像素驅(qū)動(dòng)電路、方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路、方法和顯示裝置。像素驅(qū)動(dòng)電路包括預(yù)充電控制單元、存儲(chǔ)電容、驅(qū)動(dòng)晶體管和閾值補(bǔ)償單元，預(yù)充電控制單元預(yù)充電階段通過電源電壓對(duì)存儲(chǔ)電容充電；閾值補(bǔ)償單元在閾值補(bǔ)償階段，在控制信號(hào)的控制下與驅(qū)動(dòng)晶體管一起控制存儲(chǔ)電容放電直到驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth，在發(fā)光階段控制驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth；Vdata為數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓，Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。本發(fā)明在對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償時(shí)，采用數(shù)據(jù)信號(hào)直接控制驅(qū)動(dòng)晶體管，可以節(jié)省晶體管數(shù)目，從而能夠減小電路設(shè)計(jì)的空間，增加像素間距。
【專利說明】像素驅(qū)動(dòng)電路、方法和顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路、方法和顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]由于工藝偏差，AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting D1de，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管面板)上的TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)的閾值電壓Vth會(huì)發(fā)生偏移，導(dǎo)致不同的像素的電流出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象?，F(xiàn)有的具有閾值補(bǔ)償功能的像素驅(qū)動(dòng)電路大多是在預(yù)充電階段通過數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓Vdata對(duì)存儲(chǔ)電容進(jìn)行充電，在補(bǔ)償階段通過存儲(chǔ)電容放電來達(dá)到閾值補(bǔ)償，之后在發(fā)光階段驅(qū)動(dòng)OLED (Organic LightEmitting D1de，有機(jī)發(fā)光二極管)發(fā)光，這樣的設(shè)置會(huì)導(dǎo)致結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜，采用的控制信號(hào)多，從而使得像素間距小。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的主要目的在于提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路、方法和顯示裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)中采用較多的晶體管來實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償從而使得像素間距小的問題。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括預(yù)充電控制單元、存儲(chǔ)電容、驅(qū)動(dòng)晶體管和閾值補(bǔ)償單元，其中，
[0005]所述驅(qū)動(dòng)晶體管，柵極通過所述與預(yù)充電控制單元與數(shù)據(jù)線連接，第一極與發(fā)光元件連接，第二極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接；
[0006]所述預(yù)充電控制單元，分別接入第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)和電源電壓Vdd，分別與所述存儲(chǔ)電容的第一端、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和數(shù)據(jù)線連接，并通過所述閾值補(bǔ)償單元與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接；
[0007]所述閾值補(bǔ)償單元，接入控制信號(hào)，分別與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極、所述存儲(chǔ)電容的第二端和地端連接，用于在預(yù)充電階段在所述控制信號(hào)的控制下導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接；
[0008]所述預(yù)充電控制單元，用于在預(yù)充電階段，在所述第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)的控制下通過所述電源電壓Vdd對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電，使得所述存儲(chǔ)電容的第一端的電位為Vdd，在閾值補(bǔ)償階段在所述第二掃描信號(hào)的控制下控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極接入所述數(shù)據(jù)線在閾值補(bǔ)償階段輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)，在發(fā)光階段在所述第一掃描信號(hào)的控制下控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd;
[0009]所述閾值補(bǔ)償單元，進(jìn)一步用于在閾值補(bǔ)償階段，在所述控制信號(hào)的控制下與所述驅(qū)動(dòng)晶體管一起控制所述存儲(chǔ)電容放電直到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth，還用于在發(fā)光階段導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接，從而控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth ;Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓。
[0010]實(shí)施時(shí)，所述預(yù)充電控制單元包括:
[0011]第一預(yù)充電晶體管，柵極接入所述第一掃描信號(hào)，第一極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接，第二極接入所述電源電壓；
[0012]以及，第二預(yù)充電晶體管，柵極接入所述第二掃描信號(hào)，第一極與所述數(shù)據(jù)線連接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接。
[0013]實(shí)施時(shí)，所述閾值補(bǔ)償單元包括:
[0014]第一補(bǔ)償晶體管，柵極接入所述控制信號(hào)，第一極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接；
[0015]以及，第二補(bǔ)償晶體管，柵極接入所述控制信號(hào)，第一極接地，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接。
[0016]實(shí)施時(shí)，所述第一預(yù)充電晶體管、所述第二預(yù)充電晶體管、所述第二補(bǔ)償晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體管都為NMOS管，所述第一補(bǔ)償晶體管為PMOS管。
[0017]實(shí)施時(shí)，所述第一預(yù)充電晶體管、所述第二預(yù)充電晶體管、所述第二補(bǔ)償晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體管都為PMOS管，所述第一補(bǔ)償晶體管為NMOS管。
[0018]本發(fā)明還提供了一種像素驅(qū)動(dòng)方法，應(yīng)用上述的像素驅(qū)動(dòng)電路，所述像素驅(qū)動(dòng)方法包括:
[0019]在預(yù)充電階段，數(shù)據(jù)線輸出零電平，閾值補(bǔ)償單元在控制信號(hào)的控制下導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和存儲(chǔ)電容的第二端的連接，預(yù)充電控制單元在第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)的控制下通過電源電壓Vdd對(duì)存儲(chǔ)電容充電，使得存儲(chǔ)電容的第一端的電位為Vdd ；
[0020]在閾值補(bǔ)償階段，數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)晶體管導(dǎo)通，預(yù)充電控制單元在第二掃描信號(hào)的控制下控制驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極接入所述數(shù)據(jù)信號(hào)，閾值補(bǔ)償單元在控制信號(hào)的控制下與驅(qū)動(dòng)晶體管一起控制存儲(chǔ)電容放電直到驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth ；Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓；
[0021]在發(fā)光階段，預(yù)充電控制單元在第一掃描信號(hào)的控制下控制驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd，閾值補(bǔ)償單元導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與存儲(chǔ)電容的第二端的連接，使得驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光，并控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth。
[0022]本發(fā)明還提供了一種像素驅(qū)動(dòng)方法，應(yīng)用上述的像素驅(qū)動(dòng)電路，所述像素驅(qū)動(dòng)方法包括:
[0023]在預(yù)充電階段，數(shù)據(jù)線輸出零電平，在控制信號(hào)的控制下，第一閾值補(bǔ)償晶體管導(dǎo)通，在第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)的控制下，第一預(yù)充電晶體管和第二預(yù)充電晶體管都導(dǎo)通，通過電源電壓對(duì)存儲(chǔ)電容充電；
[0024]在閾值補(bǔ)償階段，所述第一掃描信號(hào)控制所述第一預(yù)充電晶體管斷開，所述第二掃描信號(hào)繼續(xù)控制所述第二預(yù)充電晶體管導(dǎo)通；數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號(hào)，以控制驅(qū)動(dòng)晶體管導(dǎo)通，控制信號(hào)控制第二補(bǔ)償晶體管導(dǎo)通，所述存儲(chǔ)電容通過所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述第二補(bǔ)償晶體管向地端放電，直至驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth ；Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓；
[0025]在發(fā)光階段，第一掃描信號(hào)控制第一預(yù)充電晶體管導(dǎo)通，使得驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd，控制信號(hào)控制第一補(bǔ)償晶體管導(dǎo)通而第二補(bǔ)償晶體管斷開，以導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與存儲(chǔ)電容的第二端的連接，使得驅(qū)動(dòng)晶體管導(dǎo)通以驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光，并控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth。
[0026]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的像素驅(qū)動(dòng)電路。
[0027]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的像素驅(qū)動(dòng)電路、方法和顯示裝置，在對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償時(shí)，采用數(shù)據(jù)信號(hào)直接控制驅(qū)動(dòng)晶體管，可以節(jié)省晶體管數(shù)目，從而能夠減小電路設(shè)計(jì)的空間，增加像素間距。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1是本發(fā)明實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；
[0029]圖2是本發(fā)明另一實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；
[0030]圖3是本發(fā)明該實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)時(shí)序圖；
[0031]圖4A是本發(fā)明該實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路在預(yù)充電階段SI的工作示意圖；
[0032]圖4B是本發(fā)明該實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路在閾值補(bǔ)償階段S2的工作示意圖；
[0033]圖4C是本發(fā)明該實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路在發(fā)光階段S3的工作示意圖；
[0034]圖5是本發(fā)明又一實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)時(shí)序圖。

【具體實(shí)施方式】
[0035]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0036]本發(fā)明所有實(shí)施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管或其他特性相同的器件。在本發(fā)明實(shí)施例中，將晶體管除柵極之外的兩極分別稱為第一極和第二極。
[0037]如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，包括預(yù)充電控制單元11、存儲(chǔ)電容Cs、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT和閾值補(bǔ)償單元12，其中，
[0038]所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT，柵極通過所述預(yù)充電控制單元11與數(shù)據(jù)線Data連接，第一極與發(fā)光元件Dl的陽極連接，第二極與所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端A連接；發(fā)光元件Dl的陰極與地端GND連接；
[0039]所述預(yù)充電控制單元11，分別接入第一掃描信號(hào)Scanl、第二掃描信號(hào)Scan2和電源電壓Vdd，還分別與所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端A、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和數(shù)據(jù)線Data連接，并通過所述閾值補(bǔ)償單元與所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端B連接；
[0040]所述閾值補(bǔ)償單元12，接入控制信號(hào)EN，分別與所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極、所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極、所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端B和地端GND連接，用于在預(yù)充電階段在所述控制信號(hào)EN的控制下導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極與所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端B的連接；
[0041]所述預(yù)充電單元，用于在預(yù)充電階段，在所述第一掃描信號(hào)Scanl和所述第二掃描信號(hào)Scan2的控制下通過所述電源電壓Vdd對(duì)所述存儲(chǔ)電容Cs充電，使得所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端的電位為Vdd，在閾值補(bǔ)償階段在所述第二掃描信號(hào)Scan2的控制下控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極接入所述數(shù)據(jù)線Data在閾值補(bǔ)償階段輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)，在發(fā)光階段在所述第一掃描信號(hào)Scanl的控制下控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極接入所述電源電壓Vdd;所述閾值補(bǔ)償單元12，用于在閾值補(bǔ)償階段，在所述控制信號(hào)EN的控制下與所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT —起控制所述存儲(chǔ)電容Cs放電直到所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極的電位為Vdata+Vth，還用于在發(fā)光階段導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極與所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端B的連接，從而控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵源電壓補(bǔ)償Vth ;Vdata為所述數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓，Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓。
[0042]本發(fā)明實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路采用數(shù)據(jù)線Data上的數(shù)據(jù)信號(hào)直接控制驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT，可以在補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的同時(shí)，節(jié)省晶體管數(shù)目，從而能夠減小電路設(shè)計(jì)的空間，增加像素間距。
[0043]在具體實(shí)施時(shí)，所述預(yù)充電控制單元可以包括:
[0044]第一預(yù)充電晶體管，柵極接入所述第一掃描信號(hào)，第一極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接，第二極接入所述電源電壓；
[0045]以及，第二預(yù)充電晶體管，柵極接入所述第二掃描信號(hào)，第一極與所述數(shù)據(jù)線連接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接。
[0046]在具體實(shí)施時(shí)，所述閾值補(bǔ)償單元可以包括:
[0047]第一補(bǔ)償晶體管，柵極接入所述控制信號(hào)，第一極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接；
[0048]以及，第二補(bǔ)償晶體管，柵極接入所述控制信號(hào)，第一極接地，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接。
[0049]下面通過具體實(shí)施例來說明本發(fā)明所述的像素驅(qū)動(dòng)電路。
[0050]如圖2所示，在本發(fā)明一具體實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述發(fā)光元件為發(fā)光二極管OLED ；
[0051]所述預(yù)充電控制單元包括:
[0052]第一預(yù)充電晶體管T11，柵極接入所述第一掃描信號(hào)Scanl，第一極與所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端A連接，第二極接入所述電源電壓Vdd;
[0053]以及，第二預(yù)充電晶體管T12，柵極接入所述第二掃描信號(hào)Scan2，第一極與數(shù)據(jù)線Data連接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極連接。
[0054]所述閾值補(bǔ)償單元包括:
[0055]第一補(bǔ)償晶體管T21，柵極接入所述控制信號(hào)EN，第一極與所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端B連接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極連接；
[0056]以及，第二補(bǔ)償晶體管T22，柵極接入所述控制信號(hào)EN，第一極與地端GND連接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極連接；
[0057]所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT，柵極與數(shù)據(jù)線Data連接，第一極與發(fā)光二極管OLED的陽極連接，第二極與第一預(yù)充電晶體管Tll的第一極連接；
[0058]發(fā)光二極管OLED的陰極與地端GND連接。
[0059]在圖2所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)施例中，所述第一預(yù)充電晶體管、所述第二預(yù)充電晶體管、所述第二補(bǔ)償晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體管都為NMOS (N-Mental-Oxide-Semiconductor, N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體)管，所述第一補(bǔ)償晶體管為PMOS (P-Mental-Oxide-Semiconductor，P型金屬-氧化物-半導(dǎo)體)管；
[0060]其中，將所述第一補(bǔ)償晶體管和所述第二補(bǔ)償晶體管設(shè)置為類型相反的MOS管，從而可以減少控制信號(hào)的個(gè)數(shù)，方便電路設(shè)計(jì)。
[0061]本發(fā)明如圖2所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)施例采用5T1C結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的補(bǔ)償，采用數(shù)據(jù)信號(hào)直接控制驅(qū)動(dòng)晶體管，節(jié)省晶體管數(shù)，比起6T1C結(jié)構(gòu)來說減少了一個(gè)晶體管，并且采用一個(gè)控制信號(hào)即可以控制類型相反的兩個(gè)補(bǔ)償晶體管，減少了控制信號(hào)的數(shù)目，從而可以能夠節(jié)省電路設(shè)計(jì)的空間，增加像素間距。
[0062]如圖2所示的像素驅(qū)動(dòng)電路在工作時(shí)(圖3是第一掃描信號(hào)Scanl、第二掃描信號(hào)Scan2、控制信號(hào)EN和Vdata在預(yù)充電階段S1、閾值補(bǔ)償階段S2和發(fā)光階段S3的時(shí)序圖):
[0063]如圖4A所不，在預(yù)充電階段SI，第一掃描信號(hào)Scanl和第二掃描信號(hào)Scan2都為高電平，數(shù)據(jù)線Data輸出零電平，控制信號(hào)EN為低電平，第一預(yù)充電晶體管Tll和第二預(yù)充電晶體管T12都導(dǎo)通，第一補(bǔ)償晶體管T21導(dǎo)通，通過電源電壓Vdd對(duì)存儲(chǔ)電容Cs充電；
[0064]如圖4B所示，在閾值補(bǔ)償階段S2，第一掃描信號(hào)Scanl跳變?yōu)榈碗娖?，第二掃描信?hào)Scan2仍為高電平，控制信號(hào)EN跳變?yōu)楦唠娖?，所述第一預(yù)充電晶體管Tll斷開，所述第二預(yù)充電晶體管T12繼續(xù)導(dǎo)通，此時(shí)數(shù)據(jù)線Data輸出數(shù)據(jù)信號(hào)，以控制驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT導(dǎo)通，第二補(bǔ)償晶體管T22導(dǎo)通，所述存儲(chǔ)電容Cs通過所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT和所述第二補(bǔ)償晶體管T22向地端GND放電，直至驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極的電位為Vdata+Vth ；Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓，Vdata為數(shù)據(jù)線Data上的數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓；
[0065]在發(fā)光階段S3，第一掃描信號(hào)Scanl跳變?yōu)楦唠娖?，第二掃描信?hào)Scan2跳變?yōu)榈碗娖?，如圖4C所示，所述第一預(yù)充電晶體管Tll導(dǎo)通，所述第二預(yù)充電晶體管T12斷開，使得驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極接入所述電源電壓Vdd，控制信號(hào)EN跳變?yōu)榈碗娖?，所述控制信?hào)EN控制第一補(bǔ)償晶體管T21導(dǎo)通而所述第二補(bǔ)償晶體管T22斷開，以導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極與存儲(chǔ)電容的第二端B的連接，此時(shí)DTFT的柵極電位被存儲(chǔ)電容自舉為Vdd-(Vdata+Vth)，驅(qū)動(dòng)晶體管導(dǎo)通以驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光，此時(shí)流過OLED的電流I =K X (Vdd- (Vdd-Vdata-Vth) -Vth)2 = K X Vdata2，所述驅(qū)動(dòng)晶體管 DTFT 的柵源電壓補(bǔ)償 Vth。
[0066]在圖4A、圖4B和圖4C中，用虛線框起來的晶體管是導(dǎo)通的。
[0067]在具體實(shí)施時(shí)，在如圖2所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)施例中，所述第一預(yù)充電晶體管T11、所述第二預(yù)充電晶體管T12、所述第二補(bǔ)償晶體管T22和所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT也可以都為PMOS管，所述第一補(bǔ)償晶體管T21可以為NMOS管，在實(shí)際操作時(shí)，如圖5所示，只需將圖3中的第一掃描信號(hào)Scan2、第二掃描信號(hào)Scan2、數(shù)據(jù)線Data上的數(shù)據(jù)信號(hào)和控制信號(hào)EN設(shè)置為反相即可實(shí)施，以上晶體管類型的變化和各信號(hào)的時(shí)序的變化為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，在此不再贅述。
[0068]本發(fā)明實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)方法，應(yīng)用上述的像素驅(qū)動(dòng)電路，包括:
[0069]在預(yù)充電階段，數(shù)據(jù)線輸出零電平，閾值補(bǔ)償單元在控制信號(hào)的控制下導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和存儲(chǔ)電容的第二端的連接，預(yù)充電控制單元在第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)的控制下通過電源電壓Vdd對(duì)存儲(chǔ)電容充電，使得存儲(chǔ)電容的第一端的電位為Vdd ；
[0070]在閾值補(bǔ)償階段，數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)晶體管導(dǎo)通，預(yù)充電控制單元在第二掃描信號(hào)的控制下控制驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極接入所述數(shù)據(jù)信號(hào)，閾值補(bǔ)償單元在控制信號(hào)的控制下與驅(qū)動(dòng)晶體管一起控制存儲(chǔ)電容放電直到驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth ；Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓；
[0071]在發(fā)光階段，預(yù)充電控制單元在第一掃描信號(hào)的控制下控制驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd，閾值補(bǔ)償單元導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與存儲(chǔ)電容的第二端的連接，使得驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光，并控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth。
[0072]本發(fā)明實(shí)施例所述的像素驅(qū)動(dòng)方法，應(yīng)用上述的像素驅(qū)動(dòng)電路，包括:
[0073]在預(yù)充電階段，數(shù)據(jù)線輸出零電平，在控制信號(hào)的控制下，第一閾值補(bǔ)償晶體管導(dǎo)通，在第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)的控制下，第一預(yù)充電晶體管和第二預(yù)充電晶體管都導(dǎo)通，通過電源電壓對(duì)存儲(chǔ)電容充電；
[0074]在閾值補(bǔ)償階段，所述第一掃描信號(hào)控制所述第一預(yù)充電晶體管斷開，所述第二掃描信號(hào)繼續(xù)控制所述第二預(yù)充電晶體管導(dǎo)通；數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號(hào)，以控制驅(qū)動(dòng)晶體管導(dǎo)通，控制信號(hào)控制第二補(bǔ)償晶體管導(dǎo)通，所述存儲(chǔ)電容通過所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述第二補(bǔ)償晶體管向地端放電，直至驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth ；Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓；
[0075]在發(fā)光階段，第一掃描信號(hào)控制第一預(yù)充電晶體管導(dǎo)通，使得驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd，控制信號(hào)控制第一補(bǔ)償晶體管導(dǎo)通而第二補(bǔ)償晶體管斷開，以導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與存儲(chǔ)電容的第二端的連接，使得驅(qū)動(dòng)晶體管導(dǎo)通以驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光，并控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth。
[0076]本發(fā)明實(shí)施例所述的顯示裝置，包括上述的像素驅(qū)動(dòng)電路。
[0077]該顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、OLED (Organic Light-EmittingD1de，有機(jī)電致發(fā)光二極管)顯示面板、OLED顯示器、OLED電視或電子紙等顯示裝置。
[0078]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括預(yù)充電控制單元、存儲(chǔ)電容、驅(qū)動(dòng)晶體管和閾值補(bǔ)償單元，其中， 所述驅(qū)動(dòng)晶體管，柵極通過所述與預(yù)充電控制單元與數(shù)據(jù)線連接，第一極與發(fā)光元件連接，第二極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接； 所述預(yù)充電控制單元，分別接入第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)和電源電壓Vdd，分別與所述存儲(chǔ)電容的第一端、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和數(shù)據(jù)線連接，并通過所述閾值補(bǔ)償單元與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接； 所述閾值補(bǔ)償單元，接入控制信號(hào)，分別與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極、所述存儲(chǔ)電容的第二端和地端連接，用于在預(yù)充電階段在所述控制信號(hào)的控制下導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接； 所述預(yù)充電控制單元，用于在預(yù)充電階段，在所述第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)的控制下通過所述電源電壓Vdd對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電，使得所述存儲(chǔ)電容的第一端的電位為Vdd，在閾值補(bǔ)償階段在所述第二掃描信號(hào)的控制下控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極接入所述數(shù)據(jù)線在閾值補(bǔ)償階段輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)，在發(fā)光階段在所述第一掃描信號(hào)的控制下控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd ; 所述閾值補(bǔ)償單元，進(jìn)一步用于在閾值補(bǔ)償階段，在所述控制信號(hào)的控制下與所述驅(qū)動(dòng)晶體管一起控制所述存儲(chǔ)電容放電直到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth，還用于在發(fā)光階段導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接，從而控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth ;Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述預(yù)充電控制單元包括: 第一預(yù)充電晶體管，柵極接入所述第一掃描信號(hào)，第一極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接，第二極接入所述電源電壓； 以及，第二預(yù)充電晶體管，柵極接入所述第二掃描信號(hào)，第一極與所述數(shù)據(jù)線連接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接。
3.如權(quán)利要求2所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述閾值補(bǔ)償單元包括: 第一補(bǔ)償晶體管，柵極接入所述控制信號(hào)，第一極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接； 以及，第二補(bǔ)償晶體管，柵極接入所述控制信號(hào)，第一極接地，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接。
4.如權(quán)利要求3所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一預(yù)充電晶體管、所述第二預(yù)充電晶體管、所述第二補(bǔ)償晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體管都為NMOS管，所述第一補(bǔ)償晶體管為PMOS管。
5.如權(quán)利要求3所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一預(yù)充電晶體管、所述第二預(yù)充電晶體管、所述第二補(bǔ)償晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體管都為PMOS管，所述第一補(bǔ)償晶體管為NMOS管。
6.一種像素驅(qū)動(dòng)方法，應(yīng)用如權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述像素驅(qū)動(dòng)方法包括: 在預(yù)充電階段，數(shù)據(jù)線輸出零電平，閾值補(bǔ)償單元在控制信號(hào)的控制下導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和存儲(chǔ)電容的第二端的連接，預(yù)充電控制單元在第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)的控制下通過電源電壓Vdd對(duì)存儲(chǔ)電容充電，使得存儲(chǔ)電容的第一端的電位為Vdd ； 在閾值補(bǔ)償階段，數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)晶體管導(dǎo)通，預(yù)充電控制單元在第二掃描信號(hào)的控制下控制驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極接入所述數(shù)據(jù)信號(hào)，閾值補(bǔ)償單元在控制信號(hào)的控制下與驅(qū)動(dòng)晶體管一起控制存儲(chǔ)電容放電直到驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth ；Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓； 在發(fā)光階段，預(yù)充電控制單元在第一掃描信號(hào)的控制下控制驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd，閾值補(bǔ)償單元導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與存儲(chǔ)電容的第二端的連接，使得驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光，并控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth。
7.一種像素驅(qū)動(dòng)方法，應(yīng)用如權(quán)利要求3至5中任一權(quán)利要求所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述像素驅(qū)動(dòng)方法包括: 在預(yù)充電階段，數(shù)據(jù)線輸出零電平，在控制信號(hào)的控制下，第一閾值補(bǔ)償晶體管導(dǎo)通，在第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)的控制下，第一預(yù)充電晶體管和第二預(yù)充電晶體管都導(dǎo)通，通過電源電壓對(duì)存儲(chǔ)電容充電； 在閾值補(bǔ)償階段，所述第一掃描信號(hào)控制所述第一預(yù)充電晶體管斷開，所述第二掃描信號(hào)繼續(xù)控制所述第二預(yù)充電晶體管導(dǎo)通；數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號(hào)，以控制驅(qū)動(dòng)晶體管導(dǎo)通，控制信號(hào)控制第二補(bǔ)償晶體管導(dǎo)通，所述存儲(chǔ)電容通過所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述第二補(bǔ)償晶體管向地端放電，直至驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth ；Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓； 在發(fā)光階段，第一掃描信號(hào)控制第一預(yù)充電晶體管導(dǎo)通，使得驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd，控制信號(hào)控制第一補(bǔ)償晶體管導(dǎo)通而第二補(bǔ)償晶體管斷開，以導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與存儲(chǔ)電容的第二端的連接，使得驅(qū)動(dòng)晶體管導(dǎo)通以驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光，并控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth。
8.—種顯示裝置，包括如權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述的像素驅(qū)動(dòng)電路。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK104485074SQ201410841476
【公開日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2014年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月30日
【發(fā)明者】周茂秀 申請(qǐng)人:合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司