專利名稱：顯示裝置及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用了有機(jī)電致發(fā)光(EL=Electro Luminescence)元件等的電流驅(qū)動型自發(fā)光元件的有源矩陣式圖像顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)EL元件通過電流控制來表現(xiàn)灰度等級，但是有源矩陣式有機(jī)EL顯示裝置存在如下問題由于驅(qū)動各有機(jī)EL元件的驅(qū)動用晶體管的閾值電壓的不勻，即使提供相同的信號電壓也會產(chǎn)生輝度(brightness)不均。在消除輝度不均、制作均勻的畫面的方面，需要對該有機(jī)EL元件的驅(qū)動用晶體管的閾值進(jìn)行補(bǔ)償。已有如下方法通過作為用于抑制驅(qū)動用晶體管的閾值不勻的閾值補(bǔ)償電路而每個像素使用4個晶體管，由此來檢測驅(qū)動用晶體管的閾值(例如參照非專利文獻(xiàn)1)。另外，還有如下方法每個像素使用3個晶體管，對電源線的電壓進(jìn)行掃描，由此來檢測驅(qū)動用晶體管的閾值(例如參照文獻(xiàn)1)。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2006-259374號公報非專利文獻(xiàn) 1 :R. Μ. A. Dawson, et al, IEDM，98，Technical Digest, 1998p. 875

發(fā)明內(nèi)容
但是，在非專利文獻(xiàn)1記載的方法中是每個像素使用4個晶體管的結(jié)構(gòu)，隨著顯示器的大型化，會擔(dān)心由晶體管的集成數(shù)量增加導(dǎo)致材料利用率下降。另外，在專利文獻(xiàn)1記載的方法中，晶體管的個數(shù)少，在用于顯示器的情況下，能夠期待較高的生產(chǎn)性，但需要對電源線進(jìn)行掃描。為了掃描電源線，必須一維配置電源線。 但是，一維配線存在如下問題由于伴隨著顯示器的大畫面化的電源線的電壓下降，容易引起顯示圖像的周邊變暗這樣的串?dāng)_(crosstalk)，無法對應(yīng)大畫面化。本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的發(fā)明，其目的在于提供一種以較少的原件數(shù)量不進(jìn)行電源線的掃描而對驅(qū)動元件的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償?shù)娘@示裝置。另外，提供這樣的顯示裝置的驅(qū)動方法也包含在本發(fā)明內(nèi)。為了解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置為具備配置成陣列狀的多個發(fā)光像素的顯示裝置，所述顯示裝置具備柵極線和復(fù)位線，其與所述多個發(fā)光像素的每行對應(yīng)而設(shè)置； 和信號線，其與所述多個發(fā)光像素的每列對應(yīng)而設(shè)置，所述多個發(fā)光像素各自具備第1開關(guān)晶體管，其具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，該源極端子和該漏極端子的一方與所述信號線連接，該柵極端子與所述柵極線連接；發(fā)光元件，其通過流動電流來進(jìn)行發(fā)光；驅(qū)動晶體管，其具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，該柵極端子與所述第1開關(guān)晶體管的源極端子和漏極端子的另一方連接，該源極端子和該漏極端子的一方與所述發(fā)光元件連接，向所述發(fā)光元件供給電流；復(fù)位晶體管，其具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，該柵極端子與所述復(fù)位線連接，該源極端子和該漏極端子的一方與所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方連接；以及電容元件，其一端與所述驅(qū)動晶體管的柵極端子連接，另一端與所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方連接，所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的另一方與對應(yīng)于所述多個發(fā)光像素的某一行而設(shè)置的柵極線連接。由此，能夠通過每個發(fā)光像素3個晶體管，不用對電源線進(jìn)行掃描而檢測驅(qū)動晶體管的閾值電壓，對該閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償而使發(fā)光元件發(fā)光。這樣，因為對驅(qū)動晶體管的閾值電壓的不勻進(jìn)行補(bǔ)償，因此能夠消除輝度不均。另外，還可以具備驅(qū)動部，其在使連接了所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的所述另一方的柵極線處于使所述第1開關(guān)晶體管截止的非激活狀態(tài)的期間，使所述復(fù)位線處于使所述復(fù)位晶體管導(dǎo)通的激活狀態(tài)。由此，能夠使驅(qū)動晶體管的源極端子的電壓與連接了復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的另一方的柵極線的電壓相同，因此能夠利用柵極線的電壓，設(shè)定驅(qū)動晶體管的源極端子的電壓。另外，所述驅(qū)動部還可以向多條所述信號線選擇性地供給基準(zhǔn)電壓和比所述基準(zhǔn)電壓大的信號電壓，各柵極線的非激活狀態(tài)下的電壓為所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓值以上、且比所述基準(zhǔn)電壓低的電壓。由此，能夠在復(fù)位晶體管導(dǎo)通了的情況下，使驅(qū)動晶體管的源極端子的電壓切實地成為驅(qū)動晶體管的閾值電壓值以上、且比基準(zhǔn)電壓低的電壓。因此，能夠切實地進(jìn)行驅(qū)動晶體管的閾值電壓的檢測。另外，所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的所述另一方可以與設(shè)置于相同行的柵極線連接。另外，所述驅(qū)動部還可以在使所述設(shè)置于相同行的柵極線非激活之前，使該柵極線處于使所述第1開關(guān)晶體管導(dǎo)通的激活狀態(tài)，并且使所述復(fù)位線處于使所述復(fù)位晶體管截止的非激活狀態(tài)。由此，能夠給切實地使發(fā)光元件進(jìn)行光猝滅。具體而言，在不久前的驅(qū)動晶體管的柵極端子的電壓是能夠供給發(fā)光元件發(fā)光所需的電流的程度的電壓的情況下，在使柵極線為非激活狀態(tài)之后也通過施加該電壓使發(fā)光元件發(fā)光。因此，通過這樣地使柵極線為激活狀態(tài)、使復(fù)位線為非激活狀態(tài)，向驅(qū)動晶體管的柵極端子施加光猝滅時的電壓，由此能夠切實地使發(fā)光元件光猝滅。另外，所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的所述另一方還可以與設(shè)置于下一行的柵極線連接。由此，即使在使同一行的柵極線為激活狀態(tài)、且使復(fù)位線為激活狀態(tài)的情況下，也能夠使驅(qū)動晶體管的源極端子的電壓成為下一行的柵極線的電壓。其結(jié)果，通過使下一行的柵極線的電壓成為驅(qū)動晶體管的閾值電壓值以上、且比基準(zhǔn)電壓低的電壓，能夠切實地進(jìn)行驅(qū)動晶體管的閾值電壓的檢測。也即是，與使復(fù)位晶體管與相同行的柵極線連接的情況相比，由于能夠同時進(jìn)行發(fā)光元件的光猝滅、和驅(qū)動晶體管的源極端子的電壓設(shè)定，因此在一幀期間內(nèi)，能夠?qū)⒏嗟臅r間分配給驅(qū)動晶體管的閾值電壓的檢測。另外，所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方、以及所述電容元件的所述另一端可以經(jīng)由預(yù)定的元件與所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方連接。由此，能夠抑制由發(fā)光元件的寄生電容的不勻引起的作為驅(qū)動晶體管向發(fā)光元件供給的電流的像素電流的變動。例如，在驅(qū)動電路向多個發(fā)光像素供給了同一信號電壓的情況下，能夠抑制各發(fā)光像素的發(fā)光元件和驅(qū)動晶體管的連接點的電位的不勻。以下，對能夠抑制不勻的理由進(jìn)行敘述。當(dāng)向發(fā)光像素供給了預(yù)定的信號電壓時，發(fā)光元件和驅(qū)動晶體管的連接點的電位由發(fā)光元件的寄生電容和電容元件的電容的電容分配來規(guī)定。但是，發(fā)光元件的寄生電容在每個發(fā)光元件存在不勻，因此即使是向多個發(fā)光像素供給了同一信號電壓的情況下，各發(fā)光像素的發(fā)光元件和驅(qū)動晶體管的連接點的電位也會不相同，存在不勻。因此，由于發(fā)光元件和驅(qū)動晶體管的連接點的電位的不勻，供給到發(fā)光元件的電流也存在不勻。與此相對，通過經(jīng)由預(yù)定的元件將電容元件的另一端與發(fā)光元件和驅(qū)動晶體管的連接點連接，能夠降低發(fā)光元件的寄生電容對于電容元件的另一端的電位的影響。因此，能夠降低發(fā)光元件的寄生電容對于電容元件的一端和另一端的電位差、即電容元件的保持電壓的影響。因此，能夠降低發(fā)光元件的寄生電容的影響，能夠根據(jù)信號電壓高精度地使發(fā)光元件發(fā)光。另外，所述多個發(fā)光像素各自還可以具備第2開關(guān)晶體管，所述第2開關(guān)晶體管具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，該源極端子和該漏極端子的一方與所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方、以及所述電容元件的所述另一端連接，該源極端子和該漏極端子的另一方與所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方連接。由此，通過使第2開關(guān)晶體管導(dǎo)通或截止，能夠切換復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的一方、以及電容元件的另一端與發(fā)光元件和驅(qū)動晶體管的連接點的導(dǎo)通和非導(dǎo)通。因此，例如，若在使第2開關(guān)晶體管截止的期間向驅(qū)動晶體管的柵極端子供給用于使發(fā)光元件發(fā)光的信號電壓時，則電容元件的另一端的電位不會受到發(fā)光元件的寄生電容的影響。也即是，能夠切實地降低發(fā)光元件的寄生電容對于電容元件的保持電壓的影響。換言之，能夠防止發(fā)光元件的寄生電容的影響，能夠以與信號電壓對應(yīng)的準(zhǔn)確的發(fā)光輝度使發(fā)光元件發(fā)光。另外，所述驅(qū)動晶體管、所述第1開關(guān)晶體管、以及所述復(fù)位晶體管各自可以是η型晶體管元件。另外，所述發(fā)光元件可以是有機(jī)EL(Electro Luminescence)元件。另外，本發(fā)明的驅(qū)動方法為一種顯示裝置的驅(qū)動方法，所述顯示裝置具備多個發(fā)光像素，其配置成陣列狀；柵極線和復(fù)位線，其與所述多個發(fā)光像素的每行對應(yīng)而設(shè)置；信號線，其與所述多個發(fā)光像素的每列對應(yīng)而設(shè)置，被選擇性地供給基準(zhǔn)電壓和比所述基準(zhǔn)電壓大的信號電壓，所述多個發(fā)光像素各自具備第1開關(guān)晶體管，其具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，該源極端子和該漏極端子的一方與所述信號線連接，該柵極端子與所述柵極線連接；發(fā)光元件，其通過流動電流來進(jìn)行發(fā)光；驅(qū)動晶體管，其具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，該柵極端子與所述第1開關(guān)晶體管的源極端子和漏極端子的另一方連接，該源極端子和該漏極端子的一方與所述發(fā)光元件連接，向所述發(fā)光元件供給電流；復(fù)位晶體管，其具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，該柵極端子與所述復(fù)位線連接，該源極端子和該漏極端子的一方與所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方連接；以及電容元件，其一端與所述驅(qū)動晶體管的所述柵極端子連接，另一端與所述驅(qū)動晶體管的
7源極端子和漏極端子的所述一方連接，所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的另一方與對應(yīng)于所述多個發(fā)光像素的某一行而設(shè)置的柵極線連接，所述顯示裝置的驅(qū)動方法包括復(fù)位步驟，所述復(fù)位步驟中，通過使所述第1開關(guān)晶體管截止，并且使所述復(fù)位晶體管導(dǎo)通， 使所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方為所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓值以上、且比所述基準(zhǔn)電壓低的電壓。另外，還可以包括檢測步驟，在所述復(fù)位步驟之后，通過使所述第1開關(guān)晶體管導(dǎo)通，對所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓進(jìn)行檢測；保持步驟，使通過檢測步驟檢測出的所述閾值電壓保持于所述電容元件；寫入步驟，在所述保持步驟之后，向所述驅(qū)動晶體管的柵極端子供給用于使所述發(fā)光元件發(fā)光的信號電壓；以及發(fā)光步驟，在所述寫入步驟之后，通過使所述第1開關(guān)晶體管截止，使與所述驅(qū)動晶體管的柵極端子和源極端子之間的電位差對應(yīng)的電流在所述發(fā)光元件中流動，使所述發(fā)光元件發(fā)光。由此，在發(fā)光步驟中，驅(qū)動晶體管向發(fā)光元件供給與將信號電壓和閾值電壓相加而得到的電壓對應(yīng)的電流，因此發(fā)光元件能夠不受閾值電壓影響而以與信號電壓對應(yīng)的輝度進(jìn)行發(fā)光。另外，所述檢測步驟可以包括第1子步驟，使所述第1開關(guān)晶體管導(dǎo)通；和第2子步驟，在所述第1子步驟之后，使所述第1開關(guān)晶體管截止，在所述第2子步驟之后，使所述第1子步驟和所述第2子步驟至少反復(fù)一次。由此，能夠經(jīng)多個水平期間內(nèi)對驅(qū)動晶體管的閾值電壓進(jìn)行檢測，從而能夠進(jìn)行高精度的閾值電壓的檢測。另外，在所述第1子步驟中，可以向設(shè)置于與所述第1開關(guān)晶體管相同的列的所述信號線供給所述基準(zhǔn)電壓，在所述第2子步驟中，向該信號線供給所述信號電壓或者所述基準(zhǔn)電壓。由此，能夠使第1子步驟中的信號線的電壓成為用于檢測與該信號線對應(yīng)的列的驅(qū)動晶體管的閾值電壓的電壓，使第2子步驟中的信號線的電壓成為對應(yīng)的列的發(fā)光像素的信號電壓。因此，例如，通過在1個水平期間的前半前級使信號線的電壓為基準(zhǔn)電壓，在 1個水平期間的后半期間使信號線的電壓為信號電壓，從而能夠?qū)?個水平期間進(jìn)行分割， 使前半期間為用于閾值電壓檢測的期間、后半期間為信號電壓的寫入期間。另外，所述多個發(fā)光像素各自還具備第2開關(guān)晶體管，所述第2開關(guān)晶體管具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，該源極端子和該漏極端子的一方與所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方、以及所述電容元件的所述另一端連接，該源極端子和該漏極端子的另一方與所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方連接，在所述檢測步驟中，在使所述第2開關(guān)晶體管導(dǎo)通了的狀態(tài)下，使所述第1開關(guān)晶體管導(dǎo)通，對所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓進(jìn)行檢測，在所述保持步驟中，通過將所述第2開關(guān)晶體管從導(dǎo)通切換成截止，使通過所述檢測步驟檢測出的所述閾值電壓保持于所述電容元件，在所述寫入步驟中，通過在所述第1開關(guān)晶體管導(dǎo)通的期間向所述信號線供給所述信號電壓，在使所述第2開關(guān)晶體管截止了的狀態(tài)下向所述驅(qū)動晶體管的柵極端子供給所述信號電壓，在所述發(fā)光步驟中，在將所述第1開關(guān)晶體管從導(dǎo)通切換成了截止之后，通過將所述第2開關(guān)晶體管從截止切換成導(dǎo)通，使與所述驅(qū)動晶體管的柵極端子和源極端子之間的電位差對應(yīng)的電流在所述發(fā)光元件中流動，使所述發(fā)光元件發(fā)光。
由此，在第2開關(guān)晶體管截止的期間，向驅(qū)動晶體管的柵極端子供給信號電壓，因此電容元件的另一端的電位不會受到發(fā)光元件的寄生電容的影響。即，能夠切實地降低發(fā)光元件的寄生電容對于電容元件的保持電壓的影響。換言之，能夠防止發(fā)光元件的寄生電容的影響，能夠用與信號電壓對應(yīng)的準(zhǔn)確的發(fā)光輝度使發(fā)光元件發(fā)光。另外，所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的所述另一方可以與設(shè)置于相同行的柵極線連接，所述顯示裝置的驅(qū)動方法還包括光猝滅步驟，所述光猝滅步驟中，通在所述復(fù)位步驟之前，使所述第1開關(guān)晶體管導(dǎo)通，并且使所述復(fù)位晶體管截止，使所述發(fā)光元件光猝滅。如上所述，本發(fā)明的顯示裝置能夠通過較少的元件數(shù)不進(jìn)行電源線的掃描而對驅(qū)動元件的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償。


圖1是表示實施方式1的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖2是表示發(fā)光像素的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的電路圖。圖3是表示顯示裝置的動作的定時圖。圖4是示意表示發(fā)光像素的電流流動的圖。圖5是表示在多個水平期間對閾值電壓進(jìn)行檢測的情況下的顯示裝置的動作的定時圖。圖6是表示實施方式2的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖7是表示發(fā)光像素的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的電路圖。圖8是表示顯示裝置的動作的定時圖。圖9是表示經(jīng)多個水平期間對閾值電壓進(jìn)行檢測的情況下的顯示裝置的動作的定時圖。圖10是表示實施方式3的顯示裝置具有的發(fā)光像素的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的電路圖。圖11是表示顯示裝置的動作的定時圖。圖12是示意表示發(fā)光像素的電流流動的圖。圖13是內(nèi)置了本發(fā)明的顯示裝置的薄膜平板TV的外觀圖。標(biāo)號說明100、200 顯示裝置110、210、310 發(fā)光像素111信號線112、112(k)、112(k+l)柵極線113復(fù)位線120行掃描部121柵極線驅(qū)動部122復(fù)位線驅(qū)動部130信號線驅(qū)動部140定時控制部201虛設(shè)柵極線
301合并線CS 電容元件CSm 合并電容OLED 發(fā)光元件Tl行選擇晶體管T2、T2'復(fù)位晶體管Τ3驅(qū)動晶體管Tm合并晶體管
具體實施例方式(實施方式1)本發(fā)明的實施方式1的一種顯示裝置為具備配置成陣列狀的多個發(fā)光像素的顯示裝置，所述顯示裝置具備柵極線和復(fù)位線，其與所述多個發(fā)光像素的每行對應(yīng)而設(shè)置； 和信號線，其與所述多個發(fā)光像素的每列對應(yīng)而設(shè)置，所述多個發(fā)光像素各自具備第1開關(guān)晶體管，其具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，該源極端子和該漏極端子的一方與所述信號線連接，該柵極端子與所述柵極線連接；發(fā)光元件，其通過流動電流來進(jìn)行發(fā)光；驅(qū)動晶體管，其具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，該柵極端子與所述第1開關(guān)晶體管的源極端子和漏極端子的另一方連接，該源極端子和該漏極端子的一方與所述發(fā)光元件連接，向所述發(fā)光元件供給電流；復(fù)位晶體管，其具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，該柵極端子與所述復(fù)位線連接，該源極端子和該漏極端子的一方與所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方連接；以及電容元件，其一端與所述驅(qū)動晶體管的柵極端子連接，另一端與所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方連接，所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的另一方與對應(yīng)于所述多個發(fā)光像素的某一行而設(shè)置的柵極線連接。由此，能夠通過每個發(fā)光像素3個晶體管，不對電源線進(jìn)行掃描而對驅(qū)動晶體管的閾值電壓進(jìn)行檢測，對該閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償而使發(fā)光元件發(fā)光。這樣，因為對驅(qū)動晶體管的閾值電壓的不勻進(jìn)行補(bǔ)償，因此能夠消除輝度不勻。以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式1的顯示裝置進(jìn)行說明。圖1是表示實施方式1的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖1所示的顯示裝置100例如是使用了有機(jī)EL元件的有源矩陣型的有機(jī)EL顯示裝置，具備配置成陣列狀的多個發(fā)光像素110、行掃描部120、信號線驅(qū)動部130以及定時控制部140。發(fā)光像素110例如配置成η行Xm列的陣列狀，根據(jù)經(jīng)由信號線111、柵極線112 以及復(fù)位線113從行掃描部120和信號線驅(qū)動部130輸出的選通脈沖、復(fù)位脈沖以及信號電壓對驅(qū)動晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償而進(jìn)行發(fā)光。行掃描部120與對應(yīng)多個發(fā)光像素110的每一行而設(shè)置的柵極線112和復(fù)位線 113連接，向各柵極線112和各復(fù)位線113輸出掃描信號，由此以行為單位對多個發(fā)光像素 110依次進(jìn)行掃描。具體而言，行掃描部120具有對各柵極線112進(jìn)行掃描的柵極線驅(qū)動部 121、和對各復(fù)位線113進(jìn)行掃描的復(fù)位線驅(qū)動部122。柵極線驅(qū)動部121輸出與各柵極線 112對應(yīng)的選通脈沖fete [k] (k為滿足1彡k彡m的整數(shù))，由此選擇性地向?qū)?yīng)的發(fā)光像素110供給與各柵極線112對應(yīng)的向發(fā)光像素110供給的基準(zhǔn)電壓和比基準(zhǔn)電壓大的信號電壓。復(fù)位線驅(qū)動部122輸出與各復(fù)位線113對應(yīng)的復(fù)位脈沖Rst[k]，由此來控制向與各復(fù)位線113對應(yīng)的發(fā)光像素110施加?xùn)艠O線112的電壓、即選通脈沖feteDO的高電平電壓或者低電平電壓的定時。信號線驅(qū)動部130與各信號線111連接，將與各信號線111對應(yīng)的信號電壓Vdata(例如2 8V)或者復(fù)位電壓Vreset (例如0V)作為信號線電壓Sig[j] (j為滿足1 ^ j ^ η的整數(shù))進(jìn)行供給。信號電壓Vdata為與發(fā)光像素110的發(fā)光輝度對應(yīng)的電壓，復(fù)位電壓Vreset為用于使發(fā)光像素110光猝滅或者用于對驅(qū)動晶體管的閾值電壓進(jìn)行檢測的電壓。定時控制部140對行掃描部120和信號線驅(qū)動部130指示驅(qū)動定時。行掃描部120、信號線驅(qū)動部130以及定時控制部140為本發(fā)明的驅(qū)動部。接著，對發(fā)光像素110的詳細(xì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。以下，對一個發(fā)光像素110的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，圖1示出的多個發(fā)光像素110各自具有相同的結(jié)構(gòu)。另外，將從柵極線驅(qū)動部121對與該發(fā)光像素110對應(yīng)的柵極線112輸出的選通脈沖fete[k]僅設(shè)為選通脈沖feite，將從復(fù)位線驅(qū)動部122對與該發(fā)光像素110對應(yīng)的復(fù)位線113輸出的復(fù)位脈沖Rst [k]僅設(shè)為復(fù)位脈沖Rst，將對與該發(fā)光像素110對應(yīng)的信號線111供給的信號線電壓Sig[j]僅設(shè)為信號線電壓Sig。圖2是表示圖1示出的發(fā)光像素110的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的電路圖。在圖2中，也示出了與發(fā)光像素110對應(yīng)的信號線111、柵極線112以及復(fù)位線113。發(fā)光像素110具備發(fā)光元件0LED、行選擇晶體管Tl、復(fù)位晶體管T2、驅(qū)動晶體管T3以及電容元件CS。發(fā)光元件OLED為通過流動電流來進(jìn)行發(fā)光的元件，為陽極與驅(qū)動晶體管的源極端子連接、陰極與電壓VSS (例如0V)的電源線連接的例如有機(jī)EL元件。該發(fā)光元件OLED利用通過經(jīng)由信號線111和行選擇晶體管Tl對驅(qū)動晶體管T3的柵極端子施加信號電壓Vdata而流動的電流進(jìn)行發(fā)光。因此，發(fā)光元件OLED的輝度與施加于信號線111的信號電壓Vdata的大小對應(yīng)。行選擇晶體管Tl、復(fù)位晶體管T2以及驅(qū)動晶體管T3例如是η型的TFT (薄膜晶體管)。行選擇晶體管Tl為本發(fā)明的第1開關(guān)晶體管，根據(jù)柵極線112的電壓，切換是否向作為驅(qū)動晶體管Τ3的控制端子的柵極端子施加信號電壓。具體而言，行選擇晶體管Tl的柵極端子與柵極線112連接，源極端子和漏極端子的一方與信號線111連接，源極端子和漏極端子的另一方與驅(qū)動晶體管Τ3的柵極端子連接。由此，行選擇晶體管Tl根據(jù)施壓于柵極線112的電壓，切換信號線111與驅(qū)動晶體管Τ3的柵極端子的導(dǎo)通和非導(dǎo)通。也即是，行選擇晶體管Tl在選通脈沖fete為高電平的期間，向驅(qū)動晶體管T3的柵極端子供給施加于信號線111的基準(zhǔn)電壓Vreset或者信號電壓Vdata。為了檢測驅(qū)動晶體管T3的閾值電壓，復(fù)位晶體管T2對驅(qū)動晶體管T3的源極端子的電壓V2進(jìn)行設(shè)定。具體而言，復(fù)位晶體管T2的柵極端子與復(fù)位線113連接，源極端子和漏極端子的一方與柵極線112連接，源極端子和漏極端子的另一方與驅(qū)動晶體管T3的源極端子連接。由此，復(fù)位晶體管T2在復(fù)位脈沖Rst為高電平的期間，使柵極線112和驅(qū)動晶體管T3的源極端子導(dǎo)通，由此將柵極線112的電壓設(shè)定為V2的電壓。驅(qū)動晶體管T3向發(fā)光元件OLED供給電流。具體而言，驅(qū)動晶體管T3的柵極端子經(jīng)由行選擇晶體管Tl與信號線111連接，漏極端子與電壓VDD (例如10V)的電源線連接， 源極端子與發(fā)光元件OLED的陽極連接。驅(qū)動晶體管T3將供給至柵極端子的電壓變換成與該電壓的大小對應(yīng)的電流。由此，驅(qū)動晶體管T3在柵極線112的電壓為高電平的期間向發(fā)光元件OLED供給與供給至信號線111的電壓、即基準(zhǔn)電壓Vreset或者信號電壓Vdata對應(yīng)的電流。但是，與基準(zhǔn)電壓Vreset對應(yīng)的電流不足以使發(fā)光元件OLED發(fā)光，在驅(qū)動晶體管 T3的柵極端子的電壓Vl為基準(zhǔn)電壓Vreset的情況下，發(fā)光元件OLED不發(fā)光。另一方面， 在Vl為信號電壓Vdata的情況下，有足夠使發(fā)光元件OLED發(fā)光的電流流動，發(fā)光元件OLED 以與信號電壓Vdata對應(yīng)的輝度進(jìn)行發(fā)光。電容元件CS的一端與驅(qū)動晶體管T3的柵極端子連接，另一端與驅(qū)動晶體管T3的源極端子連接，由此保持驅(qū)動晶體管T3的柵極-源極之間的電壓。也即是，該電容元件CS 能夠保持驅(qū)動晶體管T3的閾值電壓。接著，使用圖3和圖4對上述的顯示裝置100的驅(qū)動方法進(jìn)行說明。圖3是表示實施方式1的顯示裝置100的動作的定時圖。在圖3中，橫軸表示時間，在縱向上從上方開始依次示出選通脈沖Gate、復(fù)位脈沖Rst、驅(qū)動晶體管T3的柵極端子的電壓VI、驅(qū)動晶體管T3的源極端子的電壓V2、以及施加于信號線111的信號線電壓Sig 的波形。圖4是示意表示實施方式1的顯示裝置100的發(fā)光像素110中的電流流動的圖。 在此，將選通脈沖fete的高電平電壓設(shè)為VGate (H)，將選通脈沖(iate的低電平電壓設(shè)為 VGate(L)，將復(fù)位脈沖Rst的高電平電壓設(shè)為VRst (H)，將復(fù)位脈沖Rst的低電平電壓設(shè)為 VRst(L)。在時刻t0以前，發(fā)光元件OLED根據(jù)前一垂直期間中的信號電壓Vdata進(jìn)行發(fā)光。 具體而言，Vl為前一垂直期間中的信號電壓Vdata，根據(jù)該信號電壓Vdata，驅(qū)動晶體管T3 向發(fā)光元件OLED供給驅(qū)動電流。接著，在時刻t0 (復(fù)位[1]期間的開始時刻)，使選通脈沖fete從低電平變成高電平，由此使行選擇晶體管Tl導(dǎo)通。VGate (L)例如為_5V，VGate (H)例如為12V。通過行選擇晶體管Tl導(dǎo)通，信號線111和驅(qū)動晶體管T3的柵極端子導(dǎo)通，Vl變成與供給至信號線111的電壓相等。在時刻to，由于信號線111的電壓為基準(zhǔn)電壓Vreset， 因此在復(fù)位[1]期間，Vl變成Vreset。在此，Vreset的電壓設(shè)為滿足以下的式1的條件的電壓。其中，Vth(EL)為發(fā)光元件OLED的發(fā)光開始電壓，Vth(TFT)為驅(qū)動晶體管T3的柵極端子-源極端子之間的閾值電壓。Vreset < Vth (EL) +Vth (TFT)(式 1)也即是，Vreset為使發(fā)光元件OLED切實地光猝滅的電壓。另外，此時，由于復(fù)位脈沖Rst為低電平，因此復(fù)位晶體管T2截止。此時，對于驅(qū)動晶體管T3，由于施加于柵極端子的電壓為比前一幀的信號電壓低的基準(zhǔn)電壓Vreset，因此能夠供給至發(fā)光元件的電流減少。由此，V2從前一幀期間中的發(fā)光電位變成發(fā)光元件OLED 的發(fā)光開始電壓Vth (EL)。
接著，在時刻tl (復(fù)位[2]期間的開始時刻)，使選通脈沖fete變?yōu)榈碗娖?，使?fù)位脈沖Rst變?yōu)楦唠娖健Ｍㄟ^使選通脈沖fete變?yōu)榈碗娖?，行選擇晶體管Tl截止，信號線111和驅(qū)動晶體管T3的柵極端子變成非導(dǎo)通。另一方面，通過使復(fù)位脈沖Rst變?yōu)楦唠娖?，?fù)位晶體管T2導(dǎo)通，柵極線112和驅(qū)動晶體管T3的源極端子導(dǎo)通。由此，V2變成選通脈沖(kite的低電平電壓VGate (L)。在此，VGate(L)為滿足以下的式2的電壓。VGate(L) < Vreset-Vth (TFT)(式 2)另外，對于Vl的電壓，由于介于驅(qū)動晶體管T3的柵極端子和發(fā)光元件OLED的陽極之間的電容元件CS，會與從復(fù)位[1]期間到復(fù)位[2]期間的V2的電壓變動相同程度地發(fā)生變化。具體而言，從復(fù)位[1]期間到復(fù)位[2]期間，V2的電壓變化了VGate(L)-Vth(EL),因此Vl的電壓變成對復(fù)位[1]期間的電壓加上了該變動值而得到的Vreset+VGate(L)-V(th)(EL)。接著，在時刻t2(復(fù)位[2]期間的結(jié)束時刻)，通過復(fù)位脈沖Rst變成低電平，復(fù)位晶體管T2截止，因此柵極線112和驅(qū)動晶體管T3的源極端子變成非導(dǎo)通。由此，在電容元件CS保持此時的Vl和V2的電位差。在圖3的時刻t0 t2示出的復(fù)位期間中，需要在電容元件CS的一端從信號線111設(shè)定基準(zhǔn)電壓Vreset，在所述電容元件CS的另一端設(shè)定固定電壓，在電容元件CS設(shè)定預(yù)定的電位差的電壓。將該復(fù)位期間劃分成作為復(fù)位[1]期間的Tl期間(時刻to tl)和作為復(fù)位[2]期間的T2期間(時刻tl t2)這兩個期間，在期間Tl中，在電容元件CS的一端設(shè)定基準(zhǔn)電壓Vreset，另一方面，在期間T2中，在電容元件CS的另一端設(shè)定固定電壓。在此，在期間Tl中，為了在電容元件CS的一端從信號線111設(shè)定基準(zhǔn)電壓Vreset，需要對柵極線112供給高電平電壓VGate (H)而使行選擇晶體管Tl導(dǎo)通。另一方面，在期間T2中，為了使在電容元件CS的一端設(shè)定的基準(zhǔn)電壓Vreset固定，需要對柵極線112供給低電平電壓VGate (L)而使行選擇晶體管Tl截止。在向柵極線112供給低電平電壓VGate (L)時，由于柵極線112以行為單位進(jìn)行配置，因此以行為單位供給低電平電壓VGate(L)。這意味著在T2期間中為與以行為單位設(shè)定了固定電壓VGate (L)相同的狀態(tài)。因此，在復(fù)位期間中，在電容元件CS的另一端設(shè)定固定電壓的期間T2中，將被供給所述低電平電壓VGate (L)而變成了固定電位VGate (L)的狀態(tài)的柵極線112當(dāng)作預(yù)定的電源線，設(shè)為將所述電容元件CS的另一端連接于所述柵極線112。由此，將柵極線112兼用作用于供給固定電位VGate (L)的電源線，經(jīng)由所述柵極線112向所述電容元件CS的另一端供給固定電位VGate (L)，因此能夠消減用于向所述電容元件CS的另一端供給固定電位VGate (L)的電源線。其結(jié)果，能夠用簡單的結(jié)構(gòu)在所述電容元件CS的另一端設(shè)定固定電位VGate (L)。接著，在時刻t3 (Vth檢測期間的開始時刻)，選通脈沖fete變成高電平，由此Vl再次變成Vreset。此時，在V2產(chǎn)生與電容元件CS和發(fā)光元件OLED的陽極-陰極之間的寄生電容的電容比對應(yīng)的電位變動。其結(jié)果，V2變成如式3所示的值。V2 = α VGate (L) +(1-α ) Vth (EL)(式 3)其中，α = Cel/(Cs+Cel)。另外，Cs為電容元件CS的電容，Cel為發(fā)光元件OLED的陽極-陰極之間的寄生電容。
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另外，在此，各電壓和電容滿足下述的式4和式5。 VGate (L) - (VGate (L)-Vth (EL)) · Cs/(Cs+Cel) < Vth(EL)
(式4)Vreset-VGate (L) + (VGate (L) -Vth (EL) ) ‘ Cs/ (Cs + Cel) > Vth (TFT) (式5)式4示出能夠無視在OLED中流動的電流的條件在時刻t3，即使在V2產(chǎn)生與電容比對應(yīng)的電位變動，V2的電位也為OLED的閾值電壓Vth(EL)以下，能夠無視在OLED中流動的電流。另外，式5示出即使在時刻t3產(chǎn)生V2的電位變動，在驅(qū)動晶體管T3也將閾值電壓Vth(TFT)以上的電位差保持在電容元件CS中的條件。在式5中，若Vl和V2的電位差為驅(qū)動晶體管T3的閾值電壓Vth(TFT)以上，則驅(qū)動晶體管T3變成導(dǎo)通狀態(tài)，在驅(qū)動晶體管T3中流動電流。也即是，在復(fù)位[2]期間中V2滿足式2，且在時刻t3滿足式4和式 5，由此在驅(qū)動晶體管T3中流動電流。該電流進(jìn)行流動，直到Vl和V2的電位差變成驅(qū)動晶體管T3的閾值電壓Vth(TFT)。在時刻t4，當(dāng)Vl和V2的電位差變成Vth(TFT)時，驅(qū)動晶體管T3截止，電流變成不流動。由此，在此，在電容元件CS中保持驅(qū)動晶體管T3的閾值電壓Vth(TFT)。之后，在時刻t5 t6的寫入期間中，對信號線111施加信號電壓Vdata。由此， Vl的電壓變成Vdata，時刻t5時的V2變?yōu)槭?的電壓。V2 = (1-α )· (Vdata-Vreset)+Vreset-Vth(TFT)(式 6)因此，Vl和V2的電位差、即驅(qū)動晶體管Τ3的柵極-源極端子之間的電壓Vgs用式7表不。Vgs= (Vdata-Vreset)+Vth (TFT)(式 7)也即是，在寫入期間中，在Vgs寫入了對信號電壓Vdata和基準(zhǔn)電壓Vreset的差加上了閾值電壓Vth(TFT)而得到的電壓、即補(bǔ)償了閾值電壓Vth(TFT)的電壓。接著，在時刻t6，當(dāng)選通脈沖fete成為低電平時，與寫入到Vgs的電壓對應(yīng)的電流流向發(fā)光元件0LED。也即是，與補(bǔ)償了閾值電壓Vth(TFT)的電壓對應(yīng)的電流流向發(fā)光元件0LED，因此能夠消除以下問題由于驅(qū)動晶體管3的特性不勻，盡管提供相同的信號電壓 Vdata，也會產(chǎn)生輝度不均。如上所述，本實施方式的顯示裝置100使復(fù)位晶體管2介于柵極線112和驅(qū)動晶體管T3的源極端子之間，將供給至柵極線112的選通脈沖fete的低電平的電壓作為用于檢測驅(qū)動晶體管T3的閾值電壓的電壓。由此，本實施方式的顯示裝置100能夠通過每個發(fā)光像素100三個的晶體管，不掃描電源線而對驅(qū)動晶體管T3的閾值電壓進(jìn)行檢測，對該閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償而使發(fā)光元件 OLED發(fā)光。這樣，由于對驅(qū)動晶體管T3的閾值電壓的不勻進(jìn)行補(bǔ)償，因此能夠消除輝度不均。另外，選通脈沖fete的低電平時的電壓是驅(qū)動晶體管T3的閾值電壓Vth (TFT)以上、且比基準(zhǔn)電壓Vreset低的電壓，因此在復(fù)位[2]期間中，能夠使驅(qū)動晶體管T3的源極端子的電壓成為驅(qū)動晶體管T3的閾值電壓Vth(TFT)以上、且比基準(zhǔn)電壓Vreset低的電壓。也即是，能夠使復(fù)位[2]期間的V2的電壓即VGate(L)成為比Vreset-Vth(TFT)低的電壓。
因此，在之后的Vth檢測期間中，能切實地進(jìn)行驅(qū)動晶體管T3的閾值電壓Vth(TFT)的檢測。另外，在復(fù)位[2]期間選通脈沖fete成為低電平之前，在復(fù)位[1]期間中，使選通脈沖fete為高電平，且使復(fù)位脈沖Rst為低電平。由此，能夠使發(fā)光元件OLED光猝滅。具體而言，在不設(shè)置復(fù)位[1]期間而進(jìn)行了復(fù)位[2]期間的動作的情況下，由于在驅(qū)動晶體管T3的柵極端子上施加前一幀期間的信號電壓Vdata，因此，在復(fù)位期間[2]結(jié)束后，由于該信號電壓Vdata的設(shè)定值，驅(qū)動晶體管T3的柵極和源極端子間電壓會保持閾值電壓Vth(TFT)以上，會流動與Vdata對應(yīng)的電流。其結(jié)果，無法使發(fā)光元件OLED光猝滅。如以上說明的那樣，通過設(shè)置復(fù)位[1]期間，使驅(qū)動晶體管T3的柵極端子的電壓成為基準(zhǔn)電壓Vreset，因此能夠在復(fù)位[2]期間中使驅(qū)動晶體管T3的柵極和源極端子間電壓變成閾值電壓Vth(TFT)以下的截止?fàn)顟B(tài)、并且切實地使V2的電壓變成選通脈沖fete的低電平電壓VGate[L]。本實施方式的顯示裝置100也可以經(jīng)多個水平期間進(jìn)行閾值電壓的檢測。由此，能延長用于使閾值電壓Vth(TFT)保持在電容元件CS的期間，因此保持于電容元件CS的電壓穩(wěn)定，能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的閾值電壓補(bǔ)償。(實施方式1的變形例)圖5是表示經(jīng)多個水平期間對閾值電壓進(jìn)行檢測的情況下的顯示裝置100的動作的定時圖。在圖5中，橫軸表示時間，從上方開始依次表示施加于與第1行的發(fā)光像素對應(yīng)的柵極線112的選通脈沖fete [1]、施加于復(fù)位線113的復(fù)位脈沖Rst [1]、第1行的像素的Vl [1]的電壓波形和第1行的像素的V2[l]的電壓波形、第2 6行的發(fā)光像素的選通脈沖feite[2] fete W]、第2 6行的發(fā)光像素的復(fù)位脈沖Rst [2] Rst W]、以及信號線111的信號線電壓Sig。在圖5中示出與多個發(fā)光像素110的一列對應(yīng)的定時圖。另外，在與每行對應(yīng)的選通脈沖fete[1] [m]和復(fù)位脈沖Rst[l] [m]中，只示出6行。信號線驅(qū)動部130對信號線111，在各水平期間的后半期間供給基準(zhǔn)電壓Vreset，在各水平期間的前半期間供給各信號線111所對應(yīng)的列的顯示像素的信號電壓Vdata。另外，柵極線驅(qū)動部121和復(fù)位線驅(qū)動部122每次挪1個水平期間，向各柵極線112和各復(fù)位線113供給各選通脈沖Gate[l] [6]和各復(fù)位脈沖Rst [1] [6]。首先，在時刻t0 t2的復(fù)位[1]期間和復(fù)位[2]期間中，柵極線驅(qū)動部121和復(fù)位線驅(qū)動部122如在上述實施方式1中說明了的那樣，使選通脈沖成為了一次高電平之后使之成為低電平，使復(fù)位脈沖Rst[1]成為高電平，由此使V2[l]的電壓從基準(zhǔn)電壓Vreset變?yōu)楸乳撝惦妷篤th(TFT)低的電壓。在柵極線驅(qū)動時刻t0的1個水平期間后的時刻tl，第2行的選通脈沖fete[2]變成高電平，開始第2行的復(fù)位[1]期間。接著，在時刻t3，通過使選通脈沖feite[l]成為高電平，Vl變成基準(zhǔn)電壓，在驅(qū)動晶體管T3中流動電流。因此，V2開始上升。接著，在時刻t4，第2行的復(fù)位線113的復(fù)位脈沖Rst [2]和第3行的柵極線112的選通脈沖fete [3]下降。以后，僅在各水平期間的后半期間，選通脈沖變成高電平，從而V2變?yōu)閂reset-Vth (TFT)。如上所述，對信號線111，在各水平期間的后半期間供給基準(zhǔn)電壓Vreset，在各水平期間的前半期間供給與對應(yīng)的列的發(fā)光像素110的輝度對應(yīng)的Vdata。
由此，在Vth檢測期間中，各選通脈沖feite[l] feite[6]在各水平期間的后半期間變成高電平，由此向Vl供給基準(zhǔn)電壓Vreset，因此能夠確保為了檢測驅(qū)動晶體管T3的閾值電壓所需要的期間的一部分。這樣，各選通脈沖fete[1] fete[6]使在水平期間的后半期間變成高電平的動作在多個電平期間反復(fù)，由此能夠充分確保閾值電壓的檢測所需要的時間。另一方面，各選通脈沖fete [1] feite[6]在各水平期間的前半期間為低電平，由此在各水平期間的前半期間，使信號線111和驅(qū)動晶體管T3的柵極端子非導(dǎo)通，不供給信號電壓Vdata。如上所述，本變形例的顯示裝置將各水平期間的后半期間作為閾值電壓Vth(TFT) 的檢測期間，在多個水平期間反復(fù)這樣，由此確保閾值電壓Vth(TFT)的檢測所需要的期間。因此，保持于電容元件CS的電壓穩(wěn)定，其結(jié)果，能夠進(jìn)行高精度的閾值電壓補(bǔ)償。在圖5中，將Vth檢測期間設(shè)成了 4個水平期間，但Vth檢測期間所需要的水平期間不限于4個水平期間，只要能夠確保檢測驅(qū)動晶體管T3的閾值電壓Vth(TFT)所需的足夠的時間即可。(實施方式2)實施方式2的顯示裝置大致與實施方式1的顯示裝置100相同，不同點在于復(fù)位晶體管介于驅(qū)動晶體管的源極端子與設(shè)置在下一行的柵極線之間。由此，即使在將柵極線設(shè)成了激活(active，活躍)狀態(tài)、并且將復(fù)位線設(shè)成了激活狀態(tài)的情況下，也能夠?qū)Ⅱ?qū)動晶體管的源極端子的電壓設(shè)成下一行的柵極線的電壓，因此通過將下一行的柵極線的電壓設(shè)成驅(qū)動晶體管的閾值電壓值以上、且比基準(zhǔn)電壓低的電壓，能夠切實地進(jìn)行驅(qū)動晶體管的閾值電壓的檢測。也即是，與使復(fù)位晶體管與相同行的柵極線連接的情況相比，能夠同時進(jìn)行發(fā)光元件的光猝滅、和驅(qū)動晶體管的源極端子的電壓的設(shè)定，因此，能夠在1幀期間中將更多的時間分配給驅(qū)動晶體管的閾值電壓的檢測。以下，以實施方式2的顯示裝置與實施方式1的顯示裝置100相比的不同點為中心進(jìn)行敘述。以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式2的顯示裝置進(jìn)行說明。圖6為表示實施方式2的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖6示出的顯示裝置200與圖1示出的顯示裝置100相比，不同點在于各光像素 210還與下一行的柵極線112連接。另外，顯示裝置200還具備虛設(shè)(dummy)柵極線201。虛設(shè)柵極線201與多個發(fā)光像素210的最終行的發(fā)光像素210連接，與柵極線112 同樣地通過柵極線驅(qū)動部121進(jìn)行掃描。柵極線驅(qū)動部121對虛設(shè)柵極線201輸出使選通脈沖feite[m]延遲了 1個水平期間的脈沖、即選通脈沖fete[d]。圖7是表示圖6示出的發(fā)光像素210的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的電路圖。圖7示出的發(fā)光像素 210為設(shè)置于第k行的發(fā)光像素210。另外，在圖7中還示出與發(fā)光像素210對應(yīng)的信號線 111、作為第k行的柵極線的柵極線112(k)和作為第k+1行的柵極線的柵極線112(k+l)、以及復(fù)位線113。圖7示出的發(fā)光像素210與圖2示出的發(fā)光像素110相比，代替復(fù)位晶體管T2而具備復(fù)位晶體管T2'。該復(fù)位晶體管Τ2'與實施方式1示出的發(fā)光像素110的復(fù)位晶體管Τ2相比，介于驅(qū)動晶體管Τ3的源極端子和下一行的柵極線112(k+l)之間。通過形成這樣的結(jié)構(gòu)，本實施方式的顯示裝置200的發(fā)光像素210能夠利用下一
16行的柵極線112(k+l)的電壓設(shè)定驅(qū)動晶體管T3的源極端子的電位V2。圖8是表示實施方式2的顯示裝置200的動作的定時圖。在圖8的縱軸上，與圖 3的定時圖相比，還示出了被供給到下一行的柵極線112(k+l)的選通脈沖feteR+l]。選通脈沖fettdk+l]的低電平電壓是表示比Vreset-Vth(TFT)低的值的電壓。首先，在時刻t0，選通脈沖feite[k]從低電平上升到高電平。另外，復(fù)位脈沖Rst 也從低電平上升到高電平。由此，行選擇晶體管Tl導(dǎo)通，同時復(fù)位晶體管T2'也導(dǎo)通。此時，復(fù)位晶體管Τ2'使下一行的柵極線112(k+l)和驅(qū)動晶體管T3的源極端子導(dǎo)通，因此V2變成被供給到下一行的柵極線112 (k+Ι)的選通脈沖feteR+l]的電壓。在該時刻t0，下一行的選通脈沖fettdk+l]為低電平，V2變成VGate(L)。另外，通過行選擇晶體管Tl導(dǎo)通，Vl變成信號線111的電壓。在時刻tl，由于信號線的電壓是基準(zhǔn)電壓Vreset，因此Vl變成Vreset。這樣，本實施方式的顯示裝置200，即使在使發(fā)光像素的同一行的選通脈沖 fete[k]為高電平、且使復(fù)位脈沖Rst為高電平的情況下，也能夠使驅(qū)動晶體管T3的源極端子的電壓變成下一行的柵極線112(k+l)的電壓。在此，下一行的選通脈沖feiteR+l]為低電平，該低電平的電壓是比 Vreset-Vth(TFT)低的電壓，由此能夠切實地進(jìn)行驅(qū)動晶體管T3的閾值電壓Vth (TFT)的檢測。因此，在實施方式1的顯示裝置100中，在Vth檢測期間之前，需要復(fù)位[1]期間和復(fù)位[2]期間，但在本實施方式的顯示裝置200中，與顯示裝置100相比，能以一半的期間進(jìn)行用于閾值電壓檢測的預(yù)備動作。具體而言，在圖8的時刻t0 tl示出的復(fù)位期間中，需要在電容元件CS的一端從信號線111設(shè)定基準(zhǔn)電壓Vreset，在所述電容元件CS的另一端設(shè)定固定電壓，在電容元件CS設(shè)定預(yù)定的電位差的電壓。在實施方式1的顯示裝置100中，為了在電容元件CS設(shè)定預(yù)定的電位差的電壓，劃分為作為復(fù)位[1]期間的圖3的時刻t0 tl、和作為復(fù)位[2] 期間的圖3的時刻tl t2這兩個期間，分成了在電容元件CS的一端設(shè)定基準(zhǔn)電壓Vreset 的期間、和在電容元件CS的另一端設(shè)定固定電壓的期間。與此相對，在本實施方式中，能夠同時形成在電容元件CS的一端設(shè)定基準(zhǔn)電壓Vreset的期間、和在電容元件CS的另一端設(shè)定固定電壓的期間。在此，在圖8的時刻t0 tl，當(dāng)向電容元件CS的一端供給基準(zhǔn)電壓Vreset時，需要使行選擇晶體管Tl導(dǎo)通，選通脈沖feite[k]需要設(shè)成高電平電壓VGate (H)。此時，與下一行對應(yīng)的選通脈沖fete [k+Ι]為低電平電壓VGate (L)。因此，通過使復(fù)位晶體管T2 ‘導(dǎo)通，在電容元件CS的另一端設(shè)定選通脈沖(kite R+1]的電壓、即VGate [L]。也即是，在實施方式1，用于閾值電壓檢測的預(yù)備動作中，將與進(jìn)行該動作的發(fā)光像素110所屬于的行對應(yīng)的柵極線112兼用作用于供給固定電位VGate(L)的電源線。與此相對，在本實施方式中，將與進(jìn)行用于閾值電壓檢測的預(yù)備動作的發(fā)光像素210所屬于的行的下一行對應(yīng)的柵極線112兼用作用于供給固定電位VGate (L)的電源線。由此，本實施方式的顯示裝置200與實施方式1的顯示裝置100相比，能夠以一半的期間在電容元件 CS的另一端設(shè)定固定電位VGate(L)。也即是，與顯示裝置100相比，能夠以一半的期間進(jìn)行用于閾值電壓檢測的預(yù)備動作。
接著，在復(fù)位期間的結(jié)束時刻、即時刻tl，復(fù)位脈沖Rst變成低電平，由此復(fù)位晶體管T2'截止，因此，柵極線112(k+l)和驅(qū)動晶體管T3的源極端子變?yōu)榉菍?dǎo)通。因此，在電容元件CS保持此時的Vl和V2的電位差。以后的動作與圖3中示出的實施方式1的顯示裝置100的定時圖的時刻t3以后是同樣的。下一行的選通脈沖fete[k+Ι]在時刻t4從低電平變成高電平。也即是，從時刻t4開始下一行的復(fù)位期間。下一行的選通脈沖feteR+l]只要在復(fù)位脈沖Rst為高電平的期間、即至少復(fù)位期間為低電平即可，不限于圖8的驅(qū)動定時。另外，本實施方式的顯示裝置200也可以與實施方式1的變形例同樣地經(jīng)多個水平期間進(jìn)行閾值電壓的檢測。(實施方式2的變形例)圖9是表示經(jīng)多個電平期間對閾值電壓進(jìn)行檢測的情況下的顯示裝置200的動作的定時9示出的定時圖與圖5示出的定時圖相比，復(fù)位需要的期間成為1個水平期間。這樣，通過以一半的期間進(jìn)行用于閾值電壓檢測的預(yù)備動作，與實施方式1相比，能夠使Vth檢測期間成為更長的期間，因此能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的閾值電壓補(bǔ)償。在圖9中，將Vth檢測期間設(shè)成了 5個水平期間，但Vth檢測期間需要的水平期間不限于5個水平期間，只要能夠確保檢測驅(qū)動晶體管T3的閾值電壓Vth(TFT)所需的足夠的時間即可。(實施方式3)實施方式3的顯示裝置與實施方式1的顯示裝置100大致相同，不同點在于復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的一方、以及電容元件的另一端，經(jīng)由預(yù)定的元件與驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的一方連接。具體而言，本實施方式的顯示裝置具備的多個發(fā)光像素各自與實施方式1的顯示裝置100具備的多個發(fā)光像素各自相比較，還具備第2開關(guān)晶體管，所述第2開關(guān)晶體管具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，該源極端子和該漏極端子的一方與復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的一方、以及電容元件的另一端連接，源極端子和漏極端子的另一方與驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的一方連接。以下，參照附圖對實施方式3的顯示裝置進(jìn)行說明。圖10是表示實施方式3的顯示裝置具有的發(fā)光像素的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的電路圖。在圖10中還示出與發(fā)光像素310對應(yīng)的信號線111、柵極線112、復(fù)位線113以及合并(merge)線301。另外，在圖10中對本實施方式的顯示裝置具有的多個發(fā)光像素中的1個發(fā)光像素的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，其他的發(fā)光像素也具有同樣的結(jié)構(gòu)。首先，對本實施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。本實施方式的顯示裝置具有與圖1示出的顯示裝置100大致相同的結(jié)構(gòu)，與顯示裝置100相比，不同點在于代替發(fā)光像素110而具有發(fā)光像素310，還具有與多個發(fā)光像素310的每一行對應(yīng)而設(shè)置的合并線301。合并線301與多個發(fā)光像素310的每一行對應(yīng)而設(shè)置，從行掃描部120輸出合并脈沖Merge。換言之，本實施方式的顯示裝置的行掃描部與實施方式1的顯示裝置100的行掃描部120相比，還通過向各合并線301輸出合并脈沖Merge，以行為單位對多個發(fā)光像素310依次進(jìn)行掃描。接著，對圖10示出的發(fā)光像素的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。發(fā)光像素310與實施方式1的顯示裝置100具有的發(fā)光像素110相比，不同點在于復(fù)位晶體管T2的源極端子和漏極端子的一方、以及電容元件CS的另一端，經(jīng)由合并晶體管Tm與驅(qū)動晶體管T3的源極端子連接。具體而言，發(fā)光像素310與發(fā)光像素110相比， 還具備合并晶體管Tm和合并電容CSm。合并晶體管Tm是本發(fā)明的第2開關(guān)晶體管，例如是η型的TFT，其具備柵極端子、 源極端子、以及漏極端子，該源極端子和該漏極端子的一方與復(fù)位晶體管Τ2的源極端子和漏極端子的一方和電容元件CS的另一端連接，該源極端子和該漏極端子的另一方與驅(qū)動晶體管Τ3的源極端子連接。該合并晶體管Tm的柵極端子與合并線301連接。也即是，合并晶體管Tm根據(jù)供給至合并線301的合并脈沖Merge而導(dǎo)通和截止。合并電容CSm介于合并晶體管Tm、電容元件CS、以及復(fù)位晶體管T2的連接點與電壓VSS的電源線之間。通過這樣的結(jié)構(gòu)，具有多個發(fā)光像素310的本實施方式的顯示裝置能夠抑制由發(fā)光元件OLED的寄生電容的不勻引起的驅(qū)動晶體管T3供給至發(fā)光元件OLED的電流、即像素電流的變動。例如，能夠在信號線驅(qū)動部130向多個發(fā)光像素310供給了相同的信號電壓的情況下，抑制各發(fā)光像素310的發(fā)光元件OLED和驅(qū)動晶體管T3的連接點的電位的不勻。 因此，能夠降低發(fā)光元件OLED的寄生電容的影響，能夠以與信號電壓對應(yīng)的準(zhǔn)確的發(fā)光輝度使發(fā)光元件OLED發(fā)光。接著，使用圖11和圖12對本實施方式的顯示裝置的驅(qū)動方法進(jìn)行說明。圖11是表示實施方式3的顯示裝置的動作的定時圖。在圖11的縱軸上，與圖3 的定時圖相比，還示出供給至合并線301的合并脈沖Merge。在圖3中，V2為驅(qū)動晶體管 T3的源極端子的電位，但在圖11中，V2為復(fù)位晶體管T2的源極端子和漏極端子的一方與電容元件CS的另一端的連接點的電位。圖11示出的各波形中，選通脈沖Gate、復(fù)位脈沖Rst、以及信號線電壓Sig的波形與圖3示出的實施方式1的顯示裝置100的選通脈沖fete、復(fù)位脈沖Rst、以及信號線電壓 Sig的波形相同。因此，以合并脈沖Merge、Vl和V2的波形為中心進(jìn)行說明。首先，在到時刻t5為止的期間中，通過使合并脈沖Merge為高電平，使合并晶體管 Tm導(dǎo)通。通過合并晶體管Tm導(dǎo)通，驅(qū)動晶體管T3的源極端子和電容元件CS的另一端導(dǎo)通。也即是，在到時刻t5為止的期間中，發(fā)光像素310與發(fā)光像素110等價。圖12是示意表示實施方式3的顯示裝置的發(fā)光像素310的電流流動的圖。在此，將合并脈沖Merge的高電平電壓設(shè)為VMerge (H)，將合并脈沖Merge的低電平電壓設(shè)為 VMerge(L)。如上所述，到時刻t5為止的發(fā)光像素310的動作與圖3示出的發(fā)光像素110的到時刻t5為止的動作是同樣的，因此圖12(a) (c)中的電流的流動與圖4(a) (c)示出的電流的流動是同樣的。接著，在時刻t5，合并脈沖Merge從高電平下降成低電平。由此，合并晶體管 Tm截止。合并脈沖Merge從高電平下降成低電平的定時，只要是Vl和V2的電位差變成 Vth(TFT)、在驅(qū)動晶體管T3中流動的電流停止后即可，不限于圖11示出的定時。
之后，在時刻t6 t7(與圖3的時刻t5 t6對應(yīng))的寫入期間中，使合并脈沖 Merge保持為低電平，在此情況下對信號線111施加信號電壓。當(dāng)這樣對發(fā)光像素310施加了信號電壓時，電容元件CS的另一端的電位V2，由施加于電容元件CS的一端的信號電壓、與合并電容CSm連接的電源線的電壓VSS、電容元件 CS的電容Cs、以及合并電容CSm的電容Csm來確定。也即是，V2由電容元件CS的電容Cs 和合并電容CSm的電容Csm的容量分配來規(guī)定。與此相對，當(dāng)向?qū)嵤┓绞?的顯示裝置100的發(fā)光像素110施加了信號電壓時，V2 的電位由施加于Vl的信號電壓、與發(fā)光像素OLED的陰極連接的電源線的電壓VSS、電容元件CS的電容Cs、以及發(fā)光元件OLED的寄生電容決定。也即是，V2的電位由電容元件CS的電容Cs、以及發(fā)光元件OLED的寄生電容規(guī)定。但是，發(fā)光元件OLED的陽極-陰極間的寄生電容在每個發(fā)光元件OLED存在不勻，因此即使在向多個發(fā)光像素110供給了相同的信號電壓的情況下，發(fā)光像素110之間的、發(fā)光元件OLED和驅(qū)動晶體管T3的連接點的電位也會不相同，會具有不勻。因此，由于發(fā)光元件OLED和驅(qū)動晶體管T3的連接點的電位的不勻，供給至發(fā)光元件OLED的電流也不勻。本實施方式的顯示裝置的發(fā)光像素310，經(jīng)由合并晶體管Tm將電容元件CS的另一端和驅(qū)動晶體管T3的源極端子連接，在使合并晶體管Tm截止的期間對發(fā)光像素310寫入信號電壓，由此能夠降低發(fā)光元件OLED的寄生電容對于V2的電位的影響。另外，在對發(fā)光元件310寫入信號電壓的期間中合并晶體管Tm截止，因此能夠抑制電容元件CS的自放電電流。因此，與實施方式1的顯示裝置100中的發(fā)光像素相比，能夠精度更高地檢測驅(qū)動晶體管T3的閾值，并進(jìn)行修正。接著，在時刻t7，選通脈沖變成低電平、行選擇晶體管Tl截止，由此與供給至驅(qū)動晶體管T3的柵極端子的電壓對應(yīng)的電流開始流向發(fā)光元件0LED。并且，在時刻偽，使合并脈沖Merge從低電平上升為高電平、使合并晶體管Tm導(dǎo)通，由此驅(qū)動晶體管T3的源極端子和電容元件Cs連接。由此，在發(fā)光元件OLED中流動與驅(qū)動晶體管T3的柵極-源極端子之間的電壓Vgs對應(yīng)的電流。換言之，在時刻t6 t7的寫入期間中，在發(fā)光元件OLED中流動與降低了發(fā)光元件OLED的寄生電容的影響的電位V2和電位Vl的電位差對應(yīng)的電流。其結(jié)果，能降低發(fā)光元件OLED的寄生電容的影響，在發(fā)光元件OLED中流動與信號電壓準(zhǔn)確對應(yīng)的電流。由此，能夠與信號電壓對應(yīng)而使發(fā)光元件高精度地發(fā)光。這樣，合并晶體管Tm在作為檢測驅(qū)動晶體管T3的閾值的期間的時刻t3 t4持續(xù)導(dǎo)通，在閾值的檢測后的時刻t5從導(dǎo)通切換成截止，在作為寫入期間的時刻t6 t7持續(xù)截止，在寫入期間后(時刻t7以后)的時刻偽從截止切換成導(dǎo)通。如上所述，本實施方式的顯示裝置具備的多個發(fā)光像素310各自與實施方式1的顯示裝置100具備的多個發(fā)光像素110各自相比，還具備合并晶體管Tm，所述合并晶體管 Tm具備柵極端子、源極端子、以及漏極端子，該源極端子和該漏極端子的一方與復(fù)位晶體管 T2的源極端子和漏極端子的一方、以及電容元件CS的另一端連接，該源極端子和該漏極端子的另一方與驅(qū)動晶體管T3的源極端子連接。由此，能夠抑制由發(fā)光元件OLED的寄生電容的不勻引起的驅(qū)動晶體管T3供給至發(fā)光元件OLED的電流、即像素電流的變動。也即是，能夠在信號線驅(qū)動部130向多個發(fā)光像素310供給了相同的信號電壓的情況下，抑制各發(fā)光像素310的驅(qū)動晶體管T3的柵極端子和源極端子的電位差的不勻。因此，能夠防止發(fā)光元件OLED的寄生電容的影響，能夠根據(jù)信號電壓高精度地使發(fā)光元件OLED發(fā)光。在上述說明中，合并電容CSm介于合并晶體管Tm、電容元件CS、以及復(fù)位晶體管T2的連接點與電壓VSS的電源線之間，但連接的電源線不限于VSS，只要是固定電壓即可。例如，合并電容CS也可以介于合并晶體管Tm、電容元件Cs、以及復(fù)位晶體管T2的連接點與電壓VDD的電源線之間。另外，也可以代替實施方式3的顯示裝置的發(fā)光像素310的復(fù)位晶體管T2而具備實施方式2的顯示裝置的發(fā)光像素210示出的復(fù)位晶體管T2'。也即是，也可以具備介于與該發(fā)光像素的下一行對應(yīng)的柵極線112和電容元件CS、合并電容CSm、以及合并晶體管Tm的連接點之間的復(fù)位晶體管T2'。另外，在本實施方式的顯示裝置中，以1個水平期間對閾值電壓進(jìn)行了檢測，但與實施方式2的變形例同樣地，也可以經(jīng)多個水平期間對閾值電壓進(jìn)行檢測。以上，基于本發(fā)明的實施方式以及變形例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于這些實施方式以及變形例。在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，對本實施方式和變形例實施本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠想到的各種變形而得到的方式、通過組合不同的實施方式和變形例中的構(gòu)成要素而實現(xiàn)的方式也包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，在實施方式2中，第1開關(guān)晶體管和復(fù)位晶體管分別采用了施加于柵極端子的脈沖為高電平時導(dǎo)通的η型晶體管，但它們也可以由ρ型晶體管構(gòu)成，可以使柵極線和復(fù)位線的極性反轉(zhuǎn)。另外，在實施方式3中，合并電容CSm介于合并晶體管Tm、電容元件CS、以及復(fù)位晶體管Τ2的連接點和電壓VSS的電源線之間，但合并電容CSm并不一定需要與電源線連接。例如也可以將復(fù)位線的低電平輸出期間當(dāng)作電源線，使合并電容CSm與復(fù)位線連接。另外，例如，本發(fā)明的顯示裝置能內(nèi)置在如圖13所示的薄型平板TV中。通過內(nèi)置本發(fā)明的顯示裝置，實現(xiàn)能夠進(jìn)行沒有輝度不均的高精度的圖像顯示的薄型平板TV。另外，上述各實施方式的顯示裝置作為典型的集成電路的一個LSI (大規(guī)模集成電路)而得以實現(xiàn)。各實施方式的顯示裝置所包括的各處理部可以各自形成1個芯片，也可以形成1個芯片以使得包括各處理部的一部分或所有的處理部。在此，雖然采用了 LSI，但由于集成度的不同，有時也會被稱為IC、系統(tǒng)LSI、超大規(guī)模集成電路、特大規(guī)模集成電路。另外，集成電路化不限于LSI，也可以將顯示裝置所包括的處理部的一部分集成在與發(fā)光像素相同的基板上。另外，也可以通過專用電路或者通用處理器來實現(xiàn)。也可以利用能夠在LSI制造后進(jìn)行編程的FPGA(Field Programmable Gate Array，現(xiàn)場可編程門陣列)、或者能夠使LSI內(nèi)部的電路單元的連接和/或設(shè)定進(jìn)行再構(gòu)成的可重構(gòu)處理器。另外，各實施方式的顯示裝置所包括的驅(qū)動部的功能的一部分可以通過CPU等的處理器執(zhí)行程序來實現(xiàn)。另外，本發(fā)明也可以作為包括通過上述驅(qū)動部實現(xiàn)的特征性步驟的顯示裝置的驅(qū)動方法來實現(xiàn)。進(jìn)一步，本發(fā)明可以是上述程序，也可以是記錄上述程序的記錄介質(zhì)。另外，上述程序當(dāng)然也可以經(jīng)由互聯(lián)網(wǎng)等的傳遞介質(zhì)進(jìn)行流通。
另外，在上述說明中，以顯示裝置為有源矩陣型的有機(jī)EL顯示裝置的情況為例進(jìn)行了敘述，但也可以將本發(fā)明應(yīng)用于有源矩陣型以外的有機(jī)EL顯示裝置，可以應(yīng)用于使用了電流驅(qū)動型的發(fā)光元件的有機(jī)EL顯示裝置以外的顯示裝置，可以應(yīng)用于液晶顯示裝置等的使用了電壓驅(qū)動型的發(fā)光元件的顯示裝置。另外，在上述實施方式1的變形例和實施方式2的變形例中，將各水平期間的后半期間設(shè)為了閾值電壓的檢測期間，將前半期間設(shè)為了信號電壓的寫入期間，但該檢測期間和寫入期間的占空比不限于50%。例如，寫入期間可以是1個水平期間的10%，檢測期間可以是1個水平期間的90%。另外，在上述實施方式2中，第m行的發(fā)光像素110具有的復(fù)位晶體管T2'與虛設(shè)柵極線201連接，但也可以與第1行 第m行的柵極線112的任一條連接。另外，在驅(qū)動晶體管T3的源極端子和電源線之間可以具備電容元件。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的顯示裝置特別適于應(yīng)用于組合了 TFT的大畫面有源矩陣型的有機(jī)EL顯示面板。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，具備配置成陣列狀的多個發(fā)光像素，所述顯示裝置具備柵極線和復(fù)位線，其與所述多個發(fā)光像素的每行對應(yīng)而設(shè)置；和信號線，其與所述多個發(fā)光像素的每列對應(yīng)而設(shè)置，所述多個發(fā)光像素各自具備第1開關(guān)晶體管，其具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，所述源極端子和所述漏極端子的一方與所述信號線連接，所述柵極端子與所述柵極線連接；發(fā)光元件，其通過流動電流來進(jìn)行發(fā)光；驅(qū)動晶體管，其具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，所述柵極端子與所述第1開關(guān)晶體管的源極端子和漏極端子的另一方連接，所述源極端子和所述漏極端子的一方與所述發(fā)光元件連接，向所述發(fā)光元件供給電流；復(fù)位晶體管，其具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，所述柵極端子與所述復(fù)位線連接，所述源極端子和所述漏極端子的一方與所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方連接；以及電容元件，其一端與所述驅(qū)動晶體管的柵極端子連接，另一端與所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方連接，所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的另一方與對應(yīng)于所述多個發(fā)光像素的某一行而設(shè)置的柵極線連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還具備驅(qū)動部，其在使連接了所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的所述另一方的柵極線處于使所述第1開關(guān)晶體管截止的非激活狀態(tài)的期間，使所述復(fù)位線處于使所述復(fù)位晶體管導(dǎo)通的激活狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，所述驅(qū)動部還向多條所述信號線選擇性地供給基準(zhǔn)電壓和比所述基準(zhǔn)電壓大的信號電壓，各柵極線的非激活狀態(tài)下的電壓為所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓值以上、且比所述基準(zhǔn)電壓低的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的所述另一方與設(shè)置于相同行的柵極線連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，所述驅(qū)動部還在使所述設(shè)置于相同行的柵極線非激活之前，使所述柵極線處于使所述第1開關(guān)晶體管導(dǎo)通的激活狀態(tài)，并且使所述復(fù)位線處于使所述復(fù)位晶體管截止的非激活狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的所述另一方與設(shè)置于下一行的柵極線連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中的任一項所述的顯示裝置，所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方、以及所述電容元件的所述另一端，經(jīng)由預(yù)定的元件與所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，所述多個發(fā)光像素各自還具備第2開關(guān)晶體管，所述第2開關(guān)晶體管具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，所述源極端子和所述漏極端子的一方與所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方、以及所述電容元件的所述另一端連接，所述源極端子和所述漏極端子的另一方與所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 8中的任一項所述的顯示裝置，所述驅(qū)動晶體管、所述第1開關(guān)晶體管以及所述復(fù)位晶體管各自為η型晶體管元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求1 9中的任一項所述的顯示裝置，所述發(fā)光元件為有機(jī)電致發(fā)光元件。
11.一種顯示裝置的驅(qū)動方法，所述顯示裝置具備多個發(fā)光像素，其配置成陣列狀；柵極線和復(fù)位線，其與所述多個發(fā)光像素的每行對應(yīng)而設(shè)置；信號線，其與所述多個發(fā)光像素的每列對應(yīng)而設(shè)置，被選擇性地供給基準(zhǔn)電壓和比所述基準(zhǔn)電壓大的信號電壓，所述多個發(fā)光像素各自具備第1開關(guān)晶體管，其具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，所述源極端子和所述漏極端子的一方與所述信號線連接，所述柵極端子與所述柵極線連接；發(fā)光元件，其通過流動電流來進(jìn)行發(fā)光；驅(qū)動晶體管，其具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，所述柵極端子與所述第1開關(guān)晶體管的源極端子和漏極端子的另一方連接，所述源極端子和所述漏極端子的一方與所述發(fā)光元件連接，向所述發(fā)光元件供給電流；復(fù)位晶體管，其具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，所述柵極端子與所述復(fù)位線連接，所述源極端子和所述漏極端子的一方與所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方連接；以及電容元件，其一端與所述驅(qū)動晶體管的所述柵極端子連接，另一端與所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方連接，所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的另一方與對應(yīng)于所述多個發(fā)光像素的某一行而設(shè)置的柵極線連接，所述顯示裝置的驅(qū)動方法包括復(fù)位步驟，所述復(fù)位步驟中，通過使所述第1開關(guān)晶體管截止，并且使所述復(fù)位晶體管導(dǎo)通，使所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方為所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓值以上、且比所述基準(zhǔn)電壓低的電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置的驅(qū)動方法，還包括檢測步驟，在所述復(fù)位步驟之后，通過使所述第1開關(guān)晶體管導(dǎo)通，對所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓進(jìn)行檢測；保持步驟，使通過檢測步驟檢測出的所述閾值電壓保持于所述電容元件；寫入步驟，在所述保持步驟之后，向所述驅(qū)動晶體管的柵極端子供給用于使所述發(fā)光元件發(fā)光的信號電壓；以及發(fā)光步驟，在所述寫入步驟之后，通過使所述第1開關(guān)晶體管截止，使與所述驅(qū)動晶體管的柵極端子和源極端子之間的電位差對應(yīng)的電流在所述發(fā)光元件中流動，使所述發(fā)光元件發(fā)光。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置的驅(qū)動方法， 所述檢測步驟包括第1子步驟，使所述第1開關(guān)晶體管導(dǎo)通；和第2子步驟，在所述第1子步驟之后，使所述第1開關(guān)晶體管截止， 在所述第2子步驟之后，使所述第1子步驟和所述第2子步驟至少反復(fù)一次。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置的驅(qū)動方法，在所述第1子步驟中，向設(shè)置于與所述第1開關(guān)晶體管相同的列的所述信號線供給所述基準(zhǔn)電壓，在所述第2子步驟中，向所述信號線供給所述信號電壓或者所述基準(zhǔn)電壓。
15.根據(jù)權(quán)利要求12 14中的任一項所述的顯示裝置的驅(qū)動方法，所述多個發(fā)光像素各自還具備第2開關(guān)晶體管，所述第2開關(guān)晶體管具備柵極端子、源極端子以及漏極端子，所述源極端子和所述漏極端子的一方與所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方、以及所述電容元件的所述另一端連接，所述源極端子和所述漏極端子的另一方與所述驅(qū)動晶體管的源極端子和漏極端子的所述一方連接， 在所述檢測步驟中，在使所述第2開關(guān)晶體管導(dǎo)通了的狀態(tài)下，使所述第1開關(guān)晶體管導(dǎo)通，對所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓進(jìn)行檢測， 在所述保持步驟中，通過將所述第2開關(guān)晶體管從導(dǎo)通切換成截止，使通過所述檢測步驟檢測出的所述閾值電壓保持于所述電容元件， 在所述寫入步驟中，通過在所述第1開關(guān)晶體管導(dǎo)通的期間向所述信號線供給所述信號電壓，在使所述第 2開關(guān)晶體管截止了的狀態(tài)下向所述驅(qū)動晶體管的柵極端子供給所述信號電壓， 在所述發(fā)光步驟中，在將所述第1開關(guān)晶體管從導(dǎo)通切換成了截止之后，通過將所述第2開關(guān)晶體管從截止切換成導(dǎo)通，使與所述驅(qū)動晶體管的柵極端子和源極端子之間的電位差對應(yīng)的電流在所述發(fā)光元件中流動，使所述發(fā)光元件發(fā)光。
16.根據(jù)權(quán)利要求11 15中的任一項所述的顯示裝置的驅(qū)動方法，所述復(fù)位晶體管的源極端子和漏極端子的所述另一方與設(shè)置于相同行的柵極線連接， 所述顯示裝置的驅(qū)動方法還包括光猝滅步驟，所述光猝滅步驟中，通在所述復(fù)位步驟之前，使所述第1開關(guān)晶體管導(dǎo)通，并且使所述復(fù)位晶體管截止，使所述發(fā)光元件光猝滅。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置及其驅(qū)動方法。本發(fā)明的顯示裝置具備配置成陣列狀的多個發(fā)光像素(110)、與每行對應(yīng)的柵極線(112)和復(fù)位線(113)、以及與每列對應(yīng)的信號線(111)，各發(fā)光像素(110)具備發(fā)光元件(OLED)、向發(fā)光元件(OLED)供給電流的驅(qū)動晶體管(T3)、行選擇晶體管(T1)、柵極端子與復(fù)位線(113)連接且源極端子和漏極端子的一方與驅(qū)動晶體管(T3)的源極端子連接的復(fù)位晶體管(T2)、以及介于驅(qū)動晶體管(T3)的柵極端子和源極端子之間的電容元件(CS)，復(fù)位晶體管(T2)的源極端子和漏極端子的另一方與對應(yīng)于多個發(fā)光像素(110)的某一行的柵極線(112)連接。
文檔編號G09F9/30GK102388414SQ20108001155
公開日2012年3月21日 申請日期2010年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月22日
發(fā)明者松井雅史 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社