專利名稱：電泳顯示裝置以及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有電泳顯示元件的顯示裝置以及其制造方法。其中電泳 顯示元件是如下元件通過對(duì)夾持有分散在溶劑中的微粒子的電極施加電壓， 使該微粒子運(yùn)動(dòng)或旋轉(zhuǎn)，而改變放射率來顯示圖像。本發(fā)明尤其涉及將使用微 晶半導(dǎo)體形成溝道區(qū)域的薄膜晶體管(以下稱為TFT)與電泳顯示元件組合而
形成的電泳顯示裝置以及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，電子紙(也稱為數(shù)碼紙或類紙顯示(paper-like display))引 人注目，并且其一部分己被實(shí)際應(yīng)用。電子紙的最終目標(biāo)形狀是如下像紙一 樣薄且可見度好，并且能夠改寫，而且即使關(guān)掉電源，也可以維持顯示狀態(tài)。
在電子紙的技術(shù)中，稱為電泳方式的方式是如下方式通過利用以電場(chǎng)促 進(jìn)微粒子的運(yùn)動(dòng)或旋轉(zhuǎn)的現(xiàn)象來顯示圖像。在專利文件1中公開了電泳方式的 電子紙(以下稱為電泳顯示裝置)。根據(jù)專利文件l，作為控制每個(gè)像素中的電 極之間的電壓的開關(guān)元件，使用薄膜晶體管(TFT)。作為開關(guān)元件，使用由非 晶半導(dǎo)體膜(非晶硅等)形成的薄膜晶體管、或由多晶半導(dǎo)體膜(低溫多晶硅 等)形成的薄膜晶體管等。另外，作為多晶半導(dǎo)體膜的形成方法，已知如下技 術(shù)用光學(xué)系統(tǒng)將脈沖振蕩的受激準(zhǔn)分子激光加工成線狀，使用線狀的激光束
對(duì)非晶硅膜進(jìn)行掃描、同時(shí)照射，由此進(jìn)行結(jié)晶化。日本專利申請(qǐng)公開2006-251093號(hào)公報(bào)
在專利文件1中，由多晶半導(dǎo)體膜形成的薄膜晶體管的遷移率比由非晶半 導(dǎo)體膜形成的薄膜晶體管的遷移率高兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上，而且具有在同一襯底上 一體化地形成電泳顯示裝置的像素部和其外圍的驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)點(diǎn)。但是，跟使 用非晶半導(dǎo)體膜相比，當(dāng)使用多晶半導(dǎo)體膜時(shí)，用于進(jìn)行半導(dǎo)體膜的結(jié)晶化的
工序復(fù)雜，由此有成品率降低且成本高的問題。
為了代替現(xiàn)有的使用紙的信息媒體，電子紙技術(shù)之一的電泳顯示裝置需要
制造為像雜志或報(bào)紙那樣能夠折疊的大面積顯示媒體。因此，將由有機(jī)半導(dǎo)體 層形成的薄膜晶體管設(shè)置在柔性襯底上的結(jié)構(gòu)雖然可以制造為能夠折疊的大 面積顯示媒體，但是為了獲得動(dòng)態(tài)圖像等的良好的顯示，還需要改善遷移率等 的電特性。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供具有電特性高且可靠性高的薄膜晶 體管、重量輕且具有柔軟性的電泳顯示裝置以及其制造方法。
在具有反交錯(cuò)型薄膜晶體管的電泳顯示裝置的反交錯(cuò)型薄膜晶體管中，在 柵電極上形成柵極絕緣膜，在柵極絕緣膜上形成用作溝道形成區(qū)域的微晶半導(dǎo) 體膜(也稱為半晶半導(dǎo)體膜)，在微晶半導(dǎo)體膜上形成緩沖層，在緩沖層上形 成一對(duì)源區(qū)域及漏區(qū)域，形成與源區(qū)域及漏區(qū)域接觸的一對(duì)源電極及漏電極。 該反交錯(cuò)型薄膜晶體管被柔性襯底夾持而設(shè)置，而薄膜晶體管設(shè)置有由像素電 極電連接的電泳顯示元件。電泳顯示元件是被覆蓋像素電極的端部地設(shè)置的隔 壁層圍繞而設(shè)置在像素電極上的結(jié)構(gòu)。
此外，源電極及漏電極的端部和源區(qū)域及漏區(qū)域的端部不一致，并在源電 極及漏電極的端部的外側(cè)形成源區(qū)域及漏區(qū)域的端部。源電極及漏電極的端部 和源區(qū)域及漏區(qū)域的端部不一致，并在源電極及漏電極的端部的外側(cè)形成源區(qū) 域及漏區(qū)域的端部，因此源電極及漏電極的端部的距離變長(zhǎng)，從而可以防止源 電極及漏電極之間的漏電流及短路。另外，在源電極及漏電極以及源區(qū)域及漏 區(qū)域的端部中沒有集中電場(chǎng)，從而可以防止柵電極和源電極及漏電極之間的漏 電流。
此外，緩沖層的一部分具有凹部，并且該凹部的側(cè)面與源區(qū)域及漏區(qū)域的 端部一致。由于緩沖層的一部分具有凹部而使源區(qū)域及漏區(qū)域之間的距離變 長(zhǎng)，因此可以減少源區(qū)域及漏區(qū)域之間產(chǎn)生的漏電流。
此外，在微晶半導(dǎo)體膜和源區(qū)域及漏區(qū)域之間形成有緩沖層。微晶半導(dǎo)體 膜用作溝道形成區(qū)域。另外，緩沖層在防止微晶半導(dǎo)體膜的氧化的同時(shí)用作高 電阻區(qū)域。在微晶半導(dǎo)體膜和源區(qū)域及漏區(qū)域之間形成有緩沖層，由此，本發(fā) 明的薄膜晶體管的遷移率高，且漏電流少，而且耐壓性高。
采用非晶半導(dǎo)體膜作為緩沖層。再者，優(yōu)選采用包含氮、氫、鹵素中的任
何一種以上的非晶半導(dǎo)體膜。通過使非晶半導(dǎo)體膜包含氮、氫、鹵素中的任何 一種，可以減少包含在微晶半導(dǎo)體膜中的晶粒的氧化。
可以通過等離子體CVD法、濺射法等形成緩沖層。此外，在形成非晶半導(dǎo) 體膜之后，通過對(duì)于非晶半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行使用氮等離子體、氫等離子體、 或鹵素等離子體的處理，來可以使非晶半導(dǎo)體膜的表面氮化、氫化、或鹵素化。
通過在微晶半導(dǎo)體膜的表面上設(shè)置緩沖層來可以減少包含在微晶半導(dǎo)體 膜中的晶粒的氧化，因此可以減少薄膜晶體管的電特性的退化。
與多晶半導(dǎo)體膜不同，微晶半導(dǎo)體膜可以直接形成在襯底上。具體而言， 可以將氫化硅作為原料氣體并使用等離子體CVD裝置來形成微晶半導(dǎo)體膜。通 過上述方法制造的微晶半導(dǎo)體膜也包括在非晶半導(dǎo)體中含有0. 5nni至20nm的 晶粒的微晶半導(dǎo)體膜。因此，與使用多晶半導(dǎo)體膜的情況不同，不需要在形成 半導(dǎo)體膜之后進(jìn)行晶化工序。因此，可以縮減制造薄膜晶體管時(shí)的工序數(shù)，并 且還可以提高電泳顯示裝置的成品率并抑制成本。此外，使用頻率為lGHz以 上的微波的等離子體具有高電子密度，從而容易離解原料氣體的氫化硅。因此， 與頻率為幾十MHz至幾百M(fèi)Hz的微波等離子體CVD法相比，可以較容易制造微 晶半導(dǎo)體膜，并可以提高成膜速度。因而，可以提高電泳顯示裝置的批量生產(chǎn) 性。
此外，使用微晶半導(dǎo)體膜制造薄膜晶體管(TFT)，并且將該薄膜晶體管使 用于像素部、驅(qū)動(dòng)電路來制造電泳顯示裝置。使用微晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管 的遷移率為1 cm7V sec至20cmW sec，是使用非晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管 的2倍至20倍。因此可以將驅(qū)動(dòng)電路的一部分或全部形成于與像素部相同的 襯底上，來形成系統(tǒng)型面板(system on panel)。
此外，電泳顯示裝置包括電泳顯示元件。另外，電泳顯示裝置還包括電泳 顯示元件被密封于襯底上的狀態(tài)的面板、以及在該面板上安裝有包括控制器的 IC等的狀態(tài)的模塊。
注意，本說明書中的電泳顯示裝置是指使用如下電泳顯示元件進(jìn)行顯示的 裝置作為被襯底夾持的電泳顯示元件，使用微膠囊方式、垂直型電泳方式、 或水平型電泳方式中的任何一種。如下模塊也都包括在電泳顯示裝置中安裝 有連接器如FPC (柔性印刷襯底)、TAB (帶式自動(dòng)接合)膠帶、或TCP (帶載
封裝)的模塊；TAB膠帶及TCP的前端設(shè)置有印刷布線板的模塊；或通過COG (玻璃覆晶)方式將IC (集成電路)直接安裝在電泳顯示元件中的模塊。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有電特性高且可靠性高的薄膜晶體管、重量輕且 具有柔軟性的電泳顯示裝置以及其制造方法。


圖1A至IC是示出電泳顯示裝置的制造工序的截面圖； 圖2A至2C是示出電泳顯示裝置的制造工序的截面圖； 圖3A和3B是示出電泳顯示裝置的制造工序的截面圖； 圖4是說明電泳顯示裝置的圖5A和5B是示出電泳顯示裝置中包括的像素的俯視圖及其縱截面圖6A至6C是示出電泳顯示裝置的外觀圖7A至7C是示出電泳顯示裝置的制造工序的截面圖8A和8B是示出電泳顯示裝置的制造工序的截面圖9A和9B是示出電泳顯示裝置的俯視圖及其截面圖IOA至IOC是示出電泳顯示裝置的利用方式的圖。
本發(fā)明的選擇圖為圖5A和5B。
具體實(shí)施例方式
下面，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式將參照附圖給予說明。但是，所屬技術(shù) 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)，就是本發(fā)明可以以多個(gè) 不同形式來實(shí)施，其方式和詳細(xì)內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式而不脫 離本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在本實(shí)施 方式所記載的內(nèi)容中。
實(shí)施方式1
在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D1A至圖6C說明電泳顯示裝置的制造工序，尤其 是具有薄膜晶體管的像素的制造工序。圖1A至圖3B是示出薄膜晶體管的制造 工序的截面圖，圖4是說明電泳顯示元件的圖，圖5A至圖5B是示出在像素中 的薄膜晶體管以及像素電極的連接區(qū)域的俯視圖及其縱截面圖。圖6是示 出電泳顯示裝置的外觀的圖。
具有微晶半導(dǎo)體膜的n溝道型薄膜晶體管更優(yōu)選用于驅(qū)動(dòng)電路，因?yàn)?br> 其遷移率高于具有微晶半導(dǎo)體膜的P溝道型薄膜晶體管的遷移率。優(yōu)選使 形成在相同襯底上的所有薄膜晶體管的極性為相同，以抑制工序數(shù)的增加。
在此，使用n溝道型的薄膜晶體管而進(jìn)行說明。
如圖1A所示，在第一柔性襯底50上形成柵電極51。第一柔性襯底選 自聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜 (PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亞胺等，而其實(shí)用的厚度為10um至200um。
當(dāng)然，也可以設(shè)定為比此厚度厚，其對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)來說無關(guān)緊要。另外， 在第一柔性襯底50及第二柔性襯底的表面上優(yōu)選由無機(jī)絕緣材料形成厚度 為10nm至200nm的阻擋層。另外，第二柔性襯底相當(dāng)于相對(duì)襯底，之后該 相對(duì)襯底與第一柔性襯底50—起夾持電泳顯示元件，而至少具有透光性。 阻擋層具有由A10xN卜x (x=0. 01atomicy。至20atomic%)或氮化硅形成的一層或 多個(gè)層所構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。該氮化硅不包含氫，是通過高頻濺射法以硅為 靶子且使用氮且作為濺射氣體來形成的。該無機(jī)絕緣材料致密地形成，它 作為從外部環(huán)境侵入的水蒸氣或有機(jī)物氣體的阻擋層。形成阻擋層的目的 在于防止電泳顯示元件因水蒸氣或有機(jī)物氣體而退化。
注意，在本說明書中，第一、第二、第三、至第N (N是自然數(shù))的 用語是為了避免結(jié)構(gòu)要素的混淆而表示，而不是用來限制個(gè)數(shù)的。
柵電極51可以使用鈦、鉬、鉻、鉭、鎢、鋁等的已知的金屬材料， 但是優(yōu)選通過絲網(wǎng)印刷法、輥式涂布法由包含金屬材料的導(dǎo)電膏形成為預(yù)定形 狀。由導(dǎo)電膏形成為預(yù)定圖案而干燥后，以IO(TC至20(TC使它固化而獲得1 y m至5nm的厚度。
此外，柵電極51也可以以如下方法形成在第一柔性襯底50上形成 導(dǎo)電膜，在該導(dǎo)電膜上通過噴墨法形成掩模，使用該掩模對(duì)導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻； 或者，通過噴墨法噴出銀、金、銅等的導(dǎo)電膏并進(jìn)行焙燒而形成即可。
注意，因?yàn)樵跂烹姌O51上形成半導(dǎo)體膜及布線，所以其端部?jī)?yōu)選加工為 錐形形狀，以便防止斷開。此外，雖然未圖示，但可以通過該工序同時(shí)形成連 接到柵電極的布線。
其次，在柵電極51上按順序形成柵極絕緣膜52、微晶半導(dǎo)體膜53、 緩沖層54、以及添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜55。其次，在添加
有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜55上形成掩模56。注意，優(yōu)選至少連續(xù) 形成柵極絕緣膜52、微晶半導(dǎo)體膜53及緩沖層54。再者，優(yōu)選連續(xù)形成 柵極絕緣膜52、微晶半導(dǎo)體膜53、緩沖層54以及添加有賦予一導(dǎo)電型的 雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜55。通過在不接觸大氣的狀態(tài)下至少連續(xù)形成柵極絕緣膜 52、微晶半導(dǎo)體膜53、及緩沖層54，可以形成各個(gè)疊層界面而不被大氣成 分及懸浮在大氣中的污染雜質(zhì)元素污染，因此可以減少薄膜晶體管特性的 不均勻。
柵極絕緣膜52可以適用將丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、 苯氧基樹脂、非芳香族多功能異氰酸酯、蜜胺樹脂等添加到有機(jī)溶劑的的 有機(jī)絕緣材料，而可以形成為0.1um至3ixm的厚度。注意，柵極絕緣膜 52不局限于有機(jī)絕緣材料，可以使用通過涂敷法形成的氧化硅膜。另外， 還可以通過CVD法或?yàn)R射法等，在柔性襯底可耐受的溫度范圍內(nèi)(20(TC至 300°C)，形成氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、或氮氧化硅膜作為柵極 絕緣膜52。
在此，氧氮化硅膜是指具有如下組成的膜氧的含有量比氮的含有量 多，并且在采用盧瑟福背散射光譜學(xué)法(RBS: Rutherford Backscattering Spectrometry)以及氫前方散射法(HFS: Hydrogen Forward Scattering) 檢測(cè)時(shí)，其各個(gè)組成的濃度范圍分別為如下包含55原子％至70原子％的 氧，包含0.5原子％至15原子％的氮，包含25原子％至35原子％的硅，包含 0. 1原子％至10原子％的氫。此外，氮氧化硅膜是指具有如下組成的膜氮 的含有量比氧的含有量多，其各個(gè)組成的濃度范圍分別為如下包含5原 子％至30原子％的氧，包含20原子％至55原子％的氮，包含25原子％至35 原子％的硅，包含10原子％至30原子％的氫。注意，在構(gòu)成氧氮化硅或氮氧 化硅的原子的總和為100原子％時(shí)，氮、氧、硅及氫的含有比率包括在上述 范圍內(nèi)。
微晶半導(dǎo)體膜53是指包括具有非晶體和結(jié)晶結(jié)構(gòu)(包括單晶、多晶) 之間的中間結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體的膜。該半導(dǎo)體為具有在自由能方面上很穩(wěn)定的 第三狀態(tài)的半導(dǎo)體，并且具有短程有序且具有晶格畸變的結(jié)晶，其粒徑可以 以0. 5nm至20nm分散在非單晶半導(dǎo)體膜中而存在。在微晶半導(dǎo)體的典型例
子的微晶硅中，其拉曼光譜轉(zhuǎn)移到比呈現(xiàn)單晶硅的520.6cm—'低波數(shù)一側(cè)。 即，微晶硅的拉曼光譜的峰值位于481 cm—1以上520.6 cnf'以下的范圍。此 外，包含有至少1原子％或更多的氫或鹵素，以便終止懸空鍵。再者，可以 通過將氦、氬、氪、氖等的稀有氣體元素包含在微晶半導(dǎo)體膜中而進(jìn)一步 促進(jìn)晶格畸變來提高穩(wěn)定性以獲得良好的微晶半導(dǎo)體膜。關(guān)于這種微晶半 導(dǎo)體膜的記述例如公開在美國專利文件4， 409， 134號(hào)中。
可以通過使用頻率為幾十MHz至幾百M(fèi)Hz的高頻率等離子體CVD法、 或頻率為1GHz以上的微波等離子體CVD裝置，以150'C至300。C左右的成 膜溫度來形成該微晶半導(dǎo)體膜。當(dāng)在耐熱溫度為20(TC至30(TC左右的柔性 襯底上形成時(shí)，該微晶半導(dǎo)體膜是優(yōu)選的半導(dǎo)體膜。代表性地，微晶半導(dǎo) 體膜可以使用氫稀釋SiH4、 Si2He等的氫化硅形成。另外，除了使用氫化硅 及氫之外，還可以使用選自氦、氬、氪、氖中的一種或多種稀有氣體元素 進(jìn)行稀釋來形成微晶半導(dǎo)體膜。將氫的流量比設(shè)定為此時(shí)的氫化硅的5倍 以上200倍以下，優(yōu)選設(shè)定為50倍以上150倍以下，更優(yōu)選為100倍。注 意，也可以使用SiH2Cl2、 SiHCl3、 SiCl4、 SiF4等代替氫化硅。
此外，由于當(dāng)有意性地不添加用于價(jià)電子控制的雜質(zhì)元素時(shí)，微晶半 導(dǎo)體膜呈現(xiàn)弱n型導(dǎo)電性，因此可以通過在形成膜的同時(shí)或形成膜之后對(duì) 于用作薄膜晶體管的溝道形成區(qū)域的微晶半導(dǎo)體膜添加賦予P型的雜質(zhì)元 素，來控制閾值。作為賦予p型的雜質(zhì)元素的典型，可舉出硼，優(yōu)選將B2H6、 BF3等的雜質(zhì)氣體以lppm至1000ppm的比例，優(yōu)選以lppm至100ppm的比 例混入到氫化硅。而且，硼的濃度例如優(yōu)選為1X1014 atoms/cm3至6X 1016atoms/cm3o
此外，微晶半導(dǎo)體膜的氧濃度為lX1019cm—3以下，優(yōu)選為5X1018cm3 以下，且氮及碳的濃度分別為5X1018011—3以下，優(yōu)選為lX1018cm—3以下。通 過降低混入到微晶半導(dǎo)體膜中的氧、氮、及碳的濃度，可以防止微晶半導(dǎo) 體膜的n型化。
微晶半導(dǎo)體膜53以厚于Onm且200nm以下的厚度，優(yōu)選以lnm以上 lOOmn以下的厚度，更優(yōu)選以5nm以上50nm以下的厚度形成。微晶半導(dǎo)體 膜53用作后面形成的薄膜晶體管的溝道形成區(qū)域。通過以5nm以上50nm
以下的范圍內(nèi)的厚度形成微晶半導(dǎo)體膜53，可以使后面形成的薄膜晶體管 成為完全耗盡型。此外，因?yàn)槲⒕О雽?dǎo)體膜53的成膜速度比非晶半導(dǎo)體膜 慢，即為非晶半導(dǎo)體膜的成膜速度的1/10至1/100，所以通過減薄膜厚度， 可以提高生產(chǎn)率。此外，由于微晶半導(dǎo)體膜由微晶構(gòu)成，所以微晶半導(dǎo)體 膜的電阻值低于非晶半導(dǎo)體膜的電阻值。因此，在使用微晶半導(dǎo)體膜的薄 膜晶體管中，示出電流電壓特性的曲線的上升部分的傾斜為陡峭，而且作 為開關(guān)元件的響應(yīng)性優(yōu)越，可以進(jìn)行高速工作。此外，通過使用微晶半導(dǎo) 體膜作為薄膜晶體管的溝道形成區(qū)域，可以抑制薄膜晶體管的閾值變動(dòng)。 因此，可以制造電特性的不均勻少的電泳顯示裝置。
另外，微晶半導(dǎo)體膜的遷移率比非晶半導(dǎo)體膜的遷移率高。即不需要 像多晶半導(dǎo)體膜那樣以60(TC左右的高溫度進(jìn)行結(jié)晶化處理，而可以獲得電 特性高的半導(dǎo)體膜。因此，優(yōu)選用作為在柔性襯底上形成的電泳顯示元件 的開關(guān)，通過使用由微晶半導(dǎo)體膜形成溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管，可以 縮小溝道形成區(qū)域的面積，即薄膜晶體管的面積。
可以通過使用SiH4、 SiH6等的氫化硅并采用等離子體CVD法形成緩沖 層54。另外，與微晶半導(dǎo)體膜同樣，緩沖層54可以以150。C至30(TC左右 的成膜溫度形成，其是適合形成在耐熱溫度為20(TC至30(TC左右的柔性襯 底上的層。此外，可以對(duì)上述氫化硅使用選自氦、氬、氪、氖中的一種或 多種的稀有氣體元素進(jìn)行稀釋來形成非晶半導(dǎo)體膜。通過使用其流量為氫 化硅的流量的1倍以上20倍以下，優(yōu)選為1倍以上10倍以下，更優(yōu)選為1 倍以上5倍以下的氫，可以形成包含氫的非晶半導(dǎo)體膜。此外，通過使用 上述氫化硅和氮或氨，可以形成包含氮的非晶半導(dǎo)體膜。另外，通過使用 上述氫化硅和包含氟、氯、溴、或碘的氣體(F2、 Cl2、 Br2、 12、 HF、 HC1、 HBr、 HI等)，可以形成包含氟、氯、溴、或碘的非晶半導(dǎo)體膜。注意，可 以使用SiH2Cl2、 SiHCh、 SiCh、 SiF4等代替氫化硅。
此外，作為緩沖層54，可以將非晶半導(dǎo)體用作靶子使用氫或稀有氣體進(jìn) 行濺射來形成非晶半導(dǎo)體膜。此時(shí)，通過將氨、氮、或N20包含在氣氛中，可 以形成含有氮的非晶半導(dǎo)體膜。另外，通過將含有氟、氯、溴、或碘的氣體(F2、 Cl2、 Br2、 12、 HF、 HC1、 HBr、 HI等)包含在氣氛中，可以形成含有氟、氯、
溴、或碘的非晶半導(dǎo)體膜。
此外，作為緩沖層54，也可以在微晶半導(dǎo)體膜53的表面上采用等離子體 CVD法或?yàn)R射法形成非晶半導(dǎo)體膜，然后也可以對(duì)非晶半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行使 用氫等離子體、氮等離子體、或鹵等離子體的處理，來使非晶半導(dǎo)體膜表面氫 化、氮化、或鹵化?；蛘?，對(duì)非晶半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行使用氦等離子體、氖等 離子體、氬等離子體、氪等離子體等的處理。
優(yōu)選使用不包含晶粒的非晶半導(dǎo)體膜形成緩沖層54。因此，在采用頻率 為幾十MHz至幾百M(fèi)Hz的高頻等離子體CVD法、或微波等離子體CVD法形成非 晶半導(dǎo)體膜的情況下，優(yōu)選將成膜條件控制得使形成的非晶半導(dǎo)體膜不包含晶 粒。
緩沖層54的一部分有時(shí)會(huì)在后面的源區(qū)域及漏區(qū)域的形成過程中被蝕 刻，從而緩沖層54優(yōu)選以那時(shí)其一部分殘留的厚度來形成。典型地，被蝕刻 后殘留的部分的厚度優(yōu)選形成為lOrnn以上lOOnni以下。
注意，緩沖層54優(yōu)選不添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)如磷、硼等。尤其是，
優(yōu)選不使用來控制閾值而包含在微晶半導(dǎo)體膜中的硼、或包含在添加有賦予一 導(dǎo)電型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜中的磷混入到緩沖層54中。結(jié)果，通過消除PN結(jié)所 導(dǎo)致的漏電流的產(chǎn)生區(qū)域，可以實(shí)現(xiàn)漏電流的減少。此外，通過在添加有賦予 一導(dǎo)電型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜和微晶半導(dǎo)體膜之間形成不添加有賦予一導(dǎo)電型 的雜質(zhì)如磷、硼等的非晶半導(dǎo)體膜，可以防止分別包含在微晶半導(dǎo)體膜和源區(qū) 域及漏區(qū)域中的雜質(zhì)擴(kuò)散。
通過在微晶半導(dǎo)體層53的表面上形成非晶半導(dǎo)體膜，而形成包含氫、 氮、或鹵素的非晶半導(dǎo)體膜，來可以防止包含在微晶半導(dǎo)體膜53的晶粒表 面的自然氧化。尤其是，在非晶半導(dǎo)體和微晶粒相接觸的區(qū)域中，因晶格 畸變而容易產(chǎn)生裂縫。當(dāng)該裂縫與氧接觸時(shí)會(huì)產(chǎn)生晶粒的氧化，并形成氧 化硅。然而，通過在微晶半導(dǎo)體膜53的表面上形成緩沖層，可以防止微晶 粒的氧化。此外，通過形成緩沖層，可以防止當(dāng)后面形成源區(qū)域及漏區(qū)域 時(shí)產(chǎn)生的蝕刻殘?jiān)烊氲轿⒕О雽?dǎo)體膜中。
此外，由于使用非晶半導(dǎo)體膜或者包含氫、氮、或鹵素的非晶半導(dǎo)體 膜形成緩沖層54，因此非晶半導(dǎo)體膜的能隙比微晶半導(dǎo)體膜的能隙大(非
晶半導(dǎo)體膜的能隙為1.6eV以上1.8eV以下，而微晶半導(dǎo)體膜的能隙為 1. leV以上1.5eV以下)，并且電阻高，遷移率低，即為微晶半導(dǎo)體膜的 1/5至1/10。由此，在后面形成的薄膜晶體管中，形成在源區(qū)域及漏區(qū)域 和微晶半導(dǎo)體膜之間的緩沖層用作高電阻區(qū)域，而微晶半導(dǎo)體膜用作溝道 形成區(qū)域。因此，可以減少薄膜晶體管的截止電流。當(dāng)將該薄膜晶體管用 作電泳顯示裝置的開關(guān)元件時(shí)，可以提高電泳顯示裝置的對(duì)比度。
在形成n溝道型薄膜晶體管的情況下，對(duì)于添加有賦予一導(dǎo)電型的雜 質(zhì)的半導(dǎo)體膜55，添加磷作為典型雜質(zhì)元素，即對(duì)于氫化硅添加PH3等的 雜質(zhì)氣體即可。此外，在形成p溝道型薄膜晶體管的情況下，添加硼作為 典型雜質(zhì)元素即可，即對(duì)于氫化硅添加B2He等的雜質(zhì)氣體即可?？梢允褂?微晶半導(dǎo)體或非晶半導(dǎo)體形成添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜55。 將添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜55形成為2nra以上50nm以下。 通過減薄添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜的膜厚度，可以提高生產(chǎn) 率。注意，半導(dǎo)體膜55后面成為用作薄膜晶體管的源區(qū)域及漏區(qū)域。 通過光刻技術(shù)或噴墨法來形成掩模56。
其次，使用掩模將微晶半導(dǎo)體膜53、緩沖層54、及添加有賦予導(dǎo)電型的 雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜55蝕刻而分離，如圖1B所示，形成微晶半導(dǎo)體膜61、緩沖層 62、及添加有賦予導(dǎo)電型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜63。然后，去除掩模56。
其次，如圖1B所示，在添加有賦予導(dǎo)電型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜63及柵極絕 緣膜52上形成導(dǎo)電膜65，在導(dǎo)電膜65上形成掩模66A。
導(dǎo)電膜65優(yōu)選使用如下材料以單層或疊層來形成鋁；銅；添加有提高 耐熱性的元素諸如硅、鈦、釹、鈧、鉬等或添加有防止小丘的元素的鋁合金。 此外，也可以是接觸于添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜一側(cè)的膜由鈦、 鉭、鉬、鉤或上述元素的氮化物來形成，由鋁或鋁合金形成的層層疊于其上來 形成的疊層結(jié)構(gòu)。再者，也可以是由鈦、鉭、鉬、鎢或上述元素的氮化物夾有 鋁或鋁合金的上面及下面的疊層結(jié)構(gòu)。
導(dǎo)電膜65通過濺射法或真空蒸鍍法來形成。此外，導(dǎo)電膜65可以使用鈦、 鉬、鉻、鉭、鎢、鋁等的已知的金屬材料，但是也可以通過絲網(wǎng)印刷法、輥式 涂布法由包含金屬材料的導(dǎo)電膏來形成。另外，也可以通過噴墨法等將導(dǎo)電膏
噴出為所希望的形狀并進(jìn)行焙燒而形成。
掩模66A通過使用灰度色調(diào)掩?；虬肷{(diào)掩模等的多級(jí)灰度掩模的光刻 技術(shù)形成。
其次，使用掩模66A將導(dǎo)電膜65蝕刻而分離，如圖1C所示，形成導(dǎo)
電膜71。
其次，對(duì)掩模66A進(jìn)行灰化。其結(jié)果，由抗蝕劑形成的掩模66A的面積縮 小，并其厚度減薄。在此，膜厚度薄的區(qū)域的掩模66A (重疊于柵電極51的一 部分的區(qū)域)被去除，如圖2A所示，可以形成被分離的抗蝕劑掩模66B。
其次，如圖2B所示，使用掩模66B蝕刻導(dǎo)電膜71的一部分而形成源 電極及漏電極75。在此，使用掩模66B對(duì)導(dǎo)電膜71進(jìn)行濕法蝕刻，而使導(dǎo)電 膜71的端部選擇性地被蝕刻。接著，如圖2B所示，使用掩模66B將添加有賦 予導(dǎo)電型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜63及緩沖層62蝕刻，形成源區(qū)域及漏區(qū)域72、緩 沖層73。在此，通過干蝕刻對(duì)添加有賦予導(dǎo)電型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜63及緩沖 層62進(jìn)行各向異性蝕刻，可以形成其面積與掩模66B相同的源區(qū)域及漏區(qū)域 72。此外，緩沖層73只有一部分被蝕刻，它覆蓋微晶半導(dǎo)體膜61的表面。
結(jié)果，可以使形成的源電極及漏電極75的面積比導(dǎo)電膜71的面積小。源 電極及漏電極75的端部和源區(qū)域及漏區(qū)域72的端部不一致而偏離，在源電極 及漏電極75的端部的外側(cè)形成源區(qū)域及漏區(qū)域72的端部的大部分。換言之， 成為源區(qū)域及漏區(qū)域72的表面的一部分接觸于源電極及漏電極75，而源區(qū)域 及漏區(qū)域的其他部分不接觸于源電極及漏電極的結(jié)構(gòu)。然后，去除掩模66。此 外，源電極或漏電極中的一方還用作源極布線或漏極布線。
如圖2B所示，源電極及漏電極75的端部和源區(qū)域及漏區(qū)域72的端 部不一致，成為偏離的形狀，這使源電極及漏電極75的端部之間的距離遠(yuǎn)離， 而可以防止源電極及漏電極之間的漏電流和短路。此外，由于源電極及漏電極 75的端部和源區(qū)域及漏區(qū)域72的端部不一致而成為偏離的形狀，所以電場(chǎng)不 集中在源電極及漏電極75以及源區(qū)域及漏區(qū)域72的端部，所以可以防止柵電 極51和源電極及漏電極75之間的漏電流。因此，可以制造可靠性高且耐壓性 高的薄膜晶體管。
通過以上工序，可以形成溝道蝕刻型的薄膜晶體管74。
在本實(shí)施方式所示的薄膜晶體管中，在柵電極上層疊有柵極絕緣膜、微晶 半導(dǎo)體膜、緩沖層、源區(qū)域及漏區(qū)域、源電極及漏電極，并且緩沖層覆蓋用作 溝道形成區(qū)域的微晶半導(dǎo)體膜的表面。此外，在緩沖層的一部分中形成有凹部 (溝槽)，該凹部以外的區(qū)域被源區(qū)域及漏區(qū)域覆蓋。就是說，由于源區(qū)域及 漏區(qū)域的距離因形成在緩沖層的凹部而變長(zhǎng)，因此可以減少源區(qū)域及漏區(qū)域之 間的漏電流。此外，因?yàn)橥ㄟ^蝕刻緩沖層的一部分形成凹部，所以可以去除在 源區(qū)域及漏區(qū)域的形成工序中產(chǎn)生的蝕刻殘?jiān)亩梢员苊庠谠磪^(qū)域及漏區(qū) 域中介于殘?jiān)a(chǎn)生漏電流(寄生溝道)。
另外，在用作溝道形成區(qū)域的微晶半導(dǎo)體膜和源區(qū)域及漏區(qū)域之間形成有 緩沖層。此外，微晶半導(dǎo)體膜的表面被緩沖層覆蓋。由于使用高電阻形成的緩 沖層延伸到微晶半導(dǎo)體膜和源區(qū)域及漏區(qū)域之間，所以可以減少在薄膜晶體管 中產(chǎn)生的漏電流，并可以減少因施加高電壓而發(fā)生的退化。另外，因?yàn)樵谖⒕?半導(dǎo)體膜的表面上形成有由氫終結(jié)表面的非晶半導(dǎo)體膜作為緩沖層，所以可以 防止微晶半導(dǎo)體膜的氧化，并可以防止在源區(qū)域及漏區(qū)域的形成工序中產(chǎn)生的 蝕刻殘?jiān)烊氲轿⒕О雽?dǎo)體膜中。由此，成為電特性高且耐壓性優(yōu)良的薄膜晶 體管。
此外，通過將源電極及漏電極的端部和源區(qū)域及漏區(qū)域的端部形成為不一 致而偏離，使源電極及漏電極的端部的距離遠(yuǎn)離，從而可以防止源電極及漏電 極之間的漏電流和短路。
此外，在上述的圖2A及圖2B中示出了在將一部分具有凹部(溝槽) 的緩沖層73形成后，進(jìn)行使源電極的端部和漏電極的端部的距離變長(zhǎng)的蝕刻 的例子，但是不局限于此。例如，也可以釆用如下工序順序?qū)?dǎo)電膜65蝕 刻而分離，并在將添加有賦予導(dǎo)電型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜63露出后，進(jìn)行使源 電極的端部及漏電極的端部的距離變長(zhǎng)的蝕刻。然后，使用掩模66蝕刻半導(dǎo) 體膜63而分離源區(qū)域及漏區(qū)域72，接著在緩沖層的一部分中形成凹部(溝槽)。
其次，如圖2C所示，在源電極及漏電極75、源區(qū)域及漏區(qū)域72、緩 沖層73、及柵極絕緣膜52上形成層間絕緣膜76。層間絕緣膜76可以與柵極 絕緣膜52同樣地形成。例如，可以適用將丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰 胺樹脂、苯氧基樹脂、非芳香族多功能異氰酸酯、蜜胺樹脂等添加到有機(jī)溶劑
的有機(jī)絕緣材料，在將有機(jī)絕緣材料干燥之后以10(TC至20(TC對(duì)其進(jìn)行固化， 而形成1 H m至5 y m的厚度。此外，層間絕緣層76不局限于有機(jī)絕緣材料， 可以使用通過涂敷法形成的氧化硅膜。另外，作為層間絕緣膜76，可以通過 CVD法或?yàn)R射法等，在柔性襯底可耐受的溫度范圍內(nèi)(20(TC至300°C)，形成 氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、或氮氧化硅膜。注意，在層間絕緣層76 的表面形成有凹凸的情況下，優(yōu)選進(jìn)行其表面的平坦化，因此當(dāng)在其表面形成 像素電極時(shí)可以使覆蓋率良好。此外，該平坦化處理可以在形成絕緣膜并對(duì)其 進(jìn)行蝕刻等之后通過回蝕法或化學(xué)機(jī)械拋光法(CMP法)等來進(jìn)行。
其次，如圖3A所示，在層間絕緣層76中形成接觸孔。此外，也可以 以通過絲網(wǎng)印刷法預(yù)先將層間絕緣層76形成為具有接觸孔的形狀的方式來形 成接觸孔。另外，在該接觸孔中形成與源電極或漏電極接觸的像素電極77。像 素電極77不一定需要具有透光性，由導(dǎo)電碳膏、導(dǎo)電銀膏、導(dǎo)電銅膏、導(dǎo)電 鎳來形成。
然后，如圖3B所示，覆蓋像素電極77的周圍部，并覆蓋像素電極 77的端部來形成隔壁層78。隔壁層78用來分開設(shè)置有薄膜晶體管的每個(gè)像素。 隔壁層78所使用的絕緣體材料及形成方法可以與其他絕緣體層相同，優(yōu)選將 碳黑或黑色顏料分散在隔壁層78。通過使相鄰像素分成為上述結(jié)構(gòu)來可以不產(chǎn) 生串?dāng)_，并通過附加像液晶顯示裝置等具有的黑條紋(black stripe)功能可 以進(jìn)行清晰的圖像顯示。此外，將隔壁層78設(shè)置為圍繞像素電極77的端部， 因此當(dāng)將電泳顯示裝置彎曲而使用時(shí)可以降低在像素電極和相對(duì)電極之間發(fā) 生的電短路。至于開口部的面積，可以適當(dāng)?shù)貨Q定，然而優(yōu)選將其面積設(shè)為當(dāng) 使構(gòu)成電泳顯示元件的微粒子在各個(gè)像素電極上運(yùn)動(dòng)或旋轉(zhuǎn)時(shí)為可以識(shí)別圖 像的大小，例如優(yōu)選為100X400ixm。
注意，本實(shí)施方式所說明的電泳顯示元件是指以填充在微膠囊的電泳材料 來顯示圖像的微膠囊方式的電泳顯示元件。此外，只要是可應(yīng)用于電泳方式的 顯示裝置的電泳顯示元件就可以用于本發(fā)明，本發(fā)明可使用垂直型電泳方式和 水平型電泳方式中的任何一種的顯示元件。
填充在微膠囊的電泳材料將參照?qǐng)D4進(jìn)行說明。微膠囊方式的電泳顯示元 件是使用直徑為80 ix m左右的微膠囊406進(jìn)行顯示的元件，該微膠囊406中密
封有透明液體、帶正電的白色微粒子401和帶負(fù)電的黑色微粒子402。在夾持 微膠囊406的電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)，而使白色微粒子401和黑色微粒子402移動(dòng) 到相反的方向。如圖4所示，若在相對(duì)電極403和像素電極404、像素電極405 之間施加正或負(fù)電場(chǎng)，則在表面上出現(xiàn)白色或黑色的微粒子，白色微粒子401 的外光反射率高于黑色微粒子402的外光反射率，因此可通過改變外光的反射 量來顯示白色或黑色。
如圖3B所示，電泳顯示元件79通過在圍繞隔壁層78的像素電極77上以 輥涂法、印刷法、或噴射法等形成包括電泳顯示元件79的層而形成。然后， 如圖3B所示，其上固定有形成有由透明導(dǎo)電膜形成的相對(duì)電極80的第二柔性 襯底81。注意，為了提高隔壁層78和像素電極的固定強(qiáng)度，也可以在隔壁層 78的上表面等預(yù)先設(shè)置粘接劑等。另外，如果需要，還可以另外使用控制包括電 泳顯示元件79的層的厚度的孔隙材料(圓珠型隔離物、柱狀隔離物、纖維等)。 本發(fā)明的電泳顯示裝置可以以如下方法顯示圖像在將相對(duì)電極80的電位固 定于恒定值的狀態(tài)下，以連接到像素電極77的薄膜晶體管的開關(guān)操作來施加 正或負(fù)的電壓，該正或負(fù)的電壓作用于電泳顯示元件79的微膠囊，而使帶負(fù) 電或帶正電的有色粒子偏析到一側(cè)。此外，通過在相對(duì)電極80和第二柔性襯 底81之間設(shè)置顏色濾光片，可以進(jìn)行彩色顯示。
本發(fā)明使用由微晶半導(dǎo)體膜形成的薄膜晶體管作為像素的開關(guān)元件。微晶 半導(dǎo)體膜的遷移度等的電特性比非晶半導(dǎo)體膜的好，尤其還可以用作為構(gòu)成供 應(yīng)掃描信號(hào)的掃描線驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管。
此外，圖5A是說明像素部的結(jié)構(gòu)的縱截面圖，圖5B示出俯視圖。在微 膠囊中內(nèi)置帶電粒子的電泳顯示元件506設(shè)置在第一柔性襯底501和第二襯底 502之間，并由反交錯(cuò)型薄膜晶體管503、連接到各個(gè)薄膜晶體管的像素電極 504、與反交錯(cuò)型薄膜晶體管503和像素電極504相對(duì)的相對(duì)電極505夾持。 注意，圖5A所示的縱截面圖的詳細(xì)結(jié)構(gòu)與參照?qǐng)D1A至圖3B進(jìn)行說明的制 造工序的結(jié)構(gòu)相同。此外，圖5A所示的縱截面圖對(duì)應(yīng)于圖5B所示的俯視圖 的I-J線。
圖5B所示的俯視圖示出了本發(fā)明的電泳顯示裝置中的像素。圖5B示出了 掃描線551、信號(hào)線552、半導(dǎo)體層553、漏電極554、接觸孔555、像素電極
556、隔壁層557、以及電容器線558的位置關(guān)系。在圖5B中，掃描線551在 重疊于半導(dǎo)體層553的區(qū)域中用作薄膜晶體管的柵電極。此外，從信號(hào)線552 延伸到半導(dǎo)體層553，并重疊于半導(dǎo)體層553的區(qū)域用作源電極。另外，如在 圖1A至圖3B中所說明的那樣，微晶半導(dǎo)體膜及緩沖層重疊設(shè)置的層就是半導(dǎo) 體層。注意，在圖5B中說明的薄膜晶體管的源電極及漏電極的標(biāo)記不是為了 限于一方用作薄膜晶體管的源極，另一方用作薄膜晶體管的漏極，而是為了區(qū) 別而分別使用。因此，連接到信號(hào)線552的一側(cè)稱作源電極，而連接到像素電 極556的一側(cè)稱作漏電極。此外，設(shè)置為隔離各個(gè)像素的隔壁層557的內(nèi)側(cè)設(shè) 置有像素電極556。換言之，在像素電極556的端部之上設(shè)置隔壁層557，像 素電極556設(shè)置為被隔壁層557圍繞。此外，電容器線558設(shè)置在像素電極556 的下層，該電容器線558具有形成用于保持從信號(hào)線552輸入的信號(hào)的電容的 功能。
接著，下面示出本發(fā)明的電泳顯示裝置的顯示面板的外觀。 圖6A示出一種顯示面板的方式，其中只信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6013另行形成且 該信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6013與形成在襯底6011上的像素部6012連接。像素部6012 及掃描線驅(qū)動(dòng)電路6014由使用微晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管來形成。通過采用 比可獲得使用微晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管高的遷移率的晶體管形成信號(hào)線驅(qū) 動(dòng)電路，可以使被要求比掃描線驅(qū)動(dòng)電路高的驅(qū)動(dòng)頻率的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的工 作穩(wěn)定。注意，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6013也可以利用使用單晶半導(dǎo)體的晶體管、 使用多晶半導(dǎo)體的薄膜晶體管、或使用SOI的晶體管。對(duì)于像素部6012、信號(hào) 線驅(qū)動(dòng)電路6013、掃描線驅(qū)動(dòng)電路6014分別通過FPC6015供給電源電位、各 種信號(hào)等。
此外，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路及掃描線驅(qū)動(dòng)電路也可以都形成在與像素部相同的 襯底上。
另外，在另行形成驅(qū)動(dòng)電路的情況下，不一定需要將形成有驅(qū)動(dòng)電路的襯 底貼附在形成有像素部的襯底上，例如也可以貼附在FPC上。圖6B示出一種 液晶顯示裝置面板的方式，其中只信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6023另行形成，且該信號(hào) 線驅(qū)動(dòng)電路6023與形成在襯底6021上的像素部6022及掃描線驅(qū)動(dòng)電路6024 連接。像素部6022及掃描線驅(qū)動(dòng)電路6024由使用微晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管
來形成。信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6023通過FPC6025與像素部6022連接。對(duì)于像素部 6022、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6023、掃描線驅(qū)動(dòng)電路6024分別通過FPC6025供給電 源電位、各種信號(hào)等。
此外，也可以采用使用微晶半導(dǎo)體膜的晶體管只將信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的一部 分或掃描線驅(qū)動(dòng)電路的一部分形成在與像素部相同的襯底上，并且另行形成其 他部分并使該其他部分電連接到像素部。圖6C示出一種液晶顯示裝置面板的 方式，將信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路所具有的模擬開關(guān)6033a形成在與像素部6032、掃描 線驅(qū)動(dòng)電路6034相同的襯底6031上，并且將信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路所具有的移位寄 存器6033b另行形成在不同的襯底上并彼此貼合。像素部6032及掃描線驅(qū)動(dòng) 電路6034由使用微晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管來形成。信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路所具有 的移位寄存器6033b通過FPC6035與像素部6032連接。對(duì)于像素部6032、信 號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路、掃描線驅(qū)動(dòng)電路6034分別通過FPC6035供給電源電位、各種 信號(hào)等。
如圖6A至6C所示，在本發(fā)明的電泳顯示裝置中，可以采用使用微晶半導(dǎo) 體膜的薄膜晶體管將驅(qū)動(dòng)電路的一部分或全部形成在與像素部相同的襯底上。
注意，對(duì)于另行形成的襯底的連接方法沒有特別的限制，可以采用已知的 COG方法、引線鍵合方法、或TAB方法等。此外，若是能夠電連接，則連接位 置不局限于圖6A至6C所示的位置。另外，也可以另行形成控制器、CPU、存 儲(chǔ)器等并連接。
注意，用于本發(fā)明的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路不局限于只有移位寄存器和模擬開關(guān) 的方式。除了移位寄存器和模擬開關(guān)之外，也可以具有其他電路如緩沖器、電 平轉(zhuǎn)移器、源極跟隨器等。此外，不一定必須設(shè)置移位寄存器和模擬開關(guān)，例 如既可以使用如譯碼器電路那樣的能夠選擇信號(hào)線的其他電路代替移位寄存 器，又可以使用鎖存器等代替模擬開關(guān)。
如上所說明，可以形成具有包括微晶半導(dǎo)體膜的溝道蝕刻型的薄膜晶體管 的電泳顯示裝置。該溝道蝕刻型的薄膜晶體管的制造工序數(shù)量少，所以可以降 低成本。此外，其由微晶半導(dǎo)體膜構(gòu)成溝道形成區(qū)域，因此可以獲得lcm2/V* sec至20cm7V sec的場(chǎng)效應(yīng)遷移率。由此，該薄膜晶體管可以用作為像素的 開關(guān)元件，還可以用作為形成掃描線(柵極線)側(cè)的驅(qū)動(dòng)電路的元件。
根據(jù)本實(shí)施方式，可以制造具有電特性的可靠性高的薄膜晶體管的電泳顯 示裝置。
實(shí)施方式2
在本實(shí)施方式中，將參照?qǐng)D7A至8B說明與在實(shí)施方式1所示的電泳顯示 裝置的制造工序不同的制造工序。
首先，在支撐襯底701上形成鉬膜702。作為支撐襯底701可以使用玻璃 襯底、陶瓷襯底、石英襯底。本實(shí)施方式采用玻璃襯底。此外，作為鉬膜702， 使用通過濺射法形成的30nm至200nm的鉬膜。由于在濺射法中有時(shí)需要固定 襯底，所以容易發(fā)生襯底邊緣附近的鉬膜的厚度不均勻。因此，優(yōu)選通過干蝕 刻去除邊緣附近的鉬膜。
接著，對(duì)鉬膜702的表面進(jìn)行氧化來形成氧化鉬膜703。作為氧化鉬膜703 的形成方法，既可以通過純水或臭氧水使鉬膜的表面氧化,又可以通過氧等離 子體進(jìn)行氧化。此外，也可以在含氧的氣氛下進(jìn)行加熱來形成氧化鉬膜703。
接著，在氧化鉬膜703上形成絕緣層704。作為絕緣層704，使用氧化硅 膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜(SiOxNy)等的絕緣膜。作為絕緣層704的典型實(shí)例， 采用了將通過PCVD法使用SiH4、 Nft及N20作為反應(yīng)氣體形成的厚度為50nm至 100nm的氮氧化硅膜以及使用Si仏及N20作為反應(yīng)氣體形成的厚度為100nm至 150nm的氧氮化硅膜層疊在一起而形成的雙層結(jié)構(gòu)。圖7A是完成上述工序之后 的截面工序圖。注意，在本說明書中，鉬膜702及氧化鉬膜的疊層稱作剝離層。
接著，如上實(shí)施方式l所說明，在絕緣層704上形成反交錯(cuò)型薄膜晶體管 705。具體地說，如在實(shí)施方式1所說明的那樣，按順序?qū)盈B形成柵電極、柵 極絕緣膜、微晶半導(dǎo)體膜、緩沖層、源區(qū)域及漏區(qū)域、以及源電極及漏電極。
接著，在薄膜晶體管705上形成層間絕緣層706。此外，層間絕緣層 706可以適用將丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、非 芳香族多功能異氰酸酯、密胺樹脂等添加到有機(jī)溶劑的有機(jī)絕緣材料，在 將該有機(jī)絕緣材料干燥之后以IO(TC至20(TC對(duì)其進(jìn)行固化，而形成liim 至5um的厚度。另外，層間絕緣層706不局限于有機(jī)絕緣材料，可以使用 通過涂敷法形成的氧化硅膜。此外，作為層間絕緣層706，也可以通過CVD 法或?yàn)R射法等，在柔性襯底可耐受的溫度范圍內(nèi)(20(TC至3Q(TC)，形成氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、或氮氧化硅膜。注意，在層間絕緣層
706的表面形成有凹凸的情況下，優(yōu)選進(jìn)行其表面的平坦化，這樣當(dāng)在其表
面形成像素電極時(shí)可以使覆蓋率良好。此外，該平坦化處理可以在形成絕
緣膜并對(duì)其進(jìn)行蝕刻之后通過回蝕法或化學(xué)機(jī)械拋光法(CMP法)等來進(jìn)行。 另外，在本實(shí)施方式中，薄膜晶體管705及層間絕緣層706的形成可以使 用玻璃襯底等的支撐襯底。因此，與實(shí)施方式1不同，本實(shí)施方式可以在 使用耐熱溫度低于玻璃襯底的柔性襯底時(shí)受到限制的高溫下形成膜。圖7B 是完成上述工序之后的截面工序圖。
接著，使用已知的光刻技術(shù)進(jìn)行圖形化來選擇性地去除層間絕緣層706， 來形成達(dá)到源電極或漏電極的接觸孔。然后，在該接觸孔中形成與源電極或漏 電極接觸的像素電極707。
接著，以覆蓋像素電極707的周圍部，并覆蓋像素電極707的端部的方式 來形成隔壁層708。隔壁層708用來分開設(shè)置有薄膜晶體管的每個(gè)像素。隔壁 層708所使用的絕緣體材料及形成方法可以與其他絕緣體層相同，優(yōu)選將碳黑 或黑色顏料分散在隔壁層708。通過使相鄰像素分成為上述結(jié)構(gòu)來可以不產(chǎn)生 串?dāng)_，并通過附加像液晶顯示裝置等具有的黑條紋(black stripe)功能可以 進(jìn)行清晰的圖像顯示。此外，將隔壁層708設(shè)置為圍繞像素電極707的端部， 因此在將電泳顯示裝置彎曲而使用時(shí)可以降低在像素電極和相對(duì)電極之間發(fā) 生的電短路。至于開口部的面積，可以適當(dāng)?shù)貨Q定，然而優(yōu)選將其面積設(shè)為當(dāng) 使構(gòu)成電泳顯示元件的微粒子在各個(gè)像素電極上運(yùn)動(dòng)或旋轉(zhuǎn)時(shí)為可以識(shí)別圖 像的大小，例如優(yōu)選為100X400um。
注意，本實(shí)施方式所說明的電泳顯示元件是指以填充在微膠囊的電泳材料 來顯示圖像的微膠囊方式的電泳顯示元件。此外，只要是可應(yīng)用于電泳方式的 顯示裝置的電泳顯示元件就可以用于本發(fā)明，本發(fā)明可使用垂直型電泳方式和 水平型電泳方式中的任何一種的顯示元件。
接著，通過在被隔壁層708圍繞的像素電極707上以輥涂法、印刷法、或 噴射法等形成包括電泳顯示元件709的層來形成電泳顯示元件709。然后，在 其上固定形成有由透明導(dǎo)電膜形成的相對(duì)電極710的第一柔性襯底711。注意， 為了提高隔壁層708和像素電極的固定強(qiáng)度，可以在隔壁層708的上表面等預(yù)
先設(shè)置粘接劑等。另外，如果需要，還可以另外使用控制包括電泳顯示元件709 的層的厚度的孔隙材料(圓珠型隔離物、柱狀隔離物、纖維等)。圖7C是完成 上述工序之后的截面工序圖。本發(fā)明的電泳顯示裝置可以以如下方法顯示圖 像將相對(duì)電極710的電位固定于恒定值的狀態(tài)下，以連接到像素電極707的 薄膜晶體管的開關(guān)操作來施加正或負(fù)的電壓，該正或負(fù)的電壓作用于電泳顯示 元件709的微膠囊，而使帶負(fù)電或帶正電的有色粒子偏析到一側(cè)。
接著，從鉬膜702、氧化鉬膜703、以及支撐襯底702剝離薄膜晶體管705、 層間絕緣層706、像素電極707、隔壁層708、電泳顯示元件709、相對(duì)電極710 以及第一柔性襯底711。圖8A是示出在氧化鉬膜703和絕緣層704的界面進(jìn)行 分離的情況的圖。
由于鉬膜有脆弱性，所以與其他金屬相比用較小力就可以進(jìn)行剝離。 圖8A示出在氧化鉬膜703和絕緣層704的界面進(jìn)行分離的情況，但是，只要 不使薄膜晶體管損壞，即只要在從絕緣層704到支撐襯底701之間，就對(duì)于 進(jìn)行分離的部分沒有特別的限制。從而，可以在鉬膜或氧化鉬膜中進(jìn)行分 離，也可以在支撐襯底和鉬膜的界面或薄膜晶體管和絕緣層的界面進(jìn)行分 離。
另外，作為剝離層，除了鉬膜及氧化鉬膜的疊層以外，還可以由如下 材料構(gòu)成的單層或疊層來形成由選自鎢、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、鋅、 釕、銠、鈀、鋨、銥及硅中的元素；或者含有該元素作為其主要成分的合 金材料；或者含有該元素作為其主要成分的化合物材料的層。另外，從支 撐襯底的轉(zhuǎn)置工序可以使用物理方法，即指的是力學(xué)方法或機(jī)械方法，就是 使某種力學(xué)能量(機(jī)械能量)變化的方法來施加機(jī)械性力量(例如，用人的手 或夾握工具剝下的處理，或者使?jié)L筒轉(zhuǎn)動(dòng)而進(jìn)行分離的處理)。此時(shí)，若在支 撐襯底上的第一柔性襯底的表面上設(shè)置可通過光或熱而剝離的粘結(jié)薄片， 則更容易進(jìn)行剝離。
接著，如圖8B所示，為了增加電泳顯示裝置的機(jī)械強(qiáng)度，使用粘合層 712將第二柔性襯底713固定在剝離的表面上。另外，第二柔性襯底713和第 一柔性襯底711優(yōu)選使用具有相同的熱膨脹系數(shù)的材料，以便與溫度變化無 關(guān)地保持襯底之間的間隔。通過如上工序，將支撐襯底上的元件可以轉(zhuǎn)移
到第二柔性襯底713。此外，轉(zhuǎn)移的意思是將在某個(gè)襯底上形成的元件(包 括形成中的元件)轉(zhuǎn)移到另外的襯底上。
通過上述工序，由包括微晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管來可以制造電泳顯示裝 置。在采用使用鉬膜的本實(shí)施方式的剝離法的情況下，雖然將設(shè)置成圍繞像素 電極的隔壁層粘合而固定在相對(duì)電極的電泳顯示元件的緊密性低，但是在采用 使用鉬膜的本實(shí)施方式的剝離法的情況下，可以在鉬膜附近(本實(shí)施方式中在 氧化鉬膜703和絕緣層704的界面)進(jìn)行剝離。
本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式所記載的結(jié)構(gòu)組合來實(shí)施。
實(shí)施方式3
在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D9A和9B說明本發(fā)明的電泳顯示裝置的外觀及截 面。圖9A和犯是電泳顯示裝置的圖，其中在與第二柔性襯底4006之間使用 密封材料4005密封具有在第一柔性襯底4001上形成的微晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶 體管4010及電泳顯示元件4008。圖9B相當(dāng)于沿著圖9A的A-A'線的截面圖。
以圍繞形成在第一柔性襯底4001上的像素部4002和掃描線驅(qū)動(dòng)電路 4004的方式設(shè)置有密封材料4005。此外，在像素部4002和掃描線驅(qū)動(dòng)電路4004 上設(shè)置有第二柔性襯底4006。因此，使用第一柔性襯底4001、密封材料4005 以及第二柔性襯底4006將像素部4002和掃描線驅(qū)動(dòng)電路4004與電泳顯示元 件4008 —起密封。另外，在與第一柔性襯底4001上的由密封材料4005圍繞 的區(qū)域不同的區(qū)域中安裝有在另行準(zhǔn)備的襯底上使用多晶半導(dǎo)體膜形成的信 號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003。注意，本實(shí)施方式說明將具有由多晶半導(dǎo)體膜構(gòu)成的薄膜 晶體管的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路貼附到第一柔性襯底4001的例子，但是也可以使用 由單晶半導(dǎo)體構(gòu)成的晶體管形成信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路并貼合。圖9A和犯例示包括
在信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003中的由多晶半導(dǎo)體膜形成的薄膜晶體管4009。
此外，設(shè)置在第一柔性襯底4001上的像素部4002和掃描線驅(qū)動(dòng)電路4004
包括有源矩陣形狀的多個(gè)薄膜晶體管，圖9B例示包括在像素部4002中的薄膜
晶體管4010。薄膜晶體管4010相當(dāng)于使用微晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管。
像素電極4030電連接到薄膜晶體管4010。此外，相對(duì)電極4031形成在
第二柔性襯底4006上。
此外，作為第一柔性襯底4001、第二柔性襯底4006，可以使用聚對(duì)苯二
甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯 (PC)、聚酰亞胺。另外，在第一柔性襯底4001及第二柔性襯底4006的表面上 優(yōu)選由無機(jī)絕緣材料形成厚度為10nm至200nm的阻擋層。另外，第二柔性襯 底相當(dāng)于相對(duì)襯底，之后該相對(duì)襯底與第一柔性襯底4001 —起夾持電泳顯示 元件，而至少具有透光性。阻擋層具有由氮化硅形成的一層或多個(gè)層所構(gòu)成的 疊層結(jié)構(gòu)。該氮化硅不包含氫，是通過Al(XNh(x二0.01atomic9()至20atomic%) 或高頻濺射法以硅為靶子，且作為濺射氣體使用氮形成的。該無機(jī)絕緣材料致 密地形成，它作為從外部環(huán)境侵入的水蒸氣或有機(jī)物氣體的阻擋層。形成阻擋 層的目的在于防止電泳顯示元件4008因水蒸氣或有機(jī)物氣體而退化。
另外，附圖標(biāo)記4035相當(dāng)于隔壁層，其設(shè)置在像素電極4030的端部，并 設(shè)置成圍繞像素電極4030。設(shè)置隔壁層4035的目的不但在于控制與相對(duì)電極 4031之間的距離(單元間隙)，而且還在于提高第一柔性襯底4001側(cè)和第二柔 性襯底4006側(cè)的固定強(qiáng)度。
此外，提供到另行形成的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003和掃描線驅(qū)動(dòng)電路4004 或像素部4002的各種信號(hào)及電位通過引導(dǎo)布線4014以及引導(dǎo)布線4015從 FPC4018供給。
在本實(shí)施方式中，連接端子4016由與像素部4002所具有的像素電極4030 相同的導(dǎo)電膜形成。此外，引導(dǎo)布線4014、引導(dǎo)布線4015由與薄膜晶體管4010 的柵電極相同的導(dǎo)電膜形成。
連接端子4016通過各向異性導(dǎo)電膜4019電連接到FPC4018所具有的端子。
此外，雖然未圖示，但是本實(shí)施方式所示的電泳顯示裝置可以具有定向膜 和偏振片，還可以具有顏色濾光片和屏蔽膜。
另外，在圖9A和9B中，示出將另行形成的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003安裝在 第一柔性襯底4001的例子，但是本實(shí)施方式不局限于該結(jié)構(gòu)。既可以另行形 成掃描線驅(qū)動(dòng)電路而安裝，又可以另行形成信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的一部分或掃描線 驅(qū)動(dòng)電路的一部分而安裝。
本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式所記載的結(jié)構(gòu)組合來實(shí)施。
實(shí)施例1
通過采用根據(jù)本發(fā)明獲得的電泳顯示裝置，在形成有顯示部的結(jié)構(gòu)體或所 有電子設(shè)備中可以實(shí)施本發(fā)明。下面說明其利用方式。
作為這種結(jié)構(gòu)體的例子，可以舉出外壁、窗戶、或電線桿子等的柱狀結(jié)構(gòu) 體。此外，作為這種電子設(shè)備的例子，可以舉出如下影像拍攝裝置如攝影機(jī) 及數(shù)字照相機(jī)等；頭戴式顯示器(護(hù)目鏡型顯示器)；汽車導(dǎo)航系統(tǒng)；投影機(jī)； 汽車音響；個(gè)人計(jì)算機(jī)；便攜式信息終端(便攜式計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、或電子 書籍等)。圖10A至10C示出它們的一例。
圖IOA示出將本發(fā)明的電泳顯示裝置用到設(shè)置在外壁的窗戶1001及電線 桿子等的柱狀物1002時(shí)的情況。在圖10A中，在窗戶1001上將電子紙1003 貼附而設(shè)置。在柱狀物1002的側(cè)面的曲面上貼附電子紙1004。本發(fā)明的電泳 顯示裝置可以使用如上實(shí)施方式所說明的輕量的柔性襯底而制造，本發(fā)明的電 泳顯示裝置可以用作為如圖10A所示那樣的電子紙。因此，除了可以貼附到具 有平整表面的結(jié)構(gòu)體如窗戶1001，還可以貼附到具有彎曲表面的結(jié)構(gòu)體如柱狀 物1002。此外，本發(fā)明的電泳顯示裝置可以由電特性高且可靠性高的薄膜晶體 管制造。另外，在對(duì)結(jié)構(gòu)物貼附電子紙而觀看圖像的情況下，采用通過無線信 號(hào)進(jìn)行供應(yīng)圖像信號(hào)及電力的結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)一步提高設(shè)置電子紙的方便性，所 以是優(yōu)選的。
圖10B是具有例如20英寸至80英寸的大型顯示部的電視裝置，其包括框 體2010、作為操作部的鍵盤部2012、顯示部2011、揚(yáng)聲器部2013等。本發(fā)明 的電泳顯示裝置應(yīng)用于顯示部2011的制造。圖IOB所示的電泳顯示裝置可以 使用能夠彎曲的柔性襯底，因此可以成為顯示部分被彎曲的電視裝置。因?yàn)榭?以像這樣自由地設(shè)計(jì)顯示部分的形狀，所以可以制造所希望的形狀的電視裝 置。此外，由本發(fā)明的電泳顯示裝置來制造的電視裝置可以使用電特性高且可 靠性高的薄膜晶體管而制造。
當(dāng)然，本發(fā)明不局限于電視裝置，而可以應(yīng)用于各種各樣的用途，如個(gè) 人計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、尤其是大面積的顯示媒體如火車站或機(jī)場(chǎng)等的信息顯示板 或者街頭上的廣告顯示板等。
此外，圖10C是便攜式信息終端(電子書籍)，包括主體3001、顯示部分3002 和3003、記錄媒體3004、操作開關(guān)3005等。本發(fā)明的電泳顯示裝置應(yīng)用于顯
示部分3002的制造。圖10C所示的電泳顯示裝置可以使用能夠彎曲的柔性襯 底，因此可以成為顯示部分被彎曲的便攜式信息終端。因?yàn)榭梢韵襁@樣自由地 設(shè)計(jì)顯示部分的形狀，所以可以制造所希望的形狀的便攜式信息終端。此外， 由本發(fā)明的電泳顯示裝置來制造的便攜式信息終端可以使用電特性高且可靠 性高的薄膜晶體管而制造。
本發(fā)明的剝離方法可以適用于顯示部分3002和3003。通過使用柔性襯底，
可以實(shí)現(xiàn)便攜式信息終端的輕量化。
本實(shí)施例可以與實(shí)施方式1至3中的任一個(gè)組合。
本說明書根據(jù)2007年9月21日在日本專利局受理的日本專利申請(qǐng)編 號(hào)2007-246100而制作，所述申請(qǐng)內(nèi)容包括在本說明書中。
權(quán)利要求
1. 一種電泳顯示裝置，包括第一柔性襯底上的柵電極；所述柵電極上的柵極絕緣膜；所述柵極絕緣膜上的微晶半導(dǎo)體膜；所述微晶半導(dǎo)體膜上的緩沖層；所述緩沖層上的源區(qū)域及漏區(qū)域；以及所述源區(qū)域及漏區(qū)域上的源電極及漏電極；所述源電極及漏電極上的層間絕緣膜；所述層間絕緣膜上的像素電極，所述像素電極與所述源電極及漏電極中的一方電連接；所述像素電極上的電泳顯示元件，所述電泳顯示元件上的相對(duì)電極；以及所述相對(duì)電極上的第二柔性襯底，其中，所述電泳顯示元件被以覆蓋所述像素電極的端部的方式設(shè)置的隔壁層圍繞。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電泳顯示裝置，其中所述緩沖層由非晶半導(dǎo) 體膜形成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電泳顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氮的非晶 半導(dǎo)體膜形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電泳顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氫的非晶 半導(dǎo)體膜形成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電泳顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氟、氯、 溴、或者碘的非晶半導(dǎo)體膜形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的電泳顯示裝置， 其中，所述源區(qū)域及漏區(qū)域的上表面的第一部分與所述源電極及漏電極相接，并且，所述源區(qū)域及漏區(qū)域的上表面的第二部分不與所述源電極及漏電極相接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的電泳顯示裝置，其中所述緩沖層 具有凹部。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電泳顯示裝置，其中在所述柵電極上形成的所述 源區(qū)域及漏區(qū)域的端部與所述緩沖層的凹部的側(cè)面相一致。
9. 一種電泳顯示裝置的制造方法，包括如下步驟 在第一柔性襯底上形成柵電極； 在所述柵電極上形成柵極絕緣膜； 在所述柵極絕緣膜上形成微晶半導(dǎo)體膜； 在所述微晶半導(dǎo)體膜上形成緩沖層； 在所述緩沖層上形成源區(qū)域及漏區(qū)域； 在所述源區(qū)域及漏區(qū)域上形成源電極及漏電極； 在所述源電極及漏電極中的一方上形成具有開口部的層間絕緣層； 在所述開口部中形成與所述源電極及漏電極中的一方電連接的像素電極； 形成以覆蓋所述像素電極的端部的方式設(shè)置的隔壁層； 在由所述隔壁層圍繞的所述像素電極上形成包括電泳顯示元件的層；以及 將所述隔壁層的上表面貼附于形成有相對(duì)電極的第二柔性襯底。
10. —種電泳顯示裝置的制造方法，包括如下步驟 在支撐襯底上形成剝離層；在所述剝離層上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成柵電極；在所述柵電極上形成柵極絕緣膜；在所述柵極絕緣膜上形成微晶半導(dǎo)體膜；在所述微晶半導(dǎo)體膜上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成源區(qū)域及漏區(qū)域；在所述源區(qū)域及漏區(qū)域上形成源電極及漏電極；在所述源電極及漏電極中的一方上形成具有開口部的層間絕緣層；在所述開口部中形成與所述源電極及漏電極中的一方電連接的像素電極；形成以覆蓋所述像素電極的端部的方式設(shè)置的隔壁層；在由所述隔壁層圍繞的所述像素電極上形成包括電泳顯示元件的層； 將所述隔壁層的上表面貼附于形成有相對(duì)電極的第一柔性襯底； 將形成有所述絕緣層、所述柵電極、所述柵極絕緣膜、所述微晶半導(dǎo)體膜、 所述緩沖層、所述源區(qū)域及漏區(qū)域、所述源電極及漏電極、所述像素電極、所 述隔壁層、所述電泳顯示元件、以及所述相對(duì)電極的第一柔性襯底從所述支撐 襯底剝離，并轉(zhuǎn)移到第二柔性襯底。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的電泳顯示裝置的制造方法，其中所述支撐襯底 是玻璃襯底、陶瓷襯底、或者石英襯底。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的電泳顯示裝置的制造方法，其中所 述剝離層是鉬膜及氧化鉬膜的疊層結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供具有電特性的可靠性高的薄膜晶體管、重量輕、且具有柔性的電泳顯示裝置。本發(fā)明的要旨在于在柵電極上形成柵極絕緣膜，在柵極絕緣膜上形成用作溝道形成區(qū)域的微晶半導(dǎo)體膜，在微晶半導(dǎo)體膜上形成緩沖層，在緩沖層上形成一對(duì)源區(qū)域及漏區(qū)域，形成與源區(qū)域及漏區(qū)域接觸的一對(duì)源電極及漏電極。該反交錯(cuò)型薄膜晶體管設(shè)置為被柔性襯底夾持，而在薄膜晶體管中設(shè)置有由像素電極電連接的電泳顯示元件。電泳顯示元件是被以覆蓋像素電極的端部的方式設(shè)置的隔壁層圍繞而設(shè)置在像素電極上的結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)G09F9/37GK101393370SQ20081021317
公開日2009年3月25日 申請(qǐng)日期2008年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月21日
發(fā)明者山崎舜平 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所