剝離片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種剝離片(1)，其具備基材(11)及至少形成于基材(11)的一個(gè)面的剝離劑層(12)，其中，剝離劑層(12)使用如下所述的剝離劑組合物所形成，該剝離劑組合物含有在1分子中具有至少2個(gè)烯基的第一聚二甲基硅氧烷，及在1分子中具有至少2個(gè)氫硅烷基的第二聚二甲基硅氧烷，在總計(jì)30g的第一聚二甲基硅氧烷與第二聚二甲基硅氧烷中，含有烯基10.00～16.00mmol，含有氫硅烷基40.00～145.00mmol，且氫硅烷基(b)相對(duì)于烯基(a)的摩爾比(b/a)為2.0～15.0。根據(jù)該剝離片(1)，剝離片的剝離劑層即使在長(zhǎng)時(shí)間暴露于大氣的情況下也可抑制剝離力的增大。
【專利說明】剝離片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種層積粘著片等的粘著劑層的剝離片。

【背景技術(shù)】
[0002]粘著片用的剝離片一般使用由基材及形成于該基材一表面的剝離劑層所構(gòu)成(例如專利文獻(xiàn)I)。粘著片用的剝離片大多用于以卷對(duì)卷(roll-to-roll)搬送基材、在該基材上涂布粘著劑、干燥后使粘著劑層面與剝離片的剝離劑層面貼合者。以卷對(duì)卷(roll-to-roll)制作粘著片時(shí),多為棍的搬送速度一定的情形,剝離片長(zhǎng)時(shí)間暴露于大氣者少。另一方面，剝離片中，在貼合粘著片的粘著劑層與剝離片的剝離劑層之前工序中，進(jìn)行對(duì)剝離片背割加工(切割或半切)等。
[0003]進(jìn)行上述加工之時(shí)，剝離片的剝離劑層長(zhǎng)時(shí)間地暴露于大氣中。如此，一旦剝離片的剝離劑層長(zhǎng)時(shí)間暴露于大氣中，則對(duì)剝離劑層的粘著劑層的剝離力變得較暴露于大氣前的剝離力更大的問題。特別是剝離力高的重剝離性片因暴露于大氣而有剝離力顯著增大的傾向。
[0004]如上述剝離片的剝離力增大時(shí)，將粘著片的粘著劑層與剝離片的剝離劑層貼合后，從粘著片剝離剝離片時(shí)會(huì)發(fā)生剝離不良的情形。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本專利公開2002-363515號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008](一 )要解決的技術(shù)問題
[0009]對(duì)于上述因暴露于大氣而使剝離力增大的原因雖然不必了解，但是判斷大氣中所含的塵埃等附著于剝離劑層應(yīng)為主要因素。
[0010]本發(fā)明為鑒于上述的實(shí)際狀況，以提供即使在剝離片的剝離劑層長(zhǎng)時(shí)間暴露于大氣的情況下，也可抑制剝離力增大的剝離片為目的。
[0011](二)技術(shù)方案
[0012]為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種具有基材及至少形成于所述基材的一個(gè)面的剝離劑層的剝離片，其特征在于，所述剝離劑層使用如下所述的剝離劑組合物所形成，該剝離劑組合物所形成含有在I分子中具有至少2個(gè)烯基的第一聚二甲基硅氧烷，及在I分子中具有至少2個(gè)氫硅烷基的第二聚二甲基硅氧烷，在總計(jì)30g的所述第一聚二甲基硅氧燒及所述第~.聚~■甲基娃氧燒中，含有所述稀基10.00?16.0Ommol,含有所述氧娃燒基40.00?145.0Ommol,且所述氫娃燒基(b)相對(duì)于所述烯基(a)的摩爾比(b/a)為2.0?15.0(發(fā)明 I)。
[0013]根據(jù)上述發(fā)明(發(fā)明I)，即使在剝離片的剝離劑層長(zhǎng)時(shí)間暴露于大氣的情況下，也能夠抑制剝離力的增大，減少?gòu)恼持鴦觿冸x剝離片時(shí)的剝離不良。
[0014]上述發(fā)明(發(fā)明I)中，所述第一聚二甲基硅氧烷的重均分子量?jī)?yōu)選為200000?1300000，所述第二聚二甲基硅氧烷的重均分子量?jī)?yōu)選為300?1200(發(fā)明2)。
[0015]上述發(fā)明(發(fā)明1、2)中，所述剝離劑組合物優(yōu)選進(jìn)一步含有作為催化劑的鉬類金屬化合物(發(fā)明3)。
[0016]上述發(fā)明(發(fā)明I?3)中，以對(duì)于在不暴露于大氣的狀態(tài)中的所述剝離片的日東電工公司制的聚酯粘貼帶N0.31B的180°剝離力(mN/20mm)為剝離力X，以對(duì)于在Classl萬(wàn)(ISO Class7)、溫度23°C及濕度50% RH條件的無(wú)菌室中大氣暴露7天對(duì)該剝離片的日東電工公司制的聚酯粘貼帶N0.31B的180°剝離力(mN/20mm)為剝離力Y時(shí)，以下式所表示的剝離力變化率優(yōu)選為30%以下(發(fā)明4):
[0017]{(剝離力Y-剝離力X)/剝離力X} X 100%。
[0018](三)有益效果
[0019]根據(jù)本發(fā)明所述的剝離片，即使在剝離片的剝離劑層長(zhǎng)時(shí)間暴露于大氣的情況下，也可抑制剝離力的增大、減少?gòu)恼持鴦觿冸x剝離片時(shí)的剝離不良。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的剝離片的剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]以下說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0022]如圖1所示，本實(shí)施方式所述的剝離片I具有基材11及形成于基材11 一表面的剝離劑層12所構(gòu)成。
[0023]作為基材11，沒有特別限制，可從現(xiàn)有公知材料中適宜選擇任意一種。作為這樣的基材11，例如可舉出由聚對(duì)苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯、聚丙烯或聚甲基戊烯等的聚烯烴、聚碳酸酯、聚乙酸乙烯酯等的塑料所構(gòu)成的膜，可為單層也可為同種類或不同種類的2層以上的多層。這些之中，優(yōu)選為聚酯膜，尤其優(yōu)選為聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜，再更優(yōu)選為二軸延伸的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜。
[0024]由上述膜所構(gòu)成的基材11中，為了提升與設(shè)置于該基材表面的剝離劑層12的密著性，可視需要在一表面或兩表面施行氧化法或凹凸化法等的表面處理或者電漿處理。作為上述氧化法,例如可舉出電暈放電處理、電漿放電處理、鉻氧化處理(濕式)、火焰處理、熱風(fēng)處理、臭氧、紫外線照射處理等，另外，作為凹凸化法，例如可舉出噴砂法、溶射處理法等。這些表面處理法可視基材膜的種類適宜選擇，但是從效果及操作性層面來(lái)看，一般優(yōu)選使用電暈放電處理法。
[0025]另外，作為基材11，除上述膜以外，也可使用如玻璃紙、白土(clay)涂布紙、樹脂涂布紙、層壓紙(聚乙烯層壓紙、聚丙烯層壓紙等)的紙、或不織布、金屬箔等。
[0026]基材11的厚度通?？蔀?0?300 μ m，優(yōu)選為15?200 μ m，尤其優(yōu)選為20?125 μ m0
[0027]本實(shí)施方式中的剝離劑層12為使用下述剝離劑組合物所形成。本實(shí)施方式中的剝離劑組合物為加成反應(yīng)型硅酮樹脂，含有在I分子中具有至少2個(gè)烯基的第一聚二甲基硅氧烷、以及在I分子中具有至少2個(gè)氫硅烷基的第二聚二甲基硅氧烷。
[0028]第一聚_■甲基娃氧燒所含的稀基例如乙稀基、稀丙基、丙稀基、丁稀基、戍稀基、己烯基、庚烯基、辛烯基等的I價(jià)烴基，其中尤其優(yōu)選乙烯基。
[0029]在第一聚二甲基硅氧烷與第二聚二甲基硅氧烷總計(jì)30g中，含有該烯基10.00?
16.0Ommol,優(yōu)選含有11.00?15.80mmol。另外,在第一聚二甲基娃氧燒與第二聚二甲基娃氧烷總計(jì)30g中，含有該氫硅烷基40.00?145.0Ommol，優(yōu)選為43.00?142.0Ommol。而且，該氫硅烷基(b)對(duì)該烯基(a)的摩爾比(b/a)為2.0?15.0，優(yōu)選為2.5?13.0。
[0030]通過使用滿足上述條件的剝離劑組合物而形成的剝離劑層12，即使在剝離劑層12長(zhǎng)時(shí)間暴露于大氣的情況下，也可抑制該剝離劑層12的剝離力的增大。雖然原因不一定清楚，但是考慮為使用滿足上述條件的剝離劑組合物所形成的剝離劑層12的極性低，而使極性高的塵埃等難以附著于剝離劑層12的緣故。
[0031]這里，若在第一聚二甲基硅氧烷與第二聚二甲基硅氧烷總計(jì)30g中烯基含量未滿
0.40mmol、或氫硅烷基含量未滿7.0Ommol的話，會(huì)發(fā)生剝離劑組合物的固化不良，對(duì)涂布機(jī)或粘著片的粘著劑層等的硅酮移行的問題，而且也會(huì)對(duì)剝離性產(chǎn)生負(fù)面影響。
[0032]另一方面，當(dāng)?shù)谝痪鄱谆柩跬榕c第二聚二甲基硅氧烷總計(jì)30g中氫硅烷基(b)對(duì)烯基(a)的摩爾比(b/a)的關(guān)系在上述范圍以外時(shí)，在剝離片I長(zhǎng)時(shí)間暴露于大氣的條件下，會(huì)發(fā)生對(duì)剝離劑層12的粘著劑層的剝離力較暴露于大氣前的剝離力大的問題。另夕卜，當(dāng)具有氫硅烷基的低分子量第二聚二甲基硅氧烷的添加量變多時(shí)，因?yàn)橥坎家旱酿ざ茸冃?，因此在制作剝離片I時(shí)會(huì)有剝離劑的涂布面發(fā)生縮孔的問題，或者發(fā)生對(duì)剝離劑層12的粘著劑層的剝離力增大而使粘著劑凝集破壞或轉(zhuǎn)印于剝離片一側(cè)的問題。
[0033]而且，第一聚二甲基硅氧烷優(yōu)選不具有氫硅烷基，第二聚二甲基硅氧烷優(yōu)選不具有稀基。
[0034]第一聚二甲基娃氧燒的重均分子量?jī)?yōu)選為200000?1300000,尤其優(yōu)選為300000?1200000。第二聚二甲基硅氧烷的重均分子量?jī)?yōu)選為300?1400，尤其優(yōu)選為500?1200。本說明書所述重均分子量為以凝膠滲透層析(GPC)法測(cè)定的聚苯乙烯的換算值。
[0035]上述剝離劑組合物優(yōu)選含有催化劑。催化劑如果可以使本實(shí)施方式的剝離劑組合物固化，則沒有特別限制，其中優(yōu)選鉬類金屬化合物。鉬類金屬化合物可列舉例如微粒狀鉬、吸附于碳粉載體上的微粒狀鉬、氯鉬酸、醇變性氯鉬酸、氯鉬酸的烯烴錯(cuò)合物、鈀、銠等。剝離劑組合物含有所述催化劑，可更有效、良好地進(jìn)行該剝離劑組合物的固化反應(yīng)。
[0036]上述剝離劑組合物中催化劑的含量，相對(duì)于催化劑以外的成分的總量，優(yōu)選為約I ?100ppm0
[0037]上述剝離劑組合物除了含有第一及第二聚二甲基硅氧烷以及催化劑以外，也可含有反應(yīng)抑制劑、密著改善劑等。
[0038]剝離劑層12的厚度(每平方公尺的重量(g))沒有特別限定，但優(yōu)選為0.01?3g/m2，尤其優(yōu)選0.05?2g/m2。當(dāng)剝離劑層12的厚度未滿0.01g/m2時(shí)，因?yàn)闃?gòu)成剝離劑層12的材料等而有無(wú)法充分發(fā)揮作為剝離劑層12的作用的情況。另一方面，當(dāng)剝離劑層12的厚度超過3g/m2時(shí)，在以輥狀卷取剝離片I時(shí)會(huì)有阻斷發(fā)生、抽出時(shí)產(chǎn)生缺陷的情況。
[0039]剝離劑層12可在基材11的一側(cè)表面，將含有剝離劑組合物及視需要的稀釋劑的涂布液涂布后，使干燥、固化而形成。涂布方法可使用例如凹版涂布法、棒涂布法、噴霧涂布法、旋轉(zhuǎn)涂布法、刀涂布法、輥涂布法、模具涂布法等。
[0040]上述稀釋劑沒有特別限制，可使用多種。例如一開始使用甲苯、己烷、庚烷等的碳?xì)浠衔?，之后使用丙酮、乙酸乙酯、甲基乙基酮、甲基異丁基酮及這些的混合物等。
[0041]如上述涂布的剝離劑組合物優(yōu)選使其熱固化。該情況下的加熱溫度優(yōu)選為80?180°C，加熱時(shí)間優(yōu)選為約10?90秒。
[0042]如前所述，根據(jù)本實(shí)施方式的剝離片1，即使在剝離片I的剝離劑層12長(zhǎng)時(shí)間暴露于大氣的情形下，也可抑制剝離力的增大，具體為，
[0043]以對(duì)于在不暴露于大氣的狀態(tài)中該剝離片I的日東電工公司制的聚酯粘貼帶N0.31B的180。剝離力(mN/20mm)為剝離力X,
[0044]以對(duì)于在級(jí)別I萬(wàn)(ISO Class7)、溫度23°C及濕度50% RH條件的無(wú)菌室中大氣暴露7天的剝離片I的日東電工公司制的聚酯粘貼帶N0.31B的180°剝離力(mN/20mm)為剝離力Y時(shí)，以下式所表示的剝離力變化率:
[0045]{(剝離力Y-剝離力X) /剝離力X} X 100 %。
[0046]該剝離力變化率優(yōu)選為30%以下，尤其優(yōu)選為25%以下，再更優(yōu)選為15%以下，最優(yōu)選為10%以下者。另外，為了不過度減少剝離力，剝離力的變化率優(yōu)選為-30%以上。
[0047]而且,在上述無(wú)菌室內(nèi)，將剝離片I對(duì)地面垂直吊掛而暴露。在未以對(duì)地面垂直吊掛而暴露的情況下，因?yàn)闊o(wú)菌室稍微存在塵埃，一旦塵埃堆積于剝離劑層12的表面，剝離力的測(cè)定會(huì)受塵埃的影響而使剝離力不安定，有未能產(chǎn)生正確數(shù)值的可能性。
[0048]通過使剝離片I的剝離力變化率為上述數(shù)值以下，在粘著片的粘著劑層與剝離片I的剝離劑層12貼合后，能夠減少?gòu)恼持瑒冸x剝離片I時(shí)的剝離不良。
[0049]以上說明的實(shí)施方式是為了容易理解本發(fā)明所記載的實(shí)施方式，并非用于限制本發(fā)明。因此，上述實(shí)施方式所公開的各要素，其主旨也包含本發(fā)明的技術(shù)范圍所屬的全部的設(shè)計(jì)變更及均等物。
[0050]例如，在基材I中的剝離劑層12的相反側(cè)的表面，或在基材I與剝離劑層12之間，可以設(shè)置防靜電層等的其他層。
[0051](實(shí)施例)
[0052]以下通過實(shí)施例等更具體說明本發(fā)明，但本發(fā)明的范圍不限于這些實(shí)施例等。
[0053](實(shí)施例1)
[0054]將聚二甲基硅氧烷構(gòu)造中具有至少2個(gè)乙烯基的乙烯變性硅酮樹脂(重均分子量:1100000)的第一聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷構(gòu)造中具有至少2個(gè)氫硅烷基的聚甲基氫硅氧烷(重均分子量:1000)的第二聚二甲基硅氧烷，與硅酮樹脂構(gòu)造中具有至少2個(gè)乙烯基的乙烯變性硅酮樹脂(重均分子量:10000)的混合物，即重均分子量501000的加成反應(yīng)型有機(jī)聚硅氧烷(剝離劑組合物A)，以甲苯稀釋，形成固型分30質(zhì)量％，來(lái)制備硅酮樹脂溶液。在該硅酮樹脂溶液100質(zhì)量部中加入2質(zhì)量部的鉬類催化劑(Toray DowCorning公司制，BY24-835)，使甲苯調(diào)整固形分濃度為1.5質(zhì)量％進(jìn)行制備，得到涂布液。
[0055]使所得涂布液以形成干燥后膜厚為0.09g/m2，在作為基材的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(三菱樹脂公司制，T-100，厚度38μπι)上使用棒涂布法均勻涂布后，在130°C干燥I小時(shí)，在不暴露剝離劑層的狀態(tài)下，將剝離劑層覆蓋于基材，得到基材上層積剝離劑層的剝離片。
[0056](實(shí)施例2)
[0057]除了使用聚二甲基硅氧烷構(gòu)造中具有至少2個(gè)乙烯基的乙烯變性硅酮樹脂(重均分子量:1100000)的第一聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷構(gòu)造中具有至少2個(gè)氫硅烷基的聚甲基氫硅氧烷(重均分子量:1000)的第二聚二甲基硅氧烷，與硅酮樹脂構(gòu)造中具有至少2個(gè)乙烯基的乙烯變性硅酮樹脂(重均分子量:10000)的混合物，即重均分子量583000的加成反應(yīng)型有機(jī)聚硅氧烷(剝離劑組合物B)，來(lái)代替實(shí)施例1中的剝離劑組合物A以外，其余同實(shí)施例1制作剝離片。
[0058](實(shí)施例3)
[0059]除了使用聚二甲基硅氧烷構(gòu)造中具有至少2個(gè)乙烯基的乙烯變性硅酮樹脂(重均分子量:1100000)的第一聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷構(gòu)造中具有至少2個(gè)氫硅烷基的聚甲基氫硅氧烷(重均分子量:1000)的第二聚二甲基硅氧烷，與硅酮樹脂構(gòu)造中具有至少2個(gè)乙烯基的乙烯變性硅酮樹脂的混合物，即重均分子量634000的加成反應(yīng)型有機(jī)聚硅氧烷(剝離劑組合物C)，來(lái)代替實(shí)施例1中的剝離劑組合物A以外，其余同實(shí)施例1制作剝離片。
[0060](實(shí)施例4)
[0061]除了使用聚二甲基硅氧烷構(gòu)造中具有至少2個(gè)乙烯基的乙烯變性硅酮樹脂(重均分子量:1100000)的第一聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷構(gòu)造中具有至少2個(gè)氫硅烷基的聚甲基氫硅氧烷(重均分子量:1000)的第二聚二甲基硅氧烷，與硅酮樹脂構(gòu)造中具有至少2個(gè)乙烯基的乙烯變性硅酮樹脂的混合物，即重均分子量658000的加成反應(yīng)型有機(jī)聚硅氧烷(剝離劑組合物D)，來(lái)代替實(shí)施例1中的剝離劑組合物A以外，其余同實(shí)施例1制作剝離片。
[0062](實(shí)施例5)
[0063]除了使用聚二甲基硅氧烷構(gòu)造中具有至少2個(gè)乙烯基的乙烯變性硅酮樹脂(重均分子量:1100000)的第一聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷構(gòu)造中具有至少2個(gè)氫硅烷基的聚甲基氫硅氧烷(重均分子量:1000)的第二聚二甲基硅氧烷，與硅酮樹脂構(gòu)造中具有至少2個(gè)乙烯基的乙烯變性硅酮樹脂的混合物，即重均分子量634000的加成反應(yīng)型有機(jī)聚硅氧烷(剝離劑組合物E)，來(lái)代替實(shí)施例1中的剝離劑組合物A以外，其余同實(shí)施例1制作剝離片。
[0064](比較例I)
[0065]除了使用聚二甲基硅氧烷構(gòu)造中具有至少2個(gè)乙烯基的苯變性硅酮樹脂(重均分子量:400000)的第一聚二甲基硅氧烷，與聚二甲基硅氧烷構(gòu)造中具有至少2個(gè)氫硅烷基的聚甲基氫硅氧烷(重均分子量:1000)的第二聚二甲基硅氧烷的混合物，即重均分子量344000的加成反應(yīng)型有機(jī)聚硅氧烷(剝離劑組合物F)，來(lái)代替實(shí)施例1中的剝離劑組合物A以外，其余同實(shí)施例1制作剝離片。
[0066](比較例2)
[0067]除了使用聚二甲基硅氧烷構(gòu)造中具有至少2個(gè)乙烯基的乙烯變性硅酮樹脂(重均分子量:1100000)的第一聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷構(gòu)造中具有至少2個(gè)氫硅烷基的聚甲基氫硅氧烷(重均分子量:1000)的第二聚二甲基硅氧烷，與硅酮樹脂構(gòu)造中具有至少2個(gè)乙烯基的乙烯變性硅酮樹脂的混合物，即重均分子量440000的加成反應(yīng)型有機(jī)聚硅氧烷(剝離劑組合物G)，來(lái)代替實(shí)施例1中的剝離劑組合物A以外，其余同實(shí)施例1制作剝離片。
[0068](比較例3)
[0069]除了使用聚二甲基硅氧烷構(gòu)造中具有至少2個(gè)乙烯基的乙烯變性硅酮樹脂(重均分子量:1100000)的第一聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷構(gòu)造中具有至少2個(gè)氫硅烷基的聚甲基氫硅氧烷(重均分子量:1000)的第二聚二甲基硅氧烷，與硅酮樹脂構(gòu)造中具有至少2個(gè)乙烯基的乙烯變性硅酮樹脂的混合物，即重均分子量696000的加成反應(yīng)型有機(jī)聚硅氧烷(剝離劑組合物H)，來(lái)代替實(shí)施例1中的剝離劑組合物A以外，其余同實(shí)施例1制作剝離片。
[0070](試驗(yàn)例I)
[0071]將實(shí)施例及比較例所使用的剝離劑組合物A?H中各官能基(乙烯基、氫硅氧基)的量根據(jù)下列測(cè)定方法測(cè)定。
[0072]對(duì)于聚二甲基硅氧烷試料，添加氚氯仿(關(guān)東化學(xué)公司制，純度99.8%)使聚二甲基硅氧烷試料成為固形分10質(zhì)量％，之后對(duì)聚二甲基硅氧烷試料添加吡嗪(pyrazine)(東京化成工業(yè)公司制，P0554)使其成為0.3質(zhì)量％，將所得混合物加入NMR管。對(duì)于NMR管內(nèi)的試料，使用核磁氣共鳴裝置(BRUKER公司制，NMR Fourier300)進(jìn)行NMR測(cè)定，定量乙稀基及氧娃燒基的各官能基的量(mmol)。
[0073]從上述測(cè)定結(jié)果，計(jì)算出氫硅烷基(b)對(duì)烯基(a)的摩爾比(b/a)。各結(jié)果如表I所示。
[0074](試驗(yàn)例2)
[0075]在級(jí)別I萬(wàn)(ISO Class7)、溫度23°C及濕度50% RH條件的無(wú)菌室中，將實(shí)施例及比較例所得的剝離片以對(duì)地垂直吊掛，暴露于大氣I天或7天。
[0076]在溫度23°C及濕度50% RH條件下，以2kg滾筒來(lái)回I次，使聚酯粘著帶(日東電工公司制，品號(hào):N0.31B, 20mm寬)貼付于未暴露于大氣的剝離片或如上述暴露于大氣的剝離片的剝離劑層表面，獲得剝離力測(cè)定用的試驗(yàn)片。
[0077]從聚酯粘著帶貼付30分鐘后，對(duì)所得試驗(yàn)片進(jìn)行剝離力的測(cè)定。剝離力的測(cè)定，使用島津制作所的拉伸試驗(yàn)機(jī)(品名:AG-1S500N(Loadcel 120N))。具體為，將試驗(yàn)片的剝離片側(cè)固定于SUS板，將聚酯粘著帶歪曲180°，同時(shí)以0.3m/min速度剝離，測(cè)定此時(shí)的剝離力(mN/20mm)。再?gòu)乃玫膭冸x力，根據(jù)下式計(jì)算出剝離力變化率(％)。結(jié)果分別如表2所示。
[0078]剝離力變化率(% ) = K剝離力Y-剝離力X)/剝離力X} X 100%，
[0079]剝離力X =未暴露時(shí)的剝離力，
[0080]剝離力Y=暴露I天或7天時(shí)的剝離力。
[0081](表 I)
[0082]
官能基量(mmol)I~,κ {u/ ^~
飛烯基(a) I ^硅烷基(b) 摩爾比(b/a)
實(shí)施例1--36141.53?Ζ5
實(shí)施例 213.2297.127.3
實(shí)施例 314.6670.234.8
實(shí)施例 415.2157.233.8
實(shí)施例 515.8043.412.7
比較例 I10.8020.101.9
比較例 29.96174.9817.6
比較例 3 _15.811_35.32+_22
[0083](表2)
[0084]
剝離力(mN/20mm)剝離力變化率(％) ^
_未暴露暴露I天暴露7天I暴露I天暴露實(shí)施例1 233 196 176Λ6 ^24
實(shí)施例 2 143 118 116-18 -19
實(shí)施例 3 118 101 104-14 -12
實(shí)施例 4 107 94 101-12 -5
實(shí)施例 5 85 97 10715 27
比較例 I 46 477 910937 1878
比較例 2 343 293 236-15 -31
比較例 3 _52_92_13^_78_158
[0085]從表I及表2所示結(jié)果可知，使用滿足本發(fā)明條件的剝離劑組合物的剝離片，因暴露于大氣所造成的剝離力變化率非常小。
[0086]工業(yè)實(shí)用性
[0087]本發(fā)明的剝離片，適合用于提供于背割加工等、剝離劑層長(zhǎng)時(shí)間暴露于大氣的剝離片。
[0088]附圖標(biāo)記說明
[0089]I 一剝離片
[0090]11 —基材
[0091]12 —?jiǎng)冸x劑層
【權(quán)利要求】
1.一種剝離片，具備基材及至少形成于所述基材的一個(gè)面的剝離劑層，其特征在于， 所述剝離劑層使用如下所述的剝離劑組合物所形成，該剝離劑組合物含有在I分子中具有至少2個(gè)烯基的第一聚二甲基硅氧烷，及在I分子中具有至少2個(gè)氫硅烷基的第二聚二甲基硅氧烷，在總計(jì)30g的所述第一聚二甲基硅氧烷及所述第二聚二甲基硅氧烷中，含有所述烯基10.00?16.0Ommol，含有所述氫硅烷基40.00?145.0Ommol，且所述氫硅烷基(b)相對(duì)于所述烯基(a)的摩爾比(b/a)為2.0?15.0。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的剝離片，其特征在于，所述第一聚二甲基硅氧烷的重均分子量為200000?1300000，該第二聚二甲基硅氧烷的重均分子量為300?1200。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的剝離片，其特征在于，所述剝離劑組合物進(jìn)一步含有作為催化劑的鉬類金屬化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任意一項(xiàng)所述的剝離片，其特征在于，以對(duì)于在不暴露于大氣的狀態(tài)中的所述剝離片的日東電工公司制的聚酯粘貼帶N0.31B的180°剝離力(mN/20mm)為剝離力X，以對(duì)于在級(jí)別I萬(wàn)(ISO Class7)、溫度23°C及濕度50% RH條件的無(wú)菌室中大氣暴露7天的該剝離片的日東電工公司制的聚酯粘貼帶N0.31B的180°剝離力(mN/20mm)為剝離力Y時(shí)，以下式所表示的剝離力變化率為30%以下， {(剝離力Y-剝離力X)/剝離力X} X 100% ο
【文檔編號(hào)】B32B27/00GK104185550SQ201280071753
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2012年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月27日
【發(fā)明者】佐藤慶一, 深谷知巳 申請(qǐng)人:琳得科株式會(huì)社