【技術領域】

本發(fā)明屬于食物烤盤領域，具體涉及一種電燒烤裝置。

背景技術：

電燒烤盤作為一種食品的加工器具，在商業(yè)及家庭中應用廣泛。一直以來，電燒烤盤的溫控采用的絕大多數是插入式溫控，該種溫控的探針插于電熱管的正負引出棒之間，通過探測到的溫度值來間接反應烤盤盤面的溫度值，從而控制整個電燒烤盤的工作。但是，這種插入式溫控在使用過程中無法避免電熱管本身的溫度對它的影響，不能完全真實地反應烤盤盤面的溫度，因此會導致控溫過程在某些條件下出現偏差，如在放置冷凍食品后烤盤盤面溫度迅速下降，此時插入式溫控探針探測到溫度的變化會立刻做出反應使電熱管開始加熱，但由于電熱管加熱傳導需要一定的時間，電熱管在這個過程中率先被加熱而盤面溫度還沒有達到預期，溫控卻因為電熱管的影響產生“溫度已達到預期”的錯誤判斷，造成原本應當持續(xù)加熱的過程中斷；再如電燒烤盤剛開始使用階段，在電熱管加熱過程中，電熱管的溫度總是會高于烤盤盤面的溫度，因此在盤面溫度還未達到預期時，溫控也會因為電熱管的影響產生錯誤判斷而造成初始加熱時間增加。

技術實現要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種電燒烤裝置，能夠減少控溫過程的偏差。

本發(fā)明的技術方案是：

一種電燒烤裝置，其特征在于，包括烤盤和位于烤盤下方的單向熱輻射件，所述烤盤和所述單向熱輻射件之間設置有加熱件，所述單向熱輻射件設置有開孔，所述開孔內設置有導熱桿，所述導熱桿的頂端與烤盤抵觸，底端與溫控連接。通過單向熱輻射件的設置，將加熱件發(fā)出的熱量絕大部分存在于單向熱輻射件和烤盤之間的空間進而傳遞至烤盤，使得單向輻射件的背面區(qū)域形成一個溫度始終低于烤盤盤面溫度的區(qū)域(所述開孔內也屬于該區(qū)域)；因此，將溫控設置于該區(qū)域，可以相對精確地反應烤盤盤面的溫度，基本不受加熱件等其他外部因素的影響，從而不會產生“溫度已達到預期”的錯誤判斷，進而減少控溫過程的偏差，減少初始加熱時間。

進一步的，上述單向熱輻射件朝向烤盤的一面的熱輻射系數≥0.5，背離烤盤(5)的一面的熱輻射系數≤0.2。

進一步的，上述單向熱輻射件朝向烤盤的一面為氧化金屬表面或者鍍有熱輻射系數≥0.8的涂層的表面，背離烤盤的一面為拋光金屬表面或者鍍有熱輻射系數≤0.05的涂層的表面。

單向熱輻射件是指一側表面能夠有效吸收熱量并將熱量向射入方向輻射、而另一側表面基本不吸收熱量的結構，其中，有效吸收要求熱輻射系數≥0.5，而基本不吸收熱量指熱輻射系數≤0.2，通過不同的表面材質可以實現。在單向熱輻射件的作用下，加熱件產生的熱量基本被全部鎖定在單向熱輻射件和烤盤之間的空間進而傳遞至烤盤，使得單向熱輻射件的背面區(qū)域熱量很少、溫度較低，使得在此處設置溫控進行精準控溫成為可能。

進一步的，上述單向熱輻射件的內表面呈圓錐曲線曲面或者若干圓錐曲線曲面的組合。

進一步的，上述圓錐曲線為圓、橢圓、雙曲線、拋物線、心形線、漸開線或螺旋線。

進一步的，上述加熱件為螺旋形加熱管、m形加熱管、u形加熱管、ω形加熱管、圓形加熱管、橢圓形加熱管、∞形加熱管、蝶形加熱管、碟形加熱管中的一種。

采用特定的圓錐曲線曲面和加熱件組合，可以使熱量輻射的角度更均勻，使到達烤盤的熱量更均勻，使烤盤盤面溫度均勻，提高烹調效果。

進一步的，上述溫控對應于烤盤的中心位置，因為烤盤的中心位置是使用率最高的部位，對應于該處的溫度值影響烹飪效果的幾率更大，且本技術方案的烤盤中心位置的溫度可以相對準確地反應出烤盤的實際平均溫度。

進一步的，上述單向熱輻射件的厚度≤1mm，厚度越薄，單向熱輻射件本身的儲熱越少，這樣可以保證單向熱輻射件背面的溫度更低，更有效地起到單向輻射的效果。

進一步的，上述溫控為可調式溫控，該溫控的使用環(huán)境溫度相對更低，且安裝空間大，因此可用可調式溫控進行不同檔位的調節(jié)，且成本較低。

該技術方案具有以下有益的技術效果：1)能夠避免溫控發(fā)出誤判，減少控溫過程的偏差，控溫更精準，升溫過程更迅速，縮短加熱時間；2)溫控位于溫度較低的區(qū)域，能夠在提高溫控準確性的情況同時增加溫控的壽命；3)單向熱輻射件提高了熱量的有效利用率，減少了能源浪費；4)單向熱輻射件與加熱件的配合能夠使達到烤盤的熱量更均勻，烤盤的溫度更均勻、溫差更小。

【附圖說明】

圖1是實施例一的結構爆炸圖；

圖2是實施例一的側剖圖；

圖3是實施例一的第一單向熱輻射件的俯視圖；

圖4是實施例一的局部a的放大示意圖；

圖5是實施例一的第一單向熱輻射件的側剖圖；

圖6是實施例一的第二單向熱輻射件的側剖圖；

圖7是實施例二的側剖圖；

圖8是實施例三的側剖圖。

標注說明：1，單向熱輻射件；101，第一單向熱輻射件；102，第二單向熱輻射件；3，溫控；4，加熱件；5，烤盤；6，導熱桿。

【具體實施方式】

以下結合具體實施例，對本發(fā)明做進一步描述。

以下所提供的實施例并非用以限制本發(fā)明所涵蓋的范圍，所描述的步驟也不是用以限制其執(zhí)行順序。本領域技術人員結合現有公知常識對本發(fā)明做顯而易見的改進，亦落入本發(fā)明要求的保護范圍之內。

實施例一

一種電燒烤裝置，如圖1和圖2所示，包括烤盤5和位于烤盤5下方的單向熱輻射件1，所述單向熱輻射件1由第一單向熱輻射件101以及第二單向熱輻射件102組成。其中，第一單向熱輻射件101為中心為空的罩面(如圖3所示)，第二單向熱輻射件102位于第一單向熱輻射件101的空心部位并與第一單向熱輻射件101扣合(如圖4所示)，第二單向熱輻射件102的中心設置有開孔。所述第一單向熱輻射件101以及第二單向熱輻射件102朝向烤盤5的一面均為氧化鋁表面，熱輻射系數≥0.5，背離烤盤5的一面均為拋光鋁表面，熱輻射系數≤0.2。第一單向熱輻射件101和第二單向熱輻射件102配合，既能夠實現對熱量單向輻射的效果，又使得各部分的接觸有一定的容錯空間，密封性比較好，可以保證與烤盤接觸充分，減少懸空的可能性。所述第一單向熱輻射件101以及第二單向熱輻射件102的厚度為0.3mm。

開孔部位設置有溫控3，溫控3對應于烤盤5的中心位置，與烤盤5直接抵觸，溫控3采用可調式溫控?？颈P5和單向熱輻射件之間設置有圍繞在第二單向熱輻射件102周圍的螺旋形加熱管4。

如圖5和圖6所示，第二單向熱輻射件102的側剖線的一半由曲線段mn與直線段np組成；第一單向熱輻射件101的側剖線的一半efg與所述第二單向熱輻射件的側剖線的曲線段mn首尾相連形成圓錐曲線的一段，進一步的，上述圓錐曲線優(yōu)選為拋物線。通過這樣的配合，可以使熱量輻射的角度更均勻，使到達烤盤的熱量更均勻，使烤盤盤面溫度均勻，提高烹調效果。

實施例二

一種電燒烤裝置，如圖7所示，包括烤盤5和位于烤盤5下方的單向熱輻射件1，所述單向熱輻射件1為中心為空的罩面，其側剖面為兩段拋物線段，兩段拋物線段不相連，中心形成開孔第。開孔部位設置有溫控3，溫控3對應于烤盤5的中心位置，通過導熱桿6與烤盤5連接，溫控3采用可調式溫控?？颈P5和單向熱輻射件1之間設置有圍繞在單向熱輻射件1周圍的螺旋形加熱管4。所述單向熱輻射件1的厚度為0.1mm。

所述單向熱輻射件1朝向烤盤5的一面鍍有高熱輻射率的涂層，熱輻射系數≥0.8，背離烤盤5的一面鍍有高熱輻射率的涂層，熱輻射系數≤0.05。

實施例三

一種電燒烤裝置，如圖8所示，包括烤盤5和位于烤盤5下方的單向熱輻射件1，其中，烤盤5為方形，所述單向熱輻射件1的底面由6個曲面構成，中央兩個相鄰曲面的相交處設置有開孔，所述開孔部位設置有溫控3，溫控3采用可調式溫控。每個曲面的側剖線為圓錐曲線的一段，進一步的，上述圓錐曲線優(yōu)選為圓。溫控3對應于烤盤5的中心位置，通過導熱桿6與烤盤5連接，烤盤5和單向熱輻射件1之間設置有加熱件4，加熱件優(yōu)選為m形加熱管，位于圓錐曲線的焦點處。所述單向熱輻射件1的厚度為1mm。

所述單向熱輻射件1朝向烤盤5的一面均為氧化銅表面，熱輻射系數≥0.5，背離烤盤5的一面均為拋光鋁表面，熱輻射系數≤0.2。