專利名稱：檢查陣列基板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及檢查陣列基板的方法。
(2)背景技術(shù)液晶顯示器被用于不同的組件，諸如筆記本個人電腦(筆記本PC)的顯示單元，移動電話的顯示單元和電視接收機的顯示單元。因而，取決于液晶顯示器的使用，存在著對各種大小的液晶顯示器的需求，諸如12英寸和15英寸顯示器。這類液晶顯示器包括陣列基板，陣列基板具有顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域，還包括排列成與陣列基板相對的對置基板以及在陣列基板和對置基板之間保持的液晶層。
在陣列基板的顯示區(qū)域中，以矩陣方式形成多條掃描線和多條信號線，而像素形成在掃描線和信號線的交叉點處。每一像素至少包括一個開關(guān)元件和連接到開關(guān)元件的像素電極。在非顯示區(qū)域中，布置了驅(qū)動像素的掃描線驅(qū)動電路和信號線驅(qū)動電路。通過在陣列基板上設置驅(qū)動電路，能夠形成薄的液晶顯示器。多個用于輸入/輸出信號的端子設置在如上所述形成的陣列基板的一面上。這些端子被連接到掃描線驅(qū)動電路和信號線驅(qū)動電路。
陣列基板要經(jīng)過檢測步驟以便檢測制造過程中的缺陷。在檢測步驟中，信號被輸入到設置在陣列基板一面上的端子及從設置在陣列基板一面上的端子輸出，從而進行檢查。
第11-271177號日本專利申請公開說明書、第2000-3142號日本專利申請公開說明書和5,268,638號美國專利說明書揭示了與檢查方法和檢查裝置有關(guān)的技術(shù)。
第11-271177號日本專利申請公開說明書揭示了一種技術(shù)，該技術(shù)在檢查非晶型LCD(液晶顯示器)基板的點缺陷檢查工藝方面具有特色。
該技術(shù)利用了以下現(xiàn)象。使DC組件的直射光入射在LCD基板的整個表面上，非晶硅膜感測光并變成導電的。通過檢測存儲在存儲電容中的電荷泄漏量，可確定缺陷的條件。第2000-3142號日本專利申請公開說明書的技術(shù)利用了這樣的現(xiàn)象，即在將電子束照射在像素電極上時，發(fā)出的電子束與施加到薄膜晶體管的電壓成比例。5,268,638號美國專利說明書也利用了在將電子束施加到像素電極時發(fā)出的二次電子。
(3)發(fā)明內(nèi)容在形成不同尺寸的液晶顯示器時，包括于這些液晶顯示器中的陣列基板具有不同的尺寸。在設置于不同尺寸陣列基板上的多個端子的布置方面沒有一致性。因而，在要檢查不同尺寸的陣列基板時，不可能使用相同的檢查裝置。特別是，使用以相同間距排列的探針難以檢查不同的陣列基板。
液晶顯示器的產(chǎn)品價格深受制造設備成本的影響。在制造設備中，檢查裝裝置是不可缺少的。不用說，檢查裝置影響產(chǎn)品價格。
考慮到上述問題已經(jīng)做出了本發(fā)明，本發(fā)明的一個目的是提供一種陣列基板的檢查方法，它能夠降低檢查裝置的成本。此外，該檢查方法能夠減少需要對檢查裝置做出設計改變和修正的場合的數(shù)量，并能夠抑制液晶顯示器產(chǎn)品成本的上升。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種檢查陣列基板的方法，所述陣列基板包括具有用于供電且在其末端有第一陣列的第一焊盤和待檢查的第一電極的第一陣列基板，以及具有用于電力供給用且在其末端有不同于第一陣列的第二陣列的第二焊盤和待檢查的第二電極的第二陣列基板，電力從所述第一焊盤和所述第二焊盤供給所述第一電極和所述第二電極，電子束被施加給所述第一電極和所述第二電極，并且基于與從所述第一電極和所述第二電極發(fā)射的二次電子有關(guān)的信息來進行與所述第一電極和所述第二電極有關(guān)的檢查，所述方法包括將第一焊盤連接到具有按預定排列設置的端子的檢查焊盤，使具有對應于所述預定排列的排列的探針與端子相接觸，并將電力供給第一電極，從而進行與第一陣列基板的第一電極有關(guān)的檢查；以及將第二焊盤連接到具有按預定排列設置的端子的檢查焊盤，在不改變其排列的情況下，使探針與端子相接觸，并將電力供給第二電極，從而進行與第二陣列基板的第二電極有關(guān)的檢查。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種檢查陣列基板的方法，陣列基板中的每一個包括多條掃描線和多條信號線設置在其上以相互交叉的基板、形成在基板上設置在掃描線和信號線的交叉點附近并包括開關(guān)元件和輔助電容器的像素部分以及設置成向掃描線和信號線供給或輸出信號的常規(guī)焊盤組，所述方法包括即使在不同種類的陣列基板的情況下，在陣列基板上預先形成包括排列圖案對應于指定檢查裝置探針組的排列圖案的端子的檢查焊盤組，并將常規(guī)焊盤組相關(guān)聯(lián)的端子經(jīng)由布線導線連接到各所述檢查焊盤組的端子；以及在檢查時，在不改變檢查裝置探針組的排列圖案的情況下，使所述探針組與不同種類陣列基板的檢查焊盤組的端子相接觸，從而進行檢查。
(4)


圖1是說明本發(fā)明作為前提的技術(shù)的視圖，即，示出非晶硅型陣列基板的基本結(jié)構(gòu)的說明圖；圖2是說明本發(fā)明作為前提的技術(shù)的視圖；即，示出多晶硅型陣列基板的主要結(jié)構(gòu)的說明圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的液晶顯示屏的示意橫截面圖；圖4是液晶顯示屏的一部分的透視圖；圖5是示出在母基板上排列陣列基板的示例的說明圖；圖6是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的陣列基板；圖7是以放大比例示出圖6中示出的陣列基板像素區(qū)域的一部分的示意平面圖；圖8是包括圖7中示出的陣列基板的液晶顯示屏的示意橫截面圖；圖9是說明根據(jù)本發(fā)明實施例的電子束檢測儀的基本結(jié)構(gòu)和操作的視圖；
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的陣列基板的主要部分的說明圖；圖11A示意性地示出了圖10中示出的檢查焊盤陣列的一部分的結(jié)構(gòu)；圖11B示意性地示出了圖10中示出的檢查焊盤陣列的另一部分的結(jié)構(gòu)；以及圖12是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的陣列基板的主要部分的說明圖。
(5)具體實施方式

現(xiàn)在將參照附圖來詳細描述根據(jù)本發(fā)明實施例的陣列基板的檢查方法。
首先描述本發(fā)明的作為前提的技術(shù)。如圖1和圖2所示，陣列基板分為兩種類型非晶硅型陣列基板和多晶硅型陣列基板。采用XGA(擴展圖形陣列)作為例子，非晶硅型陣列基板包括像素區(qū)域30、包括大約3000個用于連接外部電路的端子的焊盤組PDa。另一方面，除了像素區(qū)域30之外，多晶硅型陣列基板包括用于驅(qū)動所有XY坐標像素的掃描線驅(qū)動電路40和信號線驅(qū)動電路50。這些電路由薄膜晶體管(TFT)組成。由于只需要為輸入到掃描線驅(qū)動電路40和信號線驅(qū)動電路50配備焊盤組PDp的端子，這些端子的數(shù)量約為300個。
在制造過程中，陣列基板需要產(chǎn)品檢查。用于檢查像素區(qū)域30狀況的檢測儀的示例包括電檢測儀和電子束檢測儀(在下文中稱為“EB檢測儀”)。在使用電檢測儀的檢查中，電荷存儲在像素部分的輔助電容器中，而所存儲的電荷由探頭讀出。在使用EB檢測儀的檢查過程中，電荷存儲在像素部分的輔助電容器中，電子束被施加給像素部分，并檢測發(fā)出的二次電子。
在使用電檢測儀檢查非晶硅型陣列基板的情況下，需要大約3000根探針用于檢查。由于探針非常昂貴，成本將非常高。在使用電檢測儀檢查多晶硅型陣列基板的情況下，需要大約300根探針用于檢查。盡管所需的探針數(shù)量較低，該檢查不得不經(jīng)由掃描線驅(qū)動電路40和信號線驅(qū)動電路50來執(zhí)行，且檢查質(zhì)量將變差。此外，用于檢查的信號處理變得復雜。
另一方面，在使用EB檢測儀檢查非晶硅型陣列基板的情況下，電荷經(jīng)由焊盤組PDp從共用探針存儲在像素部分的輔助電容器中，并由此來執(zhí)行使用EB檢測儀的檢查。在使用EB檢測儀檢查多晶硅型陣列基板的情況下，電荷經(jīng)由掃描線驅(qū)動電路40和信號線驅(qū)動電路50存儲在像素部分的輔助電容器中。但是，由于焊盤組PDp包括用于不同信號的各種類型的端子，不可能使用共用的探針容易地存儲電荷，如同非晶硅型陣列基板的情形。
已經(jīng)描述了使用電檢測儀和EB檢測儀檢查非晶硅型陣列基板和多晶硅型陣列基板的四個例子。接下來，將給出使用EB檢測儀檢查多晶硅型陣列基板的方法的例子。
參照圖3和圖4描述包括多晶硅型陣列基板的液晶顯示屏。多晶硅型陣列基板在以下的描述中被稱為“陣列基板101”。如圖3和圖4中所示，液晶顯示屏包括陣列基板101、排列成與上述陣列基板相對且其間具有預定間隙的對置基板102、在這兩塊基板之間保持的液晶層103。通過用作襯墊的柱狀襯墊127在陣列基板101和對基板102之間設有預定間隙。陣列基板的邊緣部分用密封構(gòu)件160相互結(jié)合在一起。在密封構(gòu)件的一部分形成的液晶入口161用密封劑162密封。
參照圖5，將詳細描述陣列基板101。圖5示出了比那些陣列基板具有更大尺寸的基板(“母基板”)100，在圖5示出的例子中，使用了母基板100并形成四塊陣列基板101。通常，在形成陣列基板101時，使用母基板100。作為示例描述了一塊陣列基板101的結(jié)構(gòu)。陣列基板101包括主區(qū)域和子區(qū)域，如同將在后面詳細描述的那樣，主區(qū)域和子區(qū)域構(gòu)成了本發(fā)明的特征。
如圖6所示，在陣列基板101上多個像素電極P以矩陣形式排列在像素區(qū)域30中。除像素電極P之外，陣列基板101包括沿像素電極P諸行布置的多條掃描線Y1，Y2，...(下文中統(tǒng)統(tǒng)由“Y”來表示)以及沿像素電極P諸列布置的多條信號線X1，X2，...(下文中統(tǒng)統(tǒng)由“X”來表示)。此外，陣列基板101包括靠近掃描線Y和信號線X之間的交叉點排列的開關(guān)元件TFT SW、驅(qū)動掃描線的掃描線驅(qū)動電路40以及驅(qū)動信號線的信號線驅(qū)動電路50。
在經(jīng)由相關(guān)聯(lián)的掃描線Y被驅(qū)動時，各TFT SW將來自相關(guān)聯(lián)的信號線X的信號電壓施加給相關(guān)聯(lián)的像素電極P。掃描線驅(qū)動電路40和信號線驅(qū)動電路50接近陣列基板101的末端，并被布置在像素區(qū)域30的外部區(qū)域上。掃描線驅(qū)動電路40和信號線驅(qū)動電路50由使用多晶硅半導體膜的TFT、像TFT SW所組成。
多個陣列基板101排列在母基板100上的切除線一側(cè)。每個陣列基板部分101包括連接到掃描線驅(qū)動電路40和信號線驅(qū)動電路50的常規(guī)焊盤組陣列PDp。常規(guī)焊盤組PDp用來輸入不同的信號，并且還輸入/輸出檢查信號。通過沿著它們的邊沿e(圖5)來切割母基板100，陣列基板部分101被分開和切斷。
參考圖7和圖8，通過采用圖6中示出的像素區(qū)域30的一部分作為示例將給出進一步的描述。圖7是平面圖，而圖8是橫截面圖。陣列基板101包括由透明的絕緣基板(玻璃)構(gòu)成的基板111(圖8)。在像素區(qū)域30中，多條信號線X和多條掃描線Y以矩陣形式排列在基板111上。在信號線和掃描線之間的各交叉點處設有TFT SW(見圖7中被圓包圍的部分171)。
TFT SW包括具有由多晶硅構(gòu)成的源/漏區(qū)域112a和112b的半導體膜112及柵極電極115b，柵極電極是掃描線Y的延伸。
此外，多條條形輔助電容線116形成在基板111上，條形輔助電容線116構(gòu)成輔助電容元件131，并且輔助電容線116以與掃描線Y相平行方向延伸。在這些部分中，形成相關(guān)聯(lián)的像素電極P。(見圖7中由圓包圍的部分172和圖8。)更具體地說，在基板111上，形成了半導體膜112和輔助電容下部電極113，并且還在包括這些半導體膜和輔助電容下部電極的基板上形成了柵極絕緣膜114。如同半導體膜112，輔助電容下部電極113由多晶硅構(gòu)成。在柵極絕緣膜114上，設置了掃描線Y、柵極電極115b和輔助電容線116。輔助電容線116和輔助電容下部電極113經(jīng)由柵極絕緣膜114被設置成彼此相對。層間絕緣膜117形成在包括了掃描線Y、柵極電極115b和輔助電容線116的柵極絕緣膜114上。
接觸電極121和信號線X形成在層間絕緣膜117上。接觸電極121經(jīng)由接觸孔連接到半導體膜112的源/漏區(qū)域112a和像素電極P。信號線X經(jīng)由接觸孔連接到半導體膜112的源/漏區(qū)域112b。
保護絕緣膜122形成在接觸電極121、信號線X和層間絕緣膜117的上面。此外，在保護絕緣膜122上，條形綠色層124G、條形紅色層124R和條形藍色層124B以并列形式交替排列，從而形成濾色膜。
由ITO(氧化銦錫)等的透明導電膜構(gòu)成的像素電極P形成在色彩層124G、124R和124B上。各像素電極P經(jīng)由在色彩層和保護絕緣膜122中形成的接觸孔125被連接到接觸電極121。像素電極P的外圍部分覆蓋在輔助電容線116和信號線X上。連接到像素電極P的輔助電容元件131起到用于存儲電荷的輔助電容的作用。
柱形襯墊127(見圖7)形成在色彩層124R、124G上。雖然未示出所有的柱形襯墊，多個柱形襯墊127以所需的密度形成在相應的色彩層上。取向膜128形成在色彩層124G、124R和124B以及像素電極P上。對置基板102包括如透明絕緣基板的基板151。由諸如ITO的透明材料所制成的對置電極152和取向膜153依次形成在基板151上。
參考圖9，將說明與使用EB檢測儀的陣列基板101的檢查方法有關(guān)的主要事件。在基板上形成像素電極P后并且在沿著邊沿e從母基板100切除陣列基板101之前執(zhí)行檢查。連接到信號發(fā)生器和信號分析器302的多個探針與關(guān)聯(lián)的焊盤201、202連接。從信號發(fā)生器和信號分析器302輸出的驅(qū)動信號經(jīng)探針和焊盤201、202被供給像素部分203。在驅(qū)動信號供給到像素部分203后，從電子束源301發(fā)射的電子束EB被施加到像素部分。通過該應用，發(fā)射出代表像素部分203電壓的二次電子SE，并且由電子檢測儀DE檢測該二次電子SE。二次電子SE與發(fā)射電子SE的位置處的電壓成正比。在檢查步驟中，陣列基板101的像素部分203被來自信號發(fā)生器和信號分析器302的驅(qū)動信號電掃描。該掃描與電子束EB在陣列基板101表面上的掃描同步進行，它由箭頭a表示。由電子檢測儀DE所檢測到的二次電子的信息被發(fā)送給信號發(fā)生器和信號分析器302，以便分析像素部分203。此外，發(fā)送到信號發(fā)生器和信號分析器302的二次電子的信息反映了各個像素部分對供給各個像素部分203的TFT的端子的驅(qū)動信號的性能。從而，有可能檢查在各個像素部分203的像素電極P處的電壓。換言之，如果像素部分203有缺陷，該缺陷能夠被EB檢測儀檢測到。
圖10是一部分陣列基板101的放大圖，并示出了設置在該部分陣列基板101中的常規(guī)焊盤組陣列PDp的示例。陣列基板101包括陣列基板主區(qū)域101a和位于陣列基板主區(qū)域101a外面的陣列基板子區(qū)域101b。在檢查后，陣列基板子區(qū)域101b例如通過沿著切除線e2畫出切割線而被去除。
在陣列基板主區(qū)域101a中的常規(guī)焊盤組陣列PDp經(jīng)由布線導線被連接到掃描線驅(qū)動電路40和信號線驅(qū)動電路50。掃描線驅(qū)動電路40和信號線驅(qū)動電路50位于圖中的較下側(cè)，但是其描述在此省略。作為常規(guī)焊盤組，常規(guī)焊盤組的陣列PDp的端子被分類成兩個控制焊盤組CTL1和CTL2，以及四個視頻焊盤組Video1、Video2、Video3和Video4。
時鐘信號、起始脈沖信號、高電平電源和低電平電源被輸入到控制焊盤組CTL1和CTL2。視頻信號被輸入到視頻焊盤組Video1、Video2、Video3和Video4。以XGA(擴展圖形陣列)作為例子，控制焊盤組CTL1和CTL2各自端子的數(shù)量是26個。視頻焊盤組Video1、Video2、Video3和Video4各自端子的數(shù)量是50個。
另一方面，在陣列基板子區(qū)域101b的邊緣部分上設置了檢查焊盤組的陣列PD(在下文中稱為“檢查焊盤組陣列”)。檢查焊盤組陣列PD經(jīng)由布線導線連接到常規(guī)焊盤組陣列PDp。
檢查焊盤組陣列PD的結(jié)構(gòu)在本發(fā)明中是重要的。如同常規(guī)焊盤組陣列，作為檢查焊盤組，檢查焊盤組陣列PD包括兩個子控制焊盤組sCTL1和sCTL2以及四個子視頻焊盤組sVideo1、sVideo2、sVideo3和sVideo4。各控制焊盤組CTL1、CTL2的寬度W1a為5.0mm。各視頻焊盤組Video1、Video2、Video3和Video4的寬度W1b是34.888mm。
焊盤組的諸間距如同下述。子控制焊盤組sCLT1與子視頻焊盤組sVideo1之間的間距W2a以及子控制焊盤組sCLT2與子視頻焊盤組sVideo4之間的間距W2a為15.747mm。子視頻焊盤組sVideo1與子視頻焊盤組sVideo2之間的間距W2b以及子視頻焊盤組sVideo3與子視頻焊盤組sVideo4之間的間距W2b為32.612mm。子視頻焊盤組sVideo2與子視頻焊盤組sVideo3之間的間距W2c是36.33mm。用這種方式，用預定的間距來設置檢查焊盤組。
如同控制焊盤組CTL1、CTL2，各子控制焊盤組sCTL1和sCTL2的端子的數(shù)量是26個。如同視頻焊盤組Video1、Video2、Video3和Video4，各子視頻焊盤組sVideo1、sVideo2、sVideo3和sVideo4的數(shù)量是50個。構(gòu)成這些檢查焊盤組的端子以預定圖案排列。
如圖11A和圖11B所示，根據(jù)預定的圖案確定子控制焊盤組CTL1的端子c1到c26之間的間距。根據(jù)構(gòu)成探針組的諸端子的間距來設計端子c1和c2之間的間距w3a、端子c2和c3之間的間距w3b以及端子c3和c4之間的間距w3c。類似地，根據(jù)預定的圖案確定子視頻焊盤組sVideo1的端子V1到V50的間距。根據(jù)構(gòu)成探針組的端子的間距確定端子V1和V2之間的間距w4a、端子V2和V3之間的間距w4b以及端子V3和V4之間的間距w4c。
上面已經(jīng)描述了檢查焊盤組陣列PD的結(jié)構(gòu)的示例。若檢查焊盤組的間距和各檢查焊盤組的端子的間距被設定在預定值，并且根據(jù)檢查陣列基板101的指定檢查裝置的探針組的間距被設定在各探針組的探針的間距，應當就可以了。
在采用EB檢測儀檢查具有上述結(jié)構(gòu)的陣列基板101時，探針被連接到檢查焊盤組陣列PD的端子。經(jīng)由探針在像素電極P和輔助電容元件131中累積電荷。在電荷被累積之后，將電子束施加到各個像素部分203，并檢測從各個像素部分發(fā)射的二次電子。因此，檢查各個像素部分203是否包含缺陷。更具體地說，將電子束施加到充電的像素電極P上，檢測并分析從像素電極發(fā)射的二次電子。從而，檢查像素電極是否正常存儲了電荷。關(guān)于這方面，檢查涉及與像素電極有關(guān)的檢查，它不僅檢查像素電極P本身的缺陷，而且檢查連接到像素電極的TFT SW的缺陷以及包括像素電極的輔助電容元件131的缺陷。
根據(jù)按本實施例的陣列基板檢查方法，經(jīng)由預先根據(jù)探針的排列所設計的檢查焊盤組陣列PD檢查陣列基板101。因此，即使在要檢查不同種類的液晶顯示器的情況下，陣列基板101的檢查焊盤組陣列PD的排列也根據(jù)探針的排列來預先設計。從而，可使用對各個種類共用的探針來執(zhí)行檢查。即使在陣列基板主區(qū)域101a中的常規(guī)焊盤組陣列PDp的排列改變的情況下，檢查焊盤組陣列PD的排列仍被強制形成為符合檢查裝置的探針的排列。通過設計檢查裝置的探針與陣列基板之間的組合，不必使用對于各種類的不同探針。因此，能夠用共用探針檢查例如用于12英寸器件的陣列基板和用于15英寸的器件基板。從而，能夠降低用于檢查裝置的成本，并能夠進行高質(zhì)量檢查。
從而，可增強檢查裝置的靈活性，減少必須對檢查裝置做出改變和修正的場合的數(shù)量，并能夠抑制顯示屏成本的上升。此外，不用說，能夠阻止液晶顯示器的缺陷產(chǎn)品的外流。
圖12示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的陣列基板的檢查方法。圖12用放大比例示出了一部分陣列基板以及在該部分中設置的常規(guī)焊盤組陣列PDp和檢查焊盤陣列PDsc的示例。在檢查之后，通過沿著切除線e2例如畫出切割線切斷陣列基板子區(qū)域101b。
通過預先在陣列基板子區(qū)域101b中排列多個端子形成檢查焊盤組。作為常規(guī)焊盤組，常規(guī)焊盤組陣列PDp包括兩個控制焊盤組CTL1和CTL2以及四個視頻焊盤組Video1、Video2、Video3和Video4。檢查焊盤組PDsc的端子數(shù)量大于常規(guī)焊盤組陣列PDp的端子數(shù)量。
描述了檢查焊盤陣列PDsc與常規(guī)焊盤組陣列PDp之間的連接關(guān)系。常規(guī)焊盤組陣列PDp諸端子中的每一個被連接到檢查焊盤陣列PDsc的諸端子中的任意一個。具體地，當常規(guī)焊盤組陣列PDp諸端子中的每一個要被連接到檢查焊盤陣列PDsc的端子時，常規(guī)焊盤組陣列PDp諸端子中的每一個被連接到根據(jù)指定檢查裝置的探針所排列的檢查焊盤陣列PDsc的端子。
具體地，連接常規(guī)焊盤組陣列PDp端子的檢查焊盤陣列PDsc的端子的排列圖案與指定檢查裝置的探針排列圖案相同。
因而，即使在檢查帶有不同常規(guī)焊盤組陣列PDp的排列圖案的陣列基板的情況下，與檢查裝置的探針相接觸的檢查焊盤陣列PDsc的端子總是與探針的圖案一致。因此，不必使用用于不同種類基板的不同探針組。同時，不是所有檢查焊盤陣列PDsc的端子都連接到常規(guī)焊盤組陣列PDp的端子。
在根據(jù)采用上述結(jié)構(gòu)的本實施例的陣列基板檢查方法中，通過根據(jù)探針組排列預先設計的檢查焊盤陣列PDsc檢查陣列基板101。常規(guī)焊盤組陣列包括多個常規(guī)焊盤組，并且常規(guī)焊盤組的端子被連接到設計成與探針組的探針排列一致的檢查焊盤陣列PDsc的端子。因此，即使在要檢查不同種類的液晶顯示器的情況下，通過根據(jù)探針的排列預先設計陣列基板101的檢查焊盤陣列PDsc的端子排列，可使共用探針組用于各個種類。
本發(fā)明不限于上述實施例，在不背離本發(fā)明精神的情況下，可做出各種修改。例如，上述陣列基板101包括掃描線驅(qū)動電路40和信號線驅(qū)動電路50。但是，有可能檢查不包括這些驅(qū)動電路的陣列基板。在要檢查陣列基板時，在該檢查中使用的檢查裝置不限于EB檢測儀，它可以是電檢測儀。
工業(yè)適用性本發(fā)明能夠提供陣列基板的檢查方法，該方法能夠降低檢查裝置的成本。此外，還有可能減少需要對檢查裝置做出設計改變或修正的場合的數(shù)量，并能夠抑制液晶顯示器的產(chǎn)品成本上升。
權(quán)利要求
1.一種檢查陣列基板的方法，所述陣列基板包括在其末端具有用于向第一陣列供電的第一焊盤和待檢查的第一電極的第一陣列基板，以及具有在其末端用于向不同于所述第一陣列的第二陣列供電的第二焊盤和待檢查的第二電極的第二陣列基板，電力從所述第一焊盤和所述第二焊盤供給所述第一電極和所述第二電極，電子束被施加給所述第一電極和所述第二電極，并且基于與從所述第一電極和所述第二電極發(fā)射的二次電子有關(guān)的信息來進行與所述第一電極和所述第二電極有關(guān)的檢查，所述方法包括將所述第一焊盤連接到具有按預定排列設置的端子的檢查焊盤，使具有對應于所述預定排列的排列的探針與所述端子相接觸，并將電力供給所述第一電極，從而進行與所述第一陣列基板的所述第一電極有關(guān)的檢查；以及將所述第二焊盤連接到具有按預定排列設置的端子的檢查焊盤，在不改變其排列的情況下，使探針與所述端子相接觸，并將電力供給所述第二電極，從而進行與所述第二陣列基板的所述第二電極有關(guān)的檢查。
2.一種檢查陣列基板的方法，所述陣列基板中的每一個包括在其上設置了多條掃描線和多條信號線以相互交叉的基板、形成在所述基板上設置在所述掃描線和所述信號線的交叉點附近并包括開關(guān)元件和輔助電容器的像素部分、以及設置成向所述掃描線和所述信號線供給或輸出信號的常規(guī)焊盤組，所述方法包括即使在不同種類的陣列基板的情況下，在陣列基板上預先形成包括排列圖案對應于指定檢查裝置探針組的排列圖案的端子的檢查焊盤組，并將所述常規(guī)焊盤組相關(guān)聯(lián)的端子經(jīng)由布線導線連接到各所述檢查焊盤組的端子；以及在檢查時，在不改變檢查裝置探針組的排列圖案的情況下，使所述探針組與不同種類陣列基板的檢查焊盤組的端子相接觸，從而進行檢查。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述檢查裝置包括多個探針組，以及提供了多個檢查焊盤組，并且多個所述檢查焊盤組的間距和構(gòu)成各所述檢查焊盤組的多個端子的間距等于所述檢查裝置的多個探針組的間距和構(gòu)成各所述探針組的多個探針的間距。
4.一種用于檢查陣列基板的方法，所述陣列基板中的每一個包括在其上設置多條掃描線和多條信號線以相互交叉的基板、形成在所述基板上設置在所述掃描線和所述信號線的交叉點附近并包括開關(guān)元件和輔助電容器的像素部分、以及設置成向所述掃描線和所述信號線供給或輸出信號的常規(guī)焊盤組，所述方法包括即使在不同種類的陣列基板的情況下，在陣列基板上預先形成包括多個端子的檢查焊盤陣列，并將各所述常規(guī)焊盤組的陣列的端子根據(jù)指定檢查裝置探針組的排列連接到所述檢查焊盤陣列的端子；以及在檢查時，在不改變檢查裝置探針組的排列圖案的情況下，使所述探針組與不同種類陣列基板的檢查焊盤陣列的端子相接觸，從而進行檢查。
全文摘要
一種陣列板設有多條掃描線和多條信號線在其上交叉的板、在交叉部分的附近形成在板上并包括開關(guān)元件和輔助電容器的像素部分以及與掃描線和信號線相連接并根據(jù)檢查設備的探針排列而排列的多個檢查焊盤行。通過將探針與檢查焊盤行相連接，在各像素部分的輔助電容器中累積電荷后，檢查該陣列板的情況。
文檔編號G09F9/30GK1926463SQ20058000
公開日2007年3月7日 申請日期2005年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月3日
發(fā)明者山本光浩, 宮武正樹 申請人:東芝松下顯示技術(shù)有限公司