1.一種包括兩個納米結(jié)構(gòu)型的、選擇性的、無源的和非均勻的“線柵”型的偏振器的透明多層裝置,所述偏振器沿著電磁輻射的傳播方向的路徑連續(xù)布置,并且所述偏振器中的每一個能夠相對于另一個執(zhí)行線性平移運動,其中絲狀體之間的間距是恒定的且小于390nm,并且所述絲狀體占據(jù)介于間距間隔的2.5%到50%之間的基本上恒定的空間,所述絲狀體由規(guī)則形狀的平行帶構(gòu)成,所述帶具有相同的尺寸,但具有不同取向的偏振軸,其中每個帶的偏振軸相對于相鄰帶的偏振軸順時針或逆時針旋轉(zhuǎn)穿過在1/10度到45度之間的范圍內(nèi)選擇的恒定角度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其設(shè)置有用于所述兩個偏振器的線性平移運動的致動器的系統(tǒng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項所述的裝置,其中所述偏振器的絲狀體根據(jù)在透明基板上的多個取向構(gòu)造,任選地由另一保護層覆蓋。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任一項所述的裝置,其中所述偏振器中的每一個根據(jù)圖案中的帶的寬度和數(shù)量包含多個偏振軸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的裝置,其中所述平移運動對于不同取向或傾斜取向的部分能夠為水平的、垂直的、曲線型的或正弦型的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的裝置,其中所述偏振器的所述納米取向的絲狀體以介于160[nm]到390[nm]之間的范圍內(nèi)的恒定間距產(chǎn)生。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的裝置,其中所述納米取向的絲狀體以小于160[nm]的恒定間距產(chǎn)生。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的裝置,其中相對于所述兩個偏振濾波器添加附加層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的裝置,其中所述電磁輻射在其撞擊所述裝置的所述偏振器之前沿其傳播方向通過去偏振器。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的裝置,其中所述外部偏振器包括彼此粘附的2或3個部件。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項所述的裝置,其中所述偏振器包含透明基板,計算所述透明基板的折射率以排除高階折射。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置,其中所述基板選自對VIS和NIR分量具有高透射能力,并且任選地對UV分量具有高吸收能力的無機或有機材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求10-12中任一項所述的裝置,其中用于構(gòu)造偏振光柵的材料具有高反射率。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-13中任一項所述的裝置,其中所述線是由介電材料與非介電材料層交替而組成的多層。
15.根據(jù)權(quán)利要求11-14中任一項所述的裝置,其中在所述基板和所述偏振圖案之間存在介電材料層。
16.根據(jù)權(quán)利要求1-15中任一項所述的裝置,其中所述圖案的特征在于單個金屬光柵由規(guī)則形式的平行帶構(gòu)造。
17.根據(jù)權(quán)利要求1-16中任一項所述的裝置,其中所述線的高度在10[nm]到1[μm]之間,優(yōu)選在60[nm]到180[nm]之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求16-17中任一項所述的裝置,其中,所述帶中的每一個的寬度在5微米到9.9米之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求3-18中任一項所述的裝置,其中所述保護層是用于紫外(UV)輻射的濾波器。
20.根據(jù)權(quán)利要求1-19中任一項所述的裝置,其中所述第一和所述第二濾波器的各個偏振軸彼此平行并且沿著所述入射電磁波的所述傳播方向?qū)省?/p>
21.根據(jù)權(quán)利要求1-20中任一項所述的裝置,其中所述第一和所述第二濾波器的各個偏振軸彼此正交,并且沿著所述入射電磁波的所述傳播方向?qū)省?/p>
22.根據(jù)權(quán)利要求1-21中任一項所述的裝置,其中所述第一和所述第二濾波器的各個偏振軸以所述偏振軸之間的中間角度布置。
23.一種用于電磁輻射的屏蔽,其包括根據(jù)權(quán)利要求1-22中的任一項所述的裝置。
24.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1-22中任一項所述的裝置的玻璃系統(tǒng)。