專利名稱：具有結(jié)合的聚合物薄膜磨損表面的氣動軸承及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明整體上涉及光刻術(shù)，更具體地涉及氣動軸承。光刻術(shù)被廣泛認為是制造集成電路(IC)以及其他器件和結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝。光刻設(shè)備是一種在光刻期間使用的機器，該機器將圖案施加到襯底上，諸如是襯底的目標部分上。在用光刻設(shè)備制造IC期間，圖案形成裝置(可選地稱為掩模或掩模版)生成在IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或幾個管芯)上。所述圖案的轉(zhuǎn)移通常是通過將圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(例如抗蝕劑)的層上進行的。通常，單個襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標部分的網(wǎng)絡。制造IC的不同的層通常需要使用不同的掩模版使不同的圖案成像在不同的層上。因此，必須在光刻過程中更換掩模版和襯底。為了便于掩模版處理，支撐掩模版的平臺設(shè)置有氣動軸承。軸承是一種減小移動部件之間的摩擦的和/或支撐移動載荷的裝置。有兩種主要類型的軸承。抗摩擦的軸承使用諸如滾柱軸承或滾球軸承的裝置最小化摩擦。摩擦軸承使用主動潤滑或其他方式最小化摩擦，以便于移動部件之間的運動。摩擦軸承也已知為滑動軸承。許多軸承組件利用兩種原理，例如潤滑滾球軸承組件。氣動軸承是摩擦或滑動軸承的一個示例。其使用壓縮氣體以產(chǎn)生一致的氣體薄膜，軸承表面停留在該氣體薄膜上和在該氣體薄膜上移動。氣體薄膜用作基本上無摩擦的潤滑劑，其便于氣動軸承的表面之間的平滑運動。在其上生成潤滑氣體薄膜的軸承表面被稱為“主動式表面”。通常，氣動軸承需要至少一個穩(wěn)定的壓縮氣體源以保持潤滑氣體薄膜。正如前面介紹的，氣動軸承的示例性環(huán)境是在半導體光刻領(lǐng)域中。在那里，氣動軸承提供多種優(yōu)點。氣動軸承是基本上沒有摩擦的，并且因此在它們操作時不產(chǎn)生微粒磨損材料。這種微粒物質(zhì)在超凈的半導體制造環(huán)境中將引起麻煩。附加地，出現(xiàn)在滾球或滾柱軸承中的潤滑劑會排出污染物分子，其在半導體制造環(huán)境中也是不利的。氣動軸承還需要相對少的維護或定期維修。除所有這些優(yōu)點，在使用期間會發(fā)生氣動軸承表面之間偶然的“干”接觸，由此刮傷常規(guī)的氣動軸承表面并危害其性能。為了解決這個問題，常規(guī)的軸承在拋光的花崗巖(granite)或鍍鉻鋼的導軌上運行，而軸承本身用表面硬化處理的不銹鋼制造。表面硬化工藝通過使鋼的表層硬化來提供耐磨損、耐腐蝕以及耐磨傷。鋼的塊體未被硬化，因而在表面處硬度最大，并且該硬度通過表層的厚度后作為離表面的距離正函數(shù)迅速地且連續(xù)地下降。不幸的是，表面硬化工藝也使軸承輕微地變形，由此需要重新研磨軸承，這部分地且一定程度地不均勻地移除掉了硬化層。最終的產(chǎn)品是起作用的平坦的軸承，然而硬化的表層的厚度在軸承表面上是不均勻的，并且依賴于重新獲得平坦度所需要的研磨深度從軸承至軸承變化。在實際的意義上，軸承的硬度不能被表面硬化工藝嚴密地控制。在用于光刻掩模版處理裝置模塊中的差分密封軸承的情形中硬化表層的不均勻性被加劇，該差分密封軸承的數(shù)量級大于平臺軸承并且由薄剛板制造。薄鋼板容易用需要加熱所述部件的任何處理(包括表面硬化工藝)永久變形。在真空環(huán)境中，表面硬化的鋼提供好的抗磨傷性，不會產(chǎn)生過量的顆粒，并且相對便宜。因而，其通常是表面處理的選擇。一直需要對氣動軸承設(shè)計的改進。這在半導體光刻工具領(lǐng)域中尤其是如此，在半導體光刻工具領(lǐng)域中制造工具不斷地被推動以具有更為精確的容差和更快的速度。

發(fā)明內(nèi)容
綜上所述，需要一種用于產(chǎn)生氣動軸承表面的方法，所述氣動軸承表面是真空兼容的并且可以當沒有氣體輸入至軸承時在沒有任何潤滑的情況(包括干滑動)下操作。附·加地，所需要的是氣動軸承表面，其在這種條件下，(如果有的話)產(chǎn)生極少量的顆粒，以便避免污染真空腔。這種改進的氣動軸承應該還是低成本的。為了滿足這些需求，本發(fā)明的實施例涉及具有結(jié)合的聚合物薄膜磨損表面的氣動軸承及其制造方法。例如，本發(fā)明的一個實施例提供一種氣動軸承,該氣動軸承具有軸承表面，所述軸承表面包括基板、設(shè)置在所述基板上的結(jié)合層，和設(shè)置在結(jié)合層上的聚酰亞胺薄膜?；蹇梢允翘沾刹牧希Y(jié)合層可以包括雙酚A 二環(huán)氧甘油醚；1，4_ 丁二醇二環(huán)氧甘油醚；以及2，2，4_三甲基六亞甲基-1，6-二胺。聚酰亞胺薄膜包括聚-氧聯(lián)二苯基-均苯四酸酰亞胺(poly-oxydiphenylene-pyromelIitimide),其中聚酰亞胺薄膜的厚度在大約7至100微米的范圍內(nèi)，優(yōu)選厚度為至少25微米。氣動軸承可以用于光刻設(shè)備中。在另一示例中，本發(fā)明的實施例提供一種用于制造氣動軸承的軸承表面的方法。所述方法包括步驟將聚酰亞胺薄膜設(shè)置在真空卡盤的平坦表面上；施加真空至聚酰亞胺薄膜；和將液態(tài)環(huán)氧樹脂設(shè)置在聚酰亞胺薄膜的表面上。在聚酰亞胺薄膜和基板不接觸的情況下可以將基板設(shè)置到液態(tài)環(huán)氧樹脂上。釋放基板至液態(tài)環(huán)氧樹脂上，將重物設(shè)置到基板上。固化液態(tài)環(huán)氧樹脂，移除重物。從真空卡盤釋放聚酰亞胺薄膜?？梢孕藜艟埘啺繁∧ひ云ヅ浠宓妮喞?。本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點以及本發(fā)明不同實施例的結(jié)構(gòu)和操作在下文中參照附圖進行詳細地描述。要注意的是，本發(fā)明不限于此處所述的特定實施例。這里給出的這些實施例僅為了示例的目的。基于這里包含的教導相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白另外的實施例。


包含到本文中且形成說明書的一部分的附圖，示出本發(fā)明。該附圖與所述描述一起進一步用于說明本發(fā)明的原理，且使得相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┖褪褂帽景l(fā)明。圖IA和IB分別示出反射型的和透射型的光刻設(shè)備。圖2示出示例性的EUV光刻設(shè)備。圖3示出根據(jù)本發(fā)明的具有結(jié)合的聚合物薄膜磨損表面的示例性的氣動軸承。圖4是根據(jù)本發(fā)明的制造具有結(jié)合的聚合物薄膜磨損表面的氣動軸承的示例性方法的流程圖。圖5A-5G示出根據(jù)本發(fā)明的制造具有結(jié)合的聚合物薄膜磨損表面的氣動軸承的示例性方法。圖6是根據(jù)本發(fā)明的制造具有結(jié)合的聚合物薄膜磨損表面的氣動軸承的另一示例性方法的流程圖。此處的附圖不必按比例繪制的。在結(jié)合附圖時通過下面闡述的詳細描述更加明白本發(fā)明的特征和優(yōu)點，在附圖中相同的參考標記在全文中表示對應的元件。在附圖中，相同的參考數(shù)字通常表示相同的、功能類似的和/或結(jié)構(gòu)類似的元件。元件第一次出現(xiàn)的附圖用相應的參考數(shù)字中最左邊的數(shù)字表示。
具體實施方式

I.概述本發(fā)明涉及結(jié)合的聚合物薄膜磨損表面以及其制造方法。本說明書公開了一個或更多個實施例，其包含了本發(fā)明的特征。所公開的實施例僅給出本發(fā)明的示例。本發(fā)明的范圍不限于所公開的實施例。本發(fā)明由隨附的權(quán)利要求來限定。所述描述被設(shè)定在半導體光刻領(lǐng)域的情形中。該環(huán)境被選擇用于最佳地示出本發(fā)明的特定特征。然而，該環(huán)境不應該解釋為限制本發(fā)明，除在隨附的權(quán)利要求中引述的那些特征之外。本領(lǐng)域技術(shù)人員當然可以認識到具有這里所述的特征的氣動軸承在半導體光刻工具的情形以外具有大量的應用。所描述的實施例和在說明書中對“一個實施例”、“實施例”、“示例性實施例”等的引用表示所述的實施例可以包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性，但是每一實施例不一定包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性。然而，這樣的措辭不一定表示同一實施例。另外，在關(guān)于實施例描述特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性時，應當理解，不論是否進行了明確描述，關(guān)于其它實施例實施這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性在本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識范圍內(nèi)。公開的是具有結(jié)合的聚合物薄膜磨損表面的氣動軸承及其制造方法。例如，公開的是用于支撐有效載荷的氣動軸承。氣動軸承具有軸承表面，該軸承表面具有用結(jié)合層被緊固至基板上的聚酰亞胺薄膜。在一個實施例中，聚酰亞胺薄膜包括聚-氧聯(lián)二苯基-均苯四酸酰亞胺(poly-oxydiphenylene-pyromellitimide),結(jié)合層包括雙酹A 二環(huán)氧甘油醚；I，4- 丁二醇二環(huán)氧甘油醚；以及2，2，4-三甲基六亞甲基-I，6- 二胺。軸承表面是可真空兼容的并且當沒有氣體輸入至軸承時可以在沒有潤滑的情況下操作，包括干滑動。此外，軸承表面在干滑動的條件下產(chǎn)生非常少量的顆粒，以便避免污染腔。這種方案與傳統(tǒng)的空氣軸承相比時還具有低的成本。本發(fā)明的多個實施例允許使用不昂貴的材料和簡單的工藝重復制作有用的、極為平坦的加工表面。在實現(xiàn)高性能、魯棒性以及耐用性的同時，避免昂貴的精磨和熱處理步驟。作為附加的優(yōu)點，真空環(huán)境中的金屬與金屬間的磨傷被消除。然而，在更詳細描述這些和其他實施例之前，給出可以實施本發(fā)明的多個實施例的示例性環(huán)境是具有指導意義的。II.不例性光刻環(huán)境A.示例性反射式和透射式光刻系統(tǒng)
圖IA和IB分別示意性地示出光刻設(shè)備100和光刻設(shè)備100’。光刻設(shè)備100和100’中每個包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，配置用于調(diào)節(jié)輻射束B (例如，深紫外(DUV)輻射或極紫外(EUV)輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，配置用于支撐圖案形成裝置(例如掩模、掩模版、或動態(tài)圖案形成裝置)MA并與配置用于精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；襯底臺(例如晶片臺)WT，配置用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連。光刻設(shè)備100和100’還具有投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。在光刻設(shè)備100中，圖案形成裝置MA和投影系統(tǒng)PS是反射性的，在光刻設(shè)備100’中，圖案形成裝置MA和投影系統(tǒng)PS是透射性的。所述照射系統(tǒng)IL可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學部件、或其任意組合，以引導、成形、或控制輻射B。所述支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置MA的方向、光刻設(shè)備100和100’的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其它條件的方式保持圖案形成裝置 MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng)PS)。術(shù)語“圖案形成裝置”MA應該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束B的橫截面上賦予輻射束B、以便在襯底W的目標部分C上形成圖案的任何裝置。被賦予輻射束B的圖案可能與在目標部分C上形成的器件中的特定的功能層相對應，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的(例如圖IB中的光刻設(shè)備100’中)或反射式的(如在圖IA的光刻設(shè)備100中)。圖案形成裝置MA的示例包括掩模版、掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束B。術(shù)語“投影系統(tǒng)"PS可以包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。真空環(huán)境可以用于EUV或電子束，這是因為其它氣體可能吸收太多的輻射或電子。因此，可以在真空壁和真空泵的幫助下將真空環(huán)境提供至整個束路徑。光刻設(shè)備100和/或光刻設(shè)備100’可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的掩模臺)WT的類型。在這種“多臺”機器中，可以并行地使用附加的襯底臺WT，或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預備步驟的同時，將一個或更多個其它襯底臺WT用于曝光。在光刻設(shè)備100中,所述設(shè)備的一個或多個可移動部件可以設(shè)置有氣動(例如空氣)軸承。例如，可以使用氣動軸承支撐諸如襯底臺WT、掩模臺MT以及掩模版處理裝置的
>j-U ρ α裝直。參照圖IA和1Β，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和所述光刻設(shè)備100和100’可以是分立的實體(例如當該源SO為準分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源SO考慮成形成光刻設(shè)備100或100’的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)BD(圖1B)的幫助，將所述輻射束B從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源SO可以是所述光刻設(shè)備100、100’的組成部分(例如當所述源SO是汞燈時)?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作福射系統(tǒng)。
所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強度分布的調(diào)整器AD(圖1B)。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件(圖1Β)，例如積分器IN和聚光器CO?？梢詫⑺稣丈淦鱅L用于調(diào)節(jié)所述輻射束B，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。參考圖1Α，所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)ΜΤ上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)ΜΑ上，并且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。在光刻設(shè)備100中，輻射束B被從圖案形成裝置(例如掩模)MA反射。在已經(jīng)從圖案形成裝置(例如掩模)MA反射之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束B聚焦到所述襯底W的目標部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF2 (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器IFl用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置(例如掩模)ΜΑ。可以使用掩模對準標記Ml、Μ2和襯底對準標記Pl、Ρ2來對準圖案形成裝置(例如掩模)MA和襯底W。參考圖1Β，所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺MT)上的所述圖案形成裝置(例如，掩模MA)上，并且通過所述圖案形成裝置來形成圖案。已經(jīng)穿過掩模MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將束聚焦到所述襯底W的目標部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器(圖IB中未明確示出)用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位掩模MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現(xiàn)掩模臺MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述襯底臺WT的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，所述掩模臺MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的?？梢允褂醚谀蕵擞汳l、M2和襯底對準標記P1、P2來對準掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對準標記占據(jù)了專用目標部分，但是它們可以位于目標部分之間的空間(這些公知為劃線對齊標記)中。類似地，在將多于一個的管芯設(shè)置在掩模MA上的情況下，所述掩模對準標記可以位于所述管芯之間。可以將所述光刻設(shè)備100和100’用于以下模式中的至少一種中I.在步進模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束B的整個圖案一次投影到目標部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。2.在掃描模式中，在對支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT和襯底臺WT同步地進行掃描的同時，將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標部分C上(B卩，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。3.在另一種模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT保持為基本靜止，并且在對所述襯底臺WT進行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標部分C上?？梢圆捎妹}沖輻射源S0，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如在本文所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。
也可以采用所述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。盡管在本文中可以做出具體的參考，將所述光刻設(shè)備用于制造1C，但應當理解這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應用，例如，集成光學系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的制造。本領(lǐng)域技術(shù)人員應該理解的是，在這種替代應用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語“晶片”或“管芯”分別認為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中。在可應用的情況下，可以將此處的公開內(nèi)容應用于這種和其它襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理多于一次，例如以便產(chǎn)生多層1C，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。在另外的實施例中，光刻設(shè)備100包括極紫外(EUV)源，其配置用于產(chǎn)生用于EUV光刻術(shù)的EUV輻射束。通常，將EUV源配置在輻射系統(tǒng)(參見下文)中，且對應的照射系統(tǒng)配置成調(diào)節(jié)EUV源的EUV輻射束。B.示例性EUV光刻設(shè)備圖2示意性示出了根據(jù)本發(fā)明的一實施例的示例性EUV光刻設(shè)備200。在圖2中，EUV光刻設(shè)備200包括輻射系統(tǒng)42、照射光學單元44以及投影系統(tǒng)PS。輻射系統(tǒng)42包括輻射源S0，其中可以通過放電等離子體形成輻射束。在一實施例中，EUV輻射可以通過(例如來自Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽的)氣體或蒸汽來產(chǎn)生EUV輻射，其中產(chǎn)生非常熱的等離子體來發(fā)射在電磁光譜的EUV范圍中的輻射?？梢酝ㄟ^例如放電產(chǎn)生至少部分地電離的等離子體來產(chǎn)生非常熱的等離子體。為了有效地產(chǎn)生輻射，可能需要分壓為例如IOPa的Xe，Li, Sn蒸汽或任何其它的適合的氣體或蒸汽。由輻射源SO發(fā)射的輻射從源腔47經(jīng)由定位在源腔47中的開口中或后面的氣體阻擋件或污染物阱49通入到收集器腔48中。在一實施例中，氣體阻擋件49可以包括通道結(jié)構(gòu)。收集器腔48包括輻射收集器50 (其還可以被稱作收集器反射鏡或收集器)，其可以由掠入射收集器形成。輻射收集器50具有上游輻射收集器側(cè)50a和下游輻射收集器側(cè)50b，通過收集器50的輻射可以被反射離開光柵光譜濾光片51以被聚焦在收集器腔48中的孔闌處的虛源點52處。輻射收集器50對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的。
來自收集器腔48的輻射束56在照射光學單元44中被經(jīng)由正入射反射器53和54反射到定位在掩模版或掩模臺MT上的掩模版或掩模(未顯示)上。形成了圖案化的束57，其在投影系統(tǒng)PS中被經(jīng)由反射元件58和59成像到被支撐在晶片平臺或襯底臺WT上的襯底(未顯示)上。在不同實施例中，照射光學單元44和投影系統(tǒng)PS可以包括比圖2中示出的更多(或更少)的元件。例如，可以依賴于光刻設(shè)備的類型而可選地設(shè)置光柵光譜濾光片51。另外，在一實施例中，照射光學單元44和投影系統(tǒng)PS可以包括比圖2中示出的反射鏡更多的反射鏡。例如，除反射元件58和59之外，投影系統(tǒng)PS還可以包括一至四個反射元件。在圖2中，參考標號180表示兩個反射器之間的空間，例如反射器142和143之間的空間。在一實施例中，替代掠入射反射鏡或除掠入射反射鏡之外，收集器反射鏡50還可以包括正入射收集器。另外，收集器反射鏡50盡管被參考具有反射器142、143和146的巢 狀收集器進行描述，但是在此處進一步被用作收集器的例子。另外，替代光柵51，如在圖2中示意性地示出的，還可以應用透射式光學濾光片。對EUV是透射性的光學濾光片以及對UV輻射透射性較差的或甚至基本上吸收UV輻射的光學濾光片對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的。因此，“光柵光譜純度濾光片”的使用在此處還可以可替代地表示成“光譜純度濾光片”，其包括光柵或透射式濾光片。雖然未在圖2中示出，但是EUV透射式光學濾光片可以被包括作為另外的光學元件，例如配置在照射單元44和/或投影系統(tǒng)PS中的收集器反射鏡50或光學EUV透射式濾光片的上游。相對于光學元件，術(shù)語“上游”和“下游”分別表示為一個或更多的光學元件的位于一個或更多的另外的光學元件的“光學上游”和“光學下游”的位置。遵循輻射束越過的光刻設(shè)備200的光路,與第二光學兀件相比更靠近源SO的第一光學兀件配置在第二光學兀件的上游；第二光學元件配置在第一光學元件的下游。例如，收集器反射鏡50配置在光學濾光片51的上游,而光學兀件53配置在光學濾光片51的下游。在圖2中示出的所有光學元件(和未在該實施例的示意圖中示出的另外的光學元件)可能易受由源SO產(chǎn)生的污染物(例如Sn)的沉積的損壞。對于輻射收集器50可能是這種情形，且如果存在的話，對于光譜純度濾光片51也可能是這種情形。因此，可以采用清潔裝置來清潔這些光學元件中的一個或更多個，以及可以將清潔方法應用至這些光學元件，而且還可以應用至正入射反射器53和54和反射元件58和59或其它光學元件，例如另外的反射鏡、光柵等。輻射收集器50可以是掠入射收集器，在這樣的實施例中，收集器50被沿著光軸O對準。源SO或其像還可以沿著光軸O定位。輻射收集器50可以包括反射器142、143和146 (也稱為“殼”或包括多個Wolter型反射器的Wolter型反射器)。反射器142、143和146可以是巢狀的且圍繞光軸O可以是旋轉(zhuǎn)對稱的。在圖2中，內(nèi)反射器由參考標號142表不，中間反射器由參考標號143表不,夕卜反射器由參考標號146表不。福射收集器50包圍特定的體積，即在外反射器146內(nèi)的體積。通常，在外反射器146中的體積被圓周地封閉，盡管可以設(shè)置小的開口。反射器142、143和146分別可以包括表面,所述表面至少一部分代表一個反射層或多個反射層。因此，反射器142、143和146 (或在具有多于3個反射器或殼的輻射收集器的實施例中的另外的反射器)至少部分地設(shè)計用于反射和收集來自源SO的EUV輻射，反射器142、143和146中的至少一部分可以不被設(shè)計成反射和收集EUV輻射。例如，反射器的后側(cè)的至少一部分可以不被設(shè)計成反射和收集EUV輻射。在這些反射層的表面上，可以另外地設(shè)置有用于保護的覆蓋層或作為設(shè)置在這些反射層的表面的至少一部分上的光學濾光片的覆蓋層。輻射收集器50可以放置在源SO的附近或放置在源SO的像附近。每一反射器142、143和146可以包括至少兩個相鄰的反射表面，更加遠離源SO的反射表面與更靠近源SO的反射表面相比，被設(shè)置成相對于光軸O成更小的角度。這樣，掠入射收集器50配置成產(chǎn)生沿著光軸O傳播的(E)UV輻射束。至少兩個反射器可以被基本上同軸地設(shè)置且圍繞光軸O基本上旋轉(zhuǎn)對稱地延伸。應當認識到，輻射收集器50可以具有在外反射器146的外表面上的另外的特征，或在外反射器146的周圍的另外的特征，例如保護性保持器、加熱器等。在此處描述的實施例中，術(shù)語“透鏡”和“透鏡元件”，在可以允許的情況下，可以表示各種類型的光學部件中的任一個或組合，包括折射性、反射性、磁性、電磁性和靜電光學部件。·
另外，此處使用的術(shù)語“輻射”和“束”包括全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有波長λ為365，248，193，157或126nm)、極紫外(EUV或軟X射線)輻射(例如具有在5-20nm的范圍內(nèi)的波長，例如13. 5nm)或在小于5nm下工作的硬X射線以及粒子束(諸如離子束或電子束)。通常，具有在約780-3000nm(或更大)之間的波長的輻射被認為是IR輻射。UV表示具有大約100-400nm的波長的輻射。在光刻術(shù)中，通常還將其應用至可以由汞放電燈產(chǎn)生的波長=G-線436nm ；H-線405nm ;和/或I-線365nm。真空UV或VUV (即由空氣吸收的UV)表示具有大約100-200nm的波長的輻射。深UV(DUV)通常表示具有從126-428nm的范圍的波長的輻射，且在一實施例中，準分子激光器可以產(chǎn)生在光刻設(shè)備中使用的DUV輻射。應當認識到，具有在例如5-20nm的范圍內(nèi)的波長的輻射與特定波長帶的福射相關(guān)，其至少一部分在5-20nm的范圍內(nèi)。III改進的氣動軸承A.具有結(jié)合的聚合物薄膜磨損表面的平坦氣動軸承圖3示出根據(jù)本發(fā)明的具有結(jié)合的聚合物薄膜磨損表面的示例性氣動軸承300。作為氣動軸承300的一部分，聚酰亞胺薄膜302通過結(jié)合劑306永久地結(jié)合至基板/基底304。氣動的空氣軸承300可以用在光刻工具中，例如前面提到的光刻設(shè)備100、100’中。例如，基板304可以支撐有效載荷，該有效載荷為前面提到的光刻設(shè)備100、100’的一部分的掩模版處理裝置的一部分。聚酰亞胺薄膜302是堅韌的且耐用的聚合物薄膜。優(yōu)選的聚酰亞胺薄膜302是杜邦公司制造的成薄膜形式的并以商標名為KaptoiH肖售的聚-氧聯(lián)二苯基-均苯四酸酰亞胺。在一個示例中，聚酰亞胺薄膜302的厚度在7-100微米范圍內(nèi)，優(yōu)選至少是25微米。優(yōu)選的結(jié)合劑306是低粘性、二組分的室溫固化的環(huán)氧樹脂，例如雙酚A 二環(huán)氧甘油醚、1，4- 丁二醇二環(huán)氧甘油醚以及，以商標名為Epo-tek& 301-2環(huán)氧樹脂銷售的2，2，4-三甲基六亞甲基-1，6- 二胺?；?04具有非硬化的表面，因此將堅韌的且耐用的聚合物薄膜結(jié)合至非硬化的基板，以便生成軸承表面。因此，與軸承表面相反的表面可以被保持在其正常的、低應力、非硬化的條件下?；?04可以是金屬(例如不銹鋼)，并且相反的表面可以是類似的或不同的材料，例如不銹鋼?；?04的選擇材料還包括便于獲得高的平坦度的其他材料(例如玻璃和陶瓷)，正如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所清楚的。在非限制性的示例中，基板304厚度大約為10毫米，直徑大約為300毫米，橫跨基板304的有用表面的表面平坦度為大約3微米至大約6微米的峰谷。B.用于制造具有結(jié)合的聚合物薄膜磨損表面的平坦氣動軸承的方法圖4是用于制造具有結(jié)合的聚合物薄膜磨損表面的氣動軸承(例如氣動軸承300)的示例性方法400的流程圖。此外，圖5A至5G示出圖4中示出的示例性制造方法的不同階段。具體地，圖5A至5G示出制造的具有結(jié)合的聚合物薄膜磨損表面的示例性環(huán)形氣動軸承的橫截面。所述方法400可用于制造具有結(jié)合的聚酰亞胺薄膜302磨損表面的氣動軸承300，該磨損表面是方形的、矩形的、環(huán)形的或任何其他有用的形狀。根據(jù)該方法400，聚酰亞胺薄膜302的表面平坦度可以制成比基板304的平坦度更好，并且充分平坦以用作空氣軸承。這使得能夠以相對低的成本制造可用的平坦的薄膜表面，這是因為基板304需要較低 精度的機加工。作為附加的優(yōu)點，不需要對聚酰亞胺薄膜302的結(jié)合后的表面進行后續(xù)機加工以便實現(xiàn)可用的平坦度。可以在潔凈室內(nèi)執(zhí)行方法400以便減少碎片污染基板306的表面的可能性。在步驟402，提供具有極為平坦的且良好拋光表面的真空卡盤502，如圖5A所示。在制造過程完結(jié)時真空卡盤502的平坦表面的平坦度決定了聚酰亞胺薄膜302的表面平坦度。較高的平坦度減少干滑動發(fā)生的可能性，并且提高在軸承操作期間軸承表面和導軌之間的氣體壓力的均勻性。真空卡盤502在其整個可用的表面上的平坦度為大約兩微米的峰谷。真空卡盤502的平坦表面相對于重力垂直地(例如齊平地)定位，以便在步驟408-414中防止基板304相對于聚酰亞胺薄膜302滑動。然后，聚酰亞胺薄膜302被放置在真空卡盤502的平坦表面上。在步驟404,如圖5B所示,真空通過可以是例如圓形溝槽的真空口 504被施加至聚酰亞胺薄膜302。這使得聚酰亞胺薄膜302基本上順應真空卡盤502的平坦表面。這種技術(shù)提供一種具有可用的平坦軸承表面的最終的軸承，而不需要對聚酰亞胺薄膜302的表面磨光。在步驟406，如圖5C所示，預混合的且除氣后的液態(tài)環(huán)氧樹脂306以被灌注到，或以其他方式設(shè)置或涂覆到聚酰亞胺薄膜302上，例如成單一連續(xù)曲線的形狀。所涂覆的環(huán)氧樹脂306厚度可以是4-5mm。對于環(huán)形基板，曲線是閉合的。對于矩形基板，環(huán)氧樹脂306可以被以線的形狀涂覆，對于圓形或方形基板，環(huán)氧樹脂306可以被以點的形狀涂覆。所涂覆的環(huán)氧樹脂306的形狀被依賴于基板304的形狀進行選擇，以便避免在隨后的步驟中空氣被捕獲到基板304和聚酰亞胺薄膜302之間。圖至5G示出環(huán)形基板304作為基板304的形狀的示例。在涂覆環(huán)氧樹脂306至聚酰亞胺薄膜302之后，該組件可以被保持保留一時間段，在此期間重力將使得在聚酰亞胺薄膜302上的環(huán)氧樹脂306的分布平滑。在這一時間期間，在環(huán)氧樹脂中以氣泡形式存在的任何氣體也可以逃逸。在步驟408，如圖所示，基板304被設(shè)置(例如，下降)到環(huán)氧樹脂306上。在一個示例中，基板304在整個緩慢下降運動過程中總是相對于重力保持平齊(通過外部裝置)。這防止環(huán)氧樹脂306在基板304和聚酰亞胺薄膜302之間被不均勻地分布。如本領(lǐng)CN 102947088 A書明說10/11 頁域普通技術(shù)人員所清楚的，可以采用比使用重力更加復雜的其他方案，以將基板304設(shè)置到環(huán)氧樹脂306上。
在步驟410，基板304以受控制的方式被釋放且被允許放置在聚酰亞胺薄膜302和環(huán)氧樹脂306上。在一個示例中，當基板304和聚酰亞胺薄膜302之間的距離為離環(huán)氧樹脂306表面大約O-Imm時，優(yōu)選為大約O. 5mm時，釋放基板304。
在步驟412，如圖5E所示，重物或鎮(zhèn)物506可以設(shè)置(例如放置)在基板304的頂部上，以便施加力(例如重力)給基板304，這將擠壓出任何過多的環(huán)氧樹脂306。在步驟 414，如環(huán)氧樹脂制造商所規(guī)定的，使得環(huán)氧樹脂306固化。
在步驟416，如圖5F所示，移除重物506。在步驟418，從真空卡盤502釋放部分完成的軸承508?？蛇x地，通過真空口 504注射壓縮氣體以便于移除。
在步驟420，如圖5G所示，聚酰亞胺薄膜302的邊緣被修剪以與基板304的輪廓匹配。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所清楚的，可以通過許多種技術(shù)實現(xiàn)所述修剪。聚酰亞胺薄膜 302不需要表面研磨，來改善其表面平坦度，并且不需要改善其硬度的熱處理。
圖6是用于制造具有結(jié)合的聚合物薄膜磨損表面的氣動軸承(例如氣動軸承300) 的示例性方法600的流程圖。所述方法600可以用于制造具有結(jié)合的聚酰亞胺薄膜302磨損表面的氣動軸承300，該磨損表面是方形、矩形、環(huán)形或任何其他可用的形狀。根據(jù)該方法 600，聚 酰亞胺薄膜302的表面平坦度可以被制成比基板304的平坦度更好，并是充分平坦的以可用作空氣軸承。這使得能夠以相對低的成本制造可用的平坦薄膜表面，因為基板304 需要較小精度的機加工。作為附加的優(yōu)點，不需要對聚酰亞胺薄膜302結(jié)合后的表面的后續(xù)機加工，以便實現(xiàn)可用的平坦度?？梢栽跍囟瓤煽氐臐崈羰覂?nèi)執(zhí)行方法600以便減少碎片污染基板304的表面的可能性。
在步驟602，基板304被用液態(tài)環(huán)氧樹脂306涂覆。涂層可以提供基本上均勻的環(huán)氧樹脂306的層，其厚度至少為100微米。
在步驟604，環(huán)氧樹脂306被用空氣或風吹干以允許重力平滑基板304上的環(huán)氧樹脂306的分布，且允許從環(huán)氧樹脂306釋放以氣泡狀存在的氣體。在非限制性的示例中，用風吹干步驟花費大約10分鐘。
在步驟606，聚酰亞胺薄膜302被展開到環(huán)氧樹脂306上。環(huán)氧樹脂306的表面張力緩慢地將聚酰亞胺薄膜302拉拔至基板304。不需要施加外力驅(qū)使/迫使聚酰亞胺薄膜 302和環(huán)氧樹脂306之間的接觸。
在步驟608，針對于在聚酰亞胺薄膜302和基板304之間被捕獲的氣穴和顆粒，檢查聚酰亞胺薄膜302。任何被捕獲的氣體都可以被驅(qū)使朝向暴露至大氣的環(huán)氧樹脂306的一部分通過環(huán)氧樹脂306，并隨后被從環(huán)氧樹脂306排出。
在步驟610，基板/薄膜組件被顛倒。如果基板304具有環(huán)形形狀，則在聚酰亞胺薄膜302的中心切割一排氣口。該排氣口隨后用于在制造過程期間跨過聚酰亞胺薄膜302 輸送氣體。
在步驟612，基板/薄膜組件被放置在光學平坦的表面上，例如真空卡盤502上。 在放置期間，使基板/薄膜組件的傾斜最小化。在放置之后，聚酰亞胺薄膜302與光學平坦的表面接觸。
在步驟614，施加力至基板304以擠出過多的環(huán)氧樹脂306?？梢詫⒅匚锸┘又粱?3板304以提供所述力。在步驟610中形成的排氣口將釋放在聚酰亞胺薄膜302和光學平坦的表面之間被捕獲的任何氣體。在施加力期間，可以將聚酰亞胺薄膜302和基板304限制成與光學平坦的表面共面，以防止基板304和聚酰亞胺薄膜302相對于彼此在環(huán)氧樹脂306 上滑動。
在步驟616，使環(huán)氧樹脂306固化。在非限制性的示例中，固化時間大約為48小時。
在步驟618，從光學平坦的表面分離聚酰亞胺薄膜302?？梢詫嚎s氣體注射到在步驟610中設(shè)置的排氣口中，以破壞聚酰亞胺薄膜302和光學平坦的表面之間的任何表面張力。
在步驟620，從基板修剪掉過多的聚酰亞胺薄膜302。在步驟622，從基板修剪掉過多的環(huán)氧樹脂306。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所清楚的，可以通過許多種技術(shù)來實現(xiàn)所述修剪。聚酰亞胺薄膜302不需要表面研磨來改善其表面平坦度，并且不需要改善其硬度的熱處理。
在步驟624，通過焙烤基板/薄膜組件進一步固化環(huán)氧樹脂306。在非限制性的示例中，基板/薄膜組件在120攝氏度下焙烤12小時?？梢栽谡婵涨粌?nèi)進行所述焙烤。
IV.結(jié)論
應該認識到，不是發(fā)明內(nèi)容和摘要部分，而是具體實施方式

部分要被用于解釋權(quán)利要求。發(fā)明內(nèi)容和摘要部分可以闡明由本發(fā)明人設(shè)想的本發(fā)明的所有示例性實施例中的一個或更多個示例性實施例，但不是本發(fā)明的全部示例性實施例，因而不是要以任何方式限制本發(fā)明和隨附的權(quán)利要求。
借助示出具體功能的實施方式及其關(guān)系的功能構(gòu)建塊，在上文描述了本發(fā)明。為了描述方便，這些功能構(gòu)建塊的邊界在本文是任意限定的?？梢韵薅商娲倪吔?，只要特定功能及其關(guān)系被適當?shù)貓?zhí)行即可。
具體實施例的前述說明如此充分地揭示了本發(fā)明的一般性質(zhì)，使得其他人通過應用本領(lǐng)域的技術(shù)知識可以在不需要過多的實驗且在不背離本發(fā)明的總體構(gòu)思的情況下容易地修改和/或適應用于各種應用的這樣的具體實施例。因此，基于這里給出的教導和引導，這種適應和修改是在所公開的實施例的等價物的范圍和含義內(nèi)。應當理解，這里的措詞或術(shù)語是為了描述的目的，而不是限制性的，使得本說明書的術(shù)語或措辭由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)教導和引導進行解釋。
本發(fā)明的寬度和范圍不應該受上述的任何示例性實施例的限制，而應該僅根據(jù)隨附的權(quán)利要求及其等價物來限定。
權(quán)利要求
1.一種氣動軸承，包括軸承表面，所述軸承表面包括 基板； 結(jié)合層，沉積在所述基板上；和 聚酰亞胺薄膜，沉積在結(jié)合層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣動軸承，其中所述基板由從金屬、玻璃和陶瓷構(gòu)成的組中選出的材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣動軸承，其中所述結(jié)合層包括雙酚A二環(huán)氧甘油醚、1，4- 丁二醇二環(huán)氧甘油醚、和2，2，4-三甲基六亞甲基-1，6- 二胺。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣動軸承，其中聚酰亞胺薄膜包括聚-氧聯(lián)二苯基-均苯四酸酰亞胺。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣動軸承，其中聚酰亞胺薄膜的厚度為至少25微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣動軸承，其中聚酰亞胺薄膜的厚度在7至100微米之間。
7.一種光刻設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣動軸承。
8.一種用于制造氣動軸承的軸承表面的方法，包括步驟 將聚酰亞胺薄膜設(shè)置在真空卡盤的平坦表面上； 對聚酰亞胺薄膜施加真空； 將液態(tài)環(huán)氧樹脂設(shè)置在聚酰亞胺薄膜的表面上； 在聚酰亞胺薄膜和基板不接觸的情況下將基板設(shè)置到液態(tài)環(huán)氧樹脂上； 釋放基板到液態(tài)環(huán)氧樹脂上； 將重物設(shè)置到基板上； 固化液態(tài)環(huán)氧樹脂； 移除重物；和 從真空卡盤釋放聚酰亞胺薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括步驟修剪聚酰亞胺薄膜以匹配基板的輪廓。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括步驟在沉積步驟之前將真空卡盤定位成基本上垂直于重力。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中施加步驟拉拔聚酰亞胺薄膜以順應真空卡盤的平坦表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括步驟在沉積步驟之前預混合環(huán)氧樹脂和對環(huán)氧樹脂除氣。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述沉積液態(tài)環(huán)氧樹脂的步驟包括以依賴于基板的形狀的形狀沉積環(huán)氧樹脂。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，如果基板是方形的，則所述沉積液態(tài)環(huán)氧樹脂的步驟包括基本上以點的形狀沉積環(huán)氧樹脂。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，如果基板是環(huán)形的，則所述沉積液態(tài)環(huán)氧樹脂的步驟包括基本上以閉合曲線的形狀沉積環(huán)氧樹脂。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，如果基板是矩形的，則所述沉積液態(tài)環(huán)氧樹脂的步驟包括基本上以線的形狀沉積環(huán)氧樹脂。
17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中設(shè)置基板的步驟包括保持基板基本上垂直于重力。
18.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中設(shè)置重物的步驟朝向聚酰亞胺薄膜驅(qū)使基板。
19.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中當基板在離聚酰亞胺薄膜的表面大約O至I毫米的范圍內(nèi)時釋放基板。
20.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中當基板在離聚酰亞胺薄膜的表面大約O.5毫米時釋放基板。
21.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中釋放聚酰亞胺薄膜的步驟包括注射空氣到真空卡盤以驅(qū)使聚酰亞胺薄膜離開真空卡盤。
22.一種根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法制造的氣動軸承。
23.一種包括根據(jù)權(quán)利要求22所述的氣動軸承的光刻設(shè)備。
24.一種制造氣動軸承的軸承表面的方法，包括步驟 用環(huán)氧樹脂涂覆基板； 使聚酰亞胺薄膜展開到環(huán)氧樹脂上； 將附連至設(shè)有環(huán)氧樹脂的基板的聚酰亞胺薄膜放置到光學平坦的表面上； 施加力至基板以擠出過多的環(huán)氧樹脂；和 將聚酰亞胺薄膜從光學平坦的表面分離。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，還包括步驟修剪聚酰亞胺薄膜以匹配基板的輪廓。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，還包括步驟在涂覆步驟之前預混合環(huán)氧樹脂并從環(huán)氧樹脂除氣。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中涂覆步驟包括以依賴于基板的形狀的形狀沉積環(huán)氧樹脂。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，如果基板是方形的，則涂覆步驟包括基本上以點的形狀沉積環(huán)氧樹脂。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，如果基板是環(huán)形的，則涂覆步驟包括基本上以閉合曲線的形狀沉積環(huán)氧樹脂。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，如果基板是矩形的，則涂覆步驟包括基本上以線的形狀沉積環(huán)氧樹脂。
31.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中施加力的步驟朝向聚酰亞胺薄膜驅(qū)使基板。
32.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中分離聚酰亞胺薄膜的步驟包括在所述薄膜和光學平坦的表面之間注射空氣以驅(qū)使聚酰亞胺薄膜離開光學平坦的表面。
33.一種根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法制造的氣動軸承。
34.一種包括根據(jù)權(quán)利要求24所述的氣動軸承的光刻設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明公開一種具有結(jié)合的聚合物薄膜磨損表面的氣動軸承及其制造方法。例如，公開一種用于支撐有效載荷的氣動軸承。氣動軸承具有軸承表面，所述軸承表面具有使用結(jié)合層緊固至基板的聚酰亞胺薄膜。聚酰亞胺薄膜可以包括聚-氧聯(lián)二苯基-均苯四酸酰亞胺，結(jié)合層可以包括雙酚A二環(huán)氧甘油醚；1，4-丁二醇二環(huán)氧甘油醚；以及2，2，4-三甲基六亞甲基-1，6-二胺。
文檔編號B32B27/28GK102947088SQ201180030828
公開日2013年2月27日 申請日期2011年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月23日
發(fā)明者達格斯·帕里扎, 圣地亞哥·德普埃爾托 申請人:Asml控股股份有限公司