的第一端與第一電源線連接以接收第一電源電壓Vdd，第二電容C2的第二端與第一節(jié)點(diǎn)N1連接。

例如，設(shè)置第二電容C2可以提高像素電路100的穩(wěn)定性。

第二實(shí)施例

例如，本公開的實(shí)施例提供一種像素電路100，如圖5所示，像素電路100包括驅(qū)動(dòng)晶體管DT、第一晶體管T1、第一電容C1、有機(jī)發(fā)光二極管OLED以及開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110。驅(qū)動(dòng)晶體管DT包括與第一電源線連接以接收第一電源電壓Vdd的第一極、與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的柵極以及與第二節(jié)點(diǎn)N2連接的第二極。第一晶體管T1包括與第二節(jié)點(diǎn)N2連接的第一極、與第一控制信號(hào)線連接以接收第一控制信號(hào)Sn的柵極以及與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的第二極。第一電容C1包括與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的第一端以及與第三節(jié)點(diǎn)N3連接的第二端。有機(jī)發(fā)光二極管OLED被配置為在工作時(shí)在驅(qū)動(dòng)晶體管DT的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光。開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110，與第一節(jié)點(diǎn)N1和第二節(jié)點(diǎn)N2連接，被配置為補(bǔ)償?shù)谝痪w管T1的開關(guān)誤差。

例如，如圖5所示，本公開實(shí)施例提供的像素電路100還包括數(shù)據(jù)寫入電路120，數(shù)據(jù)寫入電路120被配置為接收第一控制信號(hào)Sn和數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt并根據(jù)第一控制信號(hào)Sn向第三節(jié)點(diǎn)N3寫入數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt。

例如，如圖5所示，本公開實(shí)施例提供的像素電路100還包括第一參考電壓寫入電路130，第一參考電壓寫入電路130被配置為接收發(fā)光控制信號(hào)EM和第一參考電壓Vref1并根據(jù)發(fā)光控制信號(hào)EM向第三節(jié)點(diǎn)N3寫入第一參考電壓Vref1。

例如，如圖5所示，本公開實(shí)施例提供的像素電路100還包括發(fā)光控制電路140，發(fā)光控制電路140被配置為接收發(fā)光控制信號(hào)EM并根據(jù)發(fā)光控制信號(hào)EM控制有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。

需要說明的是，本公開的實(shí)施例包括但不局限于像素電路100包括數(shù)據(jù)寫入電路120、第一參考電壓寫入電路130和發(fā)光控制電路140的情形，也可以是其他的情形。

例如，如圖5和圖6所示，在本公開實(shí)施例提供的像素電路100中，開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110包括補(bǔ)償電容CC，補(bǔ)償電容CC的第一端與第一節(jié)點(diǎn)N1連接，補(bǔ)償電容CC的第二端與第二節(jié)點(diǎn)N2連接。

例如，由于加入了補(bǔ)償電容CC，在第一晶體管T1關(guān)斷的同時(shí)，第一晶體管T1柵極和漏極間的等效電容釋放的電荷可以全部或部分被補(bǔ)償電容CC吸收，從而達(dá)到保持第一電容C1中閾值電壓準(zhǔn)確和穩(wěn)定的目的。補(bǔ)償電容CC的電容值例如可以通過試驗(yàn)的方法獲得。

例如，如圖5和圖6所示，在本公開實(shí)施例提供的像素電路100中，數(shù)據(jù)寫入電路120包括第二晶體管T2，第二晶體管T2的第一極與數(shù)據(jù)信號(hào)線連接以接收數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt，第二晶體管T2的第二極與第三節(jié)點(diǎn)N3連接，第二晶體管T2的柵極與第一控制信號(hào)線連接以接收第一控制信號(hào)Sn。

例如，如圖5和圖6所示，在本公開實(shí)施例提供的像素電路100中，第一參考電壓寫入電路130包括第三晶體管T3，第三晶體管T3的第一極與第一參考電壓線連接以接收第一參考電壓Vref1，第三晶體管T3的第二極與第三節(jié)點(diǎn)N3連接，第三晶體管T3的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM。

例如，如圖5和圖6所示，在本公開實(shí)施例提供的像素電路100中，發(fā)光控制電路140包括第四晶體管T4，第四晶體管T4的第一極與第二節(jié)點(diǎn)N2連接，第四晶體管T4的第二極與第四節(jié)點(diǎn)N4連接，第四晶體管T4的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM，有機(jī)發(fā)光二極管OLED包括與第四節(jié)點(diǎn)N4連接的第一極以及與第二電源線連接以接收第二電源電壓Vss的第二極。

需要說明的是，圖6所示的像素電路僅僅為圖5所示像素電路的一種實(shí)施方式，本公開的實(shí)施例包括但不局限于圖6所示的實(shí)施方式。

例如，對于如圖6所示的像素電路，只需要提供第一控制信號(hào)Sn和發(fā)光控制信號(hào)EM，便于電路的布線，可提升顯示面板的分辨率。

例如，在本實(shí)施例中，像素電路還可以包括第二參考電壓寫入電路、放電電路和第二電容等(圖中未示出)，其實(shí)施方式與第一實(shí)施例類似，在此不再贅述。

第三實(shí)施例

例如，本公開的實(shí)施例提供一種像素電路100，如圖7所示，像素電路100包括驅(qū)動(dòng)晶體管DT、第一晶體管T1、第一電容C1、有機(jī)發(fā)光二極管OLED以及開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110。驅(qū)動(dòng)晶體管DT包括與第一電源線連接以接收第一電源電壓Vdd的第一極、與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的柵極以及與第二節(jié)點(diǎn)N2連接的第二極。第一晶體管T1包括與第二節(jié)點(diǎn)N2連接的第一極、與第一控制信號(hào)線連接以接收第一控制信號(hào)Sn的柵極以及與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的第二極。第一電容C1包括與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的第一端以及與第三節(jié)點(diǎn)N3連接的第二端。有機(jī)發(fā)光二極管OLED被配置為在工作時(shí)在驅(qū)動(dòng)晶體管DT的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光。開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110與第二節(jié)點(diǎn)N2連接，被配置為補(bǔ)償?shù)谝痪w管T1的開關(guān)誤差。

例如，如圖7所示，本公開實(shí)施例提供的像素電路100還包括數(shù)據(jù)寫入電路120，數(shù)據(jù)寫入電路120被配置為接收第一控制信號(hào)Sn和數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt并根據(jù)第一控制信號(hào)Sn向第三節(jié)點(diǎn)N3寫入數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt。

例如，如圖7所示，本公開實(shí)施例提供的像素電路100還包括第一參考電壓寫入電路130，第一參考電壓寫入電路130被配置為接收發(fā)光控制信號(hào)EM和第一參考電壓Vref1并根據(jù)發(fā)光控制信號(hào)EM向第三節(jié)點(diǎn)N3寫入第一參考電壓Vref1。

例如，如圖7所示，本公開實(shí)施例提供的像素電路100還包括發(fā)光控制電路140，發(fā)光控制電路140被配置為接收發(fā)光控制信號(hào)EM并根據(jù)發(fā)光控制信號(hào)EM控制有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。

需要說明的是，本公開的實(shí)施例包括但不局限于像素電路100包括數(shù)據(jù)寫入電路120、第一參考電壓寫入電路130和發(fā)光控制電路140的情形，也可以是其他的情形。

例如，如圖7和圖8所示，在本公開實(shí)施例提供的像素電路100中，開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110包括第二補(bǔ)償晶體管TC2，第二補(bǔ)償晶體管TC2的第一極與第二節(jié)點(diǎn)N2連接，第二補(bǔ)償晶體管TC2的第二極與放電電壓線連接以接收放電電壓Vini，第二補(bǔ)償晶體管TC2的柵極與補(bǔ)償控制信號(hào)線連接以接收補(bǔ)償控制信號(hào)NSn。

例如，在第一晶體管T1關(guān)斷的同時(shí)，由時(shí)序控制第二補(bǔ)償晶體管TC2導(dǎo)通，第一晶體管T1的源極電位被拉低為放電電壓Vini(例如，0V)，使第一晶體管T1溝道偏壓狀態(tài)瞬間翻轉(zhuǎn)(源極和漏極互換)。這樣，大部分的溝道電荷在溝道消失過程中，會(huì)被趕到第一晶體管T1正常工作狀態(tài)的源極，避免影響第一電容C1中保持的閾值電壓。

例如，如圖7和圖8所示，在本公開實(shí)施例提供的像素電路100中，數(shù)據(jù)寫入電路120包括第二晶體管T2，第二晶體管T2的第一極與數(shù)據(jù)信號(hào)線連接以接收數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt，第二晶體管T2的第二極與第三節(jié)點(diǎn)N3連接，第二晶體管T2的柵極與第一控制信號(hào)線連接以接收第一控制信號(hào)Sn。

例如，如圖7和圖8所示，在本公開實(shí)施例提供的像素電路100中，第一參考電壓寫入電路130包括第三晶體管T3，第三晶體管T3的第一極與第一參考電壓線連接以接收第一參考電壓Vref1，第三晶體管T3的第二極與第三節(jié)點(diǎn)N3連接，第三晶體管T3的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM。

例如，如圖7和圖8所示，在本公開實(shí)施例提供的像素電路100中，發(fā)光控制電路140包括第四晶體管T4，第四晶體管T4的第一極與第二節(jié)點(diǎn)N2連接，第四晶體管T4的第二極與第四節(jié)點(diǎn)N4連接，第四晶體管T4的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM，有機(jī)發(fā)光二極管OLED包括與第四節(jié)點(diǎn)N4連接的第一極以及與第二電源線連接以接收第二電源電壓Vss的第二極。

需要說明的是，圖8所示的像素電路僅僅為圖7所示像素電路的一種實(shí)施方式，本公開的實(shí)施例包括但不局限于圖8所示的實(shí)施方式。

例如，在本實(shí)施例中，像素電路還可以包括第二參考電壓寫入電路、放電電路和第二電容等(圖中未示出)，其實(shí)施方式與第一實(shí)施例類似，在此不再贅述。

需要說明的是，第一實(shí)施例、第二實(shí)施例、第三實(shí)施例中的開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110的實(shí)現(xiàn)方式不同，但均能實(shí)現(xiàn)對第一晶體管T1開關(guān)誤差的補(bǔ)償。因此，在不沖突的情況下，這些實(shí)施例中開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110的實(shí)施方式可以結(jié)合使用。

第四實(shí)施例

本公開的實(shí)施例還提供一種顯示面板10，如圖9所示，顯示面板10包括本公開任一實(shí)施例提供的像素電路100。

例如，如圖9所示，本公開實(shí)施例提供的顯示面板10還包括：數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器11、掃描驅(qū)動(dòng)器12和控制器13。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器11被配置為向像素電路100提供數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt；掃描驅(qū)動(dòng)器12被配置為向像素電路100提供發(fā)光控制信號(hào)EM、第一控制信號(hào)Sn、第二控制信號(hào)Sn-1和補(bǔ)償控制信號(hào)NSn；控制器13被配置為向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器11和掃描驅(qū)動(dòng)器12提供控制指令以使數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器11和掃描驅(qū)動(dòng)器12協(xié)同工作。

第五實(shí)施例

本公開的實(shí)施例還提供一種顯示設(shè)備1，如圖10所示，顯示設(shè)備1包括本公開任一實(shí)施例提供的顯示面板10。

例如，本公開實(shí)施例提供的顯示設(shè)備1可以包括手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

第六實(shí)施例

本公開的實(shí)施例還提供一種本公開任一實(shí)施例提供的像素電路100的驅(qū)動(dòng)方法，包括復(fù)位階段t1、數(shù)據(jù)寫入階段t2、開關(guān)誤差補(bǔ)償階段t3和發(fā)光階段t4。在復(fù)位階段t1，對第一節(jié)點(diǎn)N1進(jìn)行復(fù)位；在數(shù)據(jù)寫入階段t2，寫入數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt；在開關(guān)誤差補(bǔ)償階段t3，補(bǔ)償?shù)谝痪w管T1的開關(guān)誤差；在發(fā)光階段t4，驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。

例如，在本公開實(shí)施例提供的驅(qū)動(dòng)方法中，對于圖2所示的像素電路，即像素電路100包括驅(qū)動(dòng)晶體管DT、第一晶體管T1、第一電容C1、有機(jī)發(fā)光二極管OLED、開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110、數(shù)據(jù)寫入電路120、第一參考電壓寫入電路130和發(fā)光控制電路140。驅(qū)動(dòng)晶體管DT包括與第一電源線連接以接收第一電源電壓Vdd的第一極、與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的柵極以及與第二節(jié)點(diǎn)N2連接的第二極。第一晶體管T1包括與第二節(jié)點(diǎn)N2連接的第一極、與第一控制信號(hào)線連接以接收第一控制信號(hào)Sn的柵極以及與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的第二極。第一電容C1包括與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的第一端以及與第三節(jié)點(diǎn)N3連接的第二端。有機(jī)發(fā)光二極管OLED被配置為在工作時(shí)在驅(qū)動(dòng)晶體管DT的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光。開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110包括第一補(bǔ)償晶體管TC1，第一補(bǔ)償晶體管TC1的第一極、第二極與第一節(jié)點(diǎn)N1連接，第一補(bǔ)償晶體管TC1的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM。數(shù)據(jù)寫入電路120包括第二晶體管T2，第二晶體管T2的第一極與數(shù)據(jù)信號(hào)線連接以接收數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt，第二晶體管T2的第二極與第三節(jié)點(diǎn)N3連接，第二晶體管T2的柵極與第一控制信號(hào)線連接以接收第一控制信號(hào)Sn。第一參考電壓寫入電路130包括第三晶體管T3，第三晶體管T3的第一極與第一參考電壓線連接以接收第一參考電壓Vref1，第三晶體管T3的第二極與第三節(jié)點(diǎn)N3連接，第三晶體管T3的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM。發(fā)光控制電路140包括第四晶體管T4，第四晶體管T4的第一極與第二節(jié)點(diǎn)N2連接，第四晶體管T4的第二極與第四節(jié)點(diǎn)N4連接，第四晶體管T4的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM，有機(jī)發(fā)光二極管

OLED包括與第四節(jié)點(diǎn)N4連接的第一極以及與第二電源線連接以接收第二電源電壓Vss的第二極。其驅(qū)動(dòng)時(shí)序如圖11所示。

例如，如圖11所示，在復(fù)位階段t1，第一控制信號(hào)Sn為開啟電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為開啟電壓；在數(shù)據(jù)寫入階段t2，第一控制信號(hào)Sn為開啟電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為關(guān)閉電壓；在開關(guān)誤差補(bǔ)償階段t3，第一控制信號(hào)Sn為關(guān)閉電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為關(guān)閉電壓；在發(fā)光階段t4，第一控制信號(hào)Sn為關(guān)閉電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為開啟電壓。

需要說明的是，本公開實(shí)施例中的開啟電壓是指能使相應(yīng)晶體管第一極和第二級(jí)導(dǎo)通的電壓，關(guān)閉電壓是指能使相應(yīng)晶體管的第一極和第二級(jí)斷開的電壓。當(dāng)晶體管為P型晶體管時(shí)，開啟電壓為低電壓(例如，0V)，關(guān)閉電壓為高電壓(例如，5V)；當(dāng)晶體管為N型晶體管時(shí)，開啟電壓為高電壓(例如，5V)，關(guān)閉電壓為低電壓(例如，0V)。圖11至圖13所示的驅(qū)動(dòng)波形均以P型晶體管為例進(jìn)行說明，即開啟電壓為低電壓(例如，0V)，關(guān)閉電壓為高電壓(例如，5V)。

例如，下面以圖2所示的像素電路和圖11所示的驅(qū)動(dòng)時(shí)序?yàn)槔榻B像素電路的工作過程。

例如，在復(fù)位階段t1，第一控制信號(hào)Sn為低電平電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為低電平電壓。第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3和第四晶體管T4均開啟(即源極和漏極導(dǎo)通)，第三晶體管T3將第一參考電壓Vref1寫入第三節(jié)點(diǎn)，第三節(jié)點(diǎn)N3的電壓為第一參考電壓Vref1，第二電源電壓Vss通過第四晶體管T4和第一晶體管T1寫入第一節(jié)點(diǎn)N1，第一節(jié)點(diǎn)N1的電壓為第二電源電壓Vss，即對像素電路進(jìn)行了復(fù)位。

在數(shù)據(jù)寫入階段t2，第一控制信號(hào)Sn為低電平電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為高電平電壓。第一晶體管T1和第二晶體管T2開啟，第三晶體管T3和第四晶體管T4關(guān)斷(即源極和漏極未導(dǎo)通)，第二晶體管T2將數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt寫入第三節(jié)點(diǎn)N3，第三節(jié)點(diǎn)的電壓為Vdt，第一節(jié)點(diǎn)N1的電壓為Vdd+Vth，Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管DT的閾值電壓，第一電容C1兩端的電壓差為Vdd+Vth-Vdt。

在開關(guān)誤差補(bǔ)償階段t3，第一控制信號(hào)Sn為高電平電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為高電平電壓。第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3和第四晶體管T4關(guān)斷。第一電容C1兩端的電壓差保持在Vdd+Vth-Vdt。由于第一補(bǔ)償晶體管TC1也具有等效的電容，在第一晶體管T1關(guān)斷的同時(shí)，第一晶體管T1柵極和漏極間的等效電容釋放的電荷可以全部或部分被第一補(bǔ)償晶體管TC1的等效電容吸收，從而達(dá)到保持第一電容C1中閾值電壓準(zhǔn)確和穩(wěn)定的目的。由于第一補(bǔ)償晶體管TC1與第一晶體管T1由相同的工藝制成，使得第一補(bǔ)償晶體管TC1與第一晶體管T1的特性相同或相似，第一補(bǔ)償晶體管TC1的等效電容與第一晶體管T1的等效電容相同或接近，第一補(bǔ)償晶體管TC1的等效電容準(zhǔn)確地吸收了第一晶體管T1的等效電容釋放的電荷。

在發(fā)光階段t4，第一控制信號(hào)Sn為高電平電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為低電平電壓。第一晶體管T1和第二晶體管T2關(guān)斷，第三晶體管T3和第四晶體管T4開啟。第三晶體管T3將第一參考電壓Vref1再次寫入第三節(jié)點(diǎn)，第三節(jié)點(diǎn)N3的電壓為第一參考電壓Vref1，此時(shí)，由于第一電容C1的自舉效應(yīng)，第一節(jié)點(diǎn)N1的電壓變化為Vref1+Vdd+Vth-Vdt。發(fā)光電流Ioled通過驅(qū)動(dòng)晶體管DT和第四晶體管T4流入有機(jī)發(fā)光二極管OLED，有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。發(fā)光電流Ioled滿足如下飽和電流公式：

K(Vgs-Vth)²＝K(Vref1+Vdd+Vth-Vdt-Vdd-Vth)²＝K(Vref1-Vdt)²

其中，μ_n為驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道遷移率，Cox為驅(qū)動(dòng)晶體管單位面積的溝道電容，W和L分別為驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道寬度和溝道長度，Vgs為驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓(驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓與源極電壓之差)。

由上式中可以看到流經(jīng)OLED的電流與驅(qū)動(dòng)晶體管DT的閾值電壓無關(guān)。因此，本像素電路非常好的補(bǔ)償了驅(qū)動(dòng)晶體管DT的閾值電壓。

例如，在本公開實(shí)施例提供的驅(qū)動(dòng)方法中，對于圖3或圖4所示的像素電路，即像素電路100包括驅(qū)動(dòng)晶體管DT、第一晶體管T1、第一電容C1、有機(jī)發(fā)光二極管OLED、開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110、數(shù)據(jù)寫入電路120、第一參考電壓寫入電路130、發(fā)光控制電路140、第二參考電壓寫入電路150和放電電路160，圖4所示的像素電路100還包括第二電容C2。驅(qū)動(dòng)晶體管DT包括與第一電源線連接以接收第一電源電壓Vdd的第一極、與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的柵極以及與第二節(jié)點(diǎn)N2連接的第二極。第一晶體管T1包括與第二節(jié)點(diǎn)N2連接的第一極、與第一控制信號(hào)線連接以接收第一控制信號(hào)Sn的柵極以及與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的第二極。第一電容C1包括與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的第一端以及與第三節(jié)點(diǎn)N3連接的第二端。有機(jī)發(fā)光二極管OLED被配置為在工作時(shí)在驅(qū)動(dòng)晶體管DT的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光。開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110包括第一補(bǔ)償晶體管TC1，第一補(bǔ)償晶體管TC1的第一極、第二極與第一節(jié)點(diǎn)N1連接，第一補(bǔ)償晶體管TC1的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM。數(shù)據(jù)寫入電路120包括第二晶體管T2，第二晶體管T2的第一極與數(shù)據(jù)信號(hào)線連接以接收數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt，第二晶體管T2的第二極與第三節(jié)點(diǎn)N3連接，第二晶體管T2的柵極與第一控制信號(hào)線連接以接收第一控制信號(hào)Sn。第一參考電壓寫入電路130包括第三晶體管T3，第三晶體管T3的第一極與第一參考電壓線連接以接收第一參考電壓Vref1，第三晶體管T3的第二極與第三節(jié)點(diǎn)N3連接，第三晶體管T3的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM。發(fā)光控制電路140包括第四晶體管T4，第四晶體管T4的第一極與第二節(jié)點(diǎn)N2連接，第四晶體管T4的第二極與第四節(jié)點(diǎn)N4連接，第四晶體管T4的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM，有機(jī)發(fā)光二極管OLED包括與第四節(jié)點(diǎn)N4連接的第一極以及與第二電源線連接以接收第二電源電壓Vss的第二極。第二參考電壓寫入電路150包括第五晶體管T5，第五晶體管T5的第一極與第二參考電壓線連接以接收第二參考電壓Vref2，第五晶體管T5的第二極與第三節(jié)點(diǎn)N3連接，第五晶體管T5的柵極與第二控制信號(hào)線連接以接收第二控制信號(hào)Sn-1。放電電路160包括第六晶體管T6，第六晶體管T6的第一極與第一節(jié)點(diǎn)N1連接，第六晶體管T6的第二極與放電電壓線連接以接收放電電壓Vini，第六晶體管T6的柵極與第二控制信號(hào)線連接以接收第二控制信號(hào)Sn-1。圖4所示的像素電路中的第二電容C2的第一端與第一電源線連接以接收第一電源電壓Vdd，第二電容C2的第二端與第一節(jié)點(diǎn)N1連接。其驅(qū)動(dòng)時(shí)序如圖12所示。

例如，如圖12所示，在復(fù)位階段t1，第一控制信號(hào)Sn為關(guān)閉電壓，第二控制信號(hào)Sn-1為開啟電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為關(guān)閉電壓；在數(shù)據(jù)寫入階段t2，第一控制信號(hào)Sn為開啟電壓，第二控制信號(hào)Sn-1為關(guān)閉電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為關(guān)閉電壓；在開關(guān)誤差補(bǔ)償階段t3，第一控制信號(hào)Sn為關(guān)閉電壓，第二控制信號(hào)Sn-1為關(guān)閉電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為關(guān)閉電壓；在發(fā)光階段t4，第一控制信號(hào)Sn為關(guān)閉電壓，第二控制信號(hào)Sn-1為關(guān)閉電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為開啟電壓。

例如，如圖12所示，如圖3或圖4所示的像素電路100的驅(qū)動(dòng)方法還可以包括復(fù)位穩(wěn)定階段t1’，復(fù)位穩(wěn)定階段t1’在復(fù)位階段t1和數(shù)據(jù)寫入階段t2之間。在復(fù)位穩(wěn)定階段t1’，第一控制信號(hào)Sn為關(guān)閉電壓，第二控制信號(hào)Sn-1為關(guān)閉電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為關(guān)閉電壓。例如，復(fù)位穩(wěn)定階段t1’可以為電路復(fù)位后提供一個(gè)穩(wěn)定的階段，提高電路的穩(wěn)定性。

例如，在本公開實(shí)施例提供的驅(qū)動(dòng)方法中，對于圖6所示的像素電路，即像素電路100包括驅(qū)動(dòng)晶體管DT、第一晶體管T1、第一電容C1、有機(jī)發(fā)光二極管OLED、開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110、數(shù)據(jù)寫入電路120、第一參考電壓寫入電路130和發(fā)光控制電路140。驅(qū)動(dòng)晶體管DT包括與第一電源線連接以接收第一電源電壓Vdd的第一極、與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的柵極以及與第二節(jié)點(diǎn)N2連接的第二極。第一晶體管T1包括與第二節(jié)點(diǎn)N2連接的第一極、與第一控制信號(hào)線連接以接收第一控制信號(hào)Sn的柵極以及與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的第二極。第一電容C1包括與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的第一端以及與第三節(jié)點(diǎn)N3連接的第二端。有機(jī)發(fā)光二極管OLED被配置為在工作時(shí)在驅(qū)動(dòng)晶體管DT的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光。開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110包括補(bǔ)償電容CC，補(bǔ)償電容CC的第一端與第一節(jié)點(diǎn)N1連接，補(bǔ)償電容CC的第二端與第二節(jié)點(diǎn)N2連接。數(shù)據(jù)寫入電路120包括第二晶體管T2，第二晶體管T2的第一極與數(shù)據(jù)信號(hào)線連接以接收數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt，第二晶體管T2的第二極與第三節(jié)點(diǎn)N3連接，第二晶體管T2的柵極與第一控制信號(hào)線連接以接收第一控制信號(hào)Sn。第一參考電壓寫入電路130包括第三晶體管T3，第三晶體管T3的第一極與第一參考電壓線連接以接收第一參考電壓Vref1，第三晶體管T3的第二極與第三節(jié)點(diǎn)N3連接，第三晶體管T3的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM。發(fā)光控制電路140包括第四晶體管T4，第四晶體管T4的第一極與第二節(jié)點(diǎn)N2連接，第四晶體管T4的第二極與第四節(jié)點(diǎn)N4連接，第四晶體管T4的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM，有機(jī)發(fā)光二極管OLED包括與第四節(jié)點(diǎn)N4連接的第一極以及與第二電源線連接以接收第二電源電壓Vss的第二極。其驅(qū)動(dòng)時(shí)序如圖11所示。

例如，如圖11所示，在復(fù)位階段t1，第一控制信號(hào)Sn為開啟電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為開啟電壓；在數(shù)據(jù)寫入階段t2，第一控制信號(hào)Sn為開啟電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為關(guān)閉電壓；在開關(guān)誤差補(bǔ)償階段t3，第一控制信號(hào)Sn為關(guān)閉電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為關(guān)閉電壓；在發(fā)光階段t4，第一控制信號(hào)Sn為關(guān)閉電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為開啟電壓。

例如，在本公開實(shí)施例提供的驅(qū)動(dòng)方法中，對于圖8所示的像素電路，即像素電路100包括驅(qū)動(dòng)晶體管DT、第一晶體管T1、第一電容C1、有機(jī)發(fā)光二極管OLED、開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110、數(shù)據(jù)寫入電路120、第一參考電壓寫入電路130和發(fā)光控制電路140。驅(qū)動(dòng)晶體管DT包括與第一電源線連接以接收第一電源電壓Vdd的第一極、與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的柵極以及與第二節(jié)點(diǎn)N2連接的第二極。第一晶體管T1包括與第二節(jié)點(diǎn)N2連接的第一極、與第一控制信號(hào)線連接以接收第一控制信號(hào)Sn的柵極以及與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的第二極。第一電容C1包括與第一節(jié)點(diǎn)N1連接的第一端以及與第三節(jié)點(diǎn)N3連接的第二端。有機(jī)發(fā)光二極管OLED被配置為在工作時(shí)在驅(qū)動(dòng)晶體管DT的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光。開關(guān)誤差補(bǔ)償電路110包括第二補(bǔ)償晶體管TC2，第二補(bǔ)償晶體管TC2的第一極與第二節(jié)點(diǎn)N2連接，第二補(bǔ)償晶體管TC2的第二極與放電電壓線連接以接收放電電壓Vini，第二補(bǔ)償晶體管TC2的柵極與補(bǔ)償控制信號(hào)線連接以接收補(bǔ)償控制信號(hào)NSn。數(shù)據(jù)寫入電路120包括第二晶體管T2，第二晶體管T2的第一極與數(shù)據(jù)信號(hào)線連接以接收數(shù)據(jù)信號(hào)Vdt，第二晶體管T2的第二極與第三節(jié)點(diǎn)N3連接，第二晶體管T2的柵極與第一控制信號(hào)線連接以接收第一控制信號(hào)Sn。第一參考電壓寫入電路130包括第三晶體管T3，第三晶體管T3的第一極與第一參考電壓線連接以接收第一參考電壓Vref1，第三晶體管T3的第二極與第三節(jié)點(diǎn)N3連接，第三晶體管T3的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM。發(fā)光控制電路140包括第四晶體管T4，第四晶體管T4的第一極與第二節(jié)點(diǎn)N2連接，第四晶體管T4的第二極與第四節(jié)點(diǎn)N4連接，第四晶體管T4的柵極與發(fā)光控制信號(hào)線連接以接收發(fā)光控制信號(hào)EM，有機(jī)發(fā)光二極管OLED包括與第四節(jié)點(diǎn)N4連接的第一極以及與第二電源線連接以接收第二電源電壓Vss的第二極。其驅(qū)動(dòng)時(shí)序如圖13所示。

例如，如圖13所示，在復(fù)位階段t1，第一控制信號(hào)Sn為開啟電壓，補(bǔ)償控制信號(hào)NSn為關(guān)閉電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為開啟電壓；在數(shù)據(jù)寫入階段t2，第一控制信號(hào)Sn為開啟電壓，補(bǔ)償控制信號(hào)NSn為關(guān)閉電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為關(guān)閉電壓；在開關(guān)誤差補(bǔ)償階段t3，第一控制信號(hào)Sn為關(guān)閉電壓，補(bǔ)償控制信號(hào)NSn為開啟電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為關(guān)閉電壓；在發(fā)光階段t4，第一控制信號(hào)Sn為關(guān)閉電壓，補(bǔ)償控制信號(hào)NSn為關(guān)閉電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為開啟電壓。

例如，如圖13所示，如圖8所示的像素電路100的驅(qū)動(dòng)方法還可以包括補(bǔ)償穩(wěn)定階段t3’，補(bǔ)償穩(wěn)定階段t3’在開關(guān)誤差補(bǔ)償階段t3和發(fā)光階段t4之間。在補(bǔ)償穩(wěn)定階段t3’，第一控制信號(hào)Sn為關(guān)閉電壓，補(bǔ)償控制信號(hào)NSn為關(guān)閉電壓，發(fā)光控制信號(hào)EM為關(guān)閉電壓。例如，補(bǔ)償穩(wěn)定階段t3’可以為電路開關(guān)誤差補(bǔ)償后提供一個(gè)穩(wěn)定的階段，提高電路的穩(wěn)定性。

例如，如圖13所示，在如圖8所示的像素電路100的驅(qū)動(dòng)方法中，當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)Sn由開啟電壓變化為關(guān)閉電壓時(shí)，補(bǔ)償控制信號(hào)NSn由關(guān)閉電壓同步變化為開啟電壓，也就是說，在數(shù)據(jù)寫入階段t2和補(bǔ)償階段t3交界的時(shí)刻，第一控制信號(hào)Sn由開啟電壓變化為關(guān)閉電壓時(shí)，補(bǔ)償控制信號(hào)NSn由關(guān)閉電壓同步變化為開啟電壓。

本公開實(shí)施例提供的像素電路、顯示面板、顯示設(shè)備及驅(qū)動(dòng)方法可以減小或消除閾值補(bǔ)償過程中的開關(guān)誤差，提高顯示面板顯示的均勻性。

雖然上文中已經(jīng)用一般性說明及具體實(shí)施方式，對本公開作了詳盡的描述，但在本公開實(shí)施例基礎(chǔ)上，可以對之作一些修改或改進(jìn)，這對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。因此，在不偏離本公開精神的基礎(chǔ)上所做的這些修改或改進(jìn)，均屬于本公開要求保護(hù)的范圍。