專利名稱：基板清洗方法
技術領域：
本發(fā)明涉及形成有微細圖案的基板的清洗方法。
背景技術：
例如，在半導體裝置的制造工序中，在半導體基板實施蝕刻處理和成膜處理等的處理時，對應其處理工序在半導體基板的表面殘留有氣體或反應物等(以下稱“污染成分”)。這樣的污染成分，由于之后可能會氣化而污染半導體基板的周圍環(huán)境，所以通過將處理后的半導體基板在真空環(huán)境保持一定時間，或者通過在氣體流動的環(huán)境保持一定時間 (以下稱“凈化處理”)，使污染成分蒸發(fā)從半導體基板除去，之后，將半導體基板收納在環(huán)箍 (FOUP)進入到下一處理工序等。但是，在從半導體基板產生大量的氣體的時候，存在氣體附著在處理裝置的部件上將該部件腐蝕，或附著在部件上之后剝離成為微粒(particle)的原因等問題。此外，真空處理功能存在由于處理裝置的規(guī)格而不能搭載的情況，這時，凈化處理需要較長的處理時間，會使處理裝置的處理能力降低。在污染成分的除去中，也考慮通過液體的清洗方法的適用，但是近年的被微細化 (細線化)的抗蝕劑圖案或蝕刻圖案中，產生因液體的表面張力引起的圖案崩潰的問題。因此，例如，提供有如下的抗蝕劑除去方法，為了除去在適用平板印刷法形成微細圖案的過程中涂敷在基板表面的、用于圖案形成之后殘存的抗蝕劑，而將基板上附著有抗蝕劑的部位浸漬在超臨界流體中(例如，參照專利文獻1)。此外提案有以下氣溶劑清洗方法為了不對形成于基板的微細圖案給予傷害、并使清洗力提高，在將氣溶劑噴在被清洗物來清洗的氣溶劑清洗方法中，通過使氣溶劑以規(guī)定速度以上沖撞被清洗物，在被清洗物表面局部地產生超臨界狀態(tài)或者疑似超臨界狀態(tài)， 使清洗力提高。(例如，參照專利文獻2)。現(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1 日本特開平06-181050號公報專利文獻2 日本特開2003-209088號公報

發(fā)明內容
發(fā)明要解決的問題然而，專利文獻1公開的基于超臨界流體的清洗處理，由于必須在高溫高壓的環(huán)境下實施，所以存在裝置構造復雜的問題。此外，專利文獻2公開的氣溶劑清洗方法，由于需要將非常高速的氣溶劑對基板噴出的噴射裝置，所以存在裝置大型化、復雜化，而且，高速的煙霧劑會破壞基板上的圖案的問題。本發(fā)明的目的是提供一種基板清洗方法，其能夠以簡單的裝置構造實施，能夠以短時間對形成有微細圖案的基板進行清洗，并不會對其微細圖案給與壞影響。
解決問題的手段為了達成上述目，提供根據(jù)本發(fā)明提供一種對表面形成有微細圖案的基板進行清洗的基板清洗方法，該基板清洗方法包括將上述基板從在上述基板的表面實施規(guī)定的加工的處理腔室向實施上述基板的清洗的清洗腔室輸送的輸送步驟；在上述清洗腔室內，將上述基板冷卻到規(guī)定的溫度的冷卻步驟；和向上述基板的表面供給超流體，之后，使上述超流體從上述基板的表面流出，由此沖走上述微細圖案內的污染成分的超流動清洗步驟。在本發(fā)明中，上述超流動清洗步驟優(yōu)選通過向上述基板供給上述超流體、并且回收從上述基板流出的上述超流體來實施。在本發(fā)明中，優(yōu)選上述超流動清洗步驟包含將上述基板浸漬在上述超流體的浸漬步驟；和通過使浸漬上述基板的上述超流體的水位比上述基板的表面低，使上述超流體從上述基板的表面流出的流出步驟。在本發(fā)明中，上述超流體優(yōu)選是氦。在本發(fā)明中，上述微細圖案的特征長度度優(yōu)選0. 1 μ m以下。在本發(fā)明中，優(yōu)選在將上述基板通過上述超流體進行清洗處理之前或之后，還具有通過超臨界流體對上述基板進行清洗的超臨界清洗步驟。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，對于形成有微細圖案的基板，能在不發(fā)生圖案倒塌的情況下從基板除去污染成分，由此，能防止來自基板的氣體的產生。根據(jù)本發(fā)明，由于邊使污染成分從基板流出邊進行清洗，所以能使基板的清潔度提尚。根據(jù)本發(fā)明，抑制超流體的使用量為少量，并且利用超流體的、所謂攀壁現(xiàn)象能從基板上除去含有污染成分的超流體。根據(jù)本發(fā)明，能可靠地實現(xiàn)超流動狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明，即使是特征長度度為0. Ιμπι以下的非常微細的圖案，也能不會發(fā)生圖案倒塌地除去污染成分。根據(jù)本發(fā)明，通過將基于超流體的清洗與基于超臨界流體的清洗組合，能實施更精密的清洗。


圖1是概略表示能實施本發(fā)明的基板清洗方法的第一基板處理系統(tǒng)的構造的俯視圖。圖2是概略表示圖1所示的基板處理系統(tǒng)具備的清洗處理單元的構造的截面圖。圖3是表示清洗處理的流程圖。圖4是模式化地表示形成于基板的微細圖案的超流體的流動的圖。圖5是概略表示能實施本發(fā)明的基板清洗方法的第二基板處理系統(tǒng)的構造的俯視圖。
具體實施例方式以下參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式。這里，對利用對作為基板的半導體晶片(以下稱“晶片”)實施蝕刻法處理的基板處理系統(tǒng)來實施本發(fā)明的基板清洗方法的方式進行說明。圖1是概略表示能實施本發(fā)明的基板清洗方法的第一基板處理系統(tǒng)的構造的俯視圖。該基板處理系統(tǒng)10具備在晶片W實施RIE(各向異性蝕刻法)處理的2個工藝船 (process ship) 11和這些工藝船11分別連接的矩形的作為共用輸送室的大氣輸送室(以下稱“裝載組件”)13。而且，在裝載組件13連接有例如分別載置作為收納25枚晶片W的收納容器的環(huán)箍14的3個環(huán)箍載置臺15、預對準(pre-alignment)從環(huán)箍14搬出的晶片 W的位置的取向器(orienta) 16和對實施了 RIE處理的晶片W實施清洗處理的超流動清洗單元17。2個工藝船11，連接在裝載組件13的長度方向的側壁，并且以隔著裝載組件13與 3個環(huán)箍載置臺15相對的方式配置。取向器16配置在裝載組件13的長度方向的一端，超流動清洗單元17配置在裝載組件13的長度方向的另一端。另外，有關超流動清洗單元17 的構造在后面詳細進行說明。在裝載組件13的內部配設有輸送晶片W的計數(shù)器型雙臂式的輸送臂機構19。在裝載組件13的環(huán)箍載置臺15側的側壁，在與環(huán)箍載置臺15的位置對應的位置設置有作為晶片W的投入口且環(huán)箍連接口而使用的3個裝載口 20。同樣地，在裝載組件13的超流動清洗單元17側的側壁設置有裝載口 18。并且，在這些裝載口 18、20分別設置有開閉門(未圖示)。根據(jù)這樣的構造，輸送臂機構19從載置于環(huán)箍載置臺15的環(huán)箍14經由裝載口 20 取出晶片W，將取出的晶片W對工藝船11或取向器16、超流動清洗單元17進行搬入搬出。工藝船11具備作為對晶片W實施RIE處理的真空處理室的工藝組件25和內裝有對于工藝組件25交接晶片W的環(huán)型單選式的輸送臂沈的裝載鎖定組件27。工藝組件25，雖然其詳細的構造未圖示，但是具備收納晶片W的圓筒狀的腔室、為了載置晶片W而配置于腔內的晶片臺和以與晶片臺的上表面以一定間隔相對的方式配置的上部電極。晶片臺同時具有通過庫侖力等保持晶片W的功能和作為下部電極的功能，上部電極與晶片臺的間隔設定為在晶片W實施RIE處理的合適的距離。在工藝組件25中，在腔室內部導入氟系氣體或者溴系氣體等處理氣體，通過在上部電極與下部電極間產生電場使已導入的處理氣體等離子化而產生離子和原子團，通過該離子和原子團對晶片W實施RIE處理。例如，在晶片W的表面形成的多晶硅層被蝕刻形成微細圖案。在工藝船11，裝載組件13的內部的壓力被維持為大氣壓，另一方面工藝組件25的內部壓力被維持為真空。因此，裝載鎖定組件27，通過在與工藝組件25的連結部具備真空閘閥四，并且在與裝載組件13的連結部具備大氣閘閥30，由此，能使其內部壓力在真空環(huán)境與大氣壓環(huán)境之間調整。在裝載鎖定組件27中，輸送臂沈設置于大致中央部，分別在工藝組件25側設置第一緩沖器31，在裝載組件13側設置第二緩沖器32。第一緩沖器31和第二緩沖器32配置于用于支持在輸送臂26的前端部配置的晶片W的拾取裝置33移動的軌道上。通過使實施了 RIE處理的晶片W暫時在拾取裝置33的軌道的上方待避，RIE未處理的晶片W與RIE 處理完的晶片W能夠在工藝組件25中順利地更換。在基板處理系統(tǒng)10中，在裝載組件13的長度方向的一端配置有控制工藝船11、裝載組件13、取向器16和超流動清洗單元17的動作的操作控制器40。即，為了以規(guī)定的菜單實施RIE處理和清洗處理、晶片W的輸送處理，操作控制器40執(zhí)行與之相對應程序。這樣，構成基板處理系統(tǒng)10的各種運轉要素的動作被控制。并且，操作控制器40具有例如 IXD(Liquid Crystal Display)等的顯示部(未圖示)，在該顯示部能進行菜單的確認和各種運轉要素的動作狀況的確認。在按上述方式構成的基板處理系統(tǒng)中，收納了晶片W的環(huán)箍14載置于環(huán)箍載置臺 15時，裝載口 20被打開，由輸送臂機構19從環(huán)箍14取出晶片W，將該晶片W搬入取向器 16。在取向器16實施了位置的校準的晶片W由輸送臂機構19從取向器16取出，經由一個工藝船11的大氣閘閥30，交接到維持為大氣壓環(huán)境的裝載鎖定組件27內的輸送臂26。大氣閘閥30關閉，裝載鎖定組件27內成為真空環(huán)境之后，真空閘閥四打開，晶片 W被搬入工藝組件25。真空閘閥四關閉、在工藝組件25實施了 RIE處理之后，真空閘閥四打開，晶片W從工藝組件25由裝載鎖定組件27內的輸送臂沈搬出。真空閘閥四關閉之后，裝載鎖定組件27內回到大氣壓環(huán)境，大氣閘閥30打開，晶片W從輸送臂沈交接到輸送臂機構19。輸送臂機構19通過裝載口 20將保持的晶片W搬入超流動清洗單元17，在此實施晶片W的清洗處理。后面詳細說明該清洗處理的具體內容。 清洗處理完成的晶片W由輸送臂機構19從超流動清洗單元17搬出，返回到規(guī)定的環(huán)箍14。下面，詳細說明超流動清洗單元17。圖2是概略表示超流動清洗單元的構造的垂直截面圖。超流動清洗單元17包括由具有真空絕熱層(未圖示)的外側容器41和具有真空絕熱層(未圖示)且配置于外側容器41的內側的內側容器42組成的雙重構造的清洗腔。 在外側容器41與內側容器42之間，設置有儲存液體氮(LiqJ2)的空間，在該液體氮儲存空間，通過液體氮供給管路51從外部供給液體氮，此外，在此蒸發(fā)的氮氣(N2-gas)從氮氣排出管路52排出。另外也可以采用如下結構，在液體氮儲存空間設置由熱傳導性優(yōu)良的銅等金屬組成的傳熱板，通過由專業(yè)型冷凍機等的在冷凍機產生的冷熱對該傳熱板進行傳熱，能使液體氮儲存空間內的液體氮固化。在內側容器42內的下側配置用于載置晶片W的臺43，在臺43上載置晶片W。臺 43通過傳熱管45與配置于外側容器41的外側的冷凍機44連接。作為冷凍機44適宜使用專業(yè)型冷凍機等的極低溫冷凍機，臺43優(yōu)選，通過從冷凍機44經由傳熱管45傳導的冷熱， 氦(He)被冷卻到顯示超流動的性質的相變溫度(=約2. 17K)，由此，載置于臺43的晶片W 也被冷卻到該相變溫度。在其另一方面，為了使已冷卻的晶片W迅速回到室溫，在臺43埋設有通過來自加熱電源46的供電而發(fā)熱的加熱器(未圖示)。因此，在傳熱管45設置有將從冷凍機44向臺43的冷熱的熱傳達遮斷的傳熱遮斷機構(未圖示)，在加熱器動作時由該傳熱遮斷機構遮斷在冷凍機44產生的冷熱向臺43的熱傳遞。由此，沒必要使冷凍機44停止，熱傳遞恢復后，能使載置于臺43上的晶片W迅速冷卻。在內側容器42內的上側配設有噴淋頭47，該噴淋頭47向載置于臺43的晶片W供給作為超流體的液體氦(Liq. He)，在噴淋頭47通過液體氦供給管路53能從外部供給液體気。液體氦在約2. 17K引起相變，從通常的液體氦(常流動氦；He I)變?yōu)槌鲃雍?HeII)。超流動氦成為粘性為0(零)的狀態(tài)，顯示沿壁上升、或只要有一個原子能通過的縫隙就從其漏出的性質。但是，在有限溫度區(qū)域，常流動氦與超流動氦共存，因此，通過常流動氦能得到清洗效果。并且，由于超流動氦沒有粘性，所以不能期待對固體狀的污染成分的清洗效果，但是能期待將在晶片W的微細圖案附著或者浸入的分子狀污染成分進行物理置換并除去的效果。于是，從噴淋頭47排出的液體氦被維持在超流動狀態(tài)，通過超流動氦，除去附著于在晶片W形成的微細圖案的、成為脫氣原因的污染汚染，清洗晶片W。通過在內側容器42內供給的液體氦蒸發(fā)而產生的氦氣(He-gas)從氦氣排出管路 M排出。圖2未圖示的裝載口 18的附近區(qū)域成為超過液體氦的沸點的溫度，主要在該區(qū)域使液體氦蒸發(fā)。氦氣通過液化處理被再利用，但是由于在實施了晶片W的清洗處理后的氦氣包含雜質，所以在液化處理的階段除去雜質。在內側容器42內供給的液體氦，適宜，通過設置于內側容器42的底部的排水管48 排出到外部，被再利用。來自排水管48的排液通過閥門49的開閉操作來實施。在內側容器42以使內側容器42內能成為真空(減壓)環(huán)境的方式連接排氣管路陽。該排氣管路陽不是必需的部分，通過使內側容器42內的氣壓下降，能不使冷凍機44 的負荷增大而使液體氦容易地達到從常流動狀態(tài)成為超流動狀態(tài)的相變度。在使內側容器 42內成為真空環(huán)境時，為了使內側容器42內返回到大氣壓，利用在內側容器42內的由液體氦的蒸發(fā)引起的壓力上升，或者利用排氣管路陽或者氦氣排出管路M使?jié)崈舻臍怏w導入內側容器42內。并且，如上所述，由于在超流動清洗單元17能使晶片W與超流動氦接觸，所以晶片 W不一定必須冷卻到液體氦成為超流動狀態(tài)的相變溫度，晶片W可以被冷卻到在與液體氦的最初的接觸時不受到傷害的溫度，例如，被冷卻到與晶片W接觸的液體氦的大部分瞬時成為常流動氦，而該常流動氦不會使圖案倒下的溫度。下面，詳細說明超流動清洗單元17的處理流程。圖3是表示清洗處理單元的清洗處理的流程圖。在圖3同時記述第一處理流程(第一清洗方法)和第二處理流程(第二清洗方法)。在第一清洗方法中，首先，晶片W被搬入超流動清洗單元17，載置于臺43時，并根據(jù)來自冷凍機44的冷熱與臺43—同冷卻到規(guī)定溫度(步驟S10)。接著，從噴淋頭47在晶片W供給液體氦并實施晶片W的清洗處理，這時，閥門49維持在打開的狀態(tài)，從晶片W流動落下的液體氦從排水管48排出并被回收(步驟Sll)。在該步驟Sll中，液體氦可以在晶片 W上成為超流動狀態(tài)，內側容器42內可以成為大氣壓環(huán)境，也可以是真空環(huán)境。在因為結束步驟Sll而向晶片W的液體氦的排出停止時，晶片W的超流動氦自然地從晶片W表面流動落下。圖4是表示超流動氦具有的、根據(jù)所謂攀壁流動的性質流出的樣子的模式圖。形成于晶片W的微細圖案的凸部60間的槽和孔(例如，由RIE處理形成的溝道和洞等)中的超流動氦，即使處于其水位比凸部60的頂部低的狀態(tài)，由于攀壁流動性質，也如圖4的左圖所示攀上凸部60向水位更低的地方流動。由此，如圖4的右圖所示，在凸部60間的槽和孔不殘留超流動氦，最終，全部的超流動氦從晶片W的表面流下。由于超流動氦粘性為0(零)，所以即使形成于晶片W的圖案非常微細，也不會發(fā)生圖案倒塌。因此，使用了超流動氦的晶片W的清洗，適合用于形成于晶片W的微細圖案的特征長度度為0. 1 μ m以下的情況。超流動氦從晶片W流下之后，關閉閥門49，向臺43的冷熱的熱傳遞被遮斷，晶片W 返回到室溫(步驟S12)。之后，晶片W從超流動清洗單元17搬出，被收納于環(huán)箍14。在第二清洗方法中，晶片W被搬入超流動清洗單元17并載置于臺43時，通過來自冷凍機44的冷熱與臺43 —同被冷卻到規(guī)定溫度(步驟S10)。接著，在閥門49關閉的狀態(tài)從噴淋頭47向晶片W供給液體氦，在內側容器42內存留液體氦。而且，若晶片W浸漬在液體氦中，則停止液體氦的供給(步驟S21)。這時，液體氦是超流動氦時，經過規(guī)定時間后向步驟S22進行。另一方面，若液體氦為常流動氦的狀態(tài)，則通過使內側容器42內進一步冷卻或者減壓，使得向超流動氦相變，成為使晶片W浸漬在超流動氦的狀態(tài)。S卩，在步驟S21 22之間，成為晶片W浸漬在超流動氦的狀態(tài)。晶片W浸漬在超流動氦之后，打開閥門49從內側容器42內排出一定量的超流動氦，到內側容器42內的超流動氦的水位比晶片W的表面低的程度。由此，如之前參照圖4 說明的那樣，晶片W上的超流動氦從晶片W上流出，成為不在晶片W上殘留的狀態(tài)(步驟 S22)。在第二清洗方法中，這樣將步驟S21，22作為1組，實施1次清洗處理。通過實施規(guī)定次數(shù)的步驟S21，22，能更精密地實施晶片W的清洗。在步驟S22之后，判斷是否實施了步驟S21，22預先制定的處理次數(shù)(步驟S23)。 步驟S23的判斷為“是”時，打開閥門49，內側容器42內的超流動氦被排出并被回收(步驟 S24)。另一方面，步驟S23的判斷為“否”時，返回到步驟S21，進一步實施晶片W的清洗處理。步驟SM之后，關閉閥門49，向臺43的冷熱的熱傳遞被遮斷，晶片W回到室溫(步驟S12)。這樣，回到室溫的晶片W從超流動清洗單元17搬出，被收納于環(huán)箍14。超流動清洗單元17中的晶片W的清洗，也可以將上述的第一、第二清洗方法組合實施。此外能分別期待，通過使在超流動氦含有氟，能得到除去金屬系的污染成分的效果， 并且通過使在超流動氦含有臭氧，能得到除去具有與氧的反應性的污染成分的效果。下面，說明能實施本發(fā)明的基板清洗方法的其他的基板處理系統(tǒng)。圖5是概略表示能實施本發(fā)明的基板清洗方法的第二基板處理系統(tǒng)的構造的俯視圖。該基板處理系統(tǒng) IOA在圖1所示的基板處理系統(tǒng)10的基礎上還具備對晶片W實施超臨界清洗處理的超臨界清洗單元70的構造。因此，這里僅對超臨界清洗單元70的概要進行說明。超臨界清洗單元70與環(huán)箍載置臺15排成一列連接在裝載組件13的側壁。超臨界清洗單元70的配設位置不限定于此，也可以配置于工藝船11側，此外，也可以配置于超流動清洗單元17的上部、構成多階清洗單元。超臨界清洗單元70的詳細的構造的圖示省略，超臨界清洗單元70具備收納晶片W的高溫高壓腔室；控制高溫高壓腔室內的溫度的溫度控制裝置；控制高溫高壓腔內的壓力的壓力控制裝置；在高溫高壓腔室供給/回收超臨界流體的媒體供給/回收管路；和以氮氣等惰性氣體清洗高溫高壓腔內的清洗管路。作為超臨界流體能使用例如二氧化碳 (CO2)、氬(Ar)等惰性氣體。
基于超臨界清洗單元70的晶片W的清洗處理可以在超流動清洗單元17的晶片W 的清洗處理之前實施，也可以在之后實施。通過實施基于超流體的清洗處理和基于超臨界流體的清洗處理，等于將僅以一種處理不能除去的污染成分以另一個處理除去，能實施更精密的清洗處理。在超臨界清洗單元70中，通過使晶片W在規(guī)定時間之內曝露在超臨界流體中，污染成分能被除去。由于超臨界流體是氣體，所以在形成于晶片W的微細圖案不會發(fā)生圖案倒塌。以上說明了本發(fā)明的實施方式，但是本發(fā)明不限定于上述方式。例如，雖然采納具備在晶片W實施RIE處理的工藝組件25的基板處理系統(tǒng)，但是也可以是工藝組件在晶片W 實施成膜處理或擴散處理。在上述方式中，通過在實施RIE處理的裝置連接超流動清洗單元17，構成基板處理系統(tǒng)10、10A。這樣，由于超流動清洗單元17能連接在各種實施RIE處理和成膜處理、擴散處理等的處理裝置，所以能容易地適應于現(xiàn)有的處理裝置，但是另一方面，也能不將超流動清洗單元17連接在這些處理裝置而作為獨立的清洗處理裝置來使用。在上述說明中，采用半導體晶片作為基板，但是基板不限定于此，也可以是 LCD (Liquid Crystal Display)等的 FPD (Flat Panel Display)用基板或光掩膜、CD 基板、 印刷基板等各種基板。本發(fā)明的目的也能通過如下方式達成在操作控制器40，將記錄了實現(xiàn)上述的各實施方式的功能的軟件的程序代碼的存儲介質供給給計算機(例如，控制部)，并且計算機的CPU將貯存于存儲介質的程序代碼讀出。這時，從存儲介質讀出的程序代碼自身能實現(xiàn)上述的各實施方式的功能，程序代碼和儲存了該程序代碼的存儲介質構成本發(fā)明。作為用于供給程序代碼的存儲介質，可以是例如，RAM、NV-RAM、軟盤(登錄商標) 磁盤、硬盤、磁光盤、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD (DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)等光盤、 磁帶、非易失性存儲卡、其他的ROM等能存儲上述程序代碼的設備?；蛘撸鲜龀绦虼a也可以通過從連接在互聯(lián)網(wǎng)、商用網(wǎng)絡、或者局域網(wǎng)的未圖示的其他計算機或數(shù)據(jù)庫等下載供給給計算機。此外，通過執(zhí)行計算機讀出的程序代碼，不僅實現(xiàn)上述各實施方式的功能，還包含，基于其程序代碼的指示在CPU上運行的OS(操作(operating)系統(tǒng))等實施實際的處理的一部分或者全部，通過該處理能實現(xiàn)上述各實施方式的功能的情況。進而還包含以下情況從存儲介質讀出的程序代碼，被寫入插入了計算機的功能擴張板或連接在計算機的功能擴張單元具備的存儲器之后，基于該程序代碼的指示，在其功能擴張板或功能擴張單元具備的CPU等實施實際的處理的一部分或者全部，通過該處理能實現(xiàn)上述的各實施方式的功能。上述程序代碼的方式可以由目標代碼、根據(jù)解釋程序(interpreter)實行的程序代碼、供給到OS的腳本數(shù)據(jù)等的方式組成。符號說明10，IOA基板處理系統(tǒng)13 裝載組件17 流動清洗單元
25工藝組件
27裝載鎖定組件
40操作控制器
41外側容器
42內側容器
43臺
44冷凍機
45傳熱管
46加熱電源
47噴淋頭
48排水管
49閥門
51液體氮供給管路
52氮氣排出管路
53液體氦供給管路
54氦氣排出管路
55排氣管路
70超臨界清洗單元
W(半導體)晶片
權利要求
1.一種基板清洗方法，是對表面形成有微細圖案的基板清洗的基板進行清洗方法，該基板清洗方法的特征在于，包括將所述基板從在所述基板的表面實施規(guī)定的加工的處理腔室向實施所述基板的清洗的清洗腔室輸送的輸送步驟；在所述清洗腔室內將所述基板冷卻到規(guī)定的溫度的冷卻步驟；和向所述基板的表面供給超流體，然后，通過使所述超流體從所述基板的表面流出而將所述微細圖案內的污染成分沖走的超流動清洗步驟。
2.如權利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于所述超流動清洗步驟通過向所述基板供給所述超流體，并且回收從所述基板流出的所述超流體來實施。
3.如權利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于所述超流動清洗步驟包括將所述基板浸漬在所述超流體中的浸漬步驟；通過使浸漬所述基板的所述超流體的水位比所述基板的表面低，而使所述超流體從所述基板的表面流出的流出步驟。
4.如權利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于所述超流體是氦。
5.如權利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于所述微細圖案的特征長度為0. 1 μ m以下。
6.如權利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于在通過所述超流體對所述基板進行清洗處理之前或之后，還具有通過超臨界流體清洗所述基板的超臨界清洗步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板清洗方法，其能夠以簡單的裝置構造實施，用于以短時間對形成有微細圖案的基板進行清洗，并不會對該微細圖案壞帶來影響。從對晶片(W)的表面實施規(guī)定的加工的處理腔室向實施晶片(W)的清洗的清洗腔室輸送晶片(W)，在清洗腔內將晶片(W)冷卻到規(guī)定溫度，將作為超流體的超流動氦供給到晶片(W)的表面，從晶片(W)的表面使超流動氦流出，由此沖走微細圖案內的污染成分。
文檔編號B08B3/08GK102349136SQ201080011199
公開日2012年2月8日 申請日期2010年3月10日 優(yōu)先權日2009年3月12日
發(fā)明者守屋剛, 宮內國男, 山涌純, 松井英章, 河口慎一, 西村榮一 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社