基板處理設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]在此描述的發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及基板處理設(shè)備，尤其涉及使用等離子體來(lái)處理基板的設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，等離子體是指由離子、電子、自由基等形成的電離氣體。等離子體由極高溫度、強(qiáng)電場(chǎng)或高頻的電和磁場(chǎng)產(chǎn)生。
[0003]等離子體處理設(shè)備為將反應(yīng)物轉(zhuǎn)化為等離子態(tài)(plasma state)以將其沉積于半導(dǎo)體基板上，以及利用等離子態(tài)的反應(yīng)物清潔、灰化(ash)或刻蝕半導(dǎo)體基板的設(shè)備。
[0004]半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展使半導(dǎo)體設(shè)備能夠具有大容量和高功能。因此，必須在狹窄的空間內(nèi)集成更多構(gòu)件。為此，半導(dǎo)體設(shè)備制造技術(shù)正在開發(fā)和研宄尺寸縮小(scale-down)和高度集成的模式。對(duì)于這種尺寸縮小和高度集成的模式，制造工藝中正在應(yīng)用使用等離子體的干法刻蝕技術(shù)。在干法刻蝕技術(shù)中，反應(yīng)氣體被激活以轉(zhuǎn)換成等離子態(tài)，然后反應(yīng)氣體的等離子態(tài)的正離子或自由基刻蝕半導(dǎo)體基板的預(yù)定區(qū)域。
[0005]特別是，電感親合等離子(Inductively Coupled Plasma，ICP)處理設(shè)備使用介電窗作為高頻電能(power)的傳送路徑。在處理開始時(shí)或在處理的過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生處理結(jié)果彼此不同的事件，這是因?yàn)檫M(jìn)行處理時(shí)，受腔室內(nèi)的等離子體的影響，溫度發(fā)生改變。
[0006]因此，在傳統(tǒng)介電窗外的介電窗的周圍提供有加熱器以加熱介電窗加熱法。然而，在這種情況下，介電窗的中心區(qū)域受熱小于介電窗的邊緣部分，從而降低處理效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明構(gòu)思實(shí)施例提供一種基板處理設(shè)備，當(dāng)使用等離子體處理基板時(shí)，該基板處理設(shè)備能夠通過(guò)加熱整個(gè)介電板提高工藝效率。
[0008]本發(fā)明構(gòu)思實(shí)施例還提供一種基板處理設(shè)備，該基板處理設(shè)備能夠通過(guò)精確控制介電板每個(gè)區(qū)域的溫度使介電板的溫度分布均勻。
[0009]本發(fā)明構(gòu)思實(shí)施例的一個(gè)方面是直接提供一種基板處理設(shè)備，所述基板處理設(shè)備包括腔室、支撐單元、介電板、氣體供應(yīng)單元、天線和加熱單元。所述腔室可在其內(nèi)具有工藝空間，所述工藝空間的上表面可為開放的。所述支撐單元可設(shè)置在所述腔室中，且支撐基板。所述介電板可安裝在所述腔室的開放的上表面上以覆蓋所述開放的上表面。所述氣體供應(yīng)單元可供應(yīng)所述腔室中的氣體。所述天線可設(shè)置在所述介電板的上方，且可用所述氣體產(chǎn)生等離子體。所述加熱單元可設(shè)置在所述天線的上方，且可加熱所述介電板。
[0010]所述加熱單元可包括多個(gè)燈和輻射角限制單元，所述輻射角限制單元配置為限定從所述燈入射到所述介電板的光的輻射角。
[0011]所述輻射角限制單元可包括殼體，所述殼體具有圍繞所述燈的側(cè)部的側(cè)壁，使得所述光不直接入射到所述天線上。
[0012]所述輻射角限制單元可包括殼體，所述殼體具有側(cè)壁和上壁以提供底部開放的空間，其中所述燈設(shè)置在所述空間中。
[0013]所述殼體可配置為使得所述光不直接輻射到所述天線上。
[0014]所述殼體的內(nèi)壁可由反射所述光的材料形成。
[0015]所述殼體和所述燈可形成為具有環(huán)形形狀。
[0016]所述殼體可形成為基于水平軸是可旋轉(zhuǎn)的。
[0017]反射構(gòu)件可以是可拆卸的，且可安裝在所述殼體的內(nèi)表面上。
[0018]所述反射構(gòu)件可包括第一反射構(gòu)件和第二反射構(gòu)件，所述第一反射構(gòu)件和所述第二反射構(gòu)件可形成為具有不同的反射角，并且，從所述第一反射構(gòu)件和所述第二反射構(gòu)件中選出的一個(gè)可安裝在所述殼體上。
[0019]所述天線可包括第一天線和第二天線，所述第一天線配置為在所述腔室的中心區(qū)域產(chǎn)生所述等離子體；所述第二天線設(shè)置為與所述第一天線的外側(cè)間隔開，且配置為在所述腔室的邊緣區(qū)域產(chǎn)生所述等離子體。所述第一天線和第二天線可形成為具有環(huán)形形狀。
[0020]所述加熱單元可包括第一加熱單元，所述第一加熱單元放置于所述第一天線和所述第二天線之間的區(qū)域的上方。
[0021]所述加熱單元還可包括置于所述第二天線的外側(cè)的上方的第二加熱單元。
[0022]所述加熱單元還可包括放置于所述第一天線的內(nèi)側(cè)的上方的第三加熱單元。
[0023]所述基板處理設(shè)備還可包括加熱器，所述加熱器配置為在所述介電板的側(cè)部加熱所述介電板。
【附圖說(shuō)明】
[0024]通過(guò)以下參照下面的附圖的描述，上述內(nèi)容和其它的目的和特征將變得顯而易見，其中，除非另有規(guī)定，全部各附圖中，相同的附圖標(biāo)記指代相同部件，其中
[0025]圖1為根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的基板處理設(shè)備的剖視圖；
[0026]圖2為圖1中介電板的立體圖；
[0027]圖3為示意性闡明圖2的光如何輻射的示意圖；
[0028]圖4-圖6為圖2的天線和加熱單元的平面圖；
[0029]圖7為根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個(gè)示例性實(shí)施例，示意性(schematically)闡明圖2的加熱單元的示意圖；
[0030]圖8和圖9為根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一個(gè)示例性實(shí)施例，示意性闡明圖2的加熱單元的示意圖；
[0031]圖1OA為根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，示意性闡明束縛在圖8的殼體上的反射構(gòu)件的示意圖；
[0032]圖1OB為根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個(gè)示例性實(shí)施例，示意性闡明束縛在圖8的殼體上的反射構(gòu)件的示意圖；
[0033]圖11為根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一個(gè)示例性實(shí)施例，示意性闡明圖2的加熱單元的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]將參照附圖詳細(xì)描述實(shí)施例。然而，以各種不同形式體現(xiàn)的本發(fā)明構(gòu)思，不應(yīng)當(dāng)被解釋為僅限定于所示實(shí)施例O更確切些，這些實(shí)施例作為示例來(lái)提供，使得對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，該公開是徹底且完整的，并充分地表達(dá)了本發(fā)明構(gòu)思的范圍。相應(yīng)地，對(duì)于本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，并沒(méi)有描述已知工藝、構(gòu)件和技術(shù)。除非另有說(shuō)明，在全部附圖和書面描述中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的構(gòu)件，因此將不會(huì)重復(fù)描述。在附圖中，為清楚起見，層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸可能被放大。
[0035]應(yīng)當(dāng)理解的是，雖然本文可使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等以描述各種構(gòu)件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些構(gòu)件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受限于這些術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分從另一個(gè)區(qū)域、層或部分中區(qū)分出來(lái)。因此，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思教導(dǎo)的情況下，以下討論的第一構(gòu)件、第一組件、第一區(qū)域、第一層或第一部分可以被稱為第二構(gòu)件、第二組件、第二區(qū)域、第二層或第二部分。
[0036]為了便于描述，本文可使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)例如“在…下面(beneath) ”、“在…下方(below) ”、“下面的(lower) ”、“在…之下(under) ”、“在…上方(above) ”、“上面的(upper)，，等，以描述如附圖中闡述的一個(gè)構(gòu)件或特征與另一個(gè)(多個(gè))構(gòu)件或(多個(gè))特征之間的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，除附圖中描述的方位以外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)意圖包含設(shè)備在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的設(shè)備被倒置，描述為在其他構(gòu)件或特征“下方(below)”或“下面(beneath)”或“之下(under) ”的構(gòu)件將隨之調(diào)整為在其他構(gòu)件或特征的“上方”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“下方(below)”和“之下(under)”可包含上方和下方兩個(gè)方位。設(shè)備可作其他調(diào)整(旋轉(zhuǎn)90度或處于其他方位)，且本文使用的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)相應(yīng)解釋。此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)層被稱為在兩層“之間”時(shí)，可為兩層之間的唯一層，或者也可存在一個(gè)或多個(gè)插入層。
[0037]本文所用術(shù)語(yǔ)僅僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而非旨在限定本發(fā)明構(gòu)思。如本文使用的單數(shù)形式的“一個(gè)(a，an)”和“該/所述(the) ”旨在還包含復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出并非如此。還應(yīng)當(dāng)理解的是，在該說(shuō)明書中使用術(shù)語(yǔ)“包含(comprises和/或comprising) ”時(shí)，指定存在所述特征、整體、步驟、操作、構(gòu)件、和/或組件，但是不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、構(gòu)件、組件、和/或以上的組合。如本文所用，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括列出的一個(gè)或多個(gè)關(guān)聯(lián)項(xiàng)目的任何和所有組合。此外，術(shù)語(yǔ)“示例性”的目的是指例子或?qū)嵗?br>[0038]應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)構(gòu)件或?qū)颖环Q為“在…上”、“連接至”、“耦合至”、或“鄰近”另一個(gè)構(gòu)件或?qū)訒r(shí)，可為直接在…上、直接連接至、直接耦合至、或直接鄰近另一個(gè)構(gòu)件或?qū)樱蚩纱嬖诓迦霕?gòu)件或?qū)?。與此相反，當(dāng)一個(gè)構(gòu)件被稱為“直接在…上”、“直接連接至”、“直接耦合至”、或“直接鄰近”另一個(gè)構(gòu)件或?qū)訒r(shí)，不存在插入構(gòu)件或?qū)印?br>[0039]除非另有定義，本文使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員普遍理解的含義相同的含義。還應(yīng)當(dāng)理解