專利名稱：晶片固定板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及對作為切削對象的晶片進行固定的晶片固定板。
技術背景半導體晶片、玻璃基板、在電極板上配置多個器件并進行樹脂密封而構成的CSP基板等各種晶片，通過切削刀切削而被分割成各個器件等。切削刀通過在圓板狀的基臺的外周緣上固定安裝切削刃部而構 成，切削刀邊高速旋轉邊使切削刃部切入被加工物而進行切削，所以 會在切削刃部產生變鈍、氣孔堵塞等現(xiàn)象。因此，定期地在切削空閑 時間中使切削刃部切入到修整板中來進行切削刃部的修整，該修整板 通過將綠色金剛砂、氧化鋁等磨粒用陶瓷粘合劑、樹脂粘合劑等粘合 劑固結并成形為板狀，由此來防止切削刃部的變鈍、氣孔堵塞等情況。但是，當如玻璃板或CSP基板那樣用切削刀對由比較有粘性的材料形成的基板進行切削時，切削刃部的變鈍、氣孔堵塞問題顯著，需 要頻繁地中斷切削來進行修整，從而有生產率降低的問題。為了解決這樣的問題，提出了下述方案使固定并支承被加工物 的固定部件本身具有修整功能，通過在切削被加工物的同時切削該固 定部件，來并行進行切削和修整，從而提高切削效率(例如參照專利 文獻l)。專利文獻1日本特開平1-188267號公報但是，被加工物是用蠟粘接在具有修整功能的固定部件上的，所 以有被加工物和固定部件的拆裝不易進行的問題。發(fā)明內容鑒于此，本發(fā)明所要解決的問題是，在利用切削刀切削被加-物 的情況下，使得被加工物和具有修整功能的固定部件之間的拆裝容易 進行。本發(fā)明是一種晶片固定板，是保持在至少具備夾持臺、切削機構、 加工進給機構、切入進給機構和分度進給機構的切削裝置的該夾持臺 上并對晶片進行固定的晶片固定板，所述夾持臺具有吸引并保持晶片 的保持面，所述切削機構具有對保持在該夾持臺上的晶片進行切削的 能夠旋轉的切削刀，所述加工進給機構對夾持臺和切削機構相對地進 行加工進給，所述切入進給機構對夾持臺和切削機構相對地進行切入其特征在于，該晶片固定板包括對該切削刀進行修整的板主體、和涂 敷在該板主體的表面上的粘著層。作為板主體，有通過混煉并燒結磨粒和粘合劑而形成的板主體， 和通過燒結陶瓷而形成的板主體。希望在板主體上形成從表面到背面 的多個細孔。并且，希望粘著層含有在外界刺激下粘著力降低的疊氮 化合物。根據(jù)本發(fā)明，由于在板主體的表面上涂敷有粘著層，所以通過使 晶片接觸在粘著層上，可以容易地將晶片固定在晶片固定板上。另外，如果在晶片固定板上設置從表面到背面的細孔，則將晶片 固定板載置在切削裝置的夾持臺上并在其上載置晶片進而進行吸引 時，在穿過細孔傳遞的吸引力作用下能夠吸引晶片，能更可靠地固定 晶片。進而，在粘著層含有疊氮化合物的情況下，通過進行光、熱、超 聲波等外界刺激，從粘著層產生氮氣，從而粘著層的粘著力會降低， 能夠容易地使通過切削晶片而形成的各個器件從晶片固定板上脫離。


圖l是表示切削裝置的一例的立體圖。圖2是表示夾持臺、晶片固定板以及晶片的立體圖。 圖3是放大表示晶片固定板的一部分的剖視圖。
圖4是表示切削晶片的狀態(tài)的立體圖。圖5是表示進行晶片的切削以及切削刃部的修整的狀態(tài)的說明圖。
具體實施方式
圖1所示的切削裝置1包括保持晶片的夾持臺2、對保持在夾 持臺2上的晶片進行切削的切削機構3。夾持臺2具有吸引并保持晶片的保持面20。保持面20例如由多 孔質的陶瓷構成，并與未圖示的吸引源連通。保持面20支承在支承板 21上。切削機構3包括殼體30、由殼體30可旋轉地支承并具有Y軸 方向軸心的主軸31、驅動主軸31旋轉的驅動部32、安裝在主軸31 的末端部上的切削刀33、和噴出切削水的一對噴嘴34。在殼體30的 側部，固定有利用攝像部40對晶片進行攝像而檢測待切削位置的校準 機構4。夾持臺2構成為借助加工進給機構5在X軸方向上進行加工進給。 加工進給機構5包括沿X軸方向配i殳的X軸滾珠絲杠50、平行于X 軸滾珠絲杠50配設的一對X軸導軌51、連結在X軸滾珠絲杠50的 一端的驅動源52、內部的螺母旋合在X軸滾珠絲杠50上并且下部與 X軸導軌51滑動接觸的X軸移動基臺53、以及固定在X軸移動基臺 53上并使夾持臺2轉動的脈沖馬達54; X軸滾珠絲杠50由驅動源52 驅動而轉動，與之伴隨，X軸移動基臺53被X軸導軌51引導而在X 軸方向移動。切削機構3構成為，由切入進給機構6在Z軸方向進行切入進給， 并且，由分度進給機構7在Y軸方向進行分度進給。切入進給機構6 包括沿Z軸方向配設的Z軸滾珠絲杠60、平行于Z軸滾珠絲杠60 配設的一對Z軸導軌61、連結在Z軸滾珠絲杠60的一端的脈沖馬達 62、以及支承切削機構3并且其內部的螺母旋合在Z軸滾養(yǎng)絲杠60 上而側部與Z軸導軌滑動接觸的支承部63; Z軸滾珠絲杠60由脈沖
馬達62驅動而旋轉，與之伴隨，支承部63由Z軸導軌61引導而升 降，切削機構3也升降。另外，分度進給機構7包括沿Y軸方向配設的Y軸滾珠絲杠 70、平行于Y軸滾珠絲杠70配設的一對Y軸導軌71、連結在Y軸滾 珠絲杠70的一端的脈沖馬達72、以及內部的螺母旋合在Y軸滾珠絲 杠70上而下部與Y軸導軌71滑動接觸的Y軸移動基臺73;在脈沖 馬達72的驅動下，Y軸滾珠絲杠70轉動，與之伴隨，Y軸移動基臺 73#皮Y軸導軌71引導而向Y軸方向移動，切削機構3也向Y軸方向 移動。在Y軸移動基臺73上具備切入進給機構6，借助Y軸移動基 臺73的Y軸方向移動，切入進給才幾構6也向相同方向移動。圖2所示的晶片W由線道(street) S劃分開而形成多個器件D, 通過縱橫切削線道S，來分割成各個器件D。如圖2所示，夾持臺2經由晶片固定板8而保持晶片W。如圖3 所示，晶片固定板8包括板主體80、和涂敷在板主體80的表面上的 粘著層81。板主體80是進行切削刀33的修整的部分，例如可如下制 成將綠色金剛砂、氧化鋁等磨粒和陶瓷粘合劑或者樹脂粘合劑混煉 而成形為板狀，然后以既定溫度燒結形成。并且，或者通過混煉發(fā)泡 劑而構成為多孔狀來形成從表面到背面的細孔，或者通過照射激光光 線來形成從表面到背面的細孔83。另外，板主體80也可以通過燒結陶瓷來形成。例如，通過在大約 1200'C、大氣壓條件下，將成分中93。/。為由粒徑6iam的粒子構成的 氧化鋁、7%為二氧化硅和二氧化鈦的陶瓷燒結4至5個小時，來得到 氣孔率為39%、從表面到背面的細孔的平均細孔直徑為6jum的多孔 陶瓷。另外，也可以通過在同樣的條件下，對成分中93%為由粒徑50 iam的粒子構成的氧化鋁粒子、7%為二氧化硅和二氧化鈦的陶瓷進 行燒結，來得到氣孔率為38%、從表面到背面的細孔的平均細孔直徑 為50lim的通氣性高的多孔陶瓷。在采用這些制法的情況下，也可以 利用激光光線等來形成從表面到背面的細孔。 々在粘著層81中，希望含有疊氮化合物。作為疊氮化合物，例如可
以舉出3-疊氮基甲基-3-甲基土霉素、對苯二曱酸疊氮化物、p-tert-丁 基苯疊氮化物、通過將3-疊氮基甲基-3-曱基土霉素開環(huán)聚合而得到的 環(huán)氧丙基疊氮聚合物等具有疊氮基的聚合物等。這些疊氮化合物通過 施加光、熱、超聲波以及沖擊等刺激而分解，分解成氮和活性自由基 種，產生氮氣。如圖2所示，在夾持臺2的保持面20上載置晶片固定板8并使粘 著層81向上方露出，在粘著層81上載置晶片W的背面。由于在保持 面20上作用有從吸引源傳遞來的吸引力，所以，晶片固定板8利用該 吸引力而被吸引保持在保持面20上。另外，吸引力還會通過形成在板 主體80以及粘著層81中的細孔83而傳遞到粘著層81的露出面上， 所以晶片W被吸附到粘著層81上，利用粘著力而固定在粘著層81 上。因此，不需要使用特別的裝置將晶片W壓緊在晶片固定板8上或 是使用粘接用的蠟等。如圖4所示，在利用圖1所示的校準機構4進行了切削刀33與待 切削線道S在Y軸方向上的對位之后，夾持臺2被加工進給機構5(參 照圖l)驅動而在X軸方向上移動，并且，在切削刀33高速旋轉的同 時，借助切入進給機構6的驅動，切削機構3下降，高速旋轉的切削 刀33切入到線道S中而切削該線道S。切削刀33在由鋁等形成的基 臺330的外周緣上形成有通過用粘合劑固結磨粒而構成的切削刃部 331,切削刃部331作用在線道S上而進行切削。每切削一條線道S，切削機構3就在圖1所示的分度進給機構7 的作用下按線道間隔的量被分度進給，夾持臺2在X軸方向上移動， 并且，切削刀33切入到線道S中，依次切削同方向的線道S。在同方 向的線道S全部被切削完畢后，夾持臺2旋轉90度，然后進行上述切 削，全部的線道S被縱橫切削。如圖5所示，在進行線道的切削時，切削刀33的切削刃部331 切入晶片固定板8的板主體，從而進行切削刃部331的修聘。因此，能夠一直進行修整，而且，不必僅為了修整而花費時間，i;削效率得到提高。
這樣縱橫切削晶片W而分割成各個器件D后，進行將器件D從 晶片固定板8剝離并拾取的作業(yè)。拾取前的各個器件D由粘著層81 固定，所以在轉移到拾取工序時，即使將晶片固定板8從夾持臺2取 下，器件D也不會脫離。在粘著層81含有疊氮化合物的情況下，在進行器件D的拾取之 前，對圖3所示的粘著層81施加外界刺激、例如光(晶片W是玻璃 等透明體的情況下)、熱、超聲波等。對粘著層81施加外界刺激后， 產生氮氣，并放出到粘著層81外部。由此，氮氣將與晶片W背面粘 接的粘接面的一部分剝離而使粘接力減小，所以能夠容易地將器件D 從晶片固定板8剝離。由于疊氮化合物的分解而生成的活性自由基種會對聚合性寡聚體 作用而促進聚合交聯(lián)。因此，例如在粘接性物質由光硬化型粘著劑構 成的情況下，即使不施加光的刺激，也能利用疊氮化合物的分解生成 的活性自由基種來產生聚合交聯(lián)，從而粘著力降低。另外，疊氮化合物也可以在粘著層81中分散，但優(yōu)選存在于與晶 片之間的粘接面上。進而，更優(yōu)選地，該粘接面上的疊氮化合物的濃 度比與板主體80相接的面上的疊氮化合物濃度高，進而更加優(yōu)選地， 疊氮化合物存在于該粘接面上，而不存在于與板主體相接的面上。由 此，僅在粘接面上產生剝離，所以不會在晶片W上殘留粘著劑。這樣使得粘著層81的粘著力降低后，就可以容易且順利地通過將 器件D從晶片固定板8剝離而進行拾取了。
權利要求
1. 一種晶片固定板，所述晶片固定板是保持在至少具備夾持臺、 切削機構、加工進給機構、切入進給機構和分度進給機構的切削裝置的該夾持臺上并對晶片進行固定的晶片固定板；所述夾持臺具有吸引 并保持晶片的保持面，所述切削機構具有對保持在該夾持臺上的晶片 進行切削的能夠旋轉的切削刀，所述加工進給機構對該夾持臺和該切 削機構進行相對加工進給，所述切入進給機構對該夾持臺和該切削機 構進行相對切入進給，所述分度進給機構對該夾持臺和該切削機構進 行相對分度進給；其特征在于，該晶片固定板包括對該切削刀進行修整的板主體、和涂敷在該板 主體的表面上的粘著層。
2. 如權利要求l所述的晶片固定板，其特征在于，前述板主體通 過混煉并燒結磨粒和粘合劑而形成。
3. 如權利要求l所述的晶片固定板，其特征在于，前述板主體通 過燒結陶瓷而形成。
4. 如權利要求l、 2或3所述的晶片固定板，其特征在于，形成有從表面到背面的多個細孔。
5. 如權利要求l、 2、 3或4所述的晶片固定板，其特征在于，前 述粘著層含有在外界刺激下粘著力降低的疊氮化合物。
全文摘要
本發(fā)明所要解決的問題是在利用切削刀切削被加工物的同時切削固定晶片的固定部件來進行修整的情況下、使得被加工物和具有修整功能的固定部件之間的拆裝容易進行。在使切削刀切入到保持在夾持臺上的晶片中而進行切削的切削裝置中，由對切削刀進行修整的板主體(80)和涂敷在板主體(80)的表面上的粘著層(81)構成保持在夾持臺上并固定晶片的晶片固定板(8)。通過在晶片固定板的表面上設置粘著層(81)，能夠容易地固定和剝離晶片。
文檔編號B28D5/00GK101121287SQ20071013670
公開日2008年2月13日 申請日期2007年7月25日 優(yōu)先權日2006年8月10日
發(fā)明者關家一馬 申請人:株式會社迪思科