專利名稱：等離子體顯示器、驅(qū)動設(shè)備及其操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示器。更具體地講，本發(fā)明涉及用于控制等離子體顯示器的設(shè)備與方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示器是一種使用通過放電室中的氣體放電所產(chǎn)生的等離子體來顯示字符或圖像的顯示設(shè)備。取決于其大小，等離子體顯示器的等離子體顯示器面板(PDP)包括按矩陣模式排列的數(shù)十到數(shù)百萬個像素。
在等離子體顯示器中，把幀劃分為多個子場，每個子場包括重置周期、尋址周期以及維持周期。重置周期用于初始化放電室的狀態(tài)，以及便利于對放電室的尋址操作。尋址周期用于在放電室之中選擇導通/截止放電室。維持周期用于使導通的放電室繼續(xù)放電，從而把圖像顯示在PDP上。
在傳統(tǒng)的等離子體顯示器中，把斜坡波形施加于掃描電極，以在重置周期期間初始化每一放電室的狀態(tài)。具體地講，把逐漸上升的上升斜坡波形施加于掃描電極，其后跟隨逐漸下降的下降斜坡波形。由于放電室中的壁電荷的控制強依賴于所施加斜坡波形中的斜坡的坡度，所以不能精確控制壁電荷。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供一種等離子體顯示器、以及用于控制等離子體顯示器的設(shè)備與方法，其實質(zhì)地克服了因現(xiàn)有技術(shù)的限制與缺點所導致的一個或多個問題。具體地講，本發(fā)明提供了一種有助于精確控制放電室中的壁電荷的等離子體顯示器。
通過提供如下所述的一種等離子體顯示器，可以實現(xiàn)本發(fā)明的至少一種上述和其它的特性與優(yōu)點，所述等離子體顯示器包括多個第一電極，與等離子體顯示器的放電室相關(guān)聯(lián)；多個第二電極，與等離子體顯示器的放電室相關(guān)聯(lián)，與第一電極形成容性負載；第一晶體管，具有與第一電極耦接的第一端子；第一電容器，具有與第一晶體管的第二端子耦接的第一端子、以及與用于提供第一電壓的第一電源耦接的第二端子；第二晶體管，耦接在第一電容器的第一端子和用于提供第二電壓的第二電源之間；以及第一切換驅(qū)動器，與第二晶體管的控制端子耦接，并且被適配以在增加了第一電極的電壓時增加第二晶體管處的控制端子電壓。
第一切換驅(qū)動器可以包括第一二極管，具有耦接于第一電極的陰極；第一電阻器，并聯(lián)地耦接于第一二極管；第二電容器，具有耦接于第一二極管的陽極的第一端子、以及耦接于第二晶體管的控制端子的第二端子；以及第二二極管，具有耦接于第二電容器的第二端子的陰極、以及耦接于第二電源的陽極。第二二極管可以為Zener(齊納)二極管。第一晶體管的控制端子可被適配以驅(qū)動維持用于導通第一晶體管的第三電壓和維持用于截止第一晶體管的第四電壓的信號。
等離子體顯示器還可以包括放電路徑，用于當驅(qū)動信號維持第四電壓時，釋放由第一電容器所積累的至少一部分電荷。放電路徑可以包括第二電阻器和串聯(lián)地耦接于第二電阻器的第三二極管，并且被適配以阻斷向第一電容器充電的電流。放電路徑還可以包括第二切換驅(qū)動器，所述第二切換驅(qū)動器被適配以通過輸出端子輸出驅(qū)動信號，并且放電路徑可以耦接在第一電容器和第二切換驅(qū)動器的輸出端子之間。第一電壓可以等于第二電壓。
通過提供如下所述的一種等離子體顯示器的驅(qū)動設(shè)備，可以實現(xiàn)本發(fā)明的至少一種上述的以及其它的特性與優(yōu)點，所述等離子體顯示器具有多個第一電極，與等離子體顯示器的放電室相關(guān)聯(lián)；以及多個第二電極，與等離子體顯示器的放電室相關(guān)聯(lián)，并與第一電極形成容性負載。在一個實施例中，所述驅(qū)動設(shè)備包括第一晶體管，具有耦接于第一電極的第一端子、和被適配以接收具有維持第一電壓和第二電壓的控制信號的驅(qū)動信號的控制端子，所述第一晶體管被適配以響應于控制信號的第一電壓而導通；第一電容器，具有耦接于第一晶體管的第二端子的第一端子、以及耦接于用于提供第三電壓的第一電源的第二端子；放電路徑，耦接于第一電容器的第一端子，并且被適配以釋放由第一電容器所積累的至少一部分電荷；第二晶體管，耦接在第一電容器的第一端子和用于提供第四電壓的第二電源之間；以及第二電容器，耦接在第二晶體管的控制端子和第一晶體管的第一端子之間，并且被適配以在截止了第一晶體管的狀態(tài)下，響應于第一晶體管的第一端子處的電壓變化(variance)，而改變第二晶體管的控制端子電壓。
驅(qū)動設(shè)備還可以包括第一二極管，耦接在第一晶體管的第一端子和第二電容器之間；第一電阻器，并聯(lián)地與第一二極管耦接；以及第二二極管，耦接在第二電容器和第二電源之間。第一二極管的陰極可以耦接于第一晶體管的第一端子，并且第二二極管的陽極可以耦接于第二電源。第二二極管可以為Zener二極管。
驅(qū)動設(shè)備還可以包括切換驅(qū)動器，被適配以通過輸出端子輸出驅(qū)動信號；以及放電路徑，可以包括耦接在第一電容器的第一端子和切換驅(qū)動器的輸出端子之間的第三二極管。
通過提供如下所述的一種等離子體顯示器的驅(qū)動方法，可以實現(xiàn)本發(fā)明的至少一種上述的以及其它的特性與優(yōu)點，所述等離子體顯示器包括多個第一電極，與等離子體顯示器的放電室相關(guān)聯(lián)；以及多個第二電極，與等離子體顯示器的放電室相關(guān)聯(lián)，并與第一電極形成容性負載。所述方法可以包括下列步驟響應于控制信號的第一電平，而導通具有耦接于第一電極的第一端子的第一晶體管；響應于對第一晶體管的導通，而對容性負載放電，從而可對耦接于第一晶體管的第二端子的電容器進行充電，并且在第一電極和第二電極之間產(chǎn)生放電；響應于對該電容器的充電，而截止第一晶體管；響應于在第一電極和第二電極之間的放電，而改變第一電極的電壓；響應于第一電極處的電壓變化，而改變耦接于該電容器的第二晶體管的控制端子處的電壓；以及響應于控制信號的第二電平，而對該電容器進行放電。
所述方法還包括響應于第二晶體管的控制端子處的電壓變化而對電容器進行放電的步驟、和施加具有交替的第一和第二電平的控制信號的步驟中的至少一個。


通過以下參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例的詳細描述，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，本發(fā)明的上述及其它特性以及優(yōu)點將會變得更加明顯，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的等離子體顯示器的示意圖；圖2說明了圖1的等離子體顯示器中所使用的驅(qū)動波形的時序；圖3說明了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的由圖2的驅(qū)動波形所生成的Y電極處的電壓、以及放電電流的時序；
圖4是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的驅(qū)動電路的電路圖；圖5說明了使用圖4的驅(qū)動電路所生成的驅(qū)動波形的時序；圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施例的驅(qū)動電路的電路圖；圖7說明了使用圖6的驅(qū)動電路所生成的驅(qū)動波形的時序；圖8是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施例的驅(qū)動電路的電路圖；以及圖9說明了使用圖8的驅(qū)動電路所生成的驅(qū)動波形的時序。
具體實施例方式
以下，將參照附圖，更全面地描述本發(fā)明，其中，描述了本發(fā)明的一些示例性的實施例。然而，本發(fā)明可以體現(xiàn)為不同的形式，不應該把本發(fā)明視為僅局限于此處所給出的這些實施例。相反，提供這些實施例旨在使這一公開充分與完整，并且能夠把本發(fā)明的范圍全面地傳達給本技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員。在這些圖中，為了清楚地加以說明，層與區(qū)域的維度加以放大。還應該認識到，當把某層稱為在另一層或襯底“之上”時，其可以直接在另一層或襯底上，也可能存在某些中間層。另外，還應認識到，當把某層稱為在另一層“之下”時，其可以直接在另一層之下，也可以存在一或多個中間層。而且，還應認識到，當把某層稱為在兩個層“之間”時，其可以是在這兩個層之間唯一的層，也可以存在一或多個中間層。在所有圖中，相同的參考標號表示相同的元件。
本發(fā)明中所描述的壁電荷指的是在靠近相應的電極所設(shè)置的放電室的壁的部分上形成的電荷，并且所述壁電荷在該電極上積累。盡管這樣的電荷不實際接觸電極，但仍將這些壁電荷描述為“形成”或“積累”在電極上。另外，術(shù)語“壁電壓”指由壁電荷形成在放電室的壁之間的電勢差。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的等離子體顯示器的示意圖。如圖1中所示，等離子體顯示器可以包括等離子體顯示器面板(PDP)100、控制器200、地址(A)電極驅(qū)動器300、維持(X)電極驅(qū)動器400、以及掃描(Y)電極驅(qū)動器500。
PDP100可以包括沿列方向延伸的多個地址電極(以下將其稱為“A電極”)A1～Am、沿行方向延伸的多個維持電極(以下將其稱為“X電極”)X1～Xn、以及沿行方向延伸的多個掃描電極(以下將其稱為“Y電極”)Y1～Yn。X電極X1～Xn相應于相應的Y電極Y1～Yn，X與Y電極一起助于使得在維持周期期間顯示圖像的操作。描繪放電空間(即，A電極與Y和X電極交叉的空間)的子像素區(qū)限定了放電室110。
在操作過程中，控制器200接收圖像信號，并且輸出A電極驅(qū)動控制信號、X電極驅(qū)動控制信號以及Y電極驅(qū)動控制信號。另外，控制器200還把單個幀劃分成多個子場，每個子場具有相應的亮度權(quán)重，并且驅(qū)動子場。每個子場依次包括重置周期、尋址周期以及維持周期。
Y電極驅(qū)動器500從控制器200接收Y電極驅(qū)動控制信號，并且把掃描脈沖依次施加于Y電極Y1～Yn。A電極驅(qū)動器300從控制器200接收A電極驅(qū)動控制信號，并且每次當把掃描脈沖施加于Y電極時，有選擇地把用于選擇點火放電室(on-cell)的尋址脈沖施加于A電極A1～Am。因此，把接收尋址脈沖的A電極和接收掃描脈沖的Y電極所形成的放電室選擇為點火放電室。X電極驅(qū)動器400和Y電極驅(qū)動器接收X電極驅(qū)動控制信號和Y電極驅(qū)動控制信號，并且把維持脈沖施加于X電極X1～Xn和Y電極Y1～Yn，從而執(zhí)行點火放電室的顯示操作。
現(xiàn)在，參照圖2和3描述在每一子場期間施加于A電極A1～Am、X電極X1～Xn以及Y電極Y1～Yn的驅(qū)動波形，參照2～9詳細論述使用A、X以及Y電極所形成的放電室。
圖2說明了圖1的等離子體顯示器中所使用的驅(qū)動波形的時序，圖3說明了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的由圖2的驅(qū)動波形所生成的Y電極處的電壓、以及放電電流的時序。
參照圖2，每個子場包括重置周期Pr、尋址周期Pa以及維持周期Ps。重置周期Pr包括上升周期Pr1和下降周期Pr2。
當在重置周期Pr的上升周期Pr1期間把地電勢(0V)施加于X電極和A電極時，Y電極處的電壓逐漸從電壓Vs增加到電壓Vset。在Y電極和A電極之間、以及在X電極和Y電極之間生成弱重置放電，從而導致分別在Y電極上形成負電荷，在A電極和X電極上形成正電荷。
如圖2和3中所示，重復了這樣的過程其中，在周期Tf期間，把Y電極的電壓降低預先確定的電壓，并且通過限制施加于Y電極的電壓而浮置(float)Y電極，同時在重置周期Pr的下降周期Pr2中，把電壓Ve施加于X電極。
當在這樣的過程期間，X電極電壓Vx和Y電極電壓Vy之間的差變得大于放電點火(firing)電壓時，在X電極和Y電極之間出現(xiàn)放電，并且放電電流Id開始流入放電空間。
在X電極和Y電極之間已開始放電之后，浮置Y電極。Y電極電壓Vy隨壁電荷的量而變化，因為無電荷從電源提供至Y電極。通過X電極和Y電極之間的放電而減少形成在X電極和Y電極上的壁電荷的量，因此，放電空間中的電壓迅速降低。當X電極和Y電極之間的電壓變得小于放電點火電壓時，放電迅速結(jié)束。另外，如圖3中所示，浮置的Y電極的電壓增高，因為當放電空間中的電壓降低時，把X電極維持在電壓Ve上。因此，當壁電荷僅稍微有所消除時放電可以結(jié)束，因為放電空間中的電壓隨壁電荷中的變化而變化。
隨后，當降低Y電極電壓Vy以引發(fā)放電時，Y電極被浮置，而且放電空間中放電迅速結(jié)束，同時，形成在Y和X電極上的壁電荷稍微消除。重復這一操作，可逐步消除形成在Y和X電極上的壁電荷，從而隨著它們達到了所希望的狀態(tài)，提供對壁電荷的控制。
再次參照圖2，在用于選擇導通放電室的尋址周期Pa中，分別把掃描電壓Vscl和尋址電壓Va施加于導通放電室的Y電極和A電極。以高于掃描電壓Vscl的電壓Vsch來偏置未選擇的Y電極，并且把地電勢(0V)施加于被截止的放電室的A電極。在維持周期Ps中，把電壓Vs和地電壓0V依次施加于Y電極和X電極，從而可以對導通放電室維持放電。
在這一實施例中，如以上所描述的，可以通過小量的壁電荷結(jié)束放電，從而允許對壁電荷進行控制?；谑┘有逼码妷旱膫鹘y(tǒng)重置方法緩慢地降低了Y電極電壓，以防止強放電，并且提供對壁電荷的控制。這樣的重置方法通過使用斜坡電壓的坡度，并且把斜坡的坡度限制在某一可接受的坡度值，以控制壁電荷，從而使用斜坡電壓來控制放電的強度。然而，對坡度值的限制可能導致重置周期Pr的持續(xù)時間的增加。由于本發(fā)明通過浮置Y電極而有助于放電的迅速結(jié)束，所以可以迅速地降低Y電極電壓。因此，根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示器中的重置周期可短于其中使用斜坡電壓限定重置周期的等離子體顯示器中的重置周期。
盡管已參照本發(fā)明的實施例描述了重置周期Pr的下降周期Pr2，但當使用斜坡電壓控制壁電荷時，也可以使用以上所描述的放電結(jié)束機制。另外，盡管已參照本發(fā)明的實施例描述了用于降低Y電極電壓的波形，但所論述的放電結(jié)束機制也可適用于用于增加Y電極電壓Vy的波形。例如，可以通過在把電壓Vy增加預先確定的電壓之后，重復浮置電極的操作，而逐漸增加Y電極電壓Vy。
以下，將參照圖4和5描述用于生成類似于或等同于圖3中所示波形的波形的示例性驅(qū)動電路。例如，可以把這樣的驅(qū)動電路提供在Y電極驅(qū)動器500中，用于生成圖2中所示的Y電極波形。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的驅(qū)動電路的電路圖，圖5是使用圖4的驅(qū)動電路所生成的驅(qū)動波形的時序圖。圖4中所示的平板電容器Cp代表Y和X電極之間的容性負載。假設(shè)把地電勢施加于平板電容器Cp的第二端子(即X電極)，并且假設(shè)以預先確定量的電荷向平板電容器Cp充電。
如圖4中所示，根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的驅(qū)動電路包括晶體管M1、電容器Cp和Cd、電阻器R1、可選電阻器R2和R3、二極管D1以及切換驅(qū)動器510。在圖4中，把晶體管M1描述為n溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)，但也可以取代n溝道MOSFET，而使用適合于執(zhí)行類似以下所描述的那些功能的功能的其它切換器。
把作為晶體管M1的兩個主端子之一的漏極耦接于平板電容器Cp的第一端子(即Y電極)，并且把作為晶體管M1的另一主端子的源極耦接于電容器Cd的第一端子。把電容器Cd的第二端子和切換驅(qū)動器510的負極端子耦接于用于提供電壓Vnf的電源。把切換驅(qū)動器510的正極端子耦接于晶體管M1的柵極，其為晶體管M1的控制端子，并且把切換驅(qū)動器510的負極端子耦接于電源Vnf。切換驅(qū)動器510響應于控制信號IN1，而提供驅(qū)動晶體管M1的驅(qū)動信號。當控制信號IN1處于高電平時，該驅(qū)動信號的電壓比電壓Vnf高電壓Vcc的值，而當控制信號IN1處于低電平時，該驅(qū)動信號的電壓等于電壓Vnf。
在一個實施例中，把電阻器R2耦接在切換驅(qū)動器510的正極端子和晶體管M1的柵極之間。把二極管D1和電阻器R1耦接在電容器Cd的第一端子和切換驅(qū)動器510的正極端子之間，共同形成電容器Cd的放電路徑。
現(xiàn)在，參照圖5描述圖4的驅(qū)動電路的操作。在圖5中，波形I(描繪為實線)相應于在Y電極和X電極之間產(chǎn)生放電時的情況，波形II(描繪為虛線)相應于在Y電極和X電極之間不產(chǎn)生放電時的情況。
如圖5中所示，當控制信號IN1處于高電平時(即，在時間間隔Ton期間)，晶體管M1的柵極電壓變得比晶體管M1的源極電壓高電壓Vcc的值，因此，晶體管M1導通。隨后，把積累在平板電容器Cp中的電荷移至電容器Cd，從而降低了Y電極電壓Vy。當對電容器Cd充電時，電容器Cd的第一端子的電壓增加，而且晶體管M1的源極電壓增加。在這一期間，把晶體管M1的柵極電壓維持在與導通晶體管M1時的電平相同的電平上，但電容器Cd的第一端子處的電壓增加。因此，與晶體管M1的柵極電壓相比，晶體管M1的源極電壓增加。當晶體管M1的源極電壓增至預先確定的電壓時，晶體管M1的柵極和源極之間的電壓變得低于晶體管M1的閾值電壓Vt，并且截止了晶體管M1。
當截止了晶體管M1時，施加于平板電容器Cp的Y電極的電壓得以穩(wěn)定，并且平板電容器Cp的Y電極被浮置?？梢允褂霉?來定義當截止晶體管M1時電容器Cd中所充電的電荷量ΔQiΔQi＝Cd(Vcc-Vt)(1)其中，Cd為電容器Cd的電容量。
當控制信號IN1處于低電平時(即，在時間間隔TOFF期間)，切換驅(qū)動器510的正極端子處的電壓變得低于電容器Cd的第一端子電壓，并且通過包括電容器Cd、二極管D1、電阻器R1以及切換驅(qū)動器510的放電路徑對電容器Cd進行放電。由于把電容器Cd從對電容器Cd進行充電時的狀態(tài)放電至電壓(Vcc-Vt)，所以可以使用公式2定義由放電而導致的跨越電容器Cd的電壓降的量ΔVdΔVd=(Vcc-Vt)e-1R1Cdt---(2)]]>其中，R1為電阻器R1的電阻值。
另外，在控制信號IN1的時間間隔TOFF期間從電容器Cd放電的電荷量ΔQd，可以使用公式3加以定義ΔQd=Cd(Vcc-Vt)-Cd(Vcc-Vt)e-1R1CdTOFF=Cd(Vcc-Vt)(1-e-1R1CdTOFF)---(3)]]>
因此，可以使用公式4定義電容器Cd中余留的電荷量QdQd＝ΔQi-ΔQd(4)當控制信號IN1達到高電平時，晶體管M1導通，隨后，電荷從平板電容器Cp移至電容器Cd。如以上所描述的，當把電荷ΔQi從平板電容器Cp移至電容器Cd時，晶體管M1截止。參照圖5，當在下降周期I的較早階段期間Y電極和X電極之間不存在放電時，浮置的Y電極的電壓保持不變。如參照周期II和III在圖5中所描述的，當Y電極和X電極之間產(chǎn)生放電時，浮置的Y電極的電壓增加。
如以上所描述的，當響應于控制信號IN1的高電平而導通晶體管M1時，Y電極電壓Vy降低預先確定的值，跨越電容器Cd的電壓增加另一預先確定的值，從而晶體管M1截止。當控制信號IN1達到低電平時，電容器Cd開始放電，而晶體管M1保持截止狀態(tài)。當控制信號IN1在高和低電平之間交替時，重復Y電極電壓的降低和Y電極的浮置的循環(huán)。
盡管已把電容器Cd的放電路徑描述為耦接于切換驅(qū)動器510的正極端子，然而也可以使用不同的路徑形成放電路徑。例如，可以把切換器(未示出)耦接在電容器Cd的第一端子和電源Vnf之間，并且被導通以形成放電路徑。此外，如圖4中所示，可以把電阻器R3耦接在平板電容器CP和晶體管M1之間，以限制從平板電容器CP所放電的電流。而且，也可以取代電阻器R3，使用適合于限制從平板電容器CP(例如，電感器)所放電的電流的其它元件(未示出)。
通過在重置周期III的最后階段，通過在先前的放電周期中所形成的引火(priming)粒子，而可以產(chǎn)生強放電。當產(chǎn)生強放電時，浮置的Y電極的電壓變化增加，同時Y電極電壓Vy的降低速率為低。當Y電極和X電極之間產(chǎn)生放電時Y電極電壓Vy的降低速率實質(zhì)不同于當Y電極和X電極之間不存在放電時的這樣的速率。因此，考慮到強放電，應該延伸重置周期Pr的持續(xù)時間。
以下，參照圖6～9，描述在重置周期的最后階段期間產(chǎn)生強放電時迅速降低Y電極電壓Vy的示例性實施例。
圖6說明了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施例的驅(qū)動電路的電路圖，圖7說明了使用圖6的驅(qū)動電路所生成的驅(qū)動波形的時序。
如圖6中所示，與第一示例性實施例相比，根據(jù)第二示例性實施例的驅(qū)動電路還包括晶體管Q1、可選電阻器R4以及切換驅(qū)動器520。在圖6中，把晶體管Q1描述為npn雙極結(jié)式晶體管(BJT)，但也可以取代npn BJT，而使用適合于執(zhí)行類似以下所描述功能的功能的其它切換器。
具體地講，把作為晶體管Q1的兩個主端子之一的晶體管Q1的集電極耦接于電阻器R1和二極管D1的公共點，把作為晶體管Q1的另一主端子的晶體管Q1的發(fā)射極耦接于電容器Cd的第二端子，從而耦接于電源Vnf?；蛘撸部梢园丫w管Q1的集電極耦接于電容器Cd的第一端子。把切換驅(qū)動器520的正極端子耦接于晶體管Q1的基極，其為晶體管Q1的控制端子，把切換驅(qū)動器520的負極端子耦接于電源Vnr。切換驅(qū)動器520響應于控制信號IN2，而提供用于驅(qū)動晶體管Q1的區(qū)動信號。分別是當控制信號IN2處于高電平時，這一驅(qū)動信號導通晶體管Q1，當控制信號IN2處于低電平時，這一驅(qū)動信號截止晶體管Q1?？梢园央娮杵鱎4耦接在切換驅(qū)動器520的正極端子和晶體管Q1的基極之間。
參照圖7描述圖6的驅(qū)動電路的操作。以下描述了圖7的區(qū)域III中的波形，而圖7的區(qū)域I和II中的波形類似于圖5的波形。
如圖7中所示，在重置周期III的最后階段期間，當強放電改變了浮置的Y電極的電壓Vy時，控制信號IN2交替達到高和低電平。具體地講，當控制信號IN1達到低電平時，控制信號IN2達到高電平。
當控制信號IN2處于高電平以及控制信號IN1處于低電平時，通過由晶體管Q1和二極管D1所形成的放電路徑，釋放積累在電容器Cd中的電荷。與第一示例性實施例相比，由于從電容器Cd釋放了電荷，所以余留在電容器Cd中的電荷量少于可使用公式3而限定的量。
與其中已從電容器Cd釋放了電荷的區(qū)域II相比，當控制信號IN2處于低電平以及控制信號IN1處于高電平時，晶體管Q1截止，而且晶體管M1導通，從而電荷從平板電容器CP流向電容器Cd。因此，與區(qū)域II相比，降低了Y電極電壓Vy。
如以上所描述的，由于當通過強放電而增加了浮置的Y電極的電壓Vy時降低了Y電極電壓Vy，所以在區(qū)域III中Y電極電壓Vy的下降速率不能為低。
在圖6的驅(qū)動電路中，向切換驅(qū)動器520提供控制信號IN2，以驅(qū)動晶體管Q1。以下參照圖8和9描述不使用控制信號IN2控制晶體管Q1的示例性實施例。
圖8描述了說明根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施例的驅(qū)動電路的電路圖，圖9描述了說明圖8的驅(qū)動電路的驅(qū)動波形的時序圖。
如圖8中所示，與以上所論述的第一示例性實施例相比，根據(jù)第三示例性實施例的驅(qū)動電路還包括切換驅(qū)動器530，而且切換驅(qū)動器530可不由控制信號加以驅(qū)動。
具體地講，切換驅(qū)動器530包括二極管D2和D3、電阻器R5以及電容器C1。把二極管D2的陰極耦接于平板電容器CP的第一端子(即Y電極)，并且把二極管D2的陽極耦接于電容器C1的第一端子。把電阻器R4并聯(lián)地與二極管D2耦接，并且把電容器C1的第二端子耦接于晶體管Q1的基極。把其陰極耦接于電容器C1的第一端子的二極管D3的陽極耦接于電源Vnf。
假設(shè)在控制信號IN1首次達到高電平時的狀態(tài)之前，電容器C1的第一端子處的電壓V1變得等于平板電容器CP的Y電極電壓Vy，而且電容器C1的第二端子處的電壓V2等于電壓Vnf。
通過具有高電平的控制信號IN1來導通晶體管M1，Y電極電壓Vy降低，從而正向偏置了二極管D2和D3。然后，把電容器C1的端子處的電壓降低平板電容器CP的電壓變化的值，如圖9中所示。
在截止了晶體管M1時的狀態(tài)下，把Y電極電壓Vy增加預先確定的電壓，二極管D2和D3變?yōu)榉聪蚱?reverse biased)。于是，由于經(jīng)過電阻器R5從平板電容器CP流向電容器C1的電流，跨越電容器C1的電壓V1和V2增加。
當平板電容器CP的電壓變化變得大于預先確定的電壓時，如參照區(qū)域III所論述的情況中，電容器C1的第二端子電壓V2的變化可變得大于晶體管Q1的閾值電壓。隨后，晶體管Q1導通，從而可以對電容器Cd進一步放電。因此，由于切換驅(qū)動器530可以執(zhí)行與圖6和7中所示的切換驅(qū)動器520相同的功能，所以可以不提供控制信號IN2。
在其中控制信號IN1不向切換驅(qū)動器510提供輸入的期間，可以改變Y電極電壓Vy。如圖8中所示，當改變Y電極電壓Vy時，為了保護晶體管Q1的基極電壓，二極管D3可以為Zener二極管。
盡管在以上所論述的示例性實施例中僅描述了Y電極的波形，但這些示例性實施例也可適用于用于驅(qū)動A電極和X電極的波形。
本發(fā)明的實施例提供了一種驅(qū)動電路，用于在使施加于放電室的電極的電壓下降之后重復浮置放電室的電極。此外，在所論述的本發(fā)明的實施例中，使用浮置操作，可以精確地控制形成在等離子體顯示器的放電室中的壁電荷。
此處，已經(jīng)公開了本發(fā)明的示例性實施例，盡管使用了一些特定的術(shù)語，但僅僅是一般性地和描述性地，并非限制性地使用和解釋這些術(shù)語。因此，本技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員將會意識到，在不背離權(quán)利要求中所闡述的本發(fā)明的精神與范圍的情況下，可以在形式與細節(jié)上對本發(fā)明進行多方面的修改。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示器，包括多個第一電極，與等離子體顯示器的放電室相關(guān)聯(lián)；多個第二電極，與等離子體顯示器的放電室相關(guān)聯(lián)，并與第一電極形成容性負載；第一晶體管，具有耦接于第一電極的第一端子；第一電容器，具有耦接于第一晶體管的第二端子的第一端子、以及耦接于提供第一電壓的第一電源的第二端子；第二晶體管，耦接在第一電容器的第一端子和提供第二電壓的第二電源之間；以及第一切換驅(qū)動器，耦接于第二晶體管的控制端子，并且被適配以在增加第一電極處的電壓時增加第二晶體管的控制端子電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其中，所述第一切換驅(qū)動器包括第一二極管，具有耦接于第一電極的陰極；第一電阻器，并聯(lián)地與第一二極管耦接；第二電容器，具有耦接于第一二極管的陽極的第一端子、以及耦接于第二晶體管的控制端子的第二端子；以及第二二極管，具有耦接于第二電容器的第二端子的陰極、以及耦接于第二電源的陽極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示器，其中，所述第二二極管為齊納二極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其中，所述第一晶體管的控制端子適配于維持用于導通第一晶體管的第三電壓、和維持用于截止第一晶體管的第四電壓的驅(qū)動信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體顯示器，還包括放電路徑，用于在驅(qū)動信號維持第四電壓的周期期間，釋放由第一電容器所積累的至少部分電荷。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示器，其中，所述放電路徑包括第二電阻器；以及第三二極管，串聯(lián)地耦接于第二電阻器，并且被適配以阻斷向第一電容器充電的電流。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體顯示器，還包括第二切換驅(qū)動器，被適配以通過輸出端子輸出驅(qū)動信號，其中，所述放電路徑耦接在第一電容器和第二切換驅(qū)動器的輸出端子之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其中，所述第一電壓等于第二電壓。
9.一種等離子體顯示器的驅(qū)動設(shè)備，所述等離子體顯示器包括與等離子體顯示器的放電室相關(guān)聯(lián)的多個第一電極、以及與等離子體顯示器的放電室相關(guān)聯(lián)的多個第二電極，所述多個第二電極與第一電極形成容性負載，所述驅(qū)動設(shè)備包括第一晶體管，具有耦接于第一電極的第一端子、和被適配以接收驅(qū)動信號的控制端子，所述驅(qū)動信號具有維持第一電壓和第二電壓的控制信號，所述第一晶體管被適配以響應于控制信號的第一電壓而被導通；第一電容器，具有耦接于第一晶體管的第二端子的第一端子、以及耦接于提供第三電壓的第一電源的第二端子；放電路徑，耦接于第一電容器的第一端子，并且被適配以釋放由第一電容器所積累的至少部分電荷；第二晶體管，耦接在第一電容器的第一端子和提供第四電壓的第二電源之間；以及第二電容器，耦接在第二晶體管的控制端子和第一晶體管的第一端子之間，并且被適配以在第一晶體管截止的狀態(tài)下，響應于第一晶體管的第一端子處的電壓變化，而改變第二晶體管的控制端子電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的驅(qū)動設(shè)備，還包括第一二極管，耦接在第一晶體管的第一端子和第二電容器之間；第一電阻器，并聯(lián)地與第一二極管耦接；以及第二二極管，耦接在第二電容器和第二電源之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的驅(qū)動設(shè)備，其中，所述第一二極管的陰極耦接于第一晶體管的第一端子，并且第二二極管的陽極耦接于第二電源。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的驅(qū)動設(shè)備，其中，所述第二二極管為齊納二極管。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的驅(qū)動設(shè)備，還包括切換驅(qū)動器，被適配以通過輸出端子輸出驅(qū)動信號，其中，所述放電路徑包括耦接在第一電容器的第一端子和切換驅(qū)動器的輸出端子之間的第三二極管。
14.一種等離子體顯示器的驅(qū)動方法，所述等離子體顯示器包括與等離子體顯示器的放電室相關(guān)聯(lián)的多個第一電極、以及與等離子體顯示器的放電室相關(guān)聯(lián)的多個第二電極，所述多個第二電極與第一電極形成容性負載，所述驅(qū)動方法包括響應于控制信號的第一電平，而導通具有耦接于第一電極的第一端子的第一晶體管；響應于對第一晶體管的導通，而對容性負載放電，從而可對耦接于第一晶體管的第二端子的電容器進行充電，并且在第一電極和第二電極之間產(chǎn)生放電；響應于對所述電容器的充電，而截止第一晶體管；響應于在第一電極和第二電極之間形成的放電，而改變第一電極處的電壓；響應于第一電極處的電壓變化，而改變耦接于所述電容器的第二晶體管的控制端子處的電壓；以及響應于控制信號的第二電平而對所述電容器進行放電。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的驅(qū)動方法，還包括響應于第二晶體管的控制端子處的電壓變化，而對所述電容器進行放電。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的驅(qū)動方法，還包括施加具有交替的第一和第二電平的控制信號。
全文摘要
在一種等離子體顯示器的驅(qū)動電路中，第一晶體管的漏極耦接于掃描電極，切換驅(qū)動器耦接在第一晶體管的柵極和源極之間。切換驅(qū)動器導通第一晶體管，以降低掃描電極的電壓，并且對耦接于第一晶體管的源極的電容器進行充電。當跨越該電容器的電壓增加預先確定的電壓時，第一晶體管截止，并且掃描電極被浮置。重復這一操作，可以逐漸降低掃描電極的電壓。當通過降低掃描電極的電壓而在等離子體顯示器的放電室中產(chǎn)生放電時，浮置的掃描電極的電壓增加。當浮置的掃描電極的電壓變化增加時，切換驅(qū)動器還對電容器進行放電。
文檔編號G09G3/298GK1811877SQ200610003
公開日2006年8月2日 申請日期2006年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月25日
發(fā)明者梁振豪, 金鎮(zhèn)成, 鄭成俊 申請人:三星Sdi株式會社