專利名稱：供體基底及利用其制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于平板顯示器的供體基底和利用其制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法。更具體得講，本發(fā)明涉及一種供體基底，該供體基底具有能夠防止由于失敗的層轉(zhuǎn)印(layer transfer)導(dǎo)致的裝置基底圖案化缺陷或?qū)⑦@種缺陷最小化的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
通常，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器指具有陽(yáng)極、陰極和置于陽(yáng)極和陰極之間的多個(gè)有機(jī)層的平板顯示器。有機(jī)層可包括發(fā)射層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。發(fā)射層所使用的材料可決定OLED顯示器的類型，即聚合物OLED顯示器或小分子量OLED顯示器。對(duì)發(fā)射層的處理可決定OLED顯示器的功能性，比如對(duì)發(fā)射層進(jìn)行的圖案化可有助于實(shí)現(xiàn)全彩有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
傳統(tǒng)的對(duì)OLED顯示器進(jìn)行的圖案化可通過精細(xì)金屬掩模(fine metalmask)、噴墨印刷和激光轉(zhuǎn)寫(laser induced thermal imaging，LITI)等來實(shí)現(xiàn)。例如，LITI方法可有助于對(duì)OLED顯示器進(jìn)行的精細(xì)圖案化，并提供與濕式工藝(比如噴墨印刷)相對(duì)的OLED顯示器圖案化的干式工藝。傳統(tǒng)的用于形成OLED顯示器的圖案化的發(fā)射層的LITI方法會(huì)需要形成供體基底，該供體基底具有基膜、光-熱轉(zhuǎn)化層和由有機(jī)材料形成的轉(zhuǎn)印層，使得可通過利用至少一個(gè)光源(比如激光)將轉(zhuǎn)印層從供體基底轉(zhuǎn)印到裝置基底。
更具體地說，光可從光源發(fā)射至供體基底的光-熱轉(zhuǎn)化層的預(yù)定部分中，并在該預(yù)定部分中轉(zhuǎn)化為熱能。接下來，熱能可使光-熱轉(zhuǎn)化層的預(yù)定部分(即光源照射的部分)中的粘合劑發(fā)生改變，使得轉(zhuǎn)印層可與光-熱轉(zhuǎn)化層的預(yù)定部分分離并附著到裝置基底上。因此，轉(zhuǎn)印層的一部分可附著到裝置基底，而轉(zhuǎn)印層的另一部分可還保持與光-熱轉(zhuǎn)化層附著。因此，轉(zhuǎn)印層能否成功進(jìn)行轉(zhuǎn)印會(huì)取決于所用材料的粘附性和內(nèi)聚性，比如供體基底的光-熱轉(zhuǎn)化層和轉(zhuǎn)印層之間的粘附力、轉(zhuǎn)印層內(nèi)的內(nèi)聚力以及轉(zhuǎn)印層和裝置基底之間的粘附力。
例如，如果光-熱轉(zhuǎn)化層和轉(zhuǎn)印層之間的粘附力弱，則轉(zhuǎn)印層可與光-熱轉(zhuǎn)化層非常容易地分離，即轉(zhuǎn)印層中意圖與光-熱轉(zhuǎn)化層保持附著的部分也會(huì)與光-熱轉(zhuǎn)化層分離，由此，在OLED顯示器中造成缺陷。尤其是當(dāng)轉(zhuǎn)印層由表現(xiàn)出不足的內(nèi)聚力的小分子量材料形成時(shí)，則缺陷更經(jīng)常發(fā)生。另一方面，如果轉(zhuǎn)印層和裝置基底之間的粘附力太強(qiáng)，則轉(zhuǎn)印層在轉(zhuǎn)印過程中不會(huì)被轉(zhuǎn)印或會(huì)被撕破。
因此，需要一種能夠以提高的效率將轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印到裝置基底上的供體基底。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明提出了一種供體基底和一種利用其制造OLED顯示器的方法，本發(fā)明基本上克服了相關(guān)領(lǐng)域的一個(gè)或更多缺點(diǎn)。
因此本發(fā)明的特征在于提供了一種用于平板顯示器的供體基底，該供體基底能夠防止轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印至裝置基底的缺陷或使這種缺陷基本上最小化。
本發(fā)明的實(shí)施例的另一特征在于提供了通過利用供體基底來制造OLED顯示器的方法，其中，該供體基底能夠防止通過LITI方法將轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印至裝置基底的缺陷或使這種缺陷基本上最小化。
本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)可通過提供一種用于平板顯示器的供體基底來實(shí)現(xiàn)，其中，該供體基底包括基膜、位于基膜上的光-熱轉(zhuǎn)化(LTHC)層、位于LTHC層上并包含發(fā)射主體材料(an emission hostmaterial)的第一緩沖層、位于第一緩沖層上的轉(zhuǎn)印層、位于轉(zhuǎn)印層上并包含與第一緩沖層的發(fā)射主體材料相同的發(fā)射主體材料的第二緩沖層。該供體基底還可包括位于LTHC層和第一緩沖層之間的夾層。
第一緩沖層可包含CBP、CBP衍生物、mCP、mCP衍生物或者螺類衍生物。第一緩沖層可包含磷光主體材料。第一緩沖層可具有大約1nm至大約3nm的厚度。
轉(zhuǎn)印層可包括發(fā)射層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層和電子阻擋層中的至少一個(gè)。轉(zhuǎn)印層可包括至少一個(gè)含有小分子量材料的層。轉(zhuǎn)印層可包含發(fā)射主體材料和摻雜劑，發(fā)射主體材料可與第一緩沖層和第二緩沖層的發(fā)射主體材料相同。
第二緩沖層可包含CBP、CBP衍生物、mCP、mCP衍生物或者螺類衍生物。第二緩沖層可包含磷光主體材料。第二緩沖層可具有大約1nm至大約3nm的厚度。
在本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，該方法包括提供具有下電極的裝置基底；順序地沉積基膜、光-熱轉(zhuǎn)化層、包含發(fā)射主體材料的第一緩沖層、轉(zhuǎn)印層、包含與第一緩沖層的發(fā)射主體材料相同的發(fā)射主體材料的第二緩沖層以形成供體基底；在裝置基底上方設(shè)置供體基底，使得第二緩沖層直接在裝置基底的對(duì)面；將激光照射到供體基底的預(yù)定區(qū)域以將部分第一緩沖層、部分轉(zhuǎn)印層和部分第二緩沖層轉(zhuǎn)印到下電極上以形成有機(jī)層圖案。
轉(zhuǎn)印層可包括發(fā)射層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層和電子阻擋層中的至少一個(gè)有機(jī)層。轉(zhuǎn)印層可包含小分子量材料。轉(zhuǎn)印層可包含發(fā)射主體材料和摻雜劑，發(fā)射主體材料可與第一緩沖層和第二緩沖層的發(fā)射主體材料相同。
沉積第一緩沖層的步驟可包括旋轉(zhuǎn)涂覆、滾動(dòng)涂覆、浸漬涂覆、凹版涂覆或沉積。相似的，沉積第二緩沖層的步驟可包括旋轉(zhuǎn)涂覆、滾動(dòng)涂覆、浸漬涂覆、凹版涂覆或沉積。沉積第一緩沖層、轉(zhuǎn)印層和第二緩沖層的步驟可包括沉積相同的發(fā)射主體材料。


對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，通過參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可將使本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)和其它特征和優(yōu)點(diǎn)變得更加明了，在附圖中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于平板顯示器的供體基底的剖面圖。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的OLED顯示器制造方法的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
2006年5月3號(hào)在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的標(biāo)題為“用于平板顯示器的供體基底和利用其制造OLED的方法”的第10-2006-0040152號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)通過引用而被完整地包含于此。
現(xiàn)在，在下文中將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更加充分的描述，本發(fā)明的示例性實(shí)施例示出在這些附圖中。然而，本發(fā)明可以不同的形式來實(shí)施，且不應(yīng)被理解為局限于在此提出的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例將使本公開徹底和完全，并將本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。
在圖中，為了示出清晰，會(huì)夸大層和區(qū)域的尺寸。還應(yīng)該理解的是，當(dāng)層或元件被稱作在另一層或基底“上”時(shí)，該層或元件可直接在另一層或基底上，或者也可存在中間層。另外，應(yīng)該理解的是，當(dāng)層被稱作在另一層“下”時(shí)，該層可直接在另一層下，或者也可存在一個(gè)或多個(gè)中間層。另外，還應(yīng)該理解的是，當(dāng)層被稱作在兩個(gè)層“之間”時(shí)，該層可為這兩個(gè)層之間的唯一的層，或者也可存在一個(gè)或多個(gè)中間層。相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。
在下文中，將參照?qǐng)D1更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的用于平板顯示器的供體基底及其制造方法的示例性實(shí)施例。如圖1所示，供體基底80可包括基膜50、光-熱轉(zhuǎn)化(LTHC)層55、夾層60、第一緩沖層65、轉(zhuǎn)印層70和第二緩沖層75。
基膜50可由透明聚合物材料形成，例如由聚酯(比如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET))、聚丙烯?；?polyacryl)、聚環(huán)氧化物(polyepoxy)、聚乙烯(polyethylene)和聚苯乙烯(polystyrene)等形成，并形成至厚度為大約10μm至大約500μm?；?0可作為供體基底80的支持膜(a support film)，使得可將多個(gè)其他層涂覆到基膜50上。因此，基膜50可顯示出足夠的光學(xué)性質(zhì)，比如對(duì)預(yù)定波長(zhǎng)的光的高透射率和透明度，以及機(jī)械穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性，以提供堅(jiān)固的支持(substantial support)。
供體基底80的LTHC層55可被沉積在基膜50上，以吸收處于紅外可見區(qū)的光并將所吸收的光的一部分轉(zhuǎn)化為熱。LTHC層55可包含在紅外可見區(qū)表現(xiàn)出光密度的光吸收材料。例如，光吸收材料可包括染料(比如紅外染料(an infrared dye))、顏料(比如碳黑和石墨)、金屬(比如鋁)、金屬化合物(比如氧化鋁和硫化鋁)、聚合物及其組合物。適宜的LTHC層55的一個(gè)示例可包括具有有機(jī)聚合物膜的金屬膜。可通過真空沉積、電子束沉積或?yàn)R射將金屬膜沉積至厚度為大約100埃(angstroms)至大約5000埃?？赏ㄟ^膜涂覆法(比如滾動(dòng)涂覆、凹版涂覆、擠壓涂覆、旋轉(zhuǎn)涂覆、刮刀涂覆等)將聚合物膜沉積至厚度為大約0.1μm至大約10μm。
可在LTHC層55上形成由丙烯酸樹脂(acrylic resin)或醇酸樹脂(alkydresin)形成的供體基底80的夾層60。為了使轉(zhuǎn)印層70的污染最小化，可在LTHC層55和轉(zhuǎn)印層70之間形成夾層60?？赏ㄟ^涂覆工藝(比如溶劑涂覆)和紫外光固化工藝等來形成夾層60。
可在LTHC層55上形成供體基底80的轉(zhuǎn)印層70。轉(zhuǎn)印層70可具有包括發(fā)射層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層、電子阻擋層等中的至少一個(gè)的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。轉(zhuǎn)印層70可由如本領(lǐng)域一名普通技術(shù)人員所確定的任何適宜的有機(jī)材料形成，比如由小分子量有機(jī)材料形成。
更具體地講，轉(zhuǎn)印層70的發(fā)射層可包含發(fā)射主體材料與由小分子量材料形成的摻雜劑的特定組合物或者聚合物以提供預(yù)定的發(fā)光顏色。例如，發(fā)射主體材料(例如三-(8-羥基喹啉)鋁(tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum，Alq3)、4，4′-N，N′-二咔唑聯(lián)苯(4，4′-N，N′-dicarbazolebiphenyl，CBP)等)與摻雜劑(例如4-二氰亞甲基-2-叔丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃(4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1，1，7，7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran，DCJTB)、4-二氰基亞甲基-2-甲基-6-對(duì)二甲胺基苯乙烯基-4H-吡喃(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(dimethylaminostyryl)-4H-pyran，DCM)、八乙基卟啉鉑(platinum octaethylporphyrin，PtOEP)等)的組合物或者聚合物(例如聚芴(polyfluorene，PFO)類聚合物、聚苯乙炔(polyphenylene-vinylene，PPV)類聚合物等)可提供紅色發(fā)光材料。發(fā)射主體材料(例如Alq3、CBP等)與摻雜劑(例如10-(2-苯并噻唑基)-2，3，6，7-四氫化-1，1，7，7-四甲基-1H，5H，11H-(1)-苯并焦吡喃并(6，7-8-i，j)喹嗪-11-酮(10-(2-benzothiazolyl)-2，3，6，7-tetrahydro-1，1，7，7-tetramethyl-1H，5H，11H-(1)-benzopyropyrano(6，7-8-i，j)quinolizin-11-one，C545t)、三(2-苯基吡啶)銥(tris(2-phenylpirydine)iridium，IrPPy)等)的組合物或聚合物(例如PFO類聚合物、PPV類聚合物等)可提供綠色發(fā)光材料。小分子量材料(例如4，4′-二-(2，2-二苯乙烯基)-1，1′-聯(lián)苯(4，4′-bis-(2，2-diphenyl-vinyl)-1，1′-biphenyl，DPVBi)、螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯基苯(distyryl benzene，DSB)、二苯乙烯基芳烴(distyryl arylene，DSA)等)和聚合物(例如PFO類聚合物、PPV類聚合物等)可提供藍(lán)色發(fā)光材料。優(yōu)選地，發(fā)射層的發(fā)射主體材料與后面提到的第一緩沖層和第二緩沖層的發(fā)射主體材料相同，因?yàn)樵谀欠N情況下，發(fā)射層能夠具有對(duì)于第一緩沖層和第二緩沖層的良好的粘附力。
轉(zhuǎn)印層70的空穴注入層可由小分子量材料或聚合物形成，其中，所述小分子量材料例如銅酞菁(copper phthalocyanine，CuPc)、4，4′，4″-三(N-(1-萘基)-N-苯基-氨基)-三苯胺(4，4′，4″-tris(N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino)-triphenylamine，1-TNATA)、4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺(4，4′，4″-tris(N-carbazolyl)triphenylamine，TCTA)、1，3，5-三(N，N-二-(4，5-甲氧基苯基)-氨基苯基)苯(1，3，5-tris(N，N-bis-(4，5-methoxyphenyl)-aminophenyl)benzol，TDAPB)等，所述聚合物例如聚苯胺(polyaniline，PANI)、聚乙烯二氧基噻吩(polyethylene-dioxythiophene，PEDOT)等。轉(zhuǎn)印層70的空穴傳輸層可由小分子量材料或聚合物形成，其中，所述小分子量材料比如芳基胺類小分子、腙類(hydrazone-based)小分子、二苯乙烯類(stilbene-based)小分子、星形(starburst-based)小分子，例如N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-聯(lián)苯-4，4′-二胺(N，N′-diphenyl-N，N′-bis(1-naphthyl)-1，1′-biphenyl-4，4′-diamine，NPB)、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-對(duì)二氨基聯(lián)苯(N，N′-bis(3-methylphenyl)-N，N′-bis(phenyl)-benzidine，TPD)、s-TAD、4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯氨基)-三苯胺(4，4′，4″-tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)-triphenylamine，MTADATA)等，所述聚合物比如咔唑類(carbazole-based)聚合物、芳基胺類聚合物、苝類(perylene-based)聚合物、吡咯類(pyrrole-based)聚合物，例如聚9-乙烯基咔唑(poly(9-vinylcarbazole)，PVK)等。轉(zhuǎn)印層70的電子傳輸層可由聚合物或小分子量材料形成，其中，所述聚合物比如聚丁二烯(polybutadiene，PBD)、1，2，4-三唑(1，2，4-triazole，TAZ)衍生物或螺-PBD，所述小分子量材料比如Alq3、二(2-甲基-8-羥基喹啉)4-苯代苯酚基-鋁(III)(aluminum(III)bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)4-phenylphenolate，BAlq)或二-(2-甲基-8-羥基喹啉)三苯甲硅烷氧基-鋁(III)(bis-(2-methyl-8-quinolinolato)(triphenylsiloxy)aluminum(III)，SAlq)。轉(zhuǎn)印層70的電子注入層可由小分子量材料或聚合物形成，其中，所述小分子量材料比如Alq3、Ga配合物(Gacomplex)或PBD，所述聚合物比如噁二唑類聚合物(oxadiazole-basedpolymer)。轉(zhuǎn)印層70的空穴阻擋層可由PBD、螺-PBD或TAZ形成。轉(zhuǎn)印層70的電子阻擋層可由BAlq、BCP、TAZ或螺-TAZ形成。
通過如本領(lǐng)域一名普通技術(shù)人員所確定的任何適宜的涂覆方法(比如擠壓涂覆、旋轉(zhuǎn)涂覆、刮刀涂覆、真空沉積、CVD等)可將轉(zhuǎn)印層70形成至厚度大約為100埃至大約50,000埃。
如關(guān)于圖2將在以下更詳細(xì)地討論的是，為了有助于將轉(zhuǎn)印層70轉(zhuǎn)印到裝置基底上，可在LTHC層55和轉(zhuǎn)印層70之間形成第一緩沖層65，以在轉(zhuǎn)印層70和LTHC層55之間授予粘附性。如果在LTHC層55上形成夾層60，則夾層60可位于第一緩沖層65和LTHC層55之間。第一緩沖層65可吸收由裝置基底發(fā)出的任意潛在的振動(dòng)(potential vibrations)，以減少轉(zhuǎn)印過程中的圖案化缺陷。此外，由于一些小分子量材料可具有較低的熱穩(wěn)定性，因此第一緩沖層65可控制轉(zhuǎn)印過程中在LTHC層55中產(chǎn)生的熱，并由此將轉(zhuǎn)印層70的熱損壞最小化。
第一緩沖層65可由發(fā)射主體材料形成。發(fā)射主體材料具有對(duì)于LTHC層55的足夠的粘附性，能夠被無缺陷地轉(zhuǎn)印，例如不希望的部分粘附在裝置基底上或希望的部分被撕破的缺陷。第一緩沖層65可包含芳香胺類材料(arylamine-based material)、咔唑類材料(carbazole-based material)、螺類材料(spiro-based material)等。更具體地講，第一緩沖層65可包含具有對(duì)于LTHC層55的更足夠的粘附性的磷光主體材料，例如CBP、CBP衍生物、N，N-二咔唑基-3，5-苯(N，N-dicarbazolyl-3，5-benzene，mCP)、mCP衍生物、螺類衍生物或TMM004(Covion)。因此，可在第一緩沖層65和LTHC層55之間授予足以平衡LTHC層55和轉(zhuǎn)印層70之間的粘附力Wbc1的粘附力。
粘附力Wbc1可足以使轉(zhuǎn)印層70和LTHC層55附著。當(dāng)粘附力Wbc1太高時(shí)，則轉(zhuǎn)印層70在轉(zhuǎn)印過程中會(huì)被撕破。另一方面，當(dāng)粘附力Wbc1太低時(shí)，則轉(zhuǎn)印層70可在轉(zhuǎn)印層70轉(zhuǎn)印到裝置基底上的過程中從供體基底80完全去除，從而由于裝置基底上的過量的有機(jī)材料部分而產(chǎn)生圖案化缺陷。
可通過旋轉(zhuǎn)涂覆、滾動(dòng)涂覆、浸漬涂覆、凹版涂覆、沉積或如本領(lǐng)域一名普通技術(shù)人員可以確定的其他任何方法，將第一緩沖層65形成至厚度為大約1nm至大約3nm。當(dāng)?shù)谝痪彌_層65形成至厚度小于大約1nm時(shí)，粘附力Wbc1會(huì)不足以將轉(zhuǎn)印層70和LTHC層55結(jié)合。當(dāng)?shù)谝痪彌_層65形成至厚度大于大約3nm時(shí)，則形成第一緩沖層65的材料的過量的特性會(huì)授予到轉(zhuǎn)印層70上，由此增加了OLED顯示器的所需驅(qū)動(dòng)電壓并加快了OLED顯示器的劣化。
可在轉(zhuǎn)印層70上形成供體基底80的第二緩沖層75，使得轉(zhuǎn)印層70可位于第一緩沖層65和第二緩沖層75之間。另外，第二緩沖層75可吸收由裝置基底發(fā)出的任意可能的振動(dòng)，以減少轉(zhuǎn)印過程中的圖案化缺陷。
第二緩沖層75可由與第一緩沖層65相同的材料形成，以提高轉(zhuǎn)印層70和裝置基底之間的粘附力Wbc2。當(dāng)粘附力Wbc2太強(qiáng)時(shí)，轉(zhuǎn)印層70會(huì)在轉(zhuǎn)印到裝置基底上的過程中被裝置基底撕破。另一方面，當(dāng)粘附力Wbc2太弱時(shí)，則轉(zhuǎn)印層70不會(huì)恰當(dāng)?shù)馗街窖b置基底，并由此導(dǎo)致圖案化缺陷。第二緩沖層75可由發(fā)射主體材料形成。發(fā)射主體材料具有對(duì)于裝置基底的足夠的粘附性，能夠被無缺陷地轉(zhuǎn)印，例如不希望的部分粘附在基底上或希望的部分被撕破的缺陷。用于第二緩沖層75的材料可包括芳香胺類材料、咔唑類材料和/或螺類材料。更具體地講，第二緩沖層75可包含具有對(duì)于裝置基底的更足夠的粘附性的磷光主體材料，例如CBP、CBP衍生物、mCP、mCP衍生物、螺類衍生物或TMM004(Covion)。另外，可通過旋轉(zhuǎn)涂覆、滾動(dòng)涂覆、浸漬涂覆、凹版涂覆、沉積等將第二緩沖層75形成至厚度為大約1nm至大約3nm。當(dāng)?shù)诙彌_層75形成至厚度小于大約1nm時(shí)，則粘附力Wbc2不會(huì)得到足夠的提高。當(dāng)?shù)诙彌_層75形成至厚度大于大約3nm時(shí)，則形成第二緩沖層75的材料的過量的特性會(huì)授予到轉(zhuǎn)印層70上，由此增加了OLED顯示器的驅(qū)動(dòng)電壓并劣化了OLED顯示器的性能。
若不意圖被理論束縛的話，相信位于LTHC層55和轉(zhuǎn)印層70之間的第一緩沖層65的形成可提高LTHC層55和轉(zhuǎn)印層70之間的粘附力Wbc1。更具體地說，在轉(zhuǎn)印層70包含具有由此提供一個(gè)可能易被撕破和/或難以控制轉(zhuǎn)印的層的較低的內(nèi)聚力Wcc的小分子量材料的情況下，則會(huì)更有利。當(dāng)與轉(zhuǎn)印層70相連地沉積第一緩沖層65時(shí)，轉(zhuǎn)印層70的轉(zhuǎn)印特性由第一緩沖層65和LTHC層55之間的粘附力來確定。這樣，可有助于控制轉(zhuǎn)印層70的轉(zhuǎn)印，比如轉(zhuǎn)印層70的預(yù)定部分的轉(zhuǎn)印。類似地，當(dāng)沉積第二緩沖層75也就是形成轉(zhuǎn)印層70在第一緩沖層65和第二緩沖層75之間時(shí)，轉(zhuǎn)印層70的轉(zhuǎn)印特性由第二緩沖層75和裝置基底100之間的粘附性來確定。這樣，轉(zhuǎn)印層70在裝置基底100上的轉(zhuǎn)印特性可得到更進(jìn)一步的提高。
根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例，以下關(guān)于圖2將詳細(xì)描述OLED顯示器的制造方法。如圖2所示，可提供具有下電極110的裝置基底100。如圖2中進(jìn)一步所示，可在基膜50上順序地沉積LTHC層55、夾層60、第一緩沖層65、轉(zhuǎn)印層70和第二緩沖層75，以形成供體基底80。前面已關(guān)于圖1對(duì)供體基底80及其組件進(jìn)行了描述，因此這里將不做重復(fù)描述。
接下來，可將供體基底80設(shè)置在裝置基底100上方，且在供體基底80和裝置基底100之間存在著預(yù)定的間隙，使得第二緩沖層75直接在裝置基底100的對(duì)面，如圖2所示。然后，可將激光束95照射到供體基底80的預(yù)定區(qū)域A上，以改變第一緩沖層65和LTHC層55之間的粘附力。結(jié)果，對(duì)應(yīng)于供體基底80的預(yù)定區(qū)域A的部分第一緩沖層65、部分轉(zhuǎn)印層70和部分第二緩沖層75可與供體基底80分離，并被轉(zhuǎn)印到下電極110上。第一緩沖層65、轉(zhuǎn)印層70和第二緩沖層75中被轉(zhuǎn)印的部分可在下電極110上形成具有第一緩沖層65a、轉(zhuǎn)印層70a和第二緩沖層75a的有機(jī)層圖案90，如圖2中進(jìn)一步所示。有機(jī)層圖案90的轉(zhuǎn)印層70a可為單層或由多個(gè)有機(jī)層(比如發(fā)射層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等)形成的多層。
下電極110可為陽(yáng)極，可通過利用供體基底80在下電極110上形成有機(jī)層圖案90(比如發(fā)射層)。在下電極110上形成有機(jī)層圖案90之前，可直接在下電極110上形成其他層。例如，可通過旋轉(zhuǎn)涂覆或真空沉積在下電極110上形成空穴注入層和/或空穴傳輸層，隨后在其上形成有機(jī)層圖案90(比如發(fā)射層)。類似地，可直接在有機(jī)層圖案90上形成其他層。例如，可通過LITI、真空沉積或旋轉(zhuǎn)涂覆在有機(jī)層圖案90(比如發(fā)射層)上形成電子傳輸層和/或電子注入層。接下來，可在電子傳輸層和/或電子注入層上形成作為陰極的上電極(未示出)，以完成OLED顯示器的制造。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造用于平板顯示器的供體基底的方法，通過在第一緩沖層和第二緩沖層之間形成供體基底中的轉(zhuǎn)印層而在提供轉(zhuǎn)印層和供體基底之間以及轉(zhuǎn)印層和裝置基底之間的提高了的粘附力方面具有優(yōu)勢(shì)。這樣，轉(zhuǎn)印層可被轉(zhuǎn)印到裝置基底上，同時(shí)防止裝置基底中的圖案化缺陷或使這種缺陷基本上最小化。
已經(jīng)在此公開了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，雖然使用了特定的術(shù)語(yǔ)，然而這些特定的術(shù)語(yǔ)僅用于一般的和描述的目的，而不是出于限制的目的。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離如權(quán)利要求中所提出的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對(duì)形式和細(xì)節(jié)做出各種變化。
權(quán)利要求
1.一種用于平板顯示器的供體基底，包括基膜；光-熱轉(zhuǎn)化層，位于所述基膜上；第一緩沖層，位于所述光-熱轉(zhuǎn)化層上，所述第一緩沖層包含發(fā)射主體材料；轉(zhuǎn)印層，位于所述第一緩沖層上；第二緩沖層，位于所述轉(zhuǎn)印層上，所述第二緩沖層包含與所述第一緩沖層的發(fā)射主體材料相同的發(fā)射主體材料。
2.如權(quán)利要求1所述的供體基底，其中，所述轉(zhuǎn)印層包含發(fā)射主體材料和摻雜劑。
3.如權(quán)利要求2所述的供體基底，其中，所述轉(zhuǎn)印層的發(fā)射主體材料與所述第一緩沖層和所述第二緩沖層的發(fā)射主體材料相同。
4.如權(quán)利要求1所述的供體基底，其中，所述第一緩沖層包含CBP、CBP衍生物、mCP、mCP衍生物或者螺類衍生物。
5.如權(quán)利要求1所述的供體基底，其中，所述第一緩沖層包含磷光主體材料。
6.如權(quán)利要求1所述的供體基底，其中，所述第一緩沖層具有大約1nm至大約3nm的厚度。
7.如權(quán)利要求1所述的供體基底，其中，所述轉(zhuǎn)印層包括發(fā)射層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層和電子阻擋層中的至少一個(gè)。
8.如權(quán)利要求7所述的供體基底，其中，所述轉(zhuǎn)印層包括至少一個(gè)含有小分子量材料的層。
9.如權(quán)利要求1所述的供體基底，還包括位于所述光-熱轉(zhuǎn)化層和所述第一緩沖層之間的夾層。
10.如權(quán)利要求1所述的供體基底，其中，所述第二緩沖層包含CBP、CBP衍生物、mCP、mCP衍生物或螺類衍生物。
11.如權(quán)利要求1所述的供體基底，其中，所述第二緩沖層包含磷光主體材料。
12.如權(quán)利要求1所述的供體基底，其中，所述第二緩沖層具有大約1nm至大約3nm的厚度。
13.一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，包括提供具有下電極的裝置基底；順序地沉積基膜、光-熱轉(zhuǎn)化層、包含發(fā)射主體材料的第一緩沖層、轉(zhuǎn)印層和包含與所述第一緩沖層的發(fā)射主體材料相同的發(fā)射主體材料的第二緩沖層以形成供體基底；在所述裝置基底上方設(shè)置所述供體基底，使得所述第二緩沖層直接在所述裝置基底的對(duì)面；將激光照射到所述供體基底的預(yù)定區(qū)域以將部分所述第一緩沖層、部分所述轉(zhuǎn)印層和部分所述第二緩沖層轉(zhuǎn)印到所述下電極上以形成有機(jī)層圖案。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，沉積所述轉(zhuǎn)印層的步驟包括沉積發(fā)射層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層和電子阻擋層中的至少一個(gè)有機(jī)層。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，沉積所述轉(zhuǎn)印層的步驟包括沉積小分子量材料。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，沉積所述第一緩沖層的步驟包括通過旋轉(zhuǎn)涂覆、滾動(dòng)涂覆、浸漬涂覆、凹版涂覆或沉積來沉積。
17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，沉積所述第二緩沖層的步驟包括通過旋轉(zhuǎn)涂覆、滾動(dòng)涂覆、浸漬涂覆、凹版涂覆或沉積來沉積。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，轉(zhuǎn)印層包含發(fā)射主體材料和摻雜劑。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述轉(zhuǎn)印層的發(fā)射主體材料與所述第一緩沖層和所述第二緩沖層的發(fā)射主體材料相同。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于平板顯示器的供體基底，該基底包括基膜；光－熱轉(zhuǎn)化層，位于基膜上；第一緩沖層，位于光－熱轉(zhuǎn)化層上，第一緩沖層包含發(fā)射主體材料；轉(zhuǎn)印層，位于第一緩沖層上；第二緩沖層，位于轉(zhuǎn)印層上，第二緩沖層包含與第一緩沖層的發(fā)射主體材料相同的發(fā)射主體材料。
文檔編號(hào)B41M5/40GK101068042SQ2007101022
公開日2007年11月7日 申請(qǐng)日期2007年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月3日
發(fā)明者權(quán)寧吉, 李善姬, 李在濠, 金茂顯, 李城宅, 楊南喆 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社