一種用于除去單晶硅片表面有機(jī)物的漂洗液及清洗方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于除去單晶硅片表面有機(jī)物的漂洗液及清洗方法，其中漂洗液包括體積分?jǐn)?shù)如下的組分：雙氧水：2.30份-4.5份；氫氧化鉀：0.20份-1.15份；純水：94.35份-97.5份，雙氧水的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為30％，氫氧化鉀的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為45％，純水為18M純水。清洗方法包括如下步驟：(1)自來水沖洗；(2)乳酸溶液浸泡；(3)自來水漂洗；4)純水超聲波預(yù)清洗；(5)清洗液超聲波清洗；(6)純水超聲波漂洗；(7)漂洗液漂洗；(8)純水漂洗；(9)提拉后烘干。本發(fā)明可以有效去除單晶硅片表面殘留的有機(jī)物，提高單晶硅片表面潔凈度，有效降低單晶硅片清洗的不合格率和單晶硅片制絨后的不良占比，提高單晶硅片的質(zhì)量，增強(qiáng)產(chǎn)品的市場競爭力。
【專利說明】一種用于除去單晶硅片表面有機(jī)物的漂洗液及清洗方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
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[0001]本發(fā)明涉及一種漂洗液及清洗方法，特別是涉及一種用于除去單晶硅片表面有機(jī)物的漂洗液及清洗方法。

【背景技術(shù)】
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[0002]隨著光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，光伏器件的產(chǎn)品需求量迅速增加的同時(shí)，對產(chǎn)品本身的光電性能要求越來越高，即對單晶硅片的光電轉(zhuǎn)化效率要求越來越高，單晶硅片表面的潔凈度是影響單晶硅片光電轉(zhuǎn)化效率的主要因素。
[0003]經(jīng)切片、研磨、倒角、拋光等多道工序加工成的單晶硅片，其表面已吸附了各種雜質(zhì)，如顆粒、金屬粒子、硅粉粉塵及有機(jī)雜質(zhì)，故需要進(jìn)行清洗，清洗的目的是要消除吸附在單晶硅片表面的各類污染物，為制做能夠減少表面太陽光反射的絨面結(jié)構(gòu)(制絨)做準(zhǔn)備，制絨是制造晶硅電池的第一道工藝，又稱“表面織構(gòu)化”。有效的絨面結(jié)構(gòu)使得入射光在單晶硅片表面多次反射和折射，增加了光的吸收，降低了反射率，有助于提高電池的性能。
[0004]但用現(xiàn)有方法對單晶硅片進(jìn)行清洗，清洗后的單晶硅片表面仍有較多有機(jī)物殘留，表現(xiàn)為單晶硅片清洗不合格率較高，制絨后單晶硅片的不良占比較高，這些會(huì)嚴(yán)重影響單晶硅片的光轉(zhuǎn)換效率，造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。


【發(fā)明內(nèi)容】

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[0005]本發(fā)明的第一個(gè)目的在于提供一種用于除去單晶硅片表面有機(jī)物的漂洗液。
[0006]本發(fā)明的第二個(gè)目的在于提供一種用于除去單晶硅片表面有機(jī)物的清洗方法。
[0007]本發(fā)明的第一個(gè)目的由如下技術(shù)方案實(shí)施:一種用于除去單晶硅片表面有機(jī)物的漂洗液，其包括如下體積份數(shù)的組分:雙氧水:2.3份-4.5份；氫氧化鉀:0.20份-1.15份；純水:94.35份-97.5份，其中所述雙氧水的質(zhì)量百分比濃度為30%，所述氫氧化鉀的質(zhì)量百分比濃度為45%，所述純水為18M純水。
[0008]本發(fā)明的第二個(gè)目的由如下技術(shù)方案實(shí)施:一種除去單晶硅片表面有機(jī)物的清洗方法，其包括以下步驟:(1)自來水沖洗；(2)乳酸溶液浸泡；(3)自來水漂洗；(4)純水超聲波預(yù)清洗；(5)清洗液超聲波清洗；(6)純水超聲波漂洗；(7)漂洗液漂洗；(8)純水漂洗；
[9]提拉后烘干；
[0009](I)自來水沖洗:將線切割下料后的單晶硅片使用常溫自來水進(jìn)行沖洗，沖洗時(shí)間為12min?20min ;以達(dá)到除去所述單晶硅片表面大部分硅泥殘留的目的；
[0010](2)乳酸溶液浸泡:將所述自來水沖洗后的所述單晶硅片用體積百分比濃度為3%?5%的乳酸溶液浸泡，浸泡溫度為55°C?65°C，浸泡時(shí)間為5min_10min，使所述單晶硅片與切割固定料板脫離；
[0011 ] (3)自來水漂洗:使用溫度為30 0C?50 0C的所述自來水對所述乳酸溶液浸泡后的所述單晶硅片進(jìn)行漂洗，漂洗時(shí)間為5min?lOmin，以漂洗掉所述乳酸溶液；
[0012](4)純水超聲波預(yù)清洗:將漂洗后的所述單晶硅片置于超聲波清洗設(shè)備中，加入純水，進(jìn)行純水超聲波預(yù)清洗，所述純水超聲波預(yù)清洗的清洗時(shí)間為7min?12min，所述純水超聲波預(yù)清洗的溫度控制在30°C?55°C之間，去除所述單晶硅片表面殘余硅粉及其它較易去除的雜質(zhì)；
[0013](5)清洗液超聲波清洗:將所述純水超聲波預(yù)清洗后的所述單晶硅片置于所述超聲波清洗設(shè)備中，加入清洗液，進(jìn)行清洗液超聲波清洗，所述清洗液超聲波清洗的清洗時(shí)間為1min?18min，所述清洗液超聲波清洗的溫度控制在50°C?70°C之間，結(jié)合超聲波的物理作用和所述清洗液的化學(xué)作用除去所述單晶硅片表面附著力較強(qiáng)的雜質(zhì)及金屬粒子；
[0014](6)純水超聲波漂洗:將所述清洗液超聲波清洗后的所述單晶硅片置于所述超聲波清洗設(shè)備中，加入所述純水，進(jìn)行純水超聲波漂洗，所述純水超聲波漂洗的漂洗時(shí)間為5min?12min，漂洗溫度控制在30°C?55°C之間，去除所述單晶硅片表面附著的所述清洗劑成分；
[0015](7)漂洗液漂洗:將所述純水超聲波漂洗后的所述單晶硅片置于漂洗液中進(jìn)行漂洗，漂洗時(shí)間為3.5min?6min，漂洗溫度控制在30°C?55°C之間，去除所述單晶娃片表面的有機(jī)物殘留；所述漂洗液包括如下體積份數(shù)的組分:雙氧水2.30份-4.5份；氫氧化鉀0.20份-1.15份；純水94.35份-97.5份，其中所述雙氧水的質(zhì)量百分比濃度為30%，所述氫氧化鉀的質(zhì)量百分比濃度為45%，所述純水為18M純水；所述漂洗液中包含雙氧水和氫氧化鉀，強(qiáng)堿性條件下所述雙氧水具有的強(qiáng)氧化性能夠?qū)⑺鰡尉Ч杵砻娴挠袡C(jī)物質(zhì)氧化為氧化物，同時(shí)，所述漂洗液中的所述氫氧化鉀對生成的所述氧化物進(jìn)行溶解，通過氧化-溶解-氧化反復(fù)作用達(dá)到清除所述單晶硅片表面的所述有機(jī)物的目的；
[0016](8)純水漂洗:使用溫度為40°C?50°C的所述純水對所述漂洗液漂洗過的所述單晶硅片進(jìn)行漂洗，漂洗時(shí)間為12min?20min，洗去所述單晶硅片表面的水溶性雜質(zhì)；
[0017](9)提拉后烘干:將用所述純水漂洗完畢后的所述單晶硅片在溫度為50°C -70°C的環(huán)境中慢提拉，所述慢提拉結(jié)束后鼓風(fēng)烘干，烘干溫度范圍為85°C _95°C，烘干時(shí)間為12min?15min，得到表面潔凈的所述單晶娃片。
[0018]作為優(yōu)選，所述步驟(5)中使用的所述清洗液由清洗劑加水配制而成，所述清洗液的體積百分比濃度在1% -1.2%之間，所述清洗劑為常州君合科技生產(chǎn)的JH-15系列清洗劑，由強(qiáng)堿及非離子型表面活性劑組成的混合溶液。
[0019]作為優(yōu)選，所述步驟(4)和所述步驟(6)中的所述純水均為18M純水。
[0020]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，本發(fā)明可以有效去除單晶硅片表面殘留的有機(jī)物，提高單晶硅片表面潔凈度，從而改善后續(xù)單晶硅片的制絨效果，有效降低單晶硅片清洗的不合格率和單晶硅片制絨后的不良占比，提高了單晶硅片的質(zhì)量，增強(qiáng)了產(chǎn)品的市場競爭力。

【具體實(shí)施方式】
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[0021]實(shí)施例1:一種用于除去單晶硅片表面有機(jī)物的漂洗液，其包括體積分?jǐn)?shù)如下的組分:雙氧水:2.30份；氫氧化鉀:0.20份；純水:97.5份，其中所述雙氧水的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為30%，所述氫氧化鉀的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為45%，所述純水為18M純水。
[0022]實(shí)施例2: —種利用實(shí)施例1中的漂洗液除去單晶硅片表面有機(jī)物的方法，其包括以下步驟:(I)自來水沖洗；(2)乳酸溶液浸泡；(3)自來水漂洗；4)純水超聲波預(yù)清洗；(5)清洗液超聲波清洗；(6)純水超聲波漂洗；(7)漂洗液漂洗；(8)純水漂洗；(9)提拉后烘干;
[0023](I)自來水沖洗:將線切割下料后的單晶硅片使用常溫自來水進(jìn)行沖洗，沖洗時(shí)間為12min，以達(dá)到除去所述單晶硅片表面大部分硅泥殘留的目的；
[0024](2)乳酸溶液浸泡:將所述自來水沖洗后的所述單晶硅片用體積百分比濃度為3%的乳酸溶液浸泡，浸泡溫度為55°C，浸泡時(shí)間為lOmin，使所述單晶硅片與切割固定料板脫離；
[0025](3)自來水漂洗:使用溫度為30°C的所述自來水對所述乳酸溶液浸泡后的所述單晶硅片進(jìn)行漂洗，漂洗時(shí)間為lOmin，以漂洗掉所述乳酸溶液；
[0026](4)純水超聲波預(yù)清洗:將漂洗后的所述單晶硅片置于超聲波清洗設(shè)備中，加入純水，進(jìn)行純水超聲波預(yù)清洗，所述純水超聲波預(yù)清洗的清洗時(shí)間為12min，所述純水超聲波預(yù)清洗的溫度為30°C，去除所述單晶硅片表面殘余硅粉及其它較易去除的雜質(zhì)；
[0027](5)清洗液超聲波清洗:將所述純水超聲波預(yù)清洗后的所述單晶硅片置于所述超聲波清洗設(shè)備中，加入清洗液，進(jìn)行清洗液超聲波清洗，所述清洗液超聲波清洗的清洗時(shí)間為18min，所述清洗液超聲波清洗的溫度為50°C，結(jié)合超聲波的物理作用和所述清洗液的化學(xué)作用除去所述單晶硅片表面附著力較強(qiáng)的雜質(zhì)及金屬粒子；
[0028](6)純水超聲波漂洗:將所述清洗液超聲波清洗后的所述單晶硅片置于所述超聲波清洗設(shè)備中，加入所述純水，進(jìn)行純水超聲波漂洗，所述純水超聲波漂洗的清洗時(shí)間為12min，溫度為30°C，去除所述單晶硅片表面附著的所述清洗劑成分；
[0029](7)漂洗液漂洗:將所述純水超聲波漂洗后的所述單晶硅片置于漂洗液中進(jìn)行漂洗，漂洗時(shí)間為6min，漂洗溫度為30°C，去除所述單晶硅片表面的有機(jī)物殘留；所述漂洗液包括如下體積份數(shù)的組分:雙氧水:2.30份；氫氧化鉀:0.20份；純水:97.5份，其中所述雙氧水的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為30 %，所述氫氧化鉀的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為45 %，所述純水為18M純水；所述漂洗液中包含雙氧水和氫氧化鉀，強(qiáng)堿性條件下所述雙氧水具有的強(qiáng)氧化性能夠?qū)⑺鰡尉Ч杵砻娴挠袡C(jī)物質(zhì)氧化為氧化物，同時(shí)，所述漂洗液中的所述氫氧化鉀對生成的所述氧化物進(jìn)行溶解，通過氧化-溶解-氧化反復(fù)作用達(dá)到清除所述單晶硅片表面的所述有機(jī)物的目的；
[0030](8)純水漂洗:使用溫度為40°C的所述純水對所述漂洗液漂洗過的所述單晶硅片進(jìn)行漂洗，漂洗時(shí)間為20min，洗去所述單晶硅片表面的水溶性雜質(zhì)；
[0031](9)提拉后烘干:將用所述純水漂洗完畢后的所述單晶硅片在溫度為50°C的環(huán)境中慢提拉，所述慢提拉結(jié)束后鼓風(fēng)烘干，烘干溫度為85°C，烘干時(shí)間為15min，得到表面潔凈的單晶硅片。
[0032]作為優(yōu)選，所述步驟(5)中使用的所述清洗液由清洗劑加水配制而成，所述清洗液的體積百分比濃度為1%，所述清洗劑為常州君合科技生產(chǎn)的JH-15系列清洗劑，由強(qiáng)堿及非離子型表面活性劑組成的混合溶液。
[0033]作為優(yōu)選，所述步驟(4)和所述步驟(6)中的所述純水均為18M純水。
[0034]使用上述清洗方法清洗單晶娃片后，單晶娃片清洗合格率提尚0.1%，清洗后進(jìn)行制絨，制絨后表面不良下降234DPPM，清洗效果顯著。
[0035]實(shí)施例3: —種用于除去單晶硅片表面有機(jī)物的漂洗液，其包括體積分?jǐn)?shù)如下的組分:雙氧水:4.5份；氫氧化鉀:1.15份；純水:94.35份，其中所述雙氧水的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為30%，所述氫氧化鉀的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為45%，所述純水為18M純水。
[0036]實(shí)施例4:一種利用實(shí)施例3中的清洗液除去單晶硅片表面有機(jī)物的清洗方法，其包括以下步驟:(I)自來水沖洗；(2)乳酸溶液浸泡；(3)自來水漂洗；4)純水超聲波預(yù)清洗；(5)清洗液超聲波清洗；(6)純水超聲波漂洗；(7)漂洗液漂洗；(8)純水漂洗；(9)提拉后烘干；
[0037](I)自來水沖洗:將線切割下料后的單晶硅片使用常溫自來水進(jìn)行沖洗，沖洗時(shí)間為20min，以達(dá)到除去所述單晶硅片表面大部分硅泥殘留的目的；
[0038](2)乳酸溶液浸泡:將所述自來水沖洗后的所述單晶硅片用體積百分比濃度為5%的乳酸溶液浸泡，浸泡溫度為65°C，浸泡時(shí)間為5min，使所述單晶硅片與切割固定料板脫離；
[0039](3)自來水漂洗:使用溫度為50°C的所述自來水對所述乳酸溶液浸泡后的所述單晶硅片進(jìn)行漂洗，漂洗時(shí)間為5min，以漂洗掉所述乳酸溶液；
[0040](4)純水超聲波預(yù)清洗:將漂洗后的所述單晶硅片置于超聲波清洗設(shè)備中，加入純水，進(jìn)行純水超聲波預(yù)清洗，所述純水超聲波預(yù)清洗的清洗時(shí)間為7min，所述純水超聲波預(yù)清洗的溫度為55°C，去除所述單晶硅片表面殘余硅粉及其它較易去除的雜質(zhì)；
[0041](5)清洗液超聲波清洗:將所述純水超聲波預(yù)清洗后的所述單晶硅片置于所述超聲波清洗設(shè)備中，加入清洗液，進(jìn)行清洗液超聲波清洗，所述清洗液超聲波清洗的清洗時(shí)間為lOmin，所述清洗液超聲波清洗的溫度為70°C，結(jié)合超聲波的物理作用和所述清洗液的化學(xué)作用除去所述單晶硅片表面附著力較強(qiáng)的雜質(zhì)及金屬粒子；
[0042](6)純水超聲波漂洗:將所述清洗液超聲波清洗后的所述單晶硅片置于所述超聲波清洗設(shè)備中，加入所述純水，進(jìn)行純水超聲波漂洗，所述純水超聲波漂洗的漂洗時(shí)間為5min，溫度為55°C，去除所述單晶硅片表面附著的所述清洗劑成分；
[0043](7)漂洗液漂洗:將所述純水超聲波漂洗后的所述單晶硅片置于漂洗液中進(jìn)行漂洗，漂洗時(shí)間為3.5min，漂洗溫度為55°C，去除所述單晶硅片表面的有機(jī)物殘留；所述漂洗液包括體積分?jǐn)?shù)如下的組分:雙氧水:4.5份；氫氧化鉀:1.15份；純水:94.35份，其中所述雙氧水的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為30%，所述氫氧化鉀的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為45%，所述純水為18M純水；所述漂洗液中包含雙氧水和氫氧化鉀，強(qiáng)堿性條件下所述雙氧水具有的強(qiáng)氧化性能夠?qū)⑺鰡尉Ч杵砻娴挠袡C(jī)物質(zhì)氧化為氧化物，同時(shí)，所述漂洗液中的所述氫氧化鉀對生成的所述氧化物進(jìn)行溶解，通過氧化-溶解-氧化反復(fù)作用達(dá)到清除所述單晶硅片表面的所述有機(jī)物的目的；
[0044](8)純水漂洗:使用溫度為50°C的所述純水對所述漂洗液漂洗過的所述單晶硅片進(jìn)行漂洗，漂洗時(shí)間為12min，洗去所述單晶硅片表面的水溶性雜質(zhì)；
[0045](9)提拉后烘干:將所述純水漂洗完畢后的所述單晶硅片在溫度為70°C的環(huán)境中慢提拉，所述慢提拉結(jié)束后鼓風(fēng)烘干，烘干溫度為95°C，烘干時(shí)間為12min，得到表面潔凈的單晶硅片。
[0046]作為優(yōu)選，所述步驟(5)中使用的所述清洗液由清洗劑加水配制而成，所述清洗液的體積百分比濃度為1.2%，所述清洗劑為常州君合科技生產(chǎn)的JH-15系列清洗劑，由強(qiáng)堿及非離子型表面活性劑組成的混合溶液。
[0047]作為優(yōu)選，所述步驟(4)和所述步驟(6)中的所述純水均為18M純水。
[0048]使用上述清洗方法清洗單晶娃片后，單晶娃片清洗合格率提尚0.38%，清洗后進(jìn)行制絨，制絨后表面不良占比下降229DPPM，清洗效果顯著。
[0049]實(shí)施例5: —種用于除去單晶硅片表面有機(jī)物的漂洗液，其包括體積分?jǐn)?shù)如下的組分:雙氧水:3.4份；氫氧化鉀:0.675份；純水:95.725份，其中所述雙氧水的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為30%，所述氫氧化鉀的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為45%，所述純水為18M純水。
[0050]實(shí)施例6:—種利用實(shí)施例5中清洗液除去單晶硅片表面有機(jī)物的清洗方法，其包括以下步驟:(I)自來水沖洗；(2)乳酸溶液浸泡；(3)自來水漂洗；(4)純水超聲波預(yù)清洗；
(5)清洗液超聲波清洗；(6)純水超聲波漂洗；(7)漂洗液漂洗；(8)純水漂洗；(9)提拉后烘干;
[0051](I)自來水沖洗:將線切割下料后的單晶硅片使用常溫自來水進(jìn)行沖洗，沖洗時(shí)間為16min，以達(dá)到除去所述單晶硅片表面大部分硅泥殘留的目的；
[0052](2)乳酸溶液浸泡:將所述自來水沖洗后的所述單晶硅片用體積百分比濃度為4vol%的乳酸溶液浸泡，浸泡溫度為60°C，浸泡時(shí)間為7.5min，使所述單晶硅片與切割固定料板脫離；
[0053](3)自來水漂洗:使用溫度為40°C的所述自來水對所述乳酸溶液浸泡后的所述單晶硅片進(jìn)行漂洗，漂洗時(shí)間為7.5min，以漂洗掉所述乳酸溶液；
[0054](4)純水超聲波預(yù)清洗:將漂洗后的所述單晶硅片置于超聲波清洗設(shè)備中，加入純水，進(jìn)行純水超聲波預(yù)清洗，所述純水超聲波預(yù)清洗的清洗時(shí)間為9.5min，所述純水超聲波預(yù)清洗的溫度控制在42.5°C，去除所述單晶硅片表面殘余硅粉及其它較易去除的雜質(zhì)；
[0055](5)清洗液超聲波清洗:將所述純水超聲波預(yù)清洗后的所述單晶硅片置于所述超聲波清洗設(shè)備中，加入清洗液，進(jìn)行清洗液超聲波清洗，所述清洗液超聲波清洗的清洗時(shí)間為14min，所述清洗液超聲波清洗的溫度為60°C，結(jié)合超聲波的物理作用和所述清洗液的化學(xué)作用除去所述單晶硅片表面附著力較強(qiáng)的雜質(zhì)及金屬粒子；
[0056](6)純水超聲波漂洗:將所述清洗液超聲波清洗后的所述單晶硅片置于所述超聲波清洗設(shè)備中，加入所述純水，進(jìn)行純水超聲波漂洗，所述純水超聲波漂洗的清洗時(shí)間為8.5min，溫度為42.5°C，去除所述單晶硅片表面附著的所述清洗劑成分；
[0057](7)漂洗液漂洗:將所述純水超聲波漂洗后的所述單晶硅片置于漂洗液中進(jìn)行漂洗，漂洗時(shí)間為4.75min，漂洗溫度為42.5°C，去除所述單晶硅片表面的有機(jī)物殘留；所述漂洗液包括體積分?jǐn)?shù)如下的組分:雙氧水:3.4份；氫氧化鉀:0.675份；純水:95.725份，其中所述雙氧水的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為30%，所述氫氧化鉀的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為45%，所述純水為18M純水；所述漂洗液中包含雙氧水和氫氧化鉀，強(qiáng)堿性條件下所述雙氧水具有的強(qiáng)氧化性能夠?qū)⑺鰡尉Ч杵砻娴挠袡C(jī)物質(zhì)氧化為氧化物，同時(shí)，所述漂洗液中的所述氫氧化鉀對生成的所述氧化物進(jìn)行溶解，通過氧化-溶解-氧化反復(fù)作用達(dá)到清除所述單晶硅片表面的所述有機(jī)物的目的；
[0058](8)純水漂洗:使用溫度為45°C的所述純水對所述漂洗液漂洗過的所述單晶硅片進(jìn)行漂洗，漂洗時(shí)間為16min，洗去所述單晶硅片表面的水溶性雜質(zhì)；
[0059](9)提拉后烘干:將用所述純水漂洗完畢后的所述單晶硅片在溫度為60°C的環(huán)境中慢提拉，所述慢提拉結(jié)束后鼓風(fēng)烘干，烘干溫度為90°C，烘干時(shí)間為13.5min，得到表面潔凈的單晶硅片。
[0060]作為優(yōu)選，所述步驟(5)中使用的所述清洗液由清洗劑加水配制而成，所述清洗液的體積百分比濃度為1.1%，所述清洗劑為常州君合科技生產(chǎn)的JH-15系列清洗劑，由強(qiáng)堿及非離子型表面活性劑組成的混合溶液。
[0061]作為優(yōu)選，所述步驟(4)和所述步驟(6)中的所述純水均為18M純水。
[0062]使用上述清洗方法清洗單晶娃片后，單晶娃片清洗合格率提1? 0.27%，清洗后進(jìn)行制絨，制絨后表面不良下降203DPPM，清洗效果顯著。
【權(quán)利要求】
1.一種用于除去單晶硅片表面有機(jī)物的漂洗液，其特征在于，其包括如下體積份數(shù)的組分:雙氧水:2.3份-4.5份；氫氧化鉀:0.20份-1.15份；純水:94.35份-97.5份，其中所述雙氧水的質(zhì)量百分比濃度為30%，所述氫氧化鉀的質(zhì)量百分比濃度為45%，所述純水為18M純水。
2.—種用于除去單晶硅片表面有機(jī)物的清洗方法，其特征在于，其包括以下步驟:(I)自來水沖洗；(2)乳酸溶液浸泡；(3)自來水漂洗；(4)純水超聲波預(yù)清洗；(5)清洗液超聲波清洗；(6)純水超聲波漂洗；(7)漂洗液漂洗；(8)純水漂洗；(9)提拉后烘干； (1)自來水沖洗:將線切割下料后的單晶硅片使用常溫自來水進(jìn)行沖洗，沖洗時(shí)間為12min ?20min ； (2)乳酸溶液浸泡:將所述自來水沖洗后的所述單晶硅片用體積百分比濃度為3%?5%的乳酸溶液浸泡，浸泡溫度為55°C?65°C，浸泡時(shí)間為5min-10min ； (3)自來水漂洗:使用溫度為30°C?50°C的所述自來水對所述乳酸溶液浸泡后的所述單晶硅片進(jìn)行漂洗，漂洗時(shí)間為5min?1min ; (4)純水超聲波預(yù)清洗:將漂洗后的所述單晶硅片置于超聲波清洗設(shè)備中，加入純水，進(jìn)行純水超聲波預(yù)清洗，所述純水超聲波預(yù)清洗的清洗時(shí)間為7min?12min，所述純水超聲波預(yù)清洗的溫度控制在30°C?55°C之間； (5)清洗劑超聲波清洗:將所述純水超聲波預(yù)清洗后的所述單晶硅片置于所述超聲波清洗設(shè)備中，加入清洗液，進(jìn)行清洗液超聲波清洗，所述清洗液超聲波清洗的清洗時(shí)間為1min?18min，所述清洗液超聲波清洗的溫度控制在50°C?70°C之間； (6)純水超聲波漂洗:將所述清洗液超聲波清洗后的所述單晶硅片置于所述超聲波清洗設(shè)備中，加入所述純水，進(jìn)行純水超聲波漂洗，所述純水超聲波漂洗的漂洗時(shí)間為5min?12min，漂洗溫度控制在30°C?55°C之間； (7)漂洗液漂洗:將所述純水超聲波漂洗后的所述單晶硅片置于漂洗液中進(jìn)行漂洗，漂洗時(shí)間為3.5min?6min，漂洗溫度控制在30 °C?55 °C之間，所述漂洗液包括如下體積份數(shù)的組分:雙氧水2.30份-4.5份；氫氧化鉀0.20份-1.15份；純水94.35份-97.5份，其中所述雙氧水的質(zhì)量百分比濃度為30%，所述氫氧化鉀的質(zhì)量百分比濃度為45%，所述純水為18M純水； (8)純水漂洗:使用溫度為40°C?50°C的所述純水對所述漂洗液漂洗過的所述單晶硅片進(jìn)行漂洗，漂洗時(shí)間為12min?20min ； (9)提拉后烘干:將用所述純水漂洗完畢后的所述單晶硅片在溫度為50°C_70°C的環(huán)境中慢提拉，所述慢提拉結(jié)束后鼓風(fēng)烘干，烘干溫度范圍為85°C _95°C，烘干時(shí)間為12min?15min，得到表面潔凈的所述單晶娃片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于除去單晶硅片表面有機(jī)物的清洗方法，其特征在于，所述步驟(5)中使用的所述清洗液由清洗劑加水配制而成，所述清洗液的體積百分比濃度在1% -1.2%之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3任一所述的一種用于除去單晶硅片表面有機(jī)物的清洗方法，其特征在于，所述步驟(4)和所述步驟￠)中的所述純水均為18M純水。
【文檔編號】C11D7/60GK104479913SQ201410614668
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2014年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月31日
【發(fā)明者】李帥, 危晨, 趙越, 王蕾, 譚麗娜, 王巖, 徐強(qiáng), 趙存鳳 申請人:內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司