顯示裝置、像素驅(qū)動電路及其驅(qū)動方法
【專利摘要】本公開提供了一種顯示裝置、像素驅(qū)動電路及其驅(qū)動方法。該像素驅(qū)動電路包括有機發(fā)光二極管、第一至第三開關(guān)晶體管、存儲電容、驅(qū)動晶體管、補償單元及復(fù)位單元；第一開關(guān)晶體管用于將一數(shù)據(jù)信號經(jīng)由驅(qū)動晶體管及補償單元寫入存儲電容；第二開關(guān)晶體管用于將一驅(qū)動電壓施加至驅(qū)動晶體管第一端；第三開關(guān)晶體管用于將驅(qū)動晶體管源極輸出的驅(qū)動電流施加至有機發(fā)光二極管使其發(fā)光；補償單元用于將驅(qū)動晶體管的閾值電壓寫入存儲電容；存儲電容用于存儲被寫入的電壓信號并施加至驅(qū)動晶體管柵極；復(fù)位單元用于復(fù)位有機發(fā)光二極管及存儲電容。本公開可以使OLED顯示面板的亮度更加均勻。
【專利說明】顯示裝置、像素驅(qū)動電路及其驅(qū)動方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本公開涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種像素驅(qū)動電路及該像素驅(qū)動電路的驅(qū)動 方法和包括該像素驅(qū)動電路的顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 相比傳統(tǒng)技術(shù)中的液晶顯示面板，OLED (Organic Light Emitting Diode，有機 發(fā)光二極管）顯示面板具有反應(yīng)速度更快、色純度和亮度更優(yōu)、對比度更高、視角更廣等特 點。因此，逐漸得到了顯示技術(shù)開發(fā)商日益廣泛的關(guān)注。
[0003] OLED顯示面板中的像素單元主要包括有機發(fā)光二極管和驅(qū)動該有機發(fā)光二極管 的像素單元驅(qū)動電路。傳統(tǒng)的2T1C像素單元驅(qū)動電路如圖1中所示：其包括第一開關(guān)晶體 管T1、驅(qū)動晶體管DTFT以及存儲電容Cst。其中，第一開關(guān)晶體管Tl由掃描線（Scan Line) 輸出的第一掃描信號Sn控制，以用于控制數(shù)據(jù)線（Data Line)的數(shù)據(jù)信號Data的寫入， 驅(qū)動晶體管DTFT用于控制有機發(fā)光二極管OLED的發(fā)光，存儲電容Cst用于為驅(qū)動晶體管 DTFT的柵極提供維持電壓。
[0004] 有機發(fā)光二極管OLED能夠發(fā)光是由驅(qū)動晶體管DTFT工作在飽和狀態(tài)時所產(chǎn)生的 驅(qū)動電流驅(qū)動的，其中驅(qū)動電流I_ D可以表示為：

【權(quán)利要求】
1. 一種像素驅(qū)動電路，包括有機發(fā)光二極管、第一至第立開關(guān)晶體管、存儲電容、驅(qū)動 晶體管、補償單元及復(fù)位單元；其特征在于： 所述第一開關(guān)晶體管，用于響應(yīng)一第一掃描信號而將一數(shù)據(jù)信號經(jīng)由所述驅(qū)動晶體管 及補償單元寫入所述存儲電容； 所述第二開關(guān)晶體管，用于響應(yīng)一發(fā)光控制信號而將一驅(qū)動電壓施加至所述驅(qū)動晶體 管； 所述第=開關(guān)晶體管，用于響應(yīng)所述發(fā)光控制信號而將所述驅(qū)動晶體管輸出的驅(qū)動電 流施加至所述有機發(fā)光二極管使其發(fā)光； 所述補償單元，用于響應(yīng)一使能信號而將所述驅(qū)動晶體管的闊值電壓寫入所述存儲電 容； 所述存儲電容，用于存儲被寫入的所述數(shù)據(jù)信號及闊值電壓并施加至所述驅(qū)動晶體管 柵極；化及 所述復(fù)位單元，用于響應(yīng)一復(fù)位信號而利用一初始電壓復(fù)位所述有機發(fā)光二極管及所 述存儲電容。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動電路，其特征在于： 所述第一開關(guān)晶體管柵極接收所述第一掃描信號，源極接收所述數(shù)據(jù)信號，漏極與所 述驅(qū)動晶體管源極連接； 所述第二開關(guān)晶體管柵極接收所述發(fā)光控制信號，源極與所述驅(qū)動電壓連接，漏極與 所述驅(qū)動晶體管源極連接； 所述第=開關(guān)晶體管柵極接收所述發(fā)光控制信號，源極與所述驅(qū)動晶體管漏極連接， 漏極與所述有機發(fā)光二極管第一端連接； 所述補償單元第一端與所述驅(qū)動晶體管漏極連接，第二端與所述存儲電容第一端連 接，控制端接收所述使能信號； 所述存儲電容第一端與所述驅(qū)動晶體管柵極連接，第二端與所述驅(qū)動電壓連接； 所述復(fù)位單元第一端連接所述初始電壓，第二端與所述有機發(fā)光二極管第一端連接， 第=端與所述補償晶體管源極連接，控制端接收所述復(fù)位信號。
3. 如權(quán)利要求2所述的像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述復(fù)位單元包括第一復(fù)位晶體 管和第二復(fù)位晶體管； 所述第一復(fù)位晶體管柵極接收所述復(fù)位信號，源極與所述初始電壓連接，漏極與所述 第二復(fù)位晶體管源極及所述有機發(fā)光二極管第一端連接； 所述第二復(fù)位晶體管柵極接收所述復(fù)位信號，漏極與所述補償晶體管源極連接。
4. 如權(quán)利要求2所述的像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述補償單元包括第一補償晶體 管和第二補償晶體管； 所述第一補償晶體管柵極接收所述使能信號，源極與所述驅(qū)動晶體管漏極連接，漏極 與所述第二補償晶體管源極連接； 所述第二補償晶體管柵極接收所述使能信號，漏極與所述存儲電容第一端連接。
5. 如權(quán)利要求2所述的像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述復(fù)位信號為一第二掃描信號； 所述第一掃描信號由一掃描線提供，所述第二掃描信號由所述掃描線的前一行掃描線提 供。
6. 如權(quán)利要求3所述的像素驅(qū)動電路，其特征在于，所有所述晶體管均為P型薄膜晶體 管；所述第二開關(guān)晶體管源極所連接的所述驅(qū)動電壓為一高電平驅(qū)動電壓，所述第=開關(guān) 晶體管漏極連接所述有機發(fā)光二極管陽極，所述有機發(fā)光二極管陰極連接一低電平電壓。
7. 如權(quán)利要求3所述的像素驅(qū)動電路，其特征在于，所有所述晶體管均為N型薄膜晶體 管；所述第二開關(guān)晶體管源極所連接的所述驅(qū)動電壓為一低電平驅(qū)動電壓，所述第=開關(guān) 晶體管漏極連接所述有機發(fā)光二極管陰極，所述有機發(fā)光二極管陽極連接一高電平電壓。
8. -種像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，所述像素驅(qū)動電路為如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動 電路；其特征在于，所述驅(qū)動方法包括： 利用所述使能信號及所述復(fù)位信號分別導(dǎo)通所述補償單元及所述復(fù)位單元，藉此使所 述初始電壓分別經(jīng)由所述復(fù)位單元復(fù)位所述有機發(fā)光二極管及經(jīng)由所述復(fù)位單元及補償 單元復(fù)位所述存儲電容； 利用所述第一掃描信號及所述使能信號分別導(dǎo)通所述第一開關(guān)晶體管及所述補償單 元，藉此使所述數(shù)據(jù)信號及所述闊值電壓寫入所述存儲電容；W及 利用所述發(fā)光控制信號導(dǎo)通所述第二、第=開關(guān)晶體管，藉此通過所述存儲電容中被 寫入的所述數(shù)據(jù)信號及所述闊值電壓導(dǎo)通所述驅(qū)動晶體管，而所述驅(qū)動電壓通過所述第 二、第=開關(guān)晶體管W及所述驅(qū)動晶體管驅(qū)動所述有機發(fā)光二極管發(fā)光。
9. 一種顯示裝置，其特征在于，包括： 多條數(shù)據(jù)線，用于提供數(shù)據(jù)信號； 多條掃描線，用于提供掃描信號；所述掃描信號包括相繼提供的第一掃描信號和第二 掃描信號；W及 多個像素驅(qū)動電路，電性連接于所述數(shù)據(jù)線和掃描線，任一所述多個像素驅(qū)動電路包 括有機發(fā)光二極管、第一至第=開關(guān)晶體管、存儲電容、驅(qū)動晶體管、補償單元及復(fù)位單元； 其中， 所述第一開關(guān)晶體管，用于響應(yīng)所述第一掃描信號而將所述數(shù)據(jù)信號經(jīng)由所述驅(qū)動晶 體管及所述補償單元寫入所述存儲電容； 所述第二開關(guān)晶體管，用于響應(yīng)一發(fā)光控制信號而將一驅(qū)動電壓施加至所述驅(qū)動晶體 管； 所述第=開關(guān)晶體管，用于響應(yīng)所述發(fā)光控制信號而將所述驅(qū)動晶體管輸出的驅(qū)動電 流施加至所述有機發(fā)光二極管使其發(fā)光； 所述補償單元，用于響應(yīng)一使能信號而將所述驅(qū)動晶體管的闊值電壓寫入所述存儲電 容； 所述存儲電容，用于存儲被寫入的所述數(shù)據(jù)信號及闊值電壓并施加至所述驅(qū)動晶體管 柵極；化及 所述復(fù)位單元，用于響應(yīng)一復(fù)位信號而利用一初始電壓復(fù)位所述有機發(fā)光二極管及所 述存儲電容。
10. 如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于： 所述第一開關(guān)晶體管柵極接收所述第一掃描信號，源極接收所述數(shù)據(jù)信號，漏極與所 述驅(qū)動晶體管源極連接； 所述第二開關(guān)晶體管柵極接收所述發(fā)光控制信號，源極與所述驅(qū)動電壓連接，漏極與 所述驅(qū)動晶體管源極連接； 所述第=開關(guān)晶體管柵極接收所述發(fā)光控制信號，源極與所述驅(qū)動晶體管漏極連接， 漏極與所述有機發(fā)光二極管第一端連接； 所述補償單元第一端與所述驅(qū)動晶體管漏極連接，第二端與所述存儲電容第一端連 接，控制端接收所述使能信號； 所述存儲電容第一端與所述驅(qū)動晶體管柵極連接，第二端與所述驅(qū)動電壓連接； 所述復(fù)位單元第一端連接所述初始電壓，第二端與所述有機發(fā)光二極管第一端連接， 第=端與所述補償晶體管源極連接，控制端接收所述復(fù)位信號。
11. 如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，所述復(fù)位單元包括第一復(fù)位晶體管 和第二復(fù)位晶體管； 所述第一復(fù)位晶體管柵極接收所述復(fù)位信號，源極與所述初始電壓連接，漏極與所述 第二復(fù)位晶體管源極及所述有機發(fā)光二極管第一端連接； 所述第二復(fù)位晶體管柵極接收所述復(fù)位信號，漏極與所述補償晶體管源極連接。
12. 如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，所述補償單元包括第一補償晶體管 和第二補償晶體管； 所述第一補償晶體管柵極接收所述使能信號，源極與所述驅(qū)動晶體管漏極連接，漏極 與所述第二補償晶體管源極連接； 所述第二補償晶體管柵極接收所述使能信號，漏極與所述存儲電容第一端連接。
13. 如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，所述復(fù)位信號為所述第二掃描信號； 所述第一掃描信號由一掃描線提供，所述第二掃描信號由所述掃描線的前一行掃描線提 供。
14. 如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，所有所述晶體管均為P型薄膜晶體 管；所述第二開關(guān)晶體管源極所連接的所述驅(qū)動電壓為一高電平驅(qū)動電壓，所述第=開關(guān) 晶體管漏極連接所述有機發(fā)光二極管陽極，所述有機發(fā)光二極管陰極連接一低電平電壓。
15. 如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，所有所述晶體管均為N型薄膜晶體 管；所述第二開關(guān)晶體管源極所連接的所述驅(qū)動電壓為一低電平驅(qū)動電壓，所述第=開關(guān) 晶體管漏極連接所述有機發(fā)光二極管陰極，所述有機發(fā)光二極管陽極連接一高電平電壓。
【文檔編號】G09G3/32GK104464643SQ201410848357
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月29日
【發(fā)明者】肖麗娜, 楊兆彬, 倪杰 申請人:上海和輝光電有限公司