一種硅芯的潔凈處理工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明為了解決硅芯的潔凈過程中酸洗對人體和環(huán)境的危害問題，提供了一種硅芯的潔凈處理工藝。包括以下步驟：A、采用陶瓷金剛石砂輪作為刀具對硅芯進(jìn)行磨削整形，利用純水作為冷卻劑在硅芯開丫時對刀具和丫口進(jìn)行沖洗；B、整形完畢后的硅芯用純水在磨削的地方進(jìn)行沖洗；C、用四氯化碳擦拭硅芯后，將硅芯放入超聲池中進(jìn)行超聲；D、從超聲池中取出硅芯放進(jìn)烘箱，在100-120℃的溫度下烘干；E、將烘干后的硅芯放進(jìn)真空烘箱保存待用，溫度設(shè)置50-80℃。該處理方法不使用酸洗，杜絕了人和酸的接觸，不需要用到NOX淋洗設(shè)備以及淋洗所用的堿藥，更加環(huán)保。
【專利說明】一種硅芯的潔凈處理工藝【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域，特別涉及一種硅芯的潔凈處理工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]多晶硅的生產(chǎn)方法中目前被廣泛采用的有德國西門子公司于1954年發(fā)明的多晶硅制造方法(也稱為西門子法):采用高純?nèi)葰涔韬透呒儦錃獍凑找欢ǖ呐浔然旌显谝黄饦?gòu)成原料混合氣體，通入還原反應(yīng)器中，在加熱的高純硅芯上不斷沉積，使硅芯的直徑逐漸變粗而形成多晶硅棒。
[0003]西門子法中運(yùn)用到的硅芯主要是依靠硅芯爐拉制而成，而硅芯要配對后兩根一組裝夾于還原爐中，必須對其進(jìn)行加工處理，如在大頭處開U型丫口，根部磨錐等。在此加工整形過程中刀具，冷卻水，設(shè)備等會對硅芯造成污染。所以整形后的硅芯都需要經(jīng)過酸洗才能使用。而酸洗過程中氫氟酸和硝酸對人體和環(huán)境危害極大，且浪費(fèi)嚴(yán)重，成本較高。
[0004]201110137823.5，名稱為“硅芯腐蝕工藝”的發(fā)明專利，公開了一種硅芯的腐蝕工藝，包括以下工藝步驟:(I)將硅芯浸泡于堿溶液中浸泡10-20分鐘，在浸泡時加入質(zhì)量百分濃度為0.5^1%的雙氧水，堿溶液的溫度為5(T60°C ； (2) 一級漂洗:將硅芯放入純水中漂洗5~10分鐘以去除堿溶液；(3)中和:將經(jīng)一級漂洗后的硅芯放入氫氟酸溶液中浸泡以中和殘余的堿溶液；(4) 二級漂洗:將經(jīng)中和處理后的硅芯置于純水中漂洗5~10分鐘以去除氫氟酸溶液；(5)潔凈:將經(jīng)二級漂洗后的硅芯放入用蒸汽加熱的純水中浸泡30-50分鐘；
(6)烘干:將硅芯置于烘箱中烘干。該專利用到了現(xiàn)在技術(shù)中的酸洗機(jī)，中和工序中仍使用有毒、易揮發(fā)的氫氟酸浸泡，且工序復(fù)雜。
[0005]200910182705.9，名稱為“硅芯潔凈工藝”的發(fā)明專利，公開了一種潔凈硅芯的
方法。硅芯潔凈工藝包括:a.硅芯預(yù)處理:先用無水乙醇擦去硅芯表面的雜質(zhì)，再用丙酮擦去硅芯表面的油污；然后再把硅芯放在超聲波清洗儀器中進(jìn)行超聲波清洗；真空干燥；b.潔凈:將清潔的硅芯置于密閉的反應(yīng)容器內(nèi)，在30(T32(TC的溫度下發(fā)生如下反應(yīng):Si+3HC1 — SiHC13+H2 ;在上述反應(yīng)過程中，將氫氣和氯化氫的混合氣體通入反應(yīng)容器內(nèi)；
c.尾氣重復(fù)利用:反應(yīng)產(chǎn)物三氯化氫和氫氣為制備多晶硅的原材料，反應(yīng)產(chǎn)物通過反應(yīng)容器內(nèi)的進(jìn)出氣管回氣，通過管道進(jìn)入還原工段。該專利的技術(shù)方案實(shí)施需要增加壓力容器、一系列儀表閥門和管線布置，并且在該反應(yīng)條件下的硅芯易被反應(yīng)掉；另一方面，采用丙酮擦去硅芯表面的油污，丙酮易燃，且價格高昂，既不經(jīng)濟(jì)也不安全。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明為了解決硅芯的潔凈過程中酸洗對人體和環(huán)境的危害問題，提供了一種硅芯的潔凈處理工藝。該處理方法不使用酸洗，杜絕了人和酸的接觸，不需要用到NOX淋洗設(shè)備以及淋洗所用的堿藥，更加環(huán)保。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案:
一種硅芯的潔凈處理工藝，其特征在于:包括以下步驟:A采用陶瓷金剛石砂輪作為刀具對硅芯進(jìn)行磨削整形，利用純水作為冷卻劑在硅芯開丫時對刀具和丫口進(jìn)行沖洗；
由于切割刀具為陶瓷燒結(jié)金剛石，很好的避免了硅芯與空氣和金屬體接觸的機(jī)會。
[0008]B整形完畢后的硅芯用純水在磨削的地方進(jìn)行沖洗；
優(yōu)選地，用純水在磨削的地方進(jìn)行沖洗l_5min。
[0009]C用四氯化碳擦拭硅芯后，將硅芯放入超聲池中進(jìn)行超聲；
用超聲波清洗的目的主要是清除多晶硅表面的沾污，如微粒、有機(jī)物、無機(jī)金屬離子、氧化層等雜質(zhì)。
[0010]D從超聲池中取出硅芯放進(jìn)烘箱，在100-120 °C的溫度下烘干；
E將烘干后的硅芯放進(jìn)真空烘箱保存待用，溫度設(shè)置50 -80°C。恒溫保存能有效保證硅芯質(zhì)量，且便于還原裝爐時隨時領(lǐng)用硅芯。
[0011]優(yōu)選地，所述的C步驟，所述的擦拭硅芯是指:人工戴手套在潔凈室用醫(yī)用紗布至少來回擦拭四次，直至紗布不再沾污為止。
[0012]優(yōu)選地，所述的C步驟，硅芯放入超聲池中在40_50khz的頻率下超聲2-4小時。
[0013]優(yōu)選地，所述的C步驟，超聲的同時，從超聲池底部通入純水，流量為0.3-0.8m--/h。超聲過程中逐漸有漂浮 物浮在表面，以0.3-0.8m--/h的流量通入純水達(dá)到溢流的效果，有效的去除漂浮物。
[0014]本發(fā)明所述的超聲結(jié)束后，待水面沒有漂浮物出現(xiàn)，才排水撈出硅芯進(jìn)行烘干。
[0015]本發(fā)明所述的硅芯從硅芯爐中取出后所有轉(zhuǎn)運(yùn)操作都在至少十萬級的潔凈廠房內(nèi)。
[0016]還原領(lǐng)用硅芯裝爐反應(yīng)，所得硅棒經(jīng)套料，拉晶，檢測結(jié)果符合:1、N型電阻率≤ 20--.cm/P 型電阻率≤ 100--.cm ;2、少子壽命≤ 30 μ s ;3、氧濃度〈1.5 X 1017 (atoms/cm3) ;4、碳濃度 <4.5 X 1016 (atoms/cm3)。
[0017]本發(fā)明的有益效果在于:
1、在對硅芯進(jìn)行整形的過程中，利用純水作為冷卻劑對硅芯進(jìn)行沖洗，是由于切削過程中會產(chǎn)生帶硅粉的污水，使用純水沖洗可在清潔處理過程中使硅芯盡可能少的與污染源接觸；純水及時沖洗掉污水的同時冷卻刀具和硅芯，防止硅芯局部溫度過高氧化。
[0018]2、在整形完畢后用純水在磨削的地方進(jìn)行沖洗l_5min，是由于刀具是燒結(jié)金剛砂制成的，在切削過程中有可能有金剛砂附著在硅芯上，切削完成后用純水沖洗掉這些金剛砂，同時進(jìn)一步?jīng)_洗切削時飛濺的污水。
[0019]3、采用四氯化碳擦拭硅芯，四氯化碳對許多有機(jī)物，如脂肪、油類等溶解性好，且易揮發(fā)、不易燃，不僅清潔效果好，且價格低廉，既經(jīng)濟(jì)又安全。
[0020]4、采用真空烘箱做硅芯的保存裝置，以便于裝爐時隨時取用，這里選用真空烘箱，能有效的保證硅芯潔凈；同時50-80°C恒溫保存能有效保證硅芯質(zhì)量，且便于還原裝爐時隨時領(lǐng)用硅芯。
[0021]5、潔凈所用切割刀具為陶瓷燒結(jié)金剛石，很好的避免了硅芯與空氣和金屬體接觸的機(jī)會，不會產(chǎn)生金屬氧化物；純水沖洗使硅芯盡可能少的與污染源接觸，同時冷卻刀具和硅芯，防止硅芯局部溫度過高氧化；四氯化碳擦拭硅芯清潔掉表面的有機(jī)物；超聲的同時從超聲池底部通入純水，達(dá)到溢流的效果，有效的去除漂浮物；所有轉(zhuǎn)運(yùn)操作都在至少十萬級的潔凈廠房內(nèi)進(jìn)行。本發(fā)明的生產(chǎn)工藝通過對以上多個工藝步驟的嚴(yán)格控制來保證硅芯本身的清潔度，不再需要通過酸洗來清除掉表面的金屬氧化物等雜質(zhì)，杜絕了人和酸的接觸，不會產(chǎn)生氮氧化物，不需要用到NOX淋洗設(shè)備以及淋洗所用的堿藥，更加環(huán)保，且設(shè)備簡易，生產(chǎn)成本低。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明的實(shí)質(zhì)性內(nèi)容作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
[0023]實(shí)施例1
一種硅芯的潔凈處理工藝，包括以下步驟:
A采用陶瓷金剛石砂輪作為刀具對硅芯進(jìn)行磨削整形，利用純水作為冷卻劑在硅芯開丫時對刀具和丫口進(jìn)行沖洗；
B整形完畢后的硅芯用純水在磨削的地方進(jìn)行沖洗；
C用四氯化碳擦拭硅芯后，將硅芯放入超聲池中進(jìn)行超聲；
D從超聲池中取出硅芯放進(jìn)烘箱，在100°C的溫度下烘干；
E將烘干后的硅芯放進(jìn)真空烘箱保存待用，溫度設(shè)置50°C。
[0024]實(shí)施例2
一種硅芯的潔凈處理工藝，包括以下步驟:
A采用陶瓷金剛石砂輪作為刀具對硅芯進(jìn)行磨削整形，利用純水作為冷卻劑在硅芯開丫時對刀具和丫口進(jìn)行沖洗；
B整形完畢后的硅芯用純水在磨削的地方進(jìn)行沖洗；
C用四氯化碳擦拭硅芯后，將硅芯放入超聲池中進(jìn)行超聲；
D從超聲池中取出硅芯放進(jìn)烘箱，在120 °C的溫度下烘干；
E將烘干后的硅芯放進(jìn)真空烘箱保存待用，溫度設(shè)置80°C。
[0025]實(shí)施例3
一種硅芯的潔凈處理工藝，包括以下步驟:
A采用陶瓷金剛石砂輪作為刀具對硅芯進(jìn)行磨削整形，利用純水作為冷卻劑在硅芯開丫時對刀具和丫口進(jìn)行沖洗；
B整形完畢后的硅芯用純水在磨削的地方進(jìn)行沖洗Imin ；
C用四氯化碳擦拭硅芯后，將硅芯放入超聲池中進(jìn)行超聲；
D從超聲池中取出硅芯放進(jìn)烘箱，在110 °C的溫度下烘干；
E將烘干后的硅芯放進(jìn)真空烘箱保存待用，溫度設(shè)置60°C。
[0026]所述C步驟的擦拭硅芯是指:人工戴手套在潔凈室用醫(yī)用紗布至少來回擦拭四次，直至紗布不再沾污為止。
[0027]實(shí)施例4
一種硅芯的潔凈處理工藝，包括以下步驟:
A采用陶瓷金剛石砂輪作為刀具對硅芯進(jìn)行磨削整形，利用純水作為冷卻劑在硅芯開丫時對刀具和丫口進(jìn)行沖洗；
B整形完畢后的硅芯用純水在磨削的地方進(jìn)行沖洗5min ；
C用四氯化碳擦拭硅芯后，將硅芯放入超聲池中進(jìn)行超聲；D從超聲池中取出硅芯放進(jìn)烘箱，在115 °C的溫度下烘干；
E將烘干后的硅芯放進(jìn)真空烘箱保存待用，溫度設(shè)置70°C。
[0028]所述C步驟的擦拭硅芯是指:人工戴手套在潔凈室用醫(yī)用紗布至少來回擦拭四次，直至紗布不再沾污為止。
[0029]所述的超聲結(jié)束后，待水面沒有漂浮物出現(xiàn)，才排水撈出硅芯進(jìn)行烘干。
[0030]實(shí)施例5
一種硅芯的潔凈處理工藝，包括以下步驟:
A采用陶瓷金剛石砂輪作為刀具對硅芯進(jìn)行磨削整形，利用純水作為冷卻劑在硅芯開丫時對刀具和丫口進(jìn)行沖洗；
B整形完畢后的硅芯用純水在磨削的地方進(jìn)行沖洗2min ；
C用四氯化碳擦拭硅芯后，將硅芯放入超聲池中進(jìn)行超聲；
D從超聲池中取出硅芯放進(jìn)烘箱，在105°C的溫度下烘干；
E將烘干后的硅芯放進(jìn)真空烘箱保存待用，溫度設(shè)置65°C。
[0031]所述C步驟的擦拭硅芯是指:人工戴手套在潔凈室用醫(yī)用紗布至少來回擦拭四次，直至紗布不再沾污為止。
[0032]所述的C步驟，硅芯放入超聲池中在40khz的頻率下超聲4小時。
[0033]實(shí)施例6
一種硅芯的潔凈處理工藝，包括以下步驟:
A采用陶瓷金剛石砂輪作為刀具對硅芯進(jìn)行磨削整形，利用純水作為冷卻劑在硅芯開丫時對刀具和丫口進(jìn)行沖洗；
B整形完畢后的硅芯用純水在磨削的地方進(jìn)行沖洗3min ；
C用四氯化碳擦拭硅芯后，將硅芯放入超聲池中進(jìn)行超聲；
D從超聲池中取出硅芯放進(jìn)烘箱，在106 °C的溫度下烘干；
E將烘干后的硅芯放進(jìn)真空烘箱保存待用，溫度設(shè)置75°C。
[0034]所述C步驟的擦拭硅芯是指:人工戴手套在潔凈室用醫(yī)用紗布至少來回擦拭四次，直至紗布不再沾污為止。
[0035]所述的C步驟，硅芯放入超聲池中在50khz的頻率下超聲2小時。
[0036]所述的C步驟，超聲的同時，從超聲池底部通入純水，流量為0.3m--/h。
[0037]實(shí)施例7
一種硅芯的潔凈處理工藝，包括以下步驟:
A采用陶瓷金剛石砂輪作為刀具對硅芯進(jìn)行磨削整形，利用純水作為冷卻劑在硅芯開丫時對刀具和丫口進(jìn)行沖洗；
B整形完畢后的硅芯用純水在磨削的地方進(jìn)行沖洗4min ；
C用四氯化碳擦拭硅芯后，將硅芯放入超聲池中進(jìn)行超聲；
D從超聲池中取出硅芯放進(jìn)烘箱，在122°C的溫度下烘干；
E將烘干后的硅芯放進(jìn)真空烘箱保存待用，溫度設(shè)置56°C。
[0038]所述C步驟的擦拭硅芯是指:人工戴手套在潔凈室用醫(yī)用紗布至少來回擦拭四次，直至紗布不再沾污為止。
[0039]所述的C步驟，硅芯放入超聲池中在45khz的頻率下超聲3小時。[0040]所述的C步驟，超聲的同時，從超聲池底部通入純水，流量為0.8m--/h。
[0041]所述的超聲結(jié)束后，待水面沒有漂浮物出現(xiàn)，才排水撈出硅芯進(jìn)行烘干。
[0042]實(shí)施例8
一種硅芯的潔凈處理工藝，包括以下步驟:
A采用陶瓷金剛石砂輪作為刀具對硅芯進(jìn)行磨削整形，利用純水作為冷卻劑在硅芯開丫時對刀具和丫口進(jìn)行沖洗；
B整形完畢后的硅芯用純水在磨削的地方進(jìn)行沖洗3min ；
C用四氯化碳擦拭硅芯后，將硅芯放入超聲池中進(jìn)行超聲；
D從超聲池中取出硅芯放進(jìn)烘箱，在126°C的溫度下烘干；
E將烘干后的硅芯放進(jìn)真空烘箱保存待用，溫度設(shè)置76°C。
[0043]所述C步驟的擦拭硅芯是指:人工戴手套在潔凈室用醫(yī)用紗布至少來回擦拭四次，直至紗布不再沾污為止。
[0044]所述的C步驟，硅芯放入超聲池中在46khz的頻率下超聲2.5小時。
[0045]所述的C步驟，超聲的同時，從超聲池底部通入純水，流量為0.6m--/h。
[0046]所述的超聲結(jié)束后，待水面沒有漂浮物出現(xiàn)，才排水撈出硅芯進(jìn)行烘干。
[0047]所述的硅芯從硅芯爐中取出后的所有轉(zhuǎn)運(yùn)操作都在至少十萬級的潔凈廠房內(nèi)。
[0048]實(shí)施例9
一種硅芯的潔凈處理工藝，包括以下步驟:
A采用陶瓷金剛石砂輪作為刀具對硅芯進(jìn)行磨削整形，利用純水作為冷卻劑在硅芯開丫時對刀具和丫口進(jìn)行沖洗；
B整形完畢后的硅芯用純水在磨削的地方進(jìn)行沖洗2min ；
C用四氯化碳擦拭硅芯后，將硅芯放入超聲池中進(jìn)行超聲；
D從超聲池中取出硅芯放進(jìn)烘箱，在118 °C的溫度下烘干；
E將烘干后的硅芯放進(jìn)真空烘箱保存待用，溫度設(shè)置76°C。
[0049]所述C步驟的擦拭硅芯是指:人工戴手套在潔凈室用醫(yī)用紗布至少來回擦拭四次，直至紗布不再沾污為止。
[0050]所述的C步驟，硅芯放入超聲池中在42khz的頻率下超聲3.5小時。
[0051]所述的C步驟，超聲的同時，從超聲池底部通入純水，流量為0.5m--/h。
[0052]所述的超聲結(jié)束后，待水面沒有漂浮物出現(xiàn)，才排水撈出硅芯進(jìn)行烘干。
[0053]所述的硅芯從硅芯爐中取出后的所有轉(zhuǎn)運(yùn)操作都在至少十萬級的潔凈廠房內(nèi)。
[0054]實(shí)施例10
一種硅芯的潔凈處理工藝，包括以下步驟:
A采用陶瓷金剛石砂輪作為刀具對硅芯進(jìn)行磨削整形，利用純水作為冷卻劑在硅芯開丫時對刀具和丫口進(jìn)行沖洗；
B整形完畢后的硅芯用純水在磨削的地方進(jìn)行沖洗4min ；
C用四氯化碳擦拭硅芯后，將硅芯放入超聲池中進(jìn)行超聲；
D從超聲池中取出硅芯放進(jìn)烘箱，在108°C的溫度下烘干；
E將烘干后的硅芯放進(jìn)真空烘箱保存待用，溫度設(shè)置55°C。
[0055]所述C步驟的擦拭硅芯是指:人工戴手套在潔凈室用醫(yī)用紗布至少來回擦拭四次，直至紗布不再沾污為止。
[0056]所述的C步驟，硅芯放入超聲池中在48khz的頻率下超聲3小時。
[0057]所述的C步驟，超聲的同時，從超聲池底部通入純水，流量為0.7m--/h。
[0058]所述的超聲結(jié)束后，待水面沒有漂浮物出現(xiàn)，才排水撈出硅芯進(jìn)行烘干。
[0059]所述的硅芯從硅芯爐中取出后的所有轉(zhuǎn)運(yùn)操作都在至少十萬級的潔凈廠房內(nèi)。
[0060]實(shí)施例11
一種硅芯的潔凈處理工藝，包括以下步驟:
1.娃芯母料酸洗合格后，裝于娃芯爐內(nèi)，置換后按照五芯爐娃芯拉制方法拉制出合格硅芯。廠房為10萬級廠房。
[0061]2.操作人員穿戴潔凈服，口罩，白手套，將拉制完畢后的硅芯取出放置于硅芯轉(zhuǎn)運(yùn)車中。
[0062]3.運(yùn)車通過通道進(jìn)入整形間。整形間同樣為10萬級潔凈廠房，整形設(shè)備為陶瓷刀具設(shè)備，外表為高強(qiáng)度塑料材質(zhì)，刀具處用透明罩子，防止硅粉，污水飛濺。整形時用純水作為切削液，以免水中的其他金屬等雜質(zhì)沾污硅芯。
[0063]4.將整形處(丫口位置)，用純水沖洗2-5分鐘。
[0064]5.在脫脂紗布上倒上四氯化碳對硅芯整體表面進(jìn)行來回擦拭4次。
[0065]6.將擦拭完畢后的硅芯放進(jìn)超聲池中，用純水淹蓋硅芯，設(shè)置頻率40KHZ，超聲過程中逐漸有漂浮物浮在在表面，為了有效的去除漂浮物，通入少量的純水達(dá)到溢流的效果，超聲四小時。
[0066]7.超聲結(jié)束后半小時，排掉純水，將硅芯取出，放進(jìn)烘箱中溫度設(shè)定100°，將硅芯烘干。
[0067]8.將硅芯取出烘干箱放進(jìn)真空烘箱內(nèi)，抽真空，溫度設(shè)定50° (每次開關(guān)烘箱門抽真空)。恒溫保存能有效保證硅芯質(zhì)量，且便于還原裝爐時隨時領(lǐng)用硅芯。
[0068]9.還原領(lǐng)用硅芯裝爐反應(yīng)所得硅棒經(jīng)套料，拉晶，檢測結(jié)果符合:1、N型電阻率≥ 20--.cm/P 型電阻率≥ 100--.cm ;2、少子壽命≥ 30 μ s ;3、氧濃度〈1.5X 1017 (atoms/cm3) ;4、碳濃度 <4.5 X 1016 (atoms/cm3)。
【權(quán)利要求】
1.一種硅芯的潔凈處理工藝，其特征在于:包括以下步驟: A采用陶瓷金剛石砂輪作為刀具對硅芯進(jìn)行磨削整形，利用純水作為冷卻劑在硅芯開丫時對刀具和丫口進(jìn)行沖洗； B整形完畢后的硅芯用純水在磨削的地方進(jìn)行沖洗； C用四氯化碳擦拭硅芯后，將硅芯放入超聲池中進(jìn)行超聲； D從超聲池中取出硅芯放進(jìn)烘箱，在100-120 °C的溫度下烘干； E將烘干后的硅芯放進(jìn)真空烘箱保存待用，溫度設(shè)置50-80°C。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅芯的潔凈處理工藝，其特征在于:所述的B步驟，純水在磨削的地方進(jìn)行沖洗l_5min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅芯的潔凈處理工藝，其特征在于:所述C步驟的擦拭硅芯是指:人工戴手套在潔凈室用醫(yī)用紗布至少來回擦拭四次，直至紗布不再沾污為止。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅芯的潔凈處理工藝，其特征在于:所述的C步驟，硅芯放入超聲池中在40-50khz的頻率下超聲2-4小時。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅芯的潔凈處理工藝，其特征在于:所述的C步驟，超聲的同時，從超聲池底部通入純水，流量為0.3-0.8m3/h。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅芯的潔凈處理工藝，其特征在于:所述的超聲結(jié)束后，待水面沒有漂浮物出現(xiàn)，才排水撈出硅芯進(jìn)行烘干。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種娃芯的潔凈處理工藝，其特征在于:所述的娃芯從娃芯爐中取出后的所有轉(zhuǎn)運(yùn)操作都在至少十萬級的潔凈廠房內(nèi)。
【文檔編號】B08B3/12GK104018227SQ201410272522
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年6月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月18日
【發(fā)明者】李川, 李斌, 甘居富, 陳彬 申請人:四川永祥多晶硅有限公司