專利名稱：熱線反射玻璃及熱線反射玻璃的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在玻璃基板上至少設(shè)置氮化鉻膜而成的熱線反射玻璃，特別是涉及主 要為了遮蔽太陽(yáng)輻射熱而在玻璃基板的表面形成薄膜而成的熱線反射玻璃及熱線反射玻 璃的制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，在玻璃基板的表面形成以遮蔽太陽(yáng)輻射熱為主要目的的薄膜而成的熱線反 射玻璃被用于大樓等建筑物的窗和車的后窗玻璃等。這些熱線反射玻璃從光的透射性來(lái) 看，透射率低的熱線反射玻璃的使用也不斷增多。將玻璃用于大樓等建筑物的窗的情況下， 根據(jù)玻璃的設(shè)置場(chǎng)所的不同，有時(shí)需要強(qiáng)化處理，或者較好是設(shè)置強(qiáng)化處理玻璃。此外，車 的后窗玻璃不是表面呈平面狀的板形狀，而是表面彎曲的板形狀，采用實(shí)施了彎曲加工的 狀態(tài)的熱線反射玻璃。為了獲得實(shí)施了強(qiáng)化處理或彎曲加工處理的熱線反射玻璃，有在實(shí)施了強(qiáng)化處理 或彎曲加工處理的玻璃基板上形成熱線反射性的薄膜的方法。但是，例如在實(shí)施了彎曲加 工處理的玻璃基板的表面、即具有曲率的玻璃基板表面，難以高精度地以良好的膜厚和組 成的面內(nèi)分布來(lái)形成熱線反射性薄膜。為了以良好的膜厚和組成的面內(nèi)分布在具有曲率的 玻璃基板表面形成熱線反射性薄膜，例如必須根據(jù)玻璃基板表面的曲率調(diào)整薄膜形成工序 或薄膜形成條件，需要額外的成本。另一方面，為了對(duì)預(yù)先形成有熱線反射性薄膜的玻璃基板進(jìn)行彎曲加工，例如必 須將玻璃基板加熱至500 700 (°C)左右的高溫。對(duì)于以往的熱線反射玻璃，由于該高溫， 熱線反射用薄膜例如發(fā)生氧化，存在熱線反射性能在加熱前后發(fā)生變化的問(wèn)題。因此，對(duì)于 以往的熱線反射玻璃，購(gòu)入了預(yù)先形成有熱線反射性薄膜的玻璃的玻璃加工從業(yè)者難以自 己進(jìn)行彎曲加工。例如，玻璃加工從業(yè)者自己進(jìn)行彎曲加工的情況下，為了防止加熱前后的 熱線反射性能的變化，從業(yè)者必須自己在將彎曲加工時(shí)的氣氛保持為非氧化性氣氛、防止 上述需保護(hù)的膜的氧化的同時(shí)進(jìn)行彎曲加工。該情況下，需要特別的裝置和人工，負(fù)擔(dān)的成 本也大。因此，不少人希望有這樣的平板狀的熱線反射玻璃，即不需要具有將彎曲加工時(shí)的 氣氛保持為非氧化性氣氛的功能的特別的裝置和額外的人工，可以由玻璃加工從業(yè)者自己 進(jìn)行強(qiáng)化處理或彎曲加工處理。針對(duì)這一點(diǎn)，下述專利文獻(xiàn)1中記載有熱處理熱線反射玻璃(熱線反射玻璃)的 制造方法。專利文獻(xiàn)1所記載的制造方法中，在玻璃基板上形成熱線屏蔽膜或?qū)щ娔?，?形成在可見(jiàn)光范圍內(nèi)透明的第一保護(hù)膜，制造具有至少由2層構(gòu)成的多層膜的熱線反射玻 璃，然后對(duì)所述熱線反射玻璃實(shí)施熱處理。該熱線反射玻璃的制造方法的特征在于，第一保 護(hù)膜采用以硅或硼的氮化物或者硅、硼、鋁及鋯、錫中的至少2種以上的氮化物為主要成分 的膜。專利文獻(xiàn)1中記載，專利文獻(xiàn)1記載的熱線反射玻璃中，第一保護(hù)膜充分吸收熱處理 時(shí)來(lái)自大氣中的氧而起到氧屏障的作用，因此熱線屏蔽膜幾乎不發(fā)生變化。即，專利文獻(xiàn)1 中記載，通過(guò)專利文獻(xiàn)1記載的熱線反射玻璃的制造方法制成的熱線反射玻璃即使以一般所采用的簡(jiǎn)單的方法(不控制氣氛，在大氣中)進(jìn)行彎曲加工或強(qiáng)化加工，需保護(hù)的被覆層 的光學(xué)特性等也基本不發(fā)生變化。專利文獻(xiàn)1 日本專利第2518129號(hào)公報(bào)發(fā)明的揭示另外，對(duì)于用于大樓等建筑物的熱線反射玻璃，除了價(jià)格低之外，還要求光學(xué)性質(zhì) 和熱學(xué)性質(zhì)的平衡適當(dāng)。本發(fā)明中將光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)并稱為光學(xué)特性。光學(xué)性質(zhì)是指 例如關(guān)于大樓等的室內(nèi)的人感覺(jué)到的耀眼程度的性質(zhì)，或是作為從外部無(wú)法觀察到內(nèi)部的 私密性的關(guān)于太陽(yáng)光中、主要是可見(jiàn)光范圍內(nèi)的波長(zhǎng)成分的透射量的程度的性質(zhì)。該性質(zhì) 可以通過(guò)JISR 3106(1998年)中所定義的可見(jiàn)光透射率表示。此外，熱學(xué)性質(zhì)是指關(guān)于通 過(guò)太陽(yáng)光流入大樓等的室內(nèi)的熱量的性質(zhì)，是關(guān)于太陽(yáng)光中、主要是近紅外范圍內(nèi)的波長(zhǎng) 成分的透射量的程度的性質(zhì)。該性質(zhì)可以通過(guò)JIS R3106(1998年)中所定義的太陽(yáng)輻射 透射率代表性地表示。尤其，對(duì)于基于上述定義的可見(jiàn)光透射率和太陽(yáng)輻射透射率，可見(jiàn)光透射率Tv在 35%以下、太陽(yáng)輻射透射率IJ可見(jiàn)光透射率Tv低于1. 0且即使施加用于強(qiáng)化或彎曲加工 的熱處理光學(xué)特性也幾乎不會(huì)變化的熱線反射玻璃在實(shí)際使用方面良好，也有市場(chǎng)需求。本發(fā)明人確認(rèn)，專利文獻(xiàn)1記載的實(shí)施例中，太陽(yáng)輻射透射率相對(duì)于可見(jiàn)光透射 率的比例與以往相比并不足夠低。通過(guò)專利文獻(xiàn)1記載的制造方法制成的熱線反射玻璃無(wú) 法完全滿足近年來(lái)的市場(chǎng)需求。特別是在東南亞地區(qū)或赤道正下方的太陽(yáng)輻射多且白天的 陽(yáng)光讓人感到耀眼的地區(qū)，特別需要在可見(jiàn)光透射率的低的狀態(tài)下太陽(yáng)輻射透射率也低的 玻璃。本發(fā)明的目的在于解決所述課題。即，本發(fā)明的目的在于提供可見(jiàn)光透射率Tv在 35%以下且太陽(yáng)輻射透射率Te/可見(jiàn)光透射率Tv低于1. 0，并且即使施加用于強(qiáng)化或彎曲 加工的熱處理，光學(xué)特性也幾乎不會(huì)變化的熱線反射玻璃。為了解決上述課題，本發(fā)明提供一種熱線反射玻璃，其特征在于，在玻璃基板上依 次設(shè)有氧阻擋基底膜、氮化鉻膜和氧阻擋保護(hù)膜，所述氮化鉻膜中的氮相對(duì)于鉻的原子數(shù) 的比例以氮原子數(shù)/鉻原子數(shù)表示為20 % 60 %。還有，較好是所述氧阻擋基底膜和所述氧阻擋保護(hù)膜為以硅或硼的氮化物為主要 成分的膜或者以選自硅、硼、鋁、鋯及錫的至少2種以上的元素的氮化物為主要成分的膜。此外，較好是JIS R 3106 (1998年)中所定義的可見(jiàn)光透射率在35%以下，且JIS R 3106(1998年)中所定義的太陽(yáng)輻射透射率相對(duì)于該可見(jiàn)光透射率的比值以太陽(yáng)輻射透 射率/可見(jiàn)光透射率表示低于1.0。這時(shí)，較好是實(shí)施了加熱至500°C以上的處理。另外，所述氧阻擋基底膜的膜厚較好是5 20nm，所述氧阻擋保護(hù)膜的膜厚較好 是 10 30nm。此外，較好是在所述玻璃基板與氧阻擋基底膜之間具有阻止該玻璃基板所含的雜 質(zhì)的移動(dòng)的雜質(zhì)阻擋基底膜。另外，本發(fā)明提供一種熱線反射玻璃的制造方法，該方法是制造在玻璃基板上依 次設(shè)有氧阻擋基底膜、氮化鉻膜和氧阻擋保護(hù)膜的熱線反射玻璃的方法，包括將玻璃基板 導(dǎo)入成膜室內(nèi)，通過(guò)在使所述室內(nèi)呈含氮?dú)夥盏那闆r下濺射鉻靶材，從而在所述玻璃基板 上設(shè)置氮化鉻膜的工序；在所述濺射的過(guò)程中，使氮?dú)饬魅胨鍪覂?nèi)的同時(shí)，使所述氮?dú)庖酝獾亩栊詺怏w流入所述室內(nèi)，將所述惰性氣體的流入量的比例調(diào)整至惰性氣體氮?dú)? 70 30 90 10的范圍內(nèi)的工序。另外，較好是包括在所述濺射之前，在所述玻璃基板上設(shè)置以硅或硼的氮化物為 主要成分的膜或者以選自硅、硼、鋁、鋯、錫的至少2種以上的元素的氮化物為主要成分的 膜作為氧阻擋基底膜的工序；在所述濺射之后，在所述氮化鉻膜的表面設(shè)置以硅或硼的氮 化物為主要成分的膜或者以選自硅、硼、鋁、鋯、錫的至少2種以上的元素的氮化物為主要 成分的膜作為氧阻擋保護(hù)膜的工序。此外，較好是在設(shè)置所述氧阻擋基底膜、所述氮化鉻膜和所述氧阻擋保護(hù)膜后，進(jìn) 行500°C以上的熱處理。如果采用本發(fā)明，則可提供例如可見(jiàn)光透射率Tv在35%以下且太陽(yáng)輻射透射率 Te/可見(jiàn)光透射率Tv低于1.0，并且即使施加用于強(qiáng)化或彎曲加工的熱處理，光學(xué)特性也幾 乎不會(huì)變化的熱線反射玻璃。換言之，可提供可見(jiàn)光透射率Tv低，大樓等的室內(nèi)的人感覺(jué)到的耀眼程度和從外 部無(wú)法觀察到內(nèi)部的私密性充分，且太陽(yáng)輻射透射率Ty可見(jiàn)光透射率τν低于ι. 0，同時(shí)顯 示防止熱量流入室內(nèi)的性能的可進(jìn)行熱處理的熱線反射玻璃。附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明

圖1 (a)和(b)是對(duì)本發(fā)明的熱線反射玻璃的不同實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的簡(jiǎn)略剖視 圖。圖2是表示在玻璃基板上分別以不同的成膜條件形成的氮化鉻膜單膜的光譜透 射比的圖譜的圖。橫軸為波長(zhǎng)(WL)，縱軸為光譜透射比(ST)。圖3是表示在玻璃基板上層疊有氧阻擋基底膜/分別以不同的成膜條件形成的氮 化鉻膜/氧阻擋保護(hù)膜的樣品的光譜透射比的圖譜的圖。橫軸為波長(zhǎng)(WL)，縱軸為光譜透 射比(ST)。圖4是表示氮化鉻膜中的N原子相對(duì)于鉻原子的比例(N/Cr)與太陽(yáng)輻射透射率 Te/可見(jiàn)光透射率Tv的關(guān)系的圖。圖中，CrNx :20nm固定是指將CrNx固定為20nm的情況， CrNx 變化是使CrNx變化(計(jì)算值)的情況。圖5的情況也同樣。圖5是表示惰性氣體(Ar氣體)流量/N2氣體流量與太陽(yáng)輻射透射率Te/可見(jiàn)光 透射率Tv的關(guān)系的圖。圖6是表示在玻璃基板上層疊有氧阻擋基底膜/不同膜厚的氮化鉻膜/氧阻擋保 護(hù)膜的樣品的光譜透射比的圖譜的圖。橫軸為波長(zhǎng)(WL)，縱軸為光譜透射比(SP)。符號(hào)的說(shuō)明10、20熱線反射玻璃12玻璃基板14 氮化鉻(CrNx)膜16氧阻擋基底膜17雜質(zhì)阻擋基底膜18氧阻擋保護(hù)膜實(shí)施發(fā)明的最佳方式以下，基于附圖中所示的優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的熱線反射玻璃及熱線反射玻璃的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。首先，參照?qǐng)D1(a)和(b)對(duì)本發(fā)明的熱線反射玻璃的大致結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖1(a) 和(b)是對(duì)本發(fā)明的熱線反射玻璃的進(jìn)行說(shuō)明的簡(jiǎn)略剖視圖，(a)和(b)分別表示不同的 實(shí)施方式。圖1(a)和(b)中，對(duì)于各相同結(jié)構(gòu)的薄膜層以同一符號(hào)表示。圖1(a)和(b) 都是近年來(lái)需求不斷增加的例如可見(jiàn)光透射率Tv在35%以下且太陽(yáng)輻射透射率Te/可見(jiàn) 光透射率！；低于1.0，并且即使施加用于強(qiáng)化或彎曲加工的熱處理，光學(xué)特性也幾乎不會(huì)變 化，熱線反射膜由氮化鉻形成的熱線反射玻璃的例子。圖1(a)所示的熱線反射玻璃10和 圖1(b)所示的熱線反射玻璃20都表示未施加用于強(qiáng)化或彎曲加工的熱處理的狀態(tài)。首先，對(duì)圖1(a)所示的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1(a)所示的熱線反射玻璃10中， 在玻璃基板12的表面設(shè)有例如由氮化硅(SiNx :X表示數(shù)字，后文中詳細(xì)說(shuō)明)形成的氧阻 擋基底膜16，在該氧阻擋基底膜16的上層設(shè)有熱線反射用的氮化鉻(CrNx :x表示數(shù)字，后 文中詳細(xì)說(shuō)明)膜14。另外，熱線反射玻璃10中，在熱線反射用的氮化鉻(CrNx)膜14的 上層設(shè)有例如由氮化硅(SiNx)形成的氧阻擋保護(hù)膜18。圖1 (a)所示的熱線反射玻璃10的玻璃基板12例如為作為公知的浮法平板玻璃 的鈉鈣玻璃，是厚度為6mm的玻璃(以下稱為FL6)。還有，本發(fā)明中，玻璃基板12的種類沒(méi) 有特別限定，可以使用鈉鈣玻璃板、熱線吸收玻璃板等各種玻璃板，厚度也沒(méi)有限定。熱線反射玻璃10的氧阻擋基底膜16和氧阻擋保護(hù)膜18主要為了防止氧進(jìn)入熱 線反射用的氮化鉻膜14而設(shè)置。例如，在玻璃基板12的表面直接形成氮化鉻膜14而沒(méi)有 氧阻擋基底膜16和氧阻擋保護(hù)膜18的狀態(tài)下，在不將彎曲加工時(shí)的氣氛保持為非氧化性 氣氛的情況下施加用于強(qiáng)化或彎曲加工的熱處理(例如500°C 700°C的加熱處理)時(shí)，熱 線反射用的氮化鉻膜14的光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)失去平衡(形成在太陽(yáng)光的整個(gè)波長(zhǎng)范圍 內(nèi)透射率升高的傾向)。這是因?yàn)樵跊](méi)有氧阻擋基底膜16和氧阻擋保護(hù)膜18的狀態(tài)下，特 別是施加熱處理時(shí)，氧進(jìn)入熱線反射用的氮化鉻(CrNx)膜14。在不將強(qiáng)化或彎曲加工時(shí)的 氣氛保持為非氧化性氣氛的情況下施加熱處理時(shí)，氧阻擋基底膜16和氧阻擋保護(hù)膜18也 可以防止大氣中的氧進(jìn)入熱線反射用的氮化鉻膜14，防止氮化鉻膜14因進(jìn)入的氧而氧化， 進(jìn)而防止光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)失去平衡。氧阻擋基底膜16由氮化硅(SiNx)形成的情況下，該氧阻擋基底膜16通過(guò)例如下 述方法形成于玻璃基板12的表面將表面清潔的玻璃基板12配置于濺射裝置的真空室內(nèi)， 將多晶Si靶材作為濺射靶材來(lái)進(jìn)行濺射。形成氧阻擋基底膜16時(shí)，將真空室內(nèi)首先排氣 至例如1. 3 X10_3Pa，向真空室內(nèi)以例如lOOsccm的氣體流量供給氮?dú)?，使真空室?nèi)的壓力 達(dá)到例如6. OX KT1Patj在該狀態(tài)下，使用DC脈沖電源投入例如2. OOkff的電力，進(jìn)行反應(yīng) 性濺射，將膜形成于玻璃基板即可。氧阻擋保護(hù)膜18由氮化硅(SiNx)形成的情況下，該氧阻擋保護(hù)膜18也可通過(guò) 例如下述方法形成將設(shè)有氧阻擋基底膜16和后述的氮化鉻14膜的狀態(tài)的玻璃基板12 配置于濺射裝置的真空室內(nèi)，以與氧阻擋基底膜16同樣的條件進(jìn)行反應(yīng)性濺射。本發(fā)明 中，對(duì)于氧阻擋基底膜和氧阻擋保護(hù)膜的形成方法沒(méi)有特別限定，根據(jù)氧阻擋基底膜和氧 阻擋保護(hù)膜所要求的光學(xué)性能和氧阻擋性能，逐次設(shè)定例如濺射中的各種條件即可。此外， 用于形成氧阻擋基底膜和氧阻擋保護(hù)膜的薄膜形成方法并不特別限定于反應(yīng)性濺射，使用 CVD(Chemical Vapor D印osition，化學(xué)氣相沉積)法等公知的各種方法即可。
氧阻擋基底膜16和氧阻擋保護(hù)膜18設(shè)定為可充分防止施加熱處理時(shí)氧進(jìn)入氮化 鉻(CrNx)膜14的程度的膜厚即可。例如，氧阻擋基底膜16的厚度較好是5 20nm，特別 好是7 15nm。氧阻擋保護(hù)膜18的厚度較好是10 30nm，特別好是15 25nm。SiNx的 折射率比玻璃基板高，由SiNx形成的氧阻擋基底膜16和氧阻擋保護(hù)膜18中，如果厚度超 過(guò)所需程度，則會(huì)對(duì)熱線反射玻璃10的外觀造成較大影響。分別對(duì)于氧阻擋基底膜16和 氧阻擋保護(hù)膜18，為了阻擋氧，膜厚盡量越大越好，由于外觀的關(guān)系，膜厚盡量越小越好。本實(shí)施方式中，氧阻擋基底膜和氧阻擋保護(hù)膜假設(shè)為由SiNx形成的膜來(lái)進(jìn)行說(shuō) 明，但本發(fā)明中，氧阻擋基底膜和氧阻擋保護(hù)膜都不限定于SiNx0本發(fā)明中，氧阻擋基底膜 和氧阻擋保護(hù)膜必須是在可見(jiàn)光范圍內(nèi)透明的非氧化物膜或者未完全氧化且即使氧化也 在可見(jiàn)光范圍內(nèi)透明的膜。氧阻擋基底膜和氧阻擋保護(hù)膜是在熱處理中被加熱時(shí)防止氧進(jìn) 入氮化鉻膜，且即使氧阻擋基底膜本身或氧阻擋保護(hù)膜本身含氧，也不會(huì)將該氧釋放至氮 化鉻膜的膜。所述的氧阻擋基底膜和氧阻擋保護(hù)膜即使被氧化，也僅折射率發(fā)生變化，不產(chǎn) 生吸收，呈透明。因此，較好是不會(huì)對(duì)熱處理后的光學(xué)特性產(chǎn)生較大影響的材料。作為氧阻擋基底膜和氧阻擋保護(hù)膜的例子，可以優(yōu)選例舉以氮化物、硼氮化物、碳 氮化物、硅氮化物中的至少一種作為主要成分的膜。作為特別優(yōu)選的例子，可以例舉以硅或 硼的氮化物為主要成分的膜或者以選自硅、硼、鋁、鋯及錫的至少2種以上的氮化物為主要 成分的膜，代表性的例子有硅氮化鋯膜、硅氮化錫膜等。或者，可以是以上述的氮化物、硼氮 化物、碳氮化物、硅氮化物等的部分氧化物為主要成分的膜。以上的例子中，以氮化硅或硅 氮化鋯為主要成分的膜的氧阻擋性能特別好，最優(yōu)選。在這里，氧阻擋性是指防止氧從基板 側(cè)通過(guò)氧阻擋基底膜或者從大氣側(cè)通過(guò)氧阻擋保護(hù)膜進(jìn)入氮化鉻膜的性能。作為以上所述的氧阻擋基底膜和氧阻擋保護(hù)膜的氮化物膜等中，將氮化硅表示為 SiNx，這時(shí)χ表示數(shù)字。這意味著即使氮化物未以化學(xué)計(jì)量學(xué)上最一般的比例結(jié)合，但只要 在可見(jiàn)光范圍內(nèi)透明即可。例如，氮化硅的情況下，一般是Si3N4，為了在可見(jiàn)光范圍內(nèi)呈透 明，N相對(duì)于Si的比值(相當(dāng)于所述的χ)較好是在1.25以上，特別好是在1.28以上。熱線反射用的氮化鉻(CrNx，x為0 < χ < 1的數(shù)值)膜14的特征在于，氮化鉻膜 中，氮原子數(shù)相對(duì)于鉻原子數(shù)的比例為20 % 60 %，更好是40 % 60 %。在這里，氮原子 數(shù)相對(duì)于鉻原子數(shù)的比例是指(氮原子數(shù)/鉻原子數(shù))X 100%，如果使用(氮原子數(shù)/鉻 原子數(shù))=x，則氮原子數(shù)相對(duì)于鉻原子數(shù)的比例也可表現(xiàn)為xX100%。本實(shí)施方式的熱 線反射玻璃10中，對(duì)于熱線反射用的氮化鉻(CrNx)膜14，通過(guò)使膜中的氮原子數(shù)相對(duì)于鉻 原子數(shù)的比例為20 % 60 %，可實(shí)現(xiàn)可見(jiàn)光透射率在35 %以下且太陽(yáng)輻射透射率相對(duì)于 可見(jiàn)光透射率的比值低于1. 0的熱線反射玻璃。在這里，可見(jiàn)光透射率是指JIS R 3106 (1998年)中所定義的值。此外，太陽(yáng)輻 射透射率是指JIS R 3106(1998年)中所定義的值。具體來(lái)說(shuō)，可見(jiàn)光透射率可以通過(guò)將 對(duì)象物的光譜透射比的值乘以由CIE日光D65的光譜和CIE明視覺(jué)的相對(duì)可見(jiàn)度的波長(zhǎng)分 布得到的權(quán)重系數(shù)(在波長(zhǎng)范圍380nm 780nm的范圍內(nèi)設(shè)定的系數(shù))并加權(quán)平均而求 得。此外，太陽(yáng)輻射透射率可以通過(guò)將對(duì)象物的光譜透射比、光譜反射率的測(cè)定值及由其導(dǎo) 出的光譜吸收率的值乘以表示太陽(yáng)輻射的標(biāo)準(zhǔn)光譜分布的權(quán)重系數(shù)(在波長(zhǎng)范圍300nm 2100nm的范圍內(nèi)設(shè)定的系數(shù))并加權(quán)平均而求得。還有，太陽(yáng)輻射透射率的計(jì)算中使用的 表示太陽(yáng)輻射的標(biāo)準(zhǔn)光譜分布的權(quán)重系數(shù)在約IOOOnm 1300nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)設(shè)定為比其他波長(zhǎng)范圍大得多的值。太陽(yáng)輻射透射率可以說(shuō)很好地表現(xiàn)了太陽(yáng)光中特別是IOOOnm 1300nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)、即所謂的近紅外范圍內(nèi)的熱線的透射率的程度。本實(shí)施方式的熱線反射玻璃10的熱線反射用的氮化鉻(CrNx)膜14可以通過(guò)以 下所述的方法制造。例如，將設(shè)有氧阻擋基底膜16的玻璃基板12配置于濺射裝置的真空 室內(nèi)，將真空室內(nèi)首先排氣至例如1. 3X IO-3Pa0接著，向真空室內(nèi)以例如20sCCm的氣體流 量供給氮?dú)?以下也將氮記作N2)，以例如SOsccm的氣體流量供給氬氣(以下也將氬記作 Ar)，同時(shí)將真空室內(nèi)的壓力控制為例如6. OX KT1Patj在該控制狀態(tài)下，使用DC脈沖電源 投入例如2. OOkff的電力，在反應(yīng)容器內(nèi)生成等離子體，以鉻靶材為濺射靶材來(lái)進(jìn)行反應(yīng)性 濺射，從而形成氮化鉻(CrNx)膜14。在這里，作為惰性氣體，采用Ar氣體1種作為例子，但可以是Ar氣體以外的惰性 氣體，還可以是多種惰性氣體的組合。還有，N2氣體和Ar氣體各自的流量(單位時(shí)間的流入量)通過(guò)設(shè)于與室連接的各 氣體各自的氣體供給管的質(zhì)量流量控制器調(diào)整。各氣體的流量以規(guī)定時(shí)間內(nèi)流入室內(nèi)的各 氣體各自的標(biāo)準(zhǔn)化的體積(以Iatm[大氣壓1013hPa]、0°C標(biāo)準(zhǔn)化的體積)表示，例如可以 使用SCCm(標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘)單位表示。Ar氣體流量/N2氣體流量相當(dāng)于室內(nèi)的Ar氣體 分壓/N2氣體分壓，與室內(nèi)的Ar氣體原子數(shù)/N2氣體原子數(shù)對(duì)應(yīng)。在這里，氣體比的表示采 用Ar氣體流量/N2氣體流量或Ar氣體N2氣體。以往，通過(guò)反應(yīng)性濺射形成氮化鉻膜時(shí)，一般將N2氣體設(shè)為100%，使用鉻靶材進(jìn) 行反應(yīng)性濺射。其理由是，對(duì)于氮化鉻，希望使膜的光學(xué)常數(shù)(折射率、消光系數(shù))穩(wěn)定，但 即使使N2氣體比例(例如將Ar氣體與N2氣體混合時(shí)的N2氣體的比例)相同，氮化鉻的氮 化程度(χ的值)也會(huì)因裝置的影響(排氣泵的位置、混合氣體的導(dǎo)入位置)、濺射時(shí)的施加 電力等而變化，需要對(duì)其進(jìn)行調(diào)整。為了避免該調(diào)整，一般以100%的N2氣體進(jìn)行濺射。本實(shí)施方式中，通過(guò)反應(yīng)性濺射制造氮化鉻(CrNx)膜14時(shí)，通過(guò)使流入反應(yīng)容器 (真空室)內(nèi)的N2氣體與Ar氣體的流量(單位時(shí)間的流入量)的比滿足Ar氣體N2氣體 =70 30 90 10，從而使氮化鉻(CrNx)膜14中的氮原子數(shù)相當(dāng)于鉻原子數(shù)的比例為 20% 60%。較好是使Ar氣體與N2氣體的流量的比滿足Ar氣體N2氣體=70 30 80 20。這時(shí)，膜內(nèi)的氮原子數(shù)相當(dāng)于鉻原子數(shù)的比例為約40% 約60%。如上所述，氧阻擋基底膜16和氧阻擋保護(hù)膜18設(shè)定為可充分防止施加熱處理時(shí) 氧進(jìn)入氮化鉻(CrNx)膜14的程度的膜厚。因此，即使對(duì)熱線反射玻璃10進(jìn)行玻璃的強(qiáng)化 處理和彎曲加工處理中所施加的一般的熱處理(例如加熱至500°C 700°C的熱處理)，熱 線反射玻璃10的光學(xué)特性也幾乎不會(huì)變化。此外，以氮化鉻膜14為熱線反射膜構(gòu)成的熱 線反射玻璃的外觀也良好。作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式的圖1(a)所示的熱線反射玻璃10 是可見(jiàn)光透射率Tv在35%以下且太陽(yáng)輻射透射率Te/可見(jiàn)光透射率Tv低于1. 0，較好是在 0.9以下，并且即使施加用于強(qiáng)化或彎曲加工的熱處理，光學(xué)特性(可見(jiàn)光透射率Tv、太陽(yáng) 輻射透射率 ；、透射色調(diào)(光譜曲線的形狀))也幾乎不會(huì)變化，外觀也良好的熱線反射玻璃。圖1(b)所示的熱線反射玻璃20是本發(fā)明的熱線反射玻璃的另一種實(shí)施方式，在 不過(guò)度破壞圖1(a)具有的外觀的情況下，防止氧或其他雜質(zhì)進(jìn)入熱線反射用的氮化鉻膜 14。圖1(b)所示的熱線反射玻璃20的特征在于，與圖1(a)所示的熱線反射玻璃相比，在氧阻擋基底膜16與玻璃基板12之間設(shè)有例如由二氧化硅(SiO2)形成的雜質(zhì)阻擋基底膜 17。雜質(zhì)阻擋基底膜17在例如施加用于強(qiáng)化或彎曲加工的熱處理時(shí)阻擋從玻璃基板12向 氮化鉻膜14進(jìn)入的玻璃基板12所含的各種雜質(zhì)。作為雜質(zhì)阻擋基底膜17的成膜方法，可 以例舉CVD(Chemical Vapor D印osition，化學(xué)氣相沉積)法等公知的各種方法，沒(méi)有特別限定。作為浮法平板玻璃的玻璃基板12以二氧化硅(SiO2)為主要成分，各種雜質(zhì)的含 量較多。玻璃基板12所含的雜質(zhì)特別是在實(shí)施加熱處理時(shí)移動(dòng)較大，圖1 (b)所示的熱線 反射玻璃20中，即使是實(shí)施加熱處理時(shí)，雜質(zhì)阻擋基底膜17也阻止例如鈉(Na)等雜質(zhì)的 移動(dòng)，防止雜質(zhì)到達(dá)氮化鉻膜14。雜質(zhì)阻擋基底膜17是由與作為玻璃基板12的主要成分 的二氧化硅(SiO2)相同的成分形成的薄膜，折射率等光學(xué)特性與玻璃基板12基本同等，對(duì) 熱線反射膜20的外觀不會(huì)造成特別的影響。還有，二氧化硅(SiO2)含有較多的氧原子，該 氧原子的移動(dòng)被氧阻擋基底膜16阻止，因此雜質(zhì)阻擋基底膜17的氧原子也不會(huì)到達(dá)氮化 鉻膜14。圖1(b)所示的熱線反射玻璃20也是可見(jiàn)光透射率Tv在35%以下且太陽(yáng)輻射透 射率Te/可見(jiàn)光透射率Tv低于1. 0，并且即使施加用于強(qiáng)化或彎曲加工的熱處理，光學(xué)特性 也幾乎不會(huì)變化，外觀也良好的熱線反射玻璃。為了在不過(guò)度破壞熱線反射玻璃的外觀的情況下防止玻璃基板12的雜質(zhì)到達(dá)氮 化鉻膜14，較好是以圖1(b)的形態(tài)構(gòu)成熱線反射玻璃。對(duì)于玻璃基板12所含的雜質(zhì)無(wú)需 特別考慮的情況等(玻璃基板12中幾乎不含雜質(zhì)的情況等)，僅通過(guò)以圖1 (a)所示的形態(tài) 構(gòu)成熱線反射玻璃，施加用于強(qiáng)化或彎曲加工的熱處理，氮化鉻(CrNx)膜14的光學(xué)性質(zhì)和 熱學(xué)性質(zhì)的平衡也不會(huì)破壞。以下，基于實(shí)施例和實(shí)驗(yàn)例對(duì)作為本發(fā)明的熱線反射玻璃的一例的熱線反射玻璃 進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施例1作為實(shí)施例1，制成與圖1(a)所示的第一種實(shí)施方式對(duì)應(yīng)的熱線反射玻璃。具體 來(lái)說(shuō)，實(shí)施例1中，通過(guò)反應(yīng)性濺射在玻璃基板(FL6)上形成由氮化硅(SiNx)形成的氧阻 擋基底膜，通過(guò)反應(yīng)性濺射在氧阻擋基底膜的表面層疊形成氮化鉻膜。然后，在氮化鉻膜的 表面層疊形成由氮化硅形成的氧阻擋保護(hù)膜。形成由氮化硅(SiNx)形成的氧阻擋基底膜和氧阻擋保護(hù)膜時(shí)的條件如下·濺射靶材130mmX430mm的尺寸的多晶Si靶材；·濺射中的N2氣體流量IOOsccm ；·濺射中的室內(nèi)壓力5. IXlO-1Pa ；·等離子體生成電力以自DC脈沖電源的投入電力計(jì)為2. OOkff ；在這里，SiNx通常是指Si3N4，也包括Si與N的比稍有偏差的組成的材料。此外，形成氮化鉻膜時(shí)的條件如下·濺射靶材130mm X 430mm的尺寸的鉻靶材；·濺射中的Ar氣體流量80sccm ；·濺射中的N2氣體流量20sCCm ；·濺射中的室內(nèi)壓力6· OXlO-1Pa ；·等離子體生成電力以自DC脈沖電源的投入電力計(jì)為2.00kW。
對(duì)于實(shí)施例1的熱線反射玻璃，通過(guò)反應(yīng)性濺射制造氮化鉻膜時(shí)，將流入反應(yīng)容 器(真空室)內(nèi)的上述的Ar氣體流量/N2氣體流量設(shè)為4.0。通過(guò)所述條件成膜而得的氮 化鉻膜14的氮原子數(shù)相對(duì)于鉻原子數(shù)的比例(N/Cr)為約41%。還有，氮原子相對(duì)于鉻原子的比例(N/Cr)通過(guò)對(duì)成膜而得的氮化鉻膜使用 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy，X射線光電子能譜法)而求得。實(shí)施例1中，作 為XPS裝置，使用物理電子學(xué)公司(Physical ElectronicsInc)制的Quantera SXM裝置。 使用該裝置在以下的測(cè)定條件下測(cè)定了氮原子相對(duì)于鉻原子的比例(N/Cr)· X 射線源單色 Al，Ka，I486. 7 (eV)，25W ； 檢測(cè)角度45(度)； 通道能量224.0(eV)；· eV/步0· 4(eV)；·濺射條件=Ar 氣體，2 (kV) ,3X3 (mm2)，3 (分鐘)；上述濺射條件為了去除表面的污染層而設(shè)置。實(shí)施例1的氮原子相對(duì)于鉻原子的比例(N/Cr)是根據(jù)所述測(cè)定中得到的發(fā)射光 電子的能譜使用該XPS裝置附帶的軟件求出氮原子相對(duì)于鉻原子的比例(N/Cr)而得的值。 具體來(lái)說(shuō)，認(rèn)為與Cr原子的2p峰對(duì)應(yīng)的565 600 (eV)范圍的能譜量對(duì)應(yīng)于Cr量，與氮 原子的Is峰對(duì)應(yīng)的392 407 (eV)范圍的能譜量對(duì)應(yīng)于N量，計(jì)算N/Cr。還有，XPS裝置附帶的軟件計(jì)算時(shí)，作為相對(duì)靈敏度系數(shù)，Cr原子的2p峰使用 0. 860的系數(shù)，氮原子的Is峰使用0. 499的系數(shù)，根據(jù)由XPS裝置得到的測(cè)定值求出鉻原 子、氮原子的量。還有，實(shí)施例1中，氮化鉻膜的膜厚設(shè)為21nm，而氧阻擋基底膜設(shè)為lOnm，氧阻擋 保護(hù)膜設(shè)為20nm。各層的膜厚是預(yù)先使用觸針型的膜厚測(cè)定器根據(jù)膜厚和成膜時(shí)間求出成 膜速率，由該成膜速率和成膜時(shí)間推定的值。該氮化鉻膜的膜厚(21nm)是以在氧阻擋基底 膜設(shè)為lOnm、氧阻擋保護(hù)膜設(shè)為20nm的狀態(tài)下可見(jiàn)光透射率Tv達(dá)到約14. 0%的條件預(yù)先 設(shè)定的膜厚。表1是匯總了對(duì)于實(shí)施例1的熱線反射玻璃分別在上述JIS標(biāo)準(zhǔn)中所規(guī)定的測(cè)定 條件下測(cè)量太陽(yáng)輻射透射率T6和可見(jiàn)光透射率Tv的值以及太陽(yáng)輻射透射率T6/可見(jiàn)光透 射率Tv的表。表1中也一并示出了對(duì)實(shí)施例1的熱線反射玻璃施加熱處理后的狀態(tài)下的 上述可見(jiàn)光透射率τν’和太陽(yáng)輻射透射率T/的測(cè)量值以及太陽(yáng)輻射透射率T/ /可見(jiàn)光透 射率τν’。還有，作為熱處理的條件，按照玻璃的強(qiáng)化處理和彎曲加工處理中所施加的一般 的熱條件(500°C 700°C )，設(shè)為650°C (爐內(nèi)的氣氛溫度)、15分鐘。[表 1] 如表1所示，實(shí)施例1的熱線反射玻璃即使施加用于強(qiáng)化或彎曲加工的熱處理，光 學(xué)特性也幾乎不會(huì)變化。實(shí)施例1的熱線反射玻璃在施加熱處理之前和施加熱處理之后都 滿足近年來(lái)需求不斷增加的熱線反射玻璃所要求的特性，例如可見(jiàn)光透射率1；在35%以下 且太陽(yáng)輻射透射率Ty可見(jiàn)光透射率Tv低于1.0的特性。實(shí)施例2首先，將氮化鉻(CrNx)單膜的光學(xué)性能作為參考例進(jìn)行了考察。圖2是本發(fā)明人進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)的結(jié)果的一例，示出在玻璃基板上分別以不同的成膜 條件制造氮化鉻膜(CrNx)單膜而構(gòu)成的多個(gè)樣品A1 A5各自的光譜透射比的圖譜。多個(gè) 樣品A1 A5都是在清潔的玻璃基板(FL6)的表面通過(guò)反應(yīng)性濺射法制造氮化鉻膜而得的樣品。氮化鉻(CrNx)單膜的樣品A1 A5分別是通過(guò)將玻璃基板配置于反應(yīng)容器(真空 室)內(nèi)，將真空室內(nèi)控制為含N2氣體的氣氛的同時(shí)，以鉻(Cr)靶材作為濺射靶材進(jìn)行濺射， 從而在玻璃基板的表面形成熱線反射用的氮化鉻膜而得的樣品。各樣品A1 A5中，改變了 反應(yīng)性濺射時(shí)供給至真空室內(nèi)的Ar氣體的流量相對(duì)于N2氣體的流量的比Ar/N2。不僅是圖 2，后面說(shuō)明的圖3和圖5中，也將Ar氣體的流量相對(duì)于N2氣體的流量的比以Ar/N2表示。多個(gè)樣品A1 A5的制造中形成氮化鉻膜時(shí)，Ar氣體的流量相對(duì)于N2氣體的流量 的比以外的條件如下·濺射靶材130mm X 430mm的尺寸的鉻靶材；·濺射中的氣體總流量(Ar氣體流量+N2氣體流量)lOOsccm ；·濺射中的室內(nèi)壓力:6· OXlO-1Pa ；·等離子體生成電力以自DC脈沖電源的投入電力計(jì)為2.00kW。還有，對(duì)于各樣品A1 A5的氮化鉻膜的膜厚，都根據(jù)事先求得的成膜速率和成膜 時(shí)間以各樣品A1 A5的氮化鉻膜的膜厚達(dá)到約20nm的條件設(shè)定。分別形成各樣品A1 A5時(shí)，Ar氣體流量/N2氣體流量設(shè)為圖2所示的圖表中記 載的各值。樣品A1和樣品A2是以往例，即設(shè)為氣體比(Ar氣體N2氣體)=(O 100)、 (60 40)來(lái)進(jìn)行反應(yīng)性濺射而制成的樣品(以下也將氣體比表示為(Ar N2))。表2是匯總了分別與樣品A1 A5對(duì)應(yīng)的氮化鉻成膜時(shí)的氣體比和氮原子相對(duì)于 鉻原子的原子數(shù)的比例(N/Cr)的表。還有，表2和圖2中，除了樣品~ A5之外，還示出 新的樣品A6。樣品A6是在將Ar氣體流量/N2氣體流量設(shè)為(Ar N2) = (100 0)、即完 全不導(dǎo)入N2氣體的條件下形成氮化鉻膜(但(N/Cr) = 0)而得樣品。表2和表3所示的 氮原子相對(duì)于鉻原子的原子數(shù)的比例(N/Cr)是采用與上述實(shí)施例1中說(shuō)明的使用XPS裝 置的測(cè)定方法及條件同樣的測(cè)定方法及條件求得的值。[表2] 如圖2所示，氮化鉻單膜的光譜透射比的圖表在各樣品A2 A6中各不相同。具 體從光譜透射比的圖表的趨勢(shì)來(lái)看，隨著氮化鉻膜中的氮原子相對(duì)于鉻原子的比例(N/Cr) 的減小，按照樣品A1 A5的順序，在整個(gè)波長(zhǎng)范圍(具體為300nm 2100nm)內(nèi)光譜透射 比依次降低。接著，作為實(shí)施例，采用以氮化硅(SiNx)夾住上述氮化鉻膜的結(jié)構(gòu)，即通過(guò)反應(yīng) 性濺射在玻璃基板(FL6)上形成由氮化硅(SiNx)形成的氧阻擋基底膜(IOnm)，通過(guò)反應(yīng)性 濺射在氧阻擋基底膜的表面層疊形成濺射氣體中的Ar氣體流量/N2氣體流量不同的氮化 鉻膜(20nm)。然后，在氮化鉻膜的表面層疊形成由氮化硅形成的氧阻擋保護(hù)膜(20nm)。形成由氮化硅(SiNx)形成的氧阻擋基底膜和氧阻擋保護(hù)膜時(shí)的條件如下·濺射靶材130mmX430mm的尺寸的多晶Si靶材；·濺射中的N2氣體流量IOOsccm ；·濺射中的室內(nèi)壓力5. IXlO-1Pa ；·等離子體生成電力以自DC脈沖電源的投入電力計(jì)為2.00kW。以氮化硅(SiNx)夾住不同的Ar氣體流量/N2氣體流量的氮化鉻膜的結(jié)構(gòu)(樣品 B1-B6)的光譜透射比示于圖3。此外，物性值示于表3。作為比較例的樣品B1和B2中，與可見(jiàn)光范圍內(nèi)的光譜透射比相比，比可見(jiàn)光范圍 更靠近長(zhǎng)波的一側(cè)的光譜透射比整體上增大。與樣品B1和B2相對(duì)，本發(fā)明的樣品B3 B5 中，可見(jiàn)光范圍內(nèi)的光譜透射比與比可見(jiàn)光范圍更靠近長(zhǎng)波的一側(cè)的光譜透射比整體上來(lái) 看為大致同等的透射率。但是，若注意長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)的波長(zhǎng)范圍內(nèi)、特別是近紅外范圍(波長(zhǎng)范 圍約IOOOnm 1300nm)，特別是樣品B3和B4中，與可見(jiàn)光范圍內(nèi)的光譜透射比相比，近紅 外范圍內(nèi)的光譜透射比明顯較低。作為比較例的B6中，可見(jiàn)光范圍內(nèi)的透射率比近紅外范 圍部分低。還有，這些樣品B3 B5未進(jìn)行加熱處理后的光學(xué)特性的確認(rèn)，但由于樣品B4大致 與實(shí)施例1的樣品同等，因此認(rèn)為B3 B5的加熱處理后的光學(xué)特性與實(shí)施例1同樣，光學(xué) 特性(IVTv)沒(méi)有變化。如上所述，可以說(shuō)上述JIS標(biāo)準(zhǔn)中所定義的可見(jiàn)光透射率Tv很好地反映了可見(jiàn)光范圍(波長(zhǎng)范圍380nm 780nm)內(nèi)的光譜透射比的程度，同樣JIS標(biāo)準(zhǔn)中所定義的太陽(yáng) 輻射透射率很好地反映了特別是近紅外范圍(波長(zhǎng)范圍IOOOnm 1300nm)內(nèi)的光譜透射 比的程度。求太陽(yáng)輻射透射率Te/可見(jiàn)光透射率Tv時(shí)，相對(duì)于作為比較例的樣品B1和B2, B3 B5的太陽(yáng)輻射透射率 ；/可見(jiàn)光透射率Tv顯示較小的值，特別是樣品B3和樣品B4中 達(dá)到0.9以下。[表3] 通過(guò)在可見(jiàn)光透射率Tv恒定(14% )的條件下求太陽(yáng)輻射透射率T6/可見(jiàn)光透射 率Tv的模擬而得的計(jì)算值示于表4。為了使可見(jiàn)光透射率Tv恒定(14%)，改變氮化鉻膜的 膜厚，由氮化硅(SiNx)形成的氧阻擋基底膜(IOnm)、由氮化硅形成的氧阻擋保護(hù)膜(20nm) 的膜厚固定。表4所示的樣品C1 C6示出在假定為具有與圖1(a)所示的熱線反射玻璃10同 樣的結(jié)構(gòu)的熱線反射玻璃，使用圖2所示的光譜透射比的實(shí)測(cè)值、公知的SiNx膜(氧阻擋 基底膜和氧阻擋保護(hù)膜)的光譜透射比、公知的玻璃基板的光譜透射比，分別計(jì)算上述JIS 標(biāo)準(zhǔn)中所規(guī)定的太陽(yáng)輻射透射率Te和可見(jiàn)光透射率Tv時(shí)的值。還有，樣品C4的計(jì)算值是通 過(guò)與上述實(shí)施例1的實(shí)測(cè)的熱線反射玻璃相同的膜厚、氣體比的條件時(shí)的模擬(計(jì)算)求 得的值。C3 C5是本發(fā)明的實(shí)施例。[表4] 表3、表4的結(jié)果示于圖4、圖5。圖4中，氮化鉻膜中的氮原子數(shù)相對(duì)于鉻原子數(shù) 的比例(N/Cr)為20% 60% (圖表上表示為0. 2 0. 6)時(shí)，太陽(yáng)輻射透射率Te/可見(jiàn)光 透射率Tv在0. 95以下。此外，可知在該范圍內(nèi)太陽(yáng)輻射透射率T6/可見(jiàn)光透射率Tv的變 化少，相對(duì)于氮原子數(shù)相對(duì)于鉻原子數(shù)的比例(N/Cr)的變化，太陽(yáng)輻射透射率T6/可見(jiàn)光 透射率Tv穩(wěn)定。此外，圖5中，通過(guò)反應(yīng)性濺射制造氮化鉻膜時(shí)，N2氣體與Ar氣體的流量(單位時(shí) 間的流入量)的比滿足(Ar N2) = (70 30) (90 10)時(shí)，太陽(yáng)輻射透射率Te/可見(jiàn) 光透射率1；在0. 95以下。此外，可知在該范圍內(nèi)太陽(yáng)輻射透射率T6/可見(jiàn)光透射率Tv的變 化少，相對(duì)于N2氣體與Ar氣體的流量的變化，太陽(yáng)輻射透射率 ；/可見(jiàn)光透射率Tv穩(wěn)定。由這些結(jié)果可知，本發(fā)明中通過(guò)使氮原子數(shù)相對(duì)于鉻原子數(shù)的比例(N/Cr)為 20% 60%，或者對(duì)于氮化鉻膜以(Ar N2) = (70 30) (90 10)的條件進(jìn)行反應(yīng) 性濺射，可以獲得具有可見(jiàn)光透射率Tv在35%以下且太陽(yáng)輻射透射率IJ可見(jiàn)光透射率Tv 低于1.0的性能的熱線反射玻璃，還可以相對(duì)于氮化鉻膜的成膜條件的變化，減少太陽(yáng)輻 射透射率T6/可見(jiàn)光透射率Tv的變化。實(shí)施例3還有，圖6中示出在(Ar N2) = (80 20)的氣體流量條件下使氮化鉻膜(CrNx) 的膜厚變化來(lái)成膜得到的多個(gè)樣品D1 D5各自的光譜透射比的圖譜。樣品D1 D5的各樣 品與樣品C4的成膜條件相比，分別僅氮化鉻膜(CrNx)的膜厚不同。即，圖6所示的各樣品 D1 D5都將Ar氣體流量/N2氣體流量設(shè)定為(Ar N2) = (80 20)制造，氮化鉻膜中的 原子數(shù)的比例(N/Cr)都為0. 41。還有，圖6的圖表中所示的膜厚根據(jù)使用事先求得的成膜 速率測(cè)得的值以事先計(jì)算好的成膜時(shí)間來(lái)獲得。如圖6所示，氮化鉻膜中的氮原子相對(duì)于鉻原子的比例(N/Cr)都大致同等的情況 下，即使氮化鉻膜的膜厚改變，光譜透射比的大的趨勢(shì)也沒(méi)有明顯的變化。氮化鉻膜中，太 陽(yáng)輻射透射率T6/可見(jiàn)光透射率Tv由氮化鉻膜中的N2原子相對(duì)于鉻原子的比例(N/Cr)決 定，進(jìn)而由反應(yīng)性濺射中的Ar氣體流量/N2氣體流量決定，膜厚不產(chǎn)生影響。反過(guò)來(lái)說(shuō)，即 使僅改變氮化鉻膜的膜厚，也可以使光譜透射比的圖譜整體上下降，降低可見(jiàn)光透射率的 絕對(duì)值和太陽(yáng)輻射透射率的絕對(duì)值，但僅通過(guò)改變氮化鉻膜的膜厚，無(wú)法調(diào)整太陽(yáng)輻射透 射率相對(duì)于可見(jiàn)光透射率的比。本發(fā)明人首次發(fā)現(xiàn)這樣的現(xiàn)象，從而想到了本發(fā)明。表5表示根據(jù)圖6所示的光譜透射比的值求得的物性值。即使氮化鉻膜的膜厚 變化，太陽(yáng)輻射透射率I；/可見(jiàn)光透射率Tv也相同。樣品D1 D5中，可見(jiàn)光透射率Tv在約10% 約20%的范圍內(nèi)，大樓等的室內(nèi)的人感覺(jué)到的耀眼程度和從外部無(wú)法觀察到內(nèi)部的 私密性充分，且太陽(yáng)輻射透射率Te/可見(jiàn)光透射率Tv低至0. 87，具有防止熱量流入室內(nèi)的 效果。[表5] 對(duì)于本發(fā)明的熱線反射玻璃，形成于玻璃基板的層的結(jié)構(gòu)并不局限于上述的各實(shí) 施方式。例如，為了更高精度地防止氧進(jìn)入熱線反射用的氮化鉻膜，可以在圖1所示的實(shí)施 方式的作為最上層的氧阻擋保護(hù)膜的上層再設(shè)置第二保護(hù)膜。作為第二保護(hù)膜，例如是由 金屬氧化物形成的可見(jiàn)光范圍內(nèi)透明的膜，較好是氧阻擋性高的膜。具體來(lái)說(shuō)，可以例舉氧 化錫、氧化鉭、氧化鈮、氧化鈦、氧化硅、氧化鋯、氧化鋅等。所述第二保護(hù)膜的厚度考慮熱線 反射玻璃需具有的氧阻擋性能和光學(xué)特性等確定即可。此外，還可以根據(jù)需要設(shè)置該第二 保護(hù)膜以外的層。以上，對(duì)本發(fā)明的熱線反射玻璃及熱線反射玻璃的制造方法進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但 本發(fā)明當(dāng)然并不局限于上述實(shí)施方式和實(shí)施例，在不超出本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行 各種改良和變更。產(chǎn)業(yè)上利用的可能性本發(fā)明的熱線反射玻璃由于不僅太陽(yáng)輻射熱的屏蔽性能良好，而且即使實(shí)施強(qiáng)化 處理或彎曲加工，光學(xué)性能也幾乎不會(huì)變化，因此可良好地用于建筑物和車的玻璃窗，也可 廣泛地應(yīng)用于航空器、列車等車以外的移動(dòng)裝置等。在這里引用2007年12月27日提出申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2007-336133號(hào)的說(shuō)明 書、權(quán)利要求書、附圖和摘要的所有內(nèi)容，作為本發(fā)明說(shuō)明書的揭示采用。
權(quán)利要求
一種熱線反射玻璃，其特征在于，在玻璃基板上依次設(shè)有氧阻擋基底膜、氮化鉻膜和氧阻擋保護(hù)膜，所述氮化鉻膜中的氮相對(duì)于鉻的原子數(shù)的比例以氮原子數(shù)/鉻原子數(shù)表示為20％～60％。
2.如權(quán)利要求1所述的熱線反射玻璃，其特征在于，所述氧阻擋基底膜和所述氧阻擋 保護(hù)膜為以硅或硼的氮化物為主要成分的膜或者以選自硅、硼、鋁、鋯及錫的至少2種以上 的元素的氮化物為主要成分的膜。
3.如權(quán)利要求1或2所述的熱線反射玻璃，其特征在于，JISR 3106 (1998年)中所定 義的可見(jiàn)光透射率在35%以下，且JIS R 3106 (1998年)中所定義的太陽(yáng)輻射透射率相對(duì) 于該可見(jiàn)光透射率的比值以太陽(yáng)輻射透射率/可見(jiàn)光透射率表示低于1. 0。
4.如權(quán)利要求1 3中的任一項(xiàng)所述的熱線反射玻璃，其特征在于，實(shí)施了加熱至 500°C以上的處理。
5.如權(quán)利要求1 4中的任一項(xiàng)所述的熱線反射玻璃，其特征在于，所述氧阻擋基底膜 的膜厚為5 20nm。
6.如權(quán)利要求1 5中的任一項(xiàng)所述的熱線反射玻璃，其特征在于，所述氧阻擋保護(hù)膜 的膜厚為10 30nm。
7.如權(quán)利要求1 6中的任一項(xiàng)所述的熱線反射玻璃，其特征在于，在所述玻璃基板與 氧阻擋基底膜之間具有阻止該玻璃基板所含的雜質(zhì)的移動(dòng)的雜質(zhì)阻擋基底膜。
8.一種熱線反射玻璃的制造方法，該方法是制造在玻璃基板上依次設(shè)有氧阻擋基底 膜、氮化鉻膜和氧阻擋保護(hù)膜的熱線反射玻璃的方法，其特征在于，包括將玻璃基板導(dǎo)入成膜室內(nèi)，通過(guò)在使所述室內(nèi)呈含氮?dú)夥盏那闆r下濺射鉻靶材，從而 在所述玻璃基板上設(shè)置氮化鉻膜的工序；在所述濺射的過(guò)程中，使氮?dú)饬魅胨鍪覂?nèi)的同時(shí)，使所述氮?dú)庖酝獾亩栊詺怏w流入 所述室內(nèi)，將所述惰性氣體的流入量的比例調(diào)整至惰性氣體氮?dú)?70 30 90 10 的范圍內(nèi)的工序。
9.如權(quán)利要求8所述的熱線反射玻璃的制造方法，其特征在于，包括在所述濺射之前，在所述玻璃基板上設(shè)置以硅或硼的氮化物為主要成分的膜或者以選 自硅、硼、鋁、鋯及錫的至少2種以上的元素的氮化物為主要成分的膜作為氧阻擋基底膜的工序；在所述濺射之后，在所述氮化鉻膜的表面設(shè)置以硅或硼的氮化物為主要成分的膜或者 以選自硅、硼、鋁、鋯及錫的至少2種以上的元素的氮化物為主要成分的膜作為氧阻擋保護(hù) 膜的工序。
10.如權(quán)利要求8或9所述的熱線反射玻璃的制造方法，其特征在于，在設(shè)置所述氧阻 擋基底膜、所述氮化鉻膜和所述氧阻擋保護(hù)膜后，進(jìn)行500°C以上的熱處理。
全文摘要
本發(fā)明提供可見(jiàn)光透射率Tv在35％以下且太陽(yáng)輻射透射率Te/可見(jiàn)光透射率Tv低于1.0，并且即使施加用于強(qiáng)化或彎曲加工的熱處理，光學(xué)特性也幾乎不會(huì)變化，至少設(shè)有氮化鉻膜的熱線反射玻璃。在玻璃基板的表面設(shè)置由氮化硅形成的氧阻擋基底膜，在該氧阻擋基底膜的上層設(shè)置熱線反射用的氮化鉻膜，再在氮化鉻膜的上層設(shè)置由氮化硅形成的氧阻擋保護(hù)膜。使該熱線反射用的氮化鉻膜的氮原子數(shù)相對(duì)于鉻原子數(shù)的比例為20％～60％。
文檔編號(hào)C03C17/34GK101910083SQ200880123198
公開(kāi)日2010年12月8日 申請(qǐng)日期2008年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月27日
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