一種除塵系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明是有關(guān)于一種除塵系統(tǒng),用于硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧,其包括:排風(fēng)除塵裝置及粉塵收集罐;其中,所述排風(fēng)除塵裝置與所述粉塵收集罐通過管道連通。本發(fā)明的除塵系統(tǒng)可以對(duì)金剛砂噴嘴噴灑金剛砂時(shí)飛揚(yáng)的粉塵進(jìn)行收集,再利用。
【專利說明】一種除塵系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及IC級(jí)硅單晶拋光片【技術(shù)領(lǐng)域】,特別是涉及一種用于硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧的除塵系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]IC級(jí)硅單晶拋光片是制造大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的核心材料,主要用于高速計(jì)算機(jī)、航空航天等高科技領(lǐng)域。硅單晶拋光片的微缺陷“氧化霧”一直困擾著高可靠性器件用硅單晶拋光片的質(zhì)量。長(zhǎng)期以來,人們采用多種方法以消除硅拋光片表面的氧化霧。所采用的方法主要是通過吸雜的方式,有內(nèi)吸雜和外吸雜兩種。內(nèi)吸雜主要是利用硅片中的氧沉淀產(chǎn)生吸雜區(qū)消除硅拋光表面的氧化霧,因其設(shè)備昂貴,工藝復(fù)雜,要求硅片內(nèi)氧沉淀分布均勻,不易控制,重復(fù)性差,因此在國(guó)內(nèi)外應(yīng)用較少。外吸雜主要是利用外部手段在硅片背面形成損傷或應(yīng)力,具體方式有在硅片背面用金鋼砂帶損傷、激光損傷或LPCVD生長(zhǎng)多晶硅層等,或者采用輻照、加熱預(yù)處理、硅片背面軟損傷等方法對(duì)硅片的氧化霧進(jìn)行消除。
[0003]對(duì)硅片的背面采用干法噴砂制造吸雜源消除硅拋光表面的氧化霧是近年來新興的一種可有效消除硅拋光片表面的氧化霧,同時(shí)又工藝簡(jiǎn)單合理,投資小,可操作性強(qiáng),易于實(shí)施的外吸雜方法。其是根據(jù)背損吸雜原理,在硅片背面干法噴砂,產(chǎn)生晶格損傷或畸變,制造吸雜源,通過對(duì)噴砂粒度、噴砂壓力、作業(yè)片距、時(shí)間過程的控制和調(diào)制,在硅片背面制造均勻的層錯(cuò)密度,即在硅片背面產(chǎn)生6-38 X 104個(gè)/cm2的損傷層錯(cuò),誘生堆雜層錯(cuò),使硅片具有非本征的吸雜能力。在高溫下,硅片的雜質(zhì)會(huì)移位,并且轉(zhuǎn)移到硅片里面和背面的非要害部位,在拋光片表面的制作集成電路區(qū)域,形成厚度幾個(gè)um的潔凈區(qū),從而獲得無“氧化霧”的高品質(zhì)硅拋光片,確保IC產(chǎn)品電路特性不受影響。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)中,對(duì)硅片的背面采用干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面的氧化霧,通常是通過在運(yùn)送硅片的傳送帶上方設(shè)置金剛砂噴嘴,通過金剛砂噴嘴向傳送帶上的硅片噴灑金剛砂來實(shí)現(xiàn)。其中在金剛砂噴嘴向傳送帶上的硅片噴灑金剛砂時(shí),飛揚(yáng)的粉塵會(huì)排入大氣中,給環(huán)境造成污染。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明的目的在于,克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,而提供一種新型結(jié)構(gòu)的一種除塵系統(tǒng),所要解決的技術(shù)問題是使其可以對(duì)金剛砂噴嘴噴灑金剛砂時(shí)飛揚(yáng)的粉塵進(jìn)行收集,再利用,非常適于實(shí)用。
[0006]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種除塵系統(tǒng),用于硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧,其包括:排風(fēng)除塵裝置及粉塵收集罐;其中,所述排風(fēng)除塵裝置與所述粉塵收集罐通過管道連通。
[0007]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0008]前述的除塵系統(tǒng),其中所述排風(fēng)除塵裝置包括:集塵罩及排風(fēng)機(jī),所述集塵罩通過管道與所述排風(fēng)機(jī)的入口連接,所述排風(fēng)機(jī)的出口通過管道與所述粉塵收集罐連接,所述集塵罩設(shè)置于硅片傳送帶上方的金剛砂噴嘴的上方。
[0009]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。借由上述技術(shù)方案,本發(fā)明一種除塵系統(tǒng)至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果:本發(fā)明的除塵系統(tǒng)可以對(duì)金剛砂噴嘴噴灑金剛砂時(shí)飛揚(yáng)的粉塵進(jìn)行收集,再利用。
[0010]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段,而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施,并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實(shí)施例,并配合附圖,詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011]圖1是本發(fā)明的除塵系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效,以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例,對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的一種除塵系統(tǒng)其【具體實(shí)施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功效,詳細(xì)說明如后。
[0013]有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效,在以下配合參考圖式的較佳實(shí)施例的詳細(xì)說明中將可清楚呈現(xiàn)。通過【具體實(shí)施方式】的說明,應(yīng)當(dāng)可對(duì)本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效獲得一更加深入且具體的了解,然而所附圖式僅是提供參考與說明之用,并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。
[0014]請(qǐng)參閱圖1所示,是本發(fā)明的除塵系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明的除塵系統(tǒng)用于硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧。其主要由排風(fēng)除塵裝置和粉塵收集罐I構(gòu)成。其中,排風(fēng)除塵裝置與粉塵收集罐I通過管道連通。
[0015]本發(fā)明的排風(fēng)除塵裝置包括:集塵罩2和排風(fēng)機(jī)3,其中集塵罩2通過管道與排風(fēng)機(jī)3的入口連接,排風(fēng)機(jī)3的出口通過管道與粉塵收集罐I連接,集塵罩2是設(shè)置于硅片傳送帶上方的金剛砂噴嘴的上方。
[0016]本發(fā)明的除塵系統(tǒng)通過將粉塵收集罐I設(shè)置于排風(fēng)機(jī)3的出口,可以對(duì)金剛砂噴嘴向傳送帶上的硅片噴灑金剛砂時(shí)飛揚(yáng)的粉塵進(jìn)行收集,防止粉塵直接排入大氣,給環(huán)境造成污染,并且可以對(duì)收集的金剛砂進(jìn)行再利用。
[0017]以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制,雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然而并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例,但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種除塵系統(tǒng),用于硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧,其特征在于:其包括:排風(fēng)除塵裝置及粉塵收集罐;其中,所述排風(fēng)除塵裝置與所述粉塵收集罐通過管道連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的除塵系統(tǒng),其特征在于其中所述排風(fēng)除塵裝置包括:集塵罩及排風(fēng)機(jī),所述集塵罩通過管道與所述排風(fēng)機(jī)的入口連接,所述排風(fēng)機(jī)的出口通過管道與所述粉塵收集罐連接,所述集塵罩設(shè)置于硅片傳送帶上方的金剛砂噴嘴的上方。
【文檔編號(hào)】B28D7/02GK103847036SQ201310502983
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2013年10月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月23日
【發(fā)明者】郭金娥, 徐信富, 徐力, 陳興邦 申請(qǐng)人:洛陽市鼎晶電子材料有限公司