專利名稱：磁記錄介質(zhì)用聚酯薄膜和磁記錄帶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)用聚酯薄膜，特別是涉及適合于作為盒式數(shù)字錄像帶用等之記錄數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的強(qiáng)磁性金屬薄膜型磁記錄介質(zhì)用的基膜的聚酯薄膜。
1995年經(jīng)實(shí)用化的民用數(shù)字錄像帶是由在基膜上真空蒸鍍上鈷的金屬磁性薄膜、再在其表面上涂上金剛石狀碳膜等得到的。與Hi8用的ME(蒸鍍)帶相比，盡管其表面性更平滑仍有良好的耐久性。
作為這種基膜，可以利用(1)由聚酯薄膜以及緊密粘貼到此膜的至少一面上的不連續(xù)皮膜和存在于此皮膜中與皮膜表面中的微粒所構(gòu)成的聚酯薄膜(例如，特公昭62-30105號(hào)公報(bào))；(2)由熱塑樹脂構(gòu)成的層A和由含微粒的熱塑樹脂構(gòu)成的層B疊層的復(fù)合膜(例如，特公平1-26338號(hào)公報(bào))；(3)平滑的聚酯薄膜的非磁性表面形成以潤滑劑為主體的被覆層的薄膜(例如，特開昭57-195321號(hào)公報(bào))等，與Hi8用的ME帶用基膜相比，可以利用金屬磁性膜形成表面粗糙度更小的基膜。
不過，用這樣的基膜制成的磁帶存在有操作性不好，或磁帶的磁性面的表面起伏波動(dòng)性大，或受在真空蒸鍍工藝中附著在冷卻密封外殼上的異物的影響其錄音信號(hào)失漏(DO)變多的缺點(diǎn)。
為克服這些問題以構(gòu)成有良好電磁變換特性的磁帶且操作性良好、適合于大量生產(chǎn)的磁記錄介質(zhì)用聚酯薄膜，在特開平10-172127號(hào)公報(bào)中，已經(jīng)公開了使用在聚酯薄膜的一側(cè)表面A的SRa值為2～4nm和SRz值為10～40nm、另一側(cè)表面B的SRa值為5～15nm和SRz值為50～250nm、在表面B的外側(cè)沒有由涂布形成的易滑層而有高度540nm以上的突起個(gè)數(shù)為2～20個(gè)/100cm2的聚酯薄膜、在表面A的外側(cè)設(shè)有強(qiáng)磁性金屬薄膜的磁記錄介質(zhì)用聚酯薄膜。
但是，民用數(shù)字錄像磁帶得到了非常好的評(píng)價(jià)，市場(chǎng)希望投入更多的磁帶。為此，基膜長度不斷加長，過去10000m以下的變成為12000m以上，更好在15000m以上以便用1次蒸鍍操作就可以制造多量的數(shù)字錄像磁帶。
已經(jīng)清楚，在所述的情況變化中，在用上述特開平10-172127號(hào)公報(bào)所公開的基膜制作卷繞長度超過10000m的基膜卷以制造民用數(shù)字錄像磁帶的場(chǎng)合，由靠近此薄膜卷的聚酯薄膜卷的卷芯部分薄膜所制造的數(shù)字錄像磁帶的電磁變換特性不良且錄音信號(hào)失漏變多。
據(jù)此，本發(fā)明的目的是提供可以制造薄膜長度超過10000m的長尺寸卷帶、使從卷芯部至表層部分的全部長度上電磁變換特性良好、且錄音信號(hào)失漏少的數(shù)字錄像磁帶的磁記錄介質(zhì)用聚酯薄膜。
為解決所述問題，本發(fā)明由以下構(gòu)成所組成。
即，這是一種至少由聚酯層A和聚酯層B疊層構(gòu)成的聚酯薄膜，是一種其特征在于，在層A側(cè)表面的中心線面的平均粗糙度(SRa值)為2～4nm、10點(diǎn)平均面粗糙度(SRz值)為10～40nm、層B中含平均粒徑50nm以上而不足250nm的微粒α和平均粒徑250nm以上而不足500nm的微粒β、層B中微粒α的含量為0.1～1重量％而微粒β的含量為0.01～0.1重量％的磁記錄介質(zhì)用聚酯薄膜和此聚酯薄膜的層A側(cè)表面設(shè)有強(qiáng)磁性金屬表面的磁記錄帶。
本發(fā)明的聚酯薄膜至少由聚酯層A和聚酯層B疊層所構(gòu)成。本發(fā)明的聚酯薄膜的層A側(cè)表面上設(shè)有強(qiáng)磁性金屬薄膜，作為磁記錄介質(zhì)使用。
本發(fā)明中的聚酯雖然只要是通過分子取向而成為高強(qiáng)度薄膜的聚酯即可，不過以聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯或聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯為優(yōu)選。如果構(gòu)成成分的80％以上為對(duì)苯二甲酸乙二醇酯或萘二甲酸乙二醇酯的話，也可以與其他成分進(jìn)行共聚合。除了對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、萘二甲酸乙二醇酯之外，作為聚酯共聚物成分還可以舉出，例如，二乙二醇、丙二醇、新戊二醇、聚乙二醇、對(duì)苯二甲基二醇、1,4-環(huán)己烷二甲醇等二醇成分、己二酸、癸二酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、間苯二甲酸5-磺酸鈉等二元羧酸成分、偏苯三酸、均苯四酸等多官能二元羧酸成分、對(duì)羥基乙氧基安息香酸等。
進(jìn)一步說，上述聚酯中也可以混合進(jìn)不超過5重量％的其他的與聚酯非反應(yīng)性的磺酸堿金屬鹽的衍生物、實(shí)質(zhì)上不溶于此聚酯的聚亞烷基二醇等中的至少一種。
本發(fā)明的聚酯膜的層A側(cè)表面的中心線面平均粗糙度(SRa值)為2～4nm，以2～3nm為優(yōu)選。層A側(cè)表面的10點(diǎn)平均面粗糙度(SRz值)為10～40nm，以20～40nm為優(yōu)選。
當(dāng)SRa值不到2nm時(shí)，在表面A上的由真空蒸鍍所形成的強(qiáng)磁性金屬薄膜過于平滑，在數(shù)字錄像機(jī)內(nèi)的記錄、再生時(shí)由于錄像頭使錄像帶的強(qiáng)磁性金屬薄膜磨耗而故是不能令人滿意的。而當(dāng)SRa值超過4nm時(shí)，此強(qiáng)磁性金屬薄膜表面過于粗糙，使錄像帶的輸出特性低下，也不能令人滿意。
當(dāng)SRz值不到10nm時(shí)，此強(qiáng)磁性金屬薄膜過于平滑，經(jīng)在數(shù)字錄像機(jī)內(nèi)的多次反復(fù)記錄、再生使錄像帶的耐久性低下，所以令人失望。而當(dāng)SRz值超過40nm時(shí)，此強(qiáng)磁性金屬薄膜表面變得過于粗糙，使錄像帶的小的DO的個(gè)數(shù)增加，也不能令人滿意。
在聚酯薄膜的層A側(cè)的表面中，已經(jīng)形成了由含有0.5～12重量％的平均粒徑為5～30nm的微粒的有機(jī)化合物構(gòu)成的被覆層者為優(yōu)選。作為微粒，可以優(yōu)選使用二氧化硅、碳酸鈣、氧化鋁、聚丙烯酸微球、聚苯乙烯微球等。微粒的平均粒徑以8～30nm為更優(yōu)選，含量以0.6～10重量％為更優(yōu)選。有機(jī)化合物可以優(yōu)選使用聚乙烯醇、西黃芪膠、酪素、明膠、纖維素衍生物、水溶性聚酯、聚氨酯等極性高分子和它們的共混物。
在聚酯薄膜的層A側(cè)表面已經(jīng)形成上述涂布層的場(chǎng)合，所述SRa值和SRz值是以在形成了此涂布層的狀態(tài)下測(cè)定的值。
還有，為提高磁記錄帶與磁頭之間的滑動(dòng)性、進(jìn)一步增加耐久性，在形成層A的聚酯層內(nèi)，含有0.01～1重量％的平均粒徑30～150nm的微粒且在層A表面上形成了突起者為優(yōu)選。微粒平均粒徑以40～100nm為更優(yōu)選，含量以0.02～0.8重量％為更優(yōu)選。
層A側(cè)表面的SRa、SRz可以由調(diào)整被覆層的微粒、其他成分或?qū)覣中所添加的微粒來調(diào)整。
在本聚酯薄膜的層B的外側(cè)表面，已經(jīng)由層B中的微粒α、β形成了表面突起。微粒α是平均粒徑在50nm以上而不到250nm的粒子。微粒β是平均粒徑在250nm以上而不到500nm的粒子。層B中微粒α的含量為0.1～1重量％，微粒β的含量為0.01～0.1重量％。
層B側(cè)表面的SRa值以10～25nm為優(yōu)選，15～22nm為更優(yōu)選。層B側(cè)表面的SRz值以200～450nm為優(yōu)選，250～350nm為更優(yōu)選。
當(dāng)微粒β的平均粒徑不到250nm時(shí)或微粒β的含量不到0.01重量％時(shí)，薄膜表面變得過于平滑，在制造聚酯薄膜時(shí)，特別是在制膜后用切條機(jī)切條的工序中，把膜按預(yù)定的寬度切條并卷成卷狀而產(chǎn)品化時(shí)，引入了皺摺，就有不能卷成卷狀的趨勢(shì)而不令人失望。層B側(cè)表面的SRz值不到200nm有同樣的趨勢(shì)。在微粒β的平均粒徑超過500nm時(shí)或微粒β的含量超過0.1重量％時(shí)，在聚酯薄膜上真空蒸鍍上強(qiáng)磁性金屬后，卷成卷狀，放置時(shí)，其B層側(cè)表面的粗糙度將復(fù)制到強(qiáng)磁性金屬表面上，而使強(qiáng)磁性金屬層的表面起伏變大，結(jié)果是數(shù)字錄像帶的電磁變換特性變差，記錄信號(hào)失漏增大，因而不能令人滿意。當(dāng)層B側(cè)表面的SRz值超過500nm時(shí)也有同樣的趨勢(shì)。
當(dāng)微粒α的平均粒徑不到50nm或微粒α的含量不到0.1重量％時(shí)，在進(jìn)行聚酯薄膜制造、切割成10000m以上的切條、作為產(chǎn)品放置的期間，由聚酯薄膜的層B側(cè)表面的微粒β的突起形狀，特別是在靠近聚酯薄膜卷的卷芯部分，向?qū)覣側(cè)表面復(fù)制，在層A側(cè)表面產(chǎn)生凹坑狀的形變，真空蒸鍍后在強(qiáng)磁性金屬薄膜殘留有凹坑狀形變，結(jié)果是使數(shù)字錄像帶的電磁變換特性差，記錄信號(hào)失漏增大，因而不理想。層B側(cè)表面的SRa值在10nm以下也有同樣的趨勢(shì)。當(dāng)微粒α的平均粒徑超過250nm或微粒α的含量超過1重量％時(shí)，層B側(cè)表面的粗糙度增大，在進(jìn)行聚酯薄膜制造、切割成10000m以上的切條、作為產(chǎn)品放置的期間，聚酯薄膜的層B側(cè)表面的粗糙復(fù)制到層A側(cè)表面，使層A側(cè)表面的起伏增大，真空蒸鍍后，強(qiáng)磁性金屬薄膜的表面的起伏變大，結(jié)果是使數(shù)字錄像帶的電磁變換特性變差，(由磁帶損傷引起的)記錄信號(hào)失漏增大，而不好。層B側(cè)表面的SRa值超過25nm也有同樣的趨勢(shì)。
微粒α、β可以優(yōu)選使用二氧化硅、碳酸鈣、氧化鋁、硅酸鋁之類無機(jī)化合物、聚丙烯酸微球、聚苯乙烯微球等有機(jī)化合物、以二氧化硅、氧化鋁、碳酸鈣等無機(jī)粒子為核被用有機(jī)高分子被覆的粒子等。微粒α優(yōu)選無機(jī)微粒，特別優(yōu)選硅酸鋁。微粒β優(yōu)選有機(jī)微粒，特別優(yōu)選聚苯乙烯粒子。
層B中除了微粒α、β之外，還可以含有比微粒α更細(xì)的微粒。作為此種(更細(xì)的)粒子可以使用碳酸鈣、二氧化硅、氧化鋁、聚苯乙烯、硅酸鋁等。還有，還可以加入表面活性劑、防靜電劑、各種酯成分等不同的成分。
在聚酯薄膜的制膜工序、切條工序、磁帶加工工序中，重要的是聚酯薄膜與各種導(dǎo)輥之間的滑動(dòng)性和聚酯薄膜操作性要良好。不過當(dāng)改為進(jìn)滑動(dòng)性和操作性，在聚酯薄膜的層B側(cè)表面已涂布上易滑層時(shí)，在聚酯薄膜上真空蒸鍍強(qiáng)磁性金屬之際，在與冷卻密封外殼之間的易滑層被刮，或易滑層粘附于冷卻密封外殼上而弄臟了冷卻密封外殼，在膜受熱變形時(shí)污染物就附著在已進(jìn)行了真空蒸鍍的薄膜上，引起了磁帶的記錄信號(hào)失漏，而不能令人滿意。為此，在層B側(cè)的表面沒有由涂布形成的易滑層為好。由于本發(fā)明的聚酯薄膜在其層B中含有特定比例的微粒α、β這2種微粒，在層B側(cè)表面即使不形成易滑層，膜的滑動(dòng)性和操作性仍良好。
雖然本發(fā)明的聚酯薄膜是由層A與層B疊層而成的，但以層B的厚度占總厚度的8～25％為優(yōu)選，占10～20％為更優(yōu)選。當(dāng)層B的厚度不到總厚度的8％時(shí)，層B中的微粒特別是微粒β容易脫落而不理想。層B的厚度大于總厚度的25％時(shí)，層B中的微粒的形狀容易通過層A在表面A上引起突起形狀變形，而令人失望。
在本發(fā)明的聚酯薄膜中，層B中，以含有0.05～1重量％的蠟和/或肥皂為優(yōu)選。更優(yōu)選的含量是0.1～0.7重量％。還有，在層B中，以含有0.001～0.1重量％的硅氧烷化合物和/或氟化合物為優(yōu)選，更優(yōu)選的含量為0.03～0.08重量％。雖然也可以各自單獨(dú)含有蠟和/或肥皂與硅氧烷化合物和/或氟化合物，但含有兩者的組合為更優(yōu)選。作為蠟，可以使用巴西棕櫚蠟、鯨蠟、蜜蠟、山道年花蠟、含水羊毛脂等。作為肥皂可以使用脂肪酸、芳香磺酸、樹脂酸、環(huán)烷酸等的金屬鹽，例如烷基苯磺酸的鈉鹽、鋰鹽等。當(dāng)蠟或肥皂在0.05重量％以上時(shí)，容易防止因背涂層內(nèi)的殘留溶劑使聚酯薄膜內(nèi)的齊聚物從聚酯薄膜析出，故優(yōu)選。當(dāng)含量多于1重量％時(shí)使聚酯薄膜的層B側(cè)表面發(fā)粘而使背涂層的粘結(jié)強(qiáng)度下降，而不能令人滿意。
另外，在層A中也可以含0.05～1重量％的蠟和/或肥皂。
作為硅氧烷化合物可以使用聚二甲基硅氧烷等。作為氟化合物可以使用聚四氟乙烯等。把硅氧烷化合物、氟化合物一起成為粒狀，并分散到聚酯內(nèi)分子為優(yōu)選。當(dāng)硅氧烷化合物和/或氟化合物不到0.01重量％時(shí)，在制造DVC帶時(shí)、形成金屬薄膜后、設(shè)置DLC層時(shí)卷出的部分或進(jìn)行背涂前卷出的部分，往往因制品端部的薄膜/薄膜部分的結(jié)塊引起薄膜的切斷，因此不好。而當(dāng)硅氧烷化合物和/或氟化合物超過0.1重量％時(shí)，聚酯薄膜的層B側(cè)薄膜的粘結(jié)性往往變差，背涂層往往從聚酯薄膜剝離，而不能令人滿意。
下面給出本發(fā)明的制法的一個(gè)例子。也可以設(shè)置更多層，制法并不限于下面所述。
本發(fā)明的聚酯薄膜，可以采用在由熔融、成形、雙軸拉伸、熱固定所構(gòu)成的通常塑料薄膜制造工藝中，使用共擠出技術(shù)把已進(jìn)行了疊層的層A/層B擠出制膜，在聚酯膜層A上由涂布設(shè)置上含微粒的被覆層，再卷繞的辦法制造。
即，用把盡可能地除去了含有粒子的層A用原料和含微粒α、微粒β的層B用原料熔融共擠出，在澆鑄鼓上冷卻固化的辦法得到未拉伸薄膜片。對(duì)此未拉伸薄膜片進(jìn)行單軸拉伸，并對(duì)用來在層A側(cè)表面上設(shè)置前述被覆層的涂覆液進(jìn)行調(diào)整、涂布和干燥，其后再在沿與單軸拉伸方向正交的方向上作拉伸取向、熱固定，就可以得到本發(fā)明的薄膜。
雙軸拉伸可以用逐次雙軸拉伸法或同時(shí)雙軸拉伸法來進(jìn)行。如果希望的話，還可以在熱固定前再進(jìn)行縱向或橫向或縱和橫向再拉伸，以提高薄膜的機(jī)械強(qiáng)度。
被覆層的形成方法是，在上述之單軸拉伸的終結(jié)階段，把所希望的涂液涂布在基層膜上。涂布方法用涂膠刀方式、照相凹版印刷方式、逆輥方式、金屬棒方式均可以。
本發(fā)明的聚酯薄膜，作為磁記錄介質(zhì)的基膜是合適的，特別是若在數(shù)字錄像帶用途中使用，則可以得到優(yōu)異的結(jié)果。還有，在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)帶用途中使用也可以得到優(yōu)異的結(jié)果。
本發(fā)明的磁記錄帶，其構(gòu)成為在本發(fā)明的聚酯基膜的層A側(cè)表面真空蒸鍍上強(qiáng)磁性金屬薄膜。強(qiáng)磁性金屬薄膜由以鐵、鈷、鎳或它們的合金所構(gòu)成為優(yōu)選。強(qiáng)磁性金屬薄膜的厚度以100～300nm為優(yōu)選。由于強(qiáng)磁性金屬薄膜的厚度100～300nm，極薄，強(qiáng)磁性金屬薄膜表面一如原樣反映了基膜的表面形狀。在此強(qiáng)磁性金屬薄膜上，優(yōu)選的是，為保護(hù)而設(shè)置了厚度為5～20nm范圍的金剛石狀碳(DLC)膜作為保護(hù)膜，再在此上邊形成2～10nm范圍的氟類潤滑劑的潤滑層。還有，本發(fā)明的磁記錄帶優(yōu)選的是在其基膜的層B側(cè)表面上邊設(shè)置為確保錄像機(jī)內(nèi)的各種導(dǎo)軌和插針等行走性和耐久性的背涂層。背涂層是由涂布含有固體微粒和粘結(jié)劑以及根據(jù)需要加入的各種添加劑的溶液所形成。雖然固體微?？梢詢?yōu)選使用碳黑、粘結(jié)劑優(yōu)選使用聚氨酯樹脂、添加劑可以優(yōu)選使用硅氧烷等，但并沒有特別的限定。背涂層的厚度為0.3～1.5μm范圍。(1)SRa值、SRz值用小坂研究所制造的光觸針式(臨界角焦點(diǎn)誤差檢測(cè)方式)的三維粗糙度計(jì)(ET-30HK)測(cè)定。
SRa值JIS B0601Ra相當(dāng)于中心線面的平均粗糙度。
SRz值JIS B0601Rz相當(dāng)于10點(diǎn)平均面粗糙度。該平均面粗糙度是把從粗糙的曲面抽取基準(zhǔn)面積那么大的量的部分的平均表面作為基準(zhǔn)面，把從最高至第5個(gè)峰的標(biāo)高的平均值和從最深至第5個(gè)谷底的深度的平均值之間的距離輸入換算得到的值。
在為進(jìn)行測(cè)定的試片表面上蒸鍍Al。
測(cè)定方向?yàn)閷挾确较颍刂怪禐?.08mm、測(cè)定長度為0.1～0.25mm，送料步距為0.2μm、測(cè)定速度為20μm/s、測(cè)定條數(shù)為100條，單位為nm。(2)電磁變換特性、耐久性本發(fā)明的磁記錄帶的特性是用市售的照相機(jī)一體式數(shù)字錄像機(jī)(DVC)通過觀察其記錄信號(hào)失漏(DO)來評(píng)價(jià)的。從所制成的DVC帶中，從基膜卷的表層部分選擇制造的20卷和從卷芯部分選擇制造的20卷。把此DVC帶用市售的照相機(jī)一體式數(shù)字錄像機(jī)(DVC)錄像，經(jīng)1分鐘再生，數(shù)點(diǎn)在畫面中出現(xiàn)的塊狀斑紋的個(gè)數(shù)，取20卷的平均值作為DO的測(cè)定值。再是，DO測(cè)定了在常溫常溫(25℃、60％RH)下于磁帶制造后的初期的特性和反復(fù)運(yùn)行100次的特性，DO越小越好。
下面根據(jù)實(shí)施例來說明本發(fā)明。
實(shí)施例1把在實(shí)質(zhì)上不含惰性粒子的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯中含有0.02重量％的平均粒徑60nm的二氧化硅的原料A與在實(shí)質(zhì)上不含惰性粒子的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯中含有0.36重量％的平均粒徑190nm的硅酸鋁和0.05重量％的平均粒徑320nm的聚苯乙烯微球的原料B以5∶1的比例共擠出，用輥延法在110℃縱向拉伸3.0倍。
在縱向拉伸工序后，向?qū)覣側(cè)表面涂布含下述成分的水溶液，形成被覆層。
甲基纖維素0.10重量％水溶性聚酯0.30重量％氨乙基硅氧烷偶合劑0.01重量％平均粒徑12nm的極細(xì)二氧化硅0.03重量％固體組分濃度 20mg/m2其后，在擴(kuò)幅機(jī)中沿橫向在110℃拉伸3.3倍，在200℃熱處理，卷繞于中間的線管上。其后，用切條機(jī)切成小條，在圓筒狀芯上繞成卷狀，得到了厚6.3μm、長15000m的卷狀復(fù)合聚酯薄膜。
在此聚酯薄膜的層A側(cè)表面真空蒸鍍形成110nm膜厚的鈷-氧薄膜。接著，在此鈷-氧薄膜層上用濺射法形成10nm厚的金剛石狀碳膜。接著在其上設(shè)置4nm厚的含氟羧酸潤滑劑。然后設(shè)置400nm厚的由碳黑、聚氨酯、硅氧烷構(gòu)成的背涂層，用切條機(jī)切成寬6.35mm的條，卷在磁帶盤上，制成磁記錄帶。
所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值各為20nm、300nm。
實(shí)施例2除了把在實(shí)施例1的基膜制造中的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯改為聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、其縱向拉伸溫度和倍率改為135℃和5.0倍、橫向拉伸溫度和倍率改為135℃和6.0倍、并再在160℃橫向拉伸到1.2倍之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為4.2μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。
與實(shí)施例1同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為18nm、270nm。
實(shí)施例3除了實(shí)施例2的基膜制造中原料A含有二氧化硅之外，與實(shí)施例2同樣，得到了厚度為4.2μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。與實(shí)施例2同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為20nm、300nm。
實(shí)施例4除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B含有硅酸鋁的含量為0.20重量％之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。與實(shí)施例1同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為17nm、250nm。
實(shí)施例5除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B含有硅酸鋁的含量為0.80重量％之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。與實(shí)施例1同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為23nm、345nm。
實(shí)施例6除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B含有硅酸鋁的平均粒徑為70nm、含量為0.40重量％之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。與實(shí)施例1同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為22nm、340nm。
實(shí)施例7除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B含有硅酸鋁的平均粒徑為220nm、含量為0.15重量％之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。與實(shí)施例1同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為24nm、380nm。
實(shí)施例8除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B含有聚苯乙烯微球的平均粒徑為270nm、含量為0.02重量％之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。與實(shí)施例1同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為16nm、220nm。
實(shí)施例9除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B含有聚苯乙烯微球的平均粒徑為270nm、含量為0.08重量％之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。與實(shí)施例1同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為18nm、240nm。
實(shí)施例10除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B含有聚苯乙烯微球的平均粒徑為450nm、含量為0.02重量％之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。與實(shí)施例1同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為24nm、340nm。
實(shí)施例11除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B含有聚苯乙烯微球的平均粒徑為320nm、含量為0.09重量％之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。與實(shí)施例1同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為22nm、320nm。
實(shí)施例12除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B中再追加0.4重量％的巴西棕櫚蠟之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。與實(shí)施例1同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。完全沒有蒸鍍后的冷卻密封外殼的齊聚物污染。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
把磁記錄帶在高溫(60℃)下放置10天，在常溫常溫(25℃,60％RH)下雖發(fā)現(xiàn)了DO但沒有增加。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為20nm、300nm。
實(shí)施例13除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B中再追加0.03重量％的巴西棕櫚蠟之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。與實(shí)施例1同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
把磁記錄帶在高溫(60℃)下放置10天，常溫常濕(25℃,60％RH下)見到DO，初期DO增加到3個(gè)/min。觀察背涂層，發(fā)現(xiàn)有齊聚物雜質(zhì)。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為20nm、300nm。
實(shí)施例14除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B中再追加1.5重量％的巴西棕櫚蠟之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。與實(shí)施例1同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。完全沒有蒸鍍后的冷卻密封外殼的齊聚物污染。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
把磁記錄帶在高溫(60℃)下放置10天，常溫常濕(25℃,60％RH)見到DO，初期DO增加到5個(gè)/min。觀察背涂層，已有一部分剝離。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為20nm、300nm。
實(shí)施例15
除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B中再追加0.05重量％的硅(氧烷)油之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。還與實(shí)施例1同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。過去，在金屬薄膜形成后設(shè)置DLC層時(shí)卷出的部分或涂背涂層之前卷出的部分，其制品端部的薄膜/薄膜部分引起結(jié)塊，使膜切斷，但在本實(shí)施例中這樣的情況完全沒有發(fā)生。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為20nm、300nm。
實(shí)施例16除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B中再追加0.0008重量％的硅(氧烷)油之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。還與實(shí)施例1同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。在金屬薄膜形成后設(shè)置DLC層時(shí)卷出的部分，其制品端部的薄膜/薄膜部分引起若干結(jié)塊，幸喜還沒有使膜切斷而可以成帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為20nm、300nm。
實(shí)施例17除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B中再追加0.15重量％的硅(氧烷)油之外，其他與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。還與實(shí)施例1同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。在所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。在走100次后觀察DVC帶，背涂層已經(jīng)部分剝離。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為20nm、300nm。
實(shí)施例18除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B中再追加0.4重量％的巴西棕櫚蠟、0.05重量％的硅(氧烷)油之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷。還與實(shí)施例1同樣制成寬6.35mm的磁記錄帶。完全沒有蒸鍍后的冷卻密封外殼的齊聚物污染。過去，在金屬薄膜形成后設(shè)置DLC層時(shí)卷出的部分或涂背涂層之前卷出的部分，其產(chǎn)品端部的薄膜/薄膜部分引起結(jié)塊，使膜切斷，但在本實(shí)施例中完全沒有發(fā)生這樣的情況。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。把磁記錄帶在高溫(60℃)下放置10天，常溫常溫(25℃,60％RH)雖見到DO，但沒有增加。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為20nm、300nm。
比較例1除了在實(shí)施例1的基膜制造中水溶液涂布的固體組分濃度為10mg/m2之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷，制成寬6,35mm的磁記錄帶。在所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為20nm、300nm。
比較例2除了在實(shí)施例1的基膜制造中涂布水溶液的甲基纖維素濃度為0.15重量％之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷，制成寬6.35mm的磁記錄帶。在所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為20nm、300nm。
比較例3除了在實(shí)施例1的基膜制造中涂布水溶液內(nèi)的極細(xì)二氧化硅的濃度為0.02重量％之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷，制成寬6.35mm的磁記錄帶。在所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為20nm、300nm。
比較例4除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料A含有二氧化硅的平均粒徑改為90nm之外，其他與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷，制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為20nm、300nm。
比較例5除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B含有硅酸鋁的平均粒徑為40nm之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷，制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為8nm、280nm。
比較例6除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B含有硅酸鋁的含量為0.07重量％之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷，制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為8nm、280nm。
比較例7除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B含有硅酸鋁的平均粒徑為270nm之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷，制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為30nm、310nm。
比較例8除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B含有硅酸鋁的含量為1.2重量％之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷，制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為31nm、320nm。
比較例9除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B含有聚苯乙烯微球的平均粒徑為210nm之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷并切條，其長度方向引入的摺痕接近于寬度方向的一半?？梢灶A(yù)料即使其后與實(shí)施例1同樣制成磁記錄帶，其磁帶制成的得率大幅度下降，使磁記錄帶制造被中止。所得到的復(fù)合聚酯薄膜的特性示于表1中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為24nm、170nm。
比較例10除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B含有聚苯乙烯微球的含量為0.008重量％之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷并切條，其長度方向引入的摺痕接近于寬度方向的2/3?？梢灶A(yù)料即使其后與實(shí)施例1同樣制成磁記錄帶，其磁帶制成的得率大幅度下降，磁記錄帶的制造被中止。所得到的復(fù)合聚酯薄膜的特性示于表1中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值各為15nm、150nm。
比較例11除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B含有聚苯乙烯微球的平均粒徑為550nm之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷，制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為21nm、510nm。
比較例12除了在實(shí)施例1的基膜制造中原料B含有聚苯乙烯微球的含量為0.15重量％之外，與實(shí)施例1同樣，得到了厚度為6.3μm、長15000m的復(fù)合聚酯薄膜卷，制成寬6.35mm的磁記錄帶。所得到的復(fù)合聚酯薄膜和磁記錄帶的特性示于表1、表2中。
另外，復(fù)合聚酯薄膜的層B側(cè)表面的SRa值和SRz值分別為23nm、530nm。
表1聚酯薄膜的特性
表2磁帶的DO特性
產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用可能性如上所述那樣，把本發(fā)明的聚酯薄膜用作基膜的本發(fā)明的磁記錄帶是從薄膜制品的卷芯部分至表層部分的全部長度上的電磁特性良好、記錄信號(hào)失漏少且耐久性優(yōu)異的數(shù)字錄像磁帶。
權(quán)利要求
1．一種磁記錄介質(zhì)用聚酯薄膜，該薄膜是至少由聚酯層A和聚酯層B疊層而成的聚酯薄膜，其特征在于，層A側(cè)表面的中心線面的平均粗糙度(SRa值)為2～4nm、10點(diǎn)平均面粗糙度(SRz值)為10～40nm、層B中含平均粒徑50nm以上而不足250nm的微粒α和平均粒徑250nm以上而不足500nm的微粒β、且層B中的微粒α的含量為0.1～1重量％，而微粒β的含量為0.01～0.1重量％。
2．權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)用聚酯薄膜，其中，層B中含0.05～1重量％的蠟和/或肥皂。
3．權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)用聚酯薄膜，其中，層B中含0.001～0.1重量％的硅氧烷化合物和/或氟化合物。
4．權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)用聚酯薄膜，其中，層B中含0.05～1重量％的蠟和/或肥皂、0.001～0.1重量％的硅氧烷化合物和/或氟化合物。
5．權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)用聚酯薄膜，其中，聚酯是聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯或聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯。
6．權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)用聚酯薄膜，其中，所述層B側(cè)表面上沒有由涂布形成的易滑層。
7．權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)用聚酯薄膜，其中，所述層A側(cè)表面設(shè)有被覆層。
8．權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)用聚酯薄膜，其中，所述層A側(cè)表面設(shè)置使用強(qiáng)磁性金屬薄膜。
9．一種磁記錄帶，該磁記錄帶是由權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的聚酯薄膜的層A側(cè)表面設(shè)置強(qiáng)磁性金屬薄膜構(gòu)成的。
10．權(quán)利要求9所述的磁記錄帶，其中，層B側(cè)表面形成背涂層。
11．權(quán)利要求9所述的磁記錄帶，該磁帶是數(shù)字記錄方式的盒式錄像機(jī)用磁帶。
全文摘要
提供從制品的卷芯部分至表層部分全長電磁變換特性優(yōu)、記錄信號(hào)失漏少、適于制數(shù)字錄像磁帶的基膜。至少由聚酯層A和聚酯層B疊層的膜,層A側(cè)表面中心線面平均粗糙度(SRa值)為2～4nm、10點(diǎn)平均面粗糙度(SRz值)為10～40nm、層B中含平均粒徑50nm以上不足250nm的微粒α和平均粒徑250nm以上不足500nm的微粒β、層B中的微粒α的含量為0.1～1重量%微粒β的含量為0.01～0.1重量%;和層A側(cè)表面設(shè)置強(qiáng)磁性金屬薄膜的磁記錄帶。
文檔編號(hào)B32B27/00GK1311507SQ001364
公開日2001年9月5日 申請(qǐng)日期2000年12月25日 優(yōu)先權(quán)日1999年12月24日
發(fā)明者小野雅章, 岡本克哉, 筑木稔博, 森本努 申請(qǐng)人:東麗株式會(huì)社