本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路、像素驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置。

背景技術(shù)：

有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管面板(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,簡(jiǎn)稱：AMOLED)的應(yīng)用越來越廣泛。AMOLED的像素顯示器件為有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡(jiǎn)稱OLED)，AMOLED能夠發(fā)光是通過驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管在飽和狀態(tài)下產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流，該驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中基本的像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，現(xiàn)有的基本的像素驅(qū)動(dòng)電路采用2T1C電路，該2T1C電路包括兩個(gè)薄膜晶體管(開關(guān)管T0和驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT)和1個(gè)存儲(chǔ)電容C。由于在現(xiàn)有的低溫多晶硅工藝制程中，顯示基板上各個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT之間的閾值電壓Vth均勻性較差，而且在使用過程中還會(huì)發(fā)生漂移，這樣當(dāng)柵線Gate控制開關(guān)管T0導(dǎo)通以向各驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT輸入相同數(shù)據(jù)電壓Vdata時(shí)，由于各驅(qū)動(dòng)管DTFT的閾值電壓不同產(chǎn)生不同的驅(qū)動(dòng)電流，從而導(dǎo)致OLED亮度的均勻性較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種像素驅(qū)動(dòng)電路、像素驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括：驅(qū)動(dòng)晶體管、發(fā)光器件和閾值補(bǔ)償單元；

所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極、第一極和第二極均與所述閾值補(bǔ)償單元連接；

所述閾值補(bǔ)償單元與數(shù)據(jù)線、第一電源端和發(fā)光器件的第一端連接；

所述發(fā)光器件的第二端與第二電源端連接；

所述驅(qū)動(dòng)晶體管用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件進(jìn)行像素顯示；

所述閾值補(bǔ)償單元用于在所述驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件進(jìn)行像素顯示時(shí)，將控制電壓寫入至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，所述控制電壓等于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓與所述數(shù)據(jù)線中的數(shù)據(jù)電壓之和。

可選地，所述閾值補(bǔ)償單元包括：存儲(chǔ)電容、第一復(fù)位模塊、充電模塊和發(fā)光控制模塊；

所述第一復(fù)位模塊與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接；

所述充電模塊與所述數(shù)據(jù)線、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極和所述存儲(chǔ)電容的第二端連接；

所述發(fā)光控制模塊與所述第一電源端、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極和所述發(fā)光器件的第一端連接；

所述存儲(chǔ)電容的第一端與所述第一電源端連接，所述存儲(chǔ)電容的第二端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極連接；

所述第一復(fù)位模塊用于對(duì)所述存儲(chǔ)電容的第二端進(jìn)行復(fù)位；

所述充電模塊用于在所述存儲(chǔ)電容的第二端完成復(fù)位之后，將所述存儲(chǔ)電容的第二端的電壓充電至所述控制電壓；

所述發(fā)光控制模塊用于在所述驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件進(jìn)行像素顯示時(shí)，將所述第一電源端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極導(dǎo)通，以及將所述驅(qū)動(dòng)管的第二極與所述發(fā)光器件的第一端導(dǎo)通。

可選地，所述第一復(fù)位模塊包括：第一開關(guān)管；

所述第一開關(guān)管的控制極與第一信號(hào)控制線連接，所述第一開關(guān)管的第一極與第一信號(hào)輸入線，所述第一開關(guān)管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極連接，所述第一信號(hào)輸入線為柵線；

和/或，所述充電模塊包括：第二開關(guān)管和第三開關(guān)管；

所述第二開關(guān)管的控制極與柵線連接，所述第二開關(guān)管的第一極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接，所述第二開關(guān)管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極連接；

所述第三開關(guān)管的控制極與所述柵線連接，所述第三開關(guān)管的第一極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述第三開關(guān)管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接；

和/或，所述發(fā)光控制單元包括：第四開關(guān)管和第五開關(guān)管；

所述第四開關(guān)管的控制極與第二信號(hào)控制線連接，所述第四開關(guān)管的第一極與所述第一電源端連接，所述第四開關(guān)管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接；

所述第五開關(guān)管的控制極與所述第二信號(hào)控制線連接，所述第五開關(guān)管的第一極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接，所述第五開關(guān)管的第二極與所述發(fā)光器件的第一端連接。

可選地，還包括：第二復(fù)位模塊，所述第二復(fù)位模塊與所述發(fā)光器件的第一端連接；

所述第二復(fù)位模塊用于對(duì)所述發(fā)光器件的第一端進(jìn)行復(fù)位。

可選地，所述第二復(fù)位模塊包括：第六開關(guān)管；

所述第六開關(guān)管的控制極與第一信號(hào)控制線連接，所述第六開關(guān)管的第一極與第二信號(hào)輸入線連接，所述第六開關(guān)管的第二極與所述發(fā)光器件的第一端連接。

可選地，所述第二信號(hào)輸入線與所述第一信號(hào)控制線為同一根信號(hào)走線。

可選地，還包括：電流去除模塊，所述電流去除模塊與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極連接；

所述電流去除模塊用于去除所述驅(qū)動(dòng)晶體管中的殘余電流。

可選地，所述電流去除模塊包括：第七開關(guān)管；

所述第七開關(guān)管的控制極與第三信號(hào)控制線連接，所述第七開關(guān)管的第一極與第一電源端連接，所述第七開關(guān)管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管中的控制極連接。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括：如上述的像素驅(qū)動(dòng)電路。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種像素驅(qū)動(dòng)方法，所述像素驅(qū)動(dòng)方法基于像素驅(qū)動(dòng)電路，所述像素驅(qū)動(dòng)電路采用上述的像素驅(qū)動(dòng)電路，所述像素驅(qū)動(dòng)方法包括：

所述閾值補(bǔ)償單元將控制電壓輸出至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，所述控制電壓等于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓與數(shù)據(jù)線中的數(shù)據(jù)電壓之和，所述驅(qū)動(dòng)晶體管在所述控制電壓的控制下驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件進(jìn)行像素顯示。

本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路、像素驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置，在驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件進(jìn)行像素顯示時(shí)，通過閾值補(bǔ)償單元將大小等于數(shù)據(jù)電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓之和的控制電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，以使得驅(qū)動(dòng)晶體管所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓無關(guān)，即有效避免了驅(qū)動(dòng)晶體管生成的驅(qū)動(dòng)電流受到閾值電壓不均勻和漂移的影響，從而有效提升顯示裝置中各發(fā)光器件的亮度均勻性。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中基本的像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖；

圖4為圖3所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的工作時(shí)序圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖圖；

圖6為圖5所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的工作時(shí)序圖。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的像素驅(qū)動(dòng)電路、像素驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。

實(shí)施例一

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖，如圖2所述，該像素驅(qū)動(dòng)電路包括：驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT、發(fā)光器件OLED和閾值補(bǔ)償單元，其中，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制極、第一極和第二極均與閾值補(bǔ)償單元連接，閾值補(bǔ)償單元與數(shù)據(jù)線Data、第一電源端和發(fā)光器件OLED的第一端連接，發(fā)光器件OLED的第二端與第二電源端連接。驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件OLED進(jìn)行像素顯示；閾值補(bǔ)償單元用于在驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件OLED進(jìn)行像素顯示時(shí)，將控制電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制極，控制電壓等于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓與數(shù)據(jù)線Data中的數(shù)據(jù)電壓之和。

在本發(fā)明中，該發(fā)光器件為電流驅(qū)動(dòng)型的發(fā)光器件，例如，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，簡(jiǎn)稱LED)、OLED。本實(shí)施例中以發(fā)光器件為OLED為例進(jìn)行說明。

此外，本實(shí)施例中的第一電源端用于提供高電平電壓，第二電源端用于提供低電平電壓。

本發(fā)明的技術(shù)方案通過在驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件OLED進(jìn)行發(fā)光過程中，將大小等于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓與數(shù)據(jù)線Data中的數(shù)據(jù)電壓之和的控制電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制極，以使得驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓無關(guān)，從而消除了驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓對(duì)生成的驅(qū)動(dòng)電流的影響，進(jìn)而有效提升顯示裝置中各發(fā)光器件OLED的亮度均勻性。

在本實(shí)施例中，具體地，該閾值補(bǔ)償單元包括：存儲(chǔ)電容C1、第一復(fù)位模塊1、充電模塊2和發(fā)光控制模塊3，其中，第一復(fù)位模塊1與存儲(chǔ)電容C1的第二端連接，充電模塊2與數(shù)據(jù)線Data、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極和存儲(chǔ)電容C1的第二端連接，發(fā)光控制模塊3與第一電源端、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極和發(fā)光器件OLED的第一端連接，存儲(chǔ)電容C1的第一端與第一電源端連接，存儲(chǔ)電容C1的第二端與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制極連接。第一復(fù)位模塊1用于對(duì)存儲(chǔ)電容C1的第二端進(jìn)行復(fù)位；充電模塊2用于在存儲(chǔ)電容C1的第二端完成復(fù)位之后，將存儲(chǔ)電容C1的第二端的電壓充電至控制電壓；發(fā)光控制模塊3用于在驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件OLED進(jìn)行像素顯示時(shí)，將第一電源端與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極導(dǎo)通，以及將驅(qū)動(dòng)管的第二極與發(fā)光器件OLED的第一端導(dǎo)通。

需要說明的是，在本發(fā)明中的第一電源端用于在驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件OLED進(jìn)行像素顯示時(shí)提供工作電壓以及維持存儲(chǔ)電容C1第一端的電壓處于一個(gè)固定值。第二電源端用于提供接地電壓。

通過存儲(chǔ)電容C1、第一復(fù)位模塊1、充電模塊2和發(fā)光控制模塊3可實(shí)現(xiàn)將控制電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制極。

本發(fā)明實(shí)施例一提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路，在驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件進(jìn)行像素顯示時(shí)，通過閾值補(bǔ)償單元將大小等于數(shù)據(jù)電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓之和的控制電壓寫入至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，以使得驅(qū)動(dòng)晶體管所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓無關(guān)，即有效避免了驅(qū)動(dòng)晶體管生成的驅(qū)動(dòng)電流受到閾值電壓不均勻和漂移的影響，從而有效提升顯示裝置中各發(fā)光器件的亮度均勻性。

實(shí)施例二

圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖，如圖3所示，該像素驅(qū)動(dòng)為基于圖2所示像素驅(qū)動(dòng)電路的具體化，其中，可選地，第一復(fù)位模塊1包括：第一開關(guān)管T1，第一開關(guān)管T1的控制極與第一信號(hào)控制線Scan1連接，第一開關(guān)管T1的第一極與第一信號(hào)輸入線Input1，第一開關(guān)管T1的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制極連接。

可選地，充電模塊2包括：第二開關(guān)管T2和第三開關(guān)管T3；第二開關(guān)管T2的控制極與柵線Gate連接，第二開關(guān)管T2的第一極與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極連接，第二開關(guān)管T2的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制極連接；第三開關(guān)管T3的控制極與柵線Gate連接，第三開關(guān)管T3的第一極與數(shù)據(jù)線Data連接，第三開關(guān)管T3的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極連接。

可選地，發(fā)光控制單元包括：第四開關(guān)管T4和第五開關(guān)管T5；第四開關(guān)管T4的控制極與第二信號(hào)控制線Scan2連接，第四開關(guān)管T4的第一極與第一電源端連接，第四開關(guān)管T4的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極連接；第五開關(guān)管T5的控制極與第二信號(hào)控制線Scan2連接，第五開關(guān)管T5的第一極與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極連接，第五開關(guān)管T5的第二極與發(fā)光器件OLED的第一端連接。

優(yōu)選地，第一信號(hào)輸入線Input1為柵線Gate，此時(shí)無需在像素驅(qū)動(dòng)電路中額外設(shè)置第一信號(hào)輸入線Input1和相應(yīng)的輸入信號(hào)，從而能有效的減少像素驅(qū)動(dòng)電路中信號(hào)線和信號(hào)的種類，降低對(duì)控制信號(hào)芯片的需求。

可選地，該像素驅(qū)動(dòng)電路還包括：第二復(fù)位模塊4，第二復(fù)位模塊4與發(fā)光器件OLED的第一端連接；第二復(fù)位模塊4用于對(duì)發(fā)光器件OLED的第一端進(jìn)行復(fù)位。進(jìn)一步可選地，第二復(fù)位模塊4包括：第六開關(guān)管T6，第六開關(guān)管T6的控制極與第一信號(hào)控制線Scan1連接，第六開關(guān)管T6的第一極與第二信號(hào)輸入線Input2連接，第六開關(guān)管T6的第二極與發(fā)光器件OLED的第一端連接。

優(yōu)選地，第二信號(hào)輸入線Input2連接與第一信號(hào)控制線Scan1為同一根信號(hào)走線。此時(shí)，無需像素驅(qū)動(dòng)電路中額外設(shè)置第二信號(hào)輸入線Input2和相應(yīng)的輸入信號(hào)，從而能有效的減少像素驅(qū)動(dòng)電路中信號(hào)線和信號(hào)的種類，降低對(duì)控制信號(hào)芯片的需求。

在本實(shí)施例中，在本實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT、第一開關(guān)管T1、第二開關(guān)管T2、第三開關(guān)管T3、第四開關(guān)管T4、第五開關(guān)管T5、第六開關(guān)管T6分別獨(dú)立選自多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管以及有機(jī)薄膜晶體管中的一種。在本實(shí)施例中涉及到的“控制極”具體是指晶體管的柵極，“第一極”和“第二極”中的一者是指晶體管的源極，另一者是指晶體管的漏極。

本實(shí)施例中，優(yōu)選地，像素驅(qū)動(dòng)電路中的所有晶體管均為P型薄膜晶體管，此時(shí)可采用的相同的制備工藝以同時(shí)制備出上述晶體管，從而可縮短像素驅(qū)動(dòng)電路的生產(chǎn)周期。

需要說明的是，上述像素驅(qū)動(dòng)電路中的所有晶體管均為P型薄膜晶體管的情況，僅為本實(shí)施例的一種優(yōu)選方案，這并不會(huì)對(duì)本申請(qǐng)的技術(shù)方案產(chǎn)生限制。

下面將結(jié)合附圖，以像素驅(qū)動(dòng)電路中的所有晶體管均為P型薄膜晶體管、第一信號(hào)輸入線Input1為柵線Gate、第二信號(hào)輸入線Input2連接與第一信號(hào)控制線Scan1為同一信號(hào)走線的情況為例，對(duì)本實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的工作過程進(jìn)行詳細(xì)說明。

其中，第一電源端提供工作電壓Vdd，第二電源端用于提供接地電壓Vss，柵線Gate中輸入的高電平信號(hào)所對(duì)應(yīng)的電壓為Vgate_H，柵線Gate中輸入的低電平信號(hào)所對(duì)應(yīng)的電壓為Vgate_L，數(shù)據(jù)線Data中提供數(shù)據(jù)電壓Vdata，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓為Vth。

圖4為圖3所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的工作時(shí)序圖，如圖4所示，該像素驅(qū)動(dòng)電路的工作過程包括四個(gè)階段：第一階段～第四階段，第一階段～第四階段對(duì)應(yīng)一個(gè)驅(qū)動(dòng)周期。

第一階段，第一信號(hào)控制線Scan1輸入低電平信號(hào)，第二信號(hào)控制線Scan2輸入高電平信號(hào)，柵線Gate輸入高電平信號(hào)。此時(shí)，第一開關(guān)管T1和第六開關(guān)管T6均導(dǎo)通，第二開關(guān)管T2、第三開關(guān)管T3、第四開關(guān)管T4和第五開關(guān)管T5均截止。

由于第一開關(guān)管T1導(dǎo)通，則第一信號(hào)輸入線Input1(柵線Gate)輸入的高電平信號(hào)通過第一開關(guān)管T1寫入至存儲(chǔ)電容C1的第二端，以對(duì)存儲(chǔ)電容C1的第二端進(jìn)行復(fù)位，同時(shí)也完成對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制極的復(fù)位，此時(shí)第一節(jié)點(diǎn)N1處的電壓為Vgate_H。

由于第六開關(guān)管導(dǎo)通，則第二信號(hào)輸入線Input2(第一信號(hào)控制線Scan1)輸入的低電平信號(hào)寫入至發(fā)光器件OLED的第一端，以對(duì)至發(fā)光器件OLED的第一端進(jìn)行復(fù)位。

第二階段，第一信號(hào)控制線Scan1輸入低電平信號(hào)，第二信號(hào)控制線Scan2輸入高電平信號(hào)，柵線Gate輸入低電平信號(hào)。此時(shí)，第一開關(guān)管T1、第二開關(guān)管T2、第三開關(guān)管T3和第六開關(guān)管T6均導(dǎo)通，第四開關(guān)管T4和第五開關(guān)管T5均截止。

由于第三開關(guān)管T3導(dǎo)通，則數(shù)據(jù)線Data中的數(shù)據(jù)電壓通過第三開關(guān)管T3寫入至第二節(jié)點(diǎn)N2，第二節(jié)點(diǎn)N2處的電壓為Vdata。又由于第一開關(guān)管T1導(dǎo)通，且柵線Gate輸入的信號(hào)變?yōu)榈碗娖叫盘?hào)，則此時(shí)第一節(jié)點(diǎn)N1處的電壓變?yōu)閂gate_L。與此同時(shí)，第二開關(guān)管T2導(dǎo)通，則第一節(jié)點(diǎn)N1通過第二開關(guān)管T2對(duì)第三節(jié)點(diǎn)N3進(jìn)行充電，第三節(jié)點(diǎn)N3處的電壓為Vgate_L。

需要說明的是，由于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制極的電壓(即第一節(jié)點(diǎn)N1處的電壓)為低電平電壓(大小等于Vgate_L)，則驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT導(dǎo)通，且輸出有相應(yīng)的電流。然而，由于第五開關(guān)管T5截止，則該電流不會(huì)經(jīng)過發(fā)光器件OLED，發(fā)光器件OLED不發(fā)光。

第三階段，第一信號(hào)控制線Scan1輸入高電平信號(hào)，第二信號(hào)控制線Scan2輸入高電平信號(hào)，柵線Gate輸入低電平信號(hào)。此時(shí)，第二開關(guān)管T2和第三開關(guān)管T3均導(dǎo)通，第一開關(guān)管T1、第四開關(guān)管T4、第五開關(guān)管T5和第六開關(guān)管T6均截止。

由于第三開關(guān)管T3導(dǎo)通，則第二節(jié)點(diǎn)N2處電壓維持為Vdata。又由于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT均導(dǎo)通，則第二節(jié)點(diǎn)N2通過驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT對(duì)第三節(jié)點(diǎn)N3進(jìn)行充電，第三節(jié)點(diǎn)N3的電壓逐漸上升，與此同時(shí)，由于第二開關(guān)管T2導(dǎo)通，則第一節(jié)點(diǎn)N1的電壓隨著第三節(jié)點(diǎn)N3的電壓同步上升，直至第一節(jié)點(diǎn)N1處的電壓上升至Vdata+Vth，即控制電壓，此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵源電壓Vgs為Vth，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT截止，充電結(jié)束。

第四階段，第一信號(hào)控制線Scan1輸入高電平信號(hào)，第二信號(hào)控制線Scan2輸入低電平信號(hào)，柵線Gate輸入高電平信號(hào)。此時(shí)，第四開關(guān)管T4和第五開關(guān)管T5均導(dǎo)通，第一開關(guān)管T1、第二開關(guān)管T2、第三開關(guān)管T3和第六開關(guān)管T6均截止。

由于第四開關(guān)管T4T4導(dǎo)通，則第一電源端提供的工作電壓Vdd通過第四開關(guān)管T4T4寫入至第二節(jié)點(diǎn)N2，第二節(jié)點(diǎn)N2處的電壓為Vdd，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵源電壓Vgs等于Vdata+Vth-Vdd，由于數(shù)據(jù)電壓Vdata是小于工作電壓Vdd，則Vdata+Vth-Vdd必然小于Vth，即驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵源電壓Vgs小于閾值電壓，此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT再次導(dǎo)通。根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的飽和驅(qū)動(dòng)電流公式可得：

I＝K*(Vgs-Vth)²

＝K*(Vdata+Vth-Vdd-Vth)²

＝K*(Vdata-Vdd)²

其中，K為一個(gè)常量(由驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的屬性所決定)。通過上式可知，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的驅(qū)動(dòng)電流與第一電源端提供的工作電壓Vdd和數(shù)據(jù)電壓Vdata相關(guān)，而與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓無關(guān)。

在本實(shí)施例二提供的像素驅(qū)動(dòng)電路中，在驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件進(jìn)行像素顯示時(shí)，由于驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓無關(guān)，因而可避免流過發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流受到閾值電壓不均勻和漂移的影響，從而有效的提高了顯示裝置中流過各發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流的均勻性。

實(shí)施例三

圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖，如圖5所示，與上述實(shí)施例二提供的像素驅(qū)動(dòng)電路不同的是，本實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路還包括：電流去除模塊5，電流去除模塊5與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制極連接；電流去除模塊5用于去除驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT中的殘余電流。

本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的是，在像素驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件OLED發(fā)光過程中，在前一驅(qū)動(dòng)周期結(jié)束后，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT內(nèi)會(huì)存在殘余電流，該殘余電流會(huì)導(dǎo)致在當(dāng)前驅(qū)動(dòng)周期中驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT產(chǎn)生滯后效應(yīng)，即驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT響應(yīng)速度變慢。此時(shí)，會(huì)造成殘像等顯示問題，降低顯示畫面的質(zhì)量。

為解決上述技術(shù)問題，在本實(shí)施例中通過在像素驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)置電流去除模塊5，以在前一驅(qū)動(dòng)周期結(jié)束后去除驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT內(nèi)的殘余電流，從而能有效提升驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT在當(dāng)前驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)的響應(yīng)速度，進(jìn)而能有效避免殘像出現(xiàn)，提升了顯示畫面的質(zhì)量。

可選地，電流去除模塊5包括：第七開關(guān)管T7；第七開關(guān)管T7的控制極與第三信號(hào)控制線Scan3連接，第七開關(guān)管T1的第一極與第一電源端連接，第七開關(guān)管T1的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT中的控制極連接。

下面將結(jié)合附圖，以像素驅(qū)動(dòng)電路中的所有晶體管均為P型薄膜晶體管情況為例，對(duì)本實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的工作過程進(jìn)行詳細(xì)說明。

其中，第一電源端提供工作電壓Vdd，第二電源端用于提供接地電壓Vss，數(shù)據(jù)線Data中提供數(shù)據(jù)電壓Vdata，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓為Vth，第一信號(hào)輸入線Input1和第二信號(hào)輸入線Input2均輸入有初始電壓信號(hào)(低電平信號(hào))，初始電壓信號(hào)為恒壓信號(hào)且對(duì)應(yīng)的電壓為Vinit。

圖6為圖5所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的工作時(shí)序圖，如圖6所示，該像素驅(qū)動(dòng)電路的工作過程包括四個(gè)階段：第一階段～第四階段，第一階段～第四階段對(duì)應(yīng)一個(gè)驅(qū)動(dòng)周期。

第一階段，第一信號(hào)控制線Scan1輸入高電平信號(hào)，第二信號(hào)控制線Scan2輸入低電平信號(hào)，第三信號(hào)控制線Scan3輸入低電平信號(hào)，柵線Gate輸入高電平信號(hào)。此時(shí)，第四開關(guān)管T4、第五開關(guān)管T5和第七開關(guān)管均導(dǎo)通，第一開關(guān)管T1、第二開關(guān)管T2、第三開關(guān)管T3和第六開關(guān)管T6均截止。

由于第七開關(guān)管T7導(dǎo)通，則第一電源端提供的工作電壓Vdd通過第七開關(guān)管T7寫入至第一節(jié)點(diǎn)N1，第二節(jié)點(diǎn)N1處的電壓為Vdd，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT截止。

在該階段中，在上一驅(qū)動(dòng)周期結(jié)束后殘留于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT內(nèi)的殘余電流可通過第七開關(guān)管得到釋放，從而能有效保證驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT在當(dāng)前驅(qū)動(dòng)周期的響應(yīng)速度。

第二階段，第一信號(hào)控制線Scan1輸入低電平信號(hào)，第二信號(hào)控制線Scan2輸入高電平信號(hào)，第三信號(hào)控制線Scan3輸入高電平信號(hào)，柵線Gate輸入高電平信號(hào)。此時(shí)，第一開關(guān)管T1和第六開關(guān)管T6均導(dǎo)通，第二開關(guān)管T2、第三開關(guān)管T3、第四開關(guān)管T4、第五開關(guān)管T5和第七開關(guān)管T7均截止。

由于第一開關(guān)管T1導(dǎo)通，則第一信號(hào)輸入線Input1輸入的初始電壓信號(hào)通過第一開關(guān)管T1寫入至存儲(chǔ)電容C1的第二端，以對(duì)存儲(chǔ)電容C1的第二端進(jìn)行復(fù)位，同時(shí)也完成對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制極的復(fù)位，此時(shí)第一節(jié)點(diǎn)N1處的電壓為Vinit。

由于第六開關(guān)管導(dǎo)通，則第二信號(hào)輸入線Input2輸入的初始電壓信號(hào)寫入至發(fā)光器件OLED的第一端，以對(duì)至發(fā)光器件OLED的第一端進(jìn)行復(fù)位。

第三階段，第一信號(hào)控制線Scan1輸入高電平信號(hào)，第二信號(hào)控制線Scan2輸入高電平信號(hào)，第三信號(hào)控制線Scan3輸入高電平信號(hào)，柵線Gate輸入低電平信號(hào)。此時(shí)，第二開關(guān)管T2和第三開關(guān)管T3均導(dǎo)通，第一開關(guān)管T1、第四開關(guān)管T4、第五開關(guān)管T5和第六開關(guān)管T6均截止。

由于第三開關(guān)管T3導(dǎo)通，則數(shù)據(jù)線Data中的數(shù)據(jù)電壓通過第三開關(guān)管T3寫入至第二節(jié)點(diǎn)N2，第二節(jié)點(diǎn)N2處的電壓為Vdata。又由于第二晶體管導(dǎo)通，則第一節(jié)點(diǎn)N1和第三節(jié)點(diǎn)N3處的電壓均為Vinit。

由于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制極的電壓(即第一節(jié)點(diǎn)N1處的電壓)為低電平電壓(大小等于Vinit)，則驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT導(dǎo)通，第二節(jié)點(diǎn)N2通過驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT對(duì)第三節(jié)點(diǎn)N3進(jìn)行充電，第三節(jié)點(diǎn)N3的電壓逐漸上升。與此同時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)N1的電壓隨著第三節(jié)點(diǎn)N3的電壓同步上升，直至第一節(jié)點(diǎn)N1處的電壓上升至Vdata+Vth，即控制電壓，此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵源電壓Vgs等于Vth，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT截止，充電結(jié)束。

需要說明的是，雖然在驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)輸出有相應(yīng)的電流，但是由于第五開關(guān)管T5截止，則該電流不會(huì)經(jīng)過發(fā)光器件OLED，發(fā)光器件OLED不發(fā)光。

第四階段，第一信號(hào)控制線Scan1輸入高電平信號(hào)，第二信號(hào)控制線Scan2輸入低電平信號(hào)，第三信號(hào)控制線Scan3輸入高電平信號(hào)，柵線Gate輸入高電平信號(hào)。此時(shí)，第四開關(guān)管T4和第五開關(guān)管T5均導(dǎo)通，第一開關(guān)管T1、第二開關(guān)管T2、第三開關(guān)管T3、第六開關(guān)管T6和第七開關(guān)管T7均截止。

由于第四開關(guān)管T4T4導(dǎo)通，則第一電源端提供的工作電壓Vdd通過第四開關(guān)管T4T4寫入至第二節(jié)點(diǎn)N2，第二節(jié)點(diǎn)N2處的電壓為Vdd，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵源電壓Vgs等于Vdata+Vth-Vdd，由于數(shù)據(jù)電壓Vdata小于工作電壓Vdd，則Vdata+Vth-Vdd必然小于Vth，即驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵源電壓Vgs小于閾值電壓，此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT再次導(dǎo)通。根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的飽和驅(qū)動(dòng)電流公式可得：

I＝K*(Vgs-Vth)²

＝K*(Vdata+Vth-Vdd-Vth)²

＝K*(Vdata-Vdd)²

其中，K為一個(gè)常量(由驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的屬性所決定)。通過上式可知，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的驅(qū)動(dòng)電流與第一電源端提供的工作電壓Vdd和數(shù)據(jù)電壓Vdata相關(guān)，而與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓無關(guān)。

在本實(shí)施例三提供的像素驅(qū)動(dòng)電路中，在驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件進(jìn)行像素顯示時(shí)，由于驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓無關(guān)，因而可避免流過發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流受到閾值電壓不均勻和漂移的影響，從而有效的提高了顯示裝置中流過各發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流的均勻性。此外，電流去除模塊的設(shè)置，能有效提升驅(qū)動(dòng)晶體管在當(dāng)前驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)的響應(yīng)速度，進(jìn)而能有效避免殘像出現(xiàn)，提升了顯示畫面的質(zhì)量。

實(shí)施例四

本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種像素驅(qū)動(dòng)方法，該像素驅(qū)動(dòng)方法基于像素驅(qū)動(dòng)電路，該像素驅(qū)動(dòng)電路采用上述實(shí)施例一～實(shí)施例三中任一提供的像素驅(qū)動(dòng)電路，該像素驅(qū)動(dòng)方法包括：

步驟S1、閾值補(bǔ)償單元將控制電壓輸出至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，控制電壓等于驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓與數(shù)據(jù)線中的數(shù)據(jù)電壓之和，驅(qū)動(dòng)晶體管在控制電壓的控制下驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件進(jìn)行像素顯示。

對(duì)于步驟S1的具體描述可參見前述實(shí)施例一到實(shí)施例三中的相應(yīng)內(nèi)容，此處不再贅述。

實(shí)施例五

本發(fā)明實(shí)施例五提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括：像素驅(qū)動(dòng)電路，該像素驅(qū)動(dòng)電路采用上述實(shí)施例一～實(shí)施例三中任一提供的像素驅(qū)動(dòng)電路，具體描述可參見上述實(shí)施例一～實(shí)施例三中的內(nèi)容，此處不再贅述。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。