專利名稱：神經(jīng)移植體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種神經(jīng)移植體，尤其是涉及一種可供生物 體移植的神經(jīng)移植體。
背景技術(shù)：
神經(jīng)系統(tǒng)主要是由神經(jīng)細胞(neurons)以及神經(jīng)膠質(zhì)細胞(neuron glial cells)構(gòu)成的一復雜且特異的生物信息傳遞網(wǎng)絡，用以與其它組織或器官建立連結(jié)以進行功能協(xié)調(diào)。神經(jīng)系統(tǒng)中，是由神經(jīng)細胞來執(zhí)行接收刺激、通過傳導并輸出神經(jīng)遞質(zhì)(neurontransmitter)以進行組織或器官間的信息溝通，而神經(jīng)膠質(zhì)細胞則執(zhí)行神經(jīng)細胞物理性支持、營養(yǎng)提供以及調(diào)節(jié)溝通信息速度等功能。每一神經(jīng)細胞依據(jù)型態(tài)包含胞體(cell body)與神經(jīng)突起(neurite)兩部分,神經(jīng)突起自胞體延伸并朝向其它神經(jīng)細胞或是其它細胞(例如肌肉細胞)生長，其中神經(jīng)突起又分為軸突(axon)與樹突(dendrite)兩種。一般來說,刺激由樹突接收并將沖動傳向胞體,沖動經(jīng)過軸突傳導至軸突末端,并釋放傳導物質(zhì)給其它細胞。由于神經(jīng)系統(tǒng)在生物體內(nèi)起著協(xié)調(diào)各組織與器官的作用，其重要性不言可喻。目前，因神經(jīng)系統(tǒng)受損而導致的神經(jīng)缺損是臨床常見的致殘性疾病。其中，通過植入神經(jīng)移植體來修復受損的神經(jīng)系統(tǒng)，是神經(jīng)外科手術(shù)用來修復因各種情況引起的神經(jīng)系統(tǒng)損傷的一種重要手段?，F(xiàn)有的神經(jīng)移植體通常為“橋接”在神經(jīng)系統(tǒng)受損部位兩端的神經(jīng)管，該神經(jīng)管是由生物降解材料制成的管狀結(jié)構(gòu)。神經(jīng)系統(tǒng)受損部位一端的神經(jīng)細胞沿所述神經(jīng)管內(nèi)壁生長出神經(jīng)突起以到達所述神經(jīng)系統(tǒng)受損部位的另一端。因此，所述神經(jīng)管是神經(jīng)細胞的承載體，所述神經(jīng)系統(tǒng)受損部位的神經(jīng)細胞的神經(jīng)突起受到損傷，通過所述神經(jīng)管的支撐，受損部位的神經(jīng)細胞通過自我生長神經(jīng)突起來完成所述神經(jīng)系統(tǒng)的修復。然，當受損部位的神經(jīng)細胞已經(jīng)死亡時，通過植入上述神經(jīng)管是不能修復受損的神經(jīng)系統(tǒng)的。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，確有必要提供一種神經(jīng)移植體，該神經(jīng)移植體能夠減少受損的神經(jīng)系統(tǒng)的修復時間。一種神經(jīng)移植體，其包括一碳納米管結(jié)構(gòu)、一親水層、一極性層以及一神經(jīng)網(wǎng)絡。所述碳納米管結(jié)構(gòu)包括多個碳納米管。所述親水層設置在所述碳納米管結(jié)構(gòu)中的至少部分碳納米管的表面。所述極性層形成于所述親水層遠離所述碳納米管結(jié)構(gòu)的表面。所述神經(jīng)網(wǎng)絡設置在所述極性層，且該極性層具有與所述神經(jīng)網(wǎng)絡相匹配的極性，所述神經(jīng)網(wǎng)絡包括多個神經(jīng)細胞，該多個神經(jīng)細胞相互連接。一種神經(jīng)移植體，其包括一碳納米管結(jié)構(gòu)、一親水層以及一神經(jīng)網(wǎng)絡。所述親水層設置在所述碳納米管結(jié)構(gòu)的表面。所述神經(jīng)網(wǎng)絡設置在所述親水層遠離所述碳納米管結(jié)構(gòu)的表面，且該親水層遠離所述碳納米管結(jié)構(gòu)的表面具有與所述神經(jīng)網(wǎng)絡相匹配的電荷極性，所述神經(jīng)網(wǎng)絡包括多個神經(jīng)細胞，該多個神經(jīng)細胞相互連接。
一種神經(jīng)移植體，其包括一基底、一碳納米管結(jié)構(gòu)、一親水層以及多個神經(jīng)細胞。所述基底的材料為生物降解材料或無生物毒性的材料。所述碳納米管結(jié)構(gòu)設置在所述基底的表面，該碳納米管結(jié)構(gòu)包括多個碳納米管。所述親水層設置在所述碳納米管結(jié)構(gòu)中的部分碳納米管的表面。所述多個神經(jīng)細胞設置在所述親水層的表面，且該親水層的表面具有與所述多個神經(jīng)細胞相匹配的電荷極性。一種神經(jīng)移植體，其包括一碳納米管膜狀結(jié)構(gòu)、一親水層以及多個神經(jīng)細胞。所述親水層設置在所述碳納米管膜狀結(jié)構(gòu)的表面。所述多個神經(jīng)細胞設置在所述親水層的表面，且通過電荷吸附在所述親水層的表面。一種神經(jīng)移植體，其包括一碳納米管結(jié)構(gòu)、一親水層、一極性層以及一神經(jīng)網(wǎng)絡。該親水層設置在所述碳納米管結(jié)構(gòu)表面。該極性層設置在所述親水層遠離所述碳納米管結(jié)構(gòu)的表面。該神經(jīng)網(wǎng)絡設置在所述極性層遠離所述親水層的表面，所述神經(jīng)網(wǎng)絡包括多個 神經(jīng)細胞及多個神經(jīng)突起，所述多個神經(jīng)細胞之間的神經(jīng)突起相互連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，所述神經(jīng)移植體中的碳納米管結(jié)構(gòu)具有彈性佳、延展性良好及質(zhì)量輕等優(yōu)點，因此，所述神經(jīng)移植體可根據(jù)受損神經(jīng)系統(tǒng)的受損部位的形狀、大小進行裁剪、拉伸并植入受損部位。由于該神經(jīng)移植體包括所述神經(jīng)網(wǎng)絡，該神經(jīng)網(wǎng)絡的神經(jīng)細胞與所述受損部位兩端或邊緣的神經(jīng)細胞的距離較近，因此該神經(jīng)移植體中的神經(jīng)細胞與受損部位邊緣的神經(jīng)細胞可以重新建立聯(lián)系，可以完成神經(jīng)系統(tǒng)的修復。


圖I為本發(fā)明實施例所提供的神經(jīng)移植體的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2為本發(fā)明實施例采用的一碳納米管絮化膜的掃描電鏡照片。圖3為本發(fā)明實施例采用的一碳納米管碾壓膜的掃描電鏡照片。圖4為本發(fā)明實施例采用的一碳納米管拉膜的掃描電鏡照片。圖5為本發(fā)明實施例采用的一碳納米管結(jié)構(gòu)的掃描電鏡照片。圖6為本發(fā)明實施例采用的一非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線的掃描電鏡照片。圖7為本發(fā)明實施例采用的一扭轉(zhuǎn)的碳納米管線的掃描電鏡照片。圖8為本發(fā)明實施例采用的二氧化硅層在單層碳納米管膜上的透射電鏡照片。圖9為本發(fā)明實施例所提供的神經(jīng)移植體的平面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖10為本發(fā)明實施例所提供的一神經(jīng)移植體的制備方法的流程圖。圖11為本發(fā)明實施例采用的種植在所述培養(yǎng)基體上的神經(jīng)細胞分化出多個神經(jīng)突起時的掃描電鏡照片。圖12為本發(fā)明實施例所提供的神經(jīng)移植體經(jīng)過染色之后的掃描電鏡照片。圖13為本發(fā)明實施例所提供的神經(jīng)移植體的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖14為本發(fā)明實施例所提供的一神經(jīng)移植體的制備方法的流程圖。主要元件符號說明神經(jīng)移植體100 ；200培養(yǎng)基體10 ;30碳納米管結(jié)構(gòu) 12親水層14
極性化表面16神經(jīng)網(wǎng)絡20神經(jīng)細胞21胞體22
神經(jīng)突起24極性層36如下具體實施方式
將結(jié)合上述附圖進一步說明本發(fā)明。
具體實施例方式請參閱圖1，本發(fā)明第一實施例提供一神經(jīng)移植體100。該神經(jīng)移植體100包括一培養(yǎng)基體10及分布在該培養(yǎng)基體10表面的一神經(jīng)網(wǎng)絡20。所述神經(jīng)網(wǎng)絡20包括多個神經(jīng)細胞21，且該多個神經(jīng)細胞21相互連接形成一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。所述培養(yǎng)基體10的一個表面具有與所述神經(jīng)網(wǎng)絡20的表面電荷極性相匹配的電荷極性，以便使所述神經(jīng)網(wǎng)絡20緊密地吸附在所述培養(yǎng)基體10的表面。所述培養(yǎng)基體10包括一碳納米管結(jié)構(gòu)12及一親水層14。該親水層14遠離所述碳納米管結(jié)構(gòu)的表面具有電荷極性，且該親水層14的電荷極性能夠與所述神經(jīng)網(wǎng)絡20的電荷極性相匹配，即該親水層14的表面具有與所述神經(jīng)網(wǎng)絡20表面相反的電荷極性。所述親水層14設置于該碳納米管結(jié)構(gòu)12的表面。所述碳納米管結(jié)構(gòu)12由多個碳納米管組成。所述親水層14形成在所述碳納米管結(jié)構(gòu)12中的至少部分碳納米管的表面。具體地，所述親水層14可以滲透到所述碳納米管12的內(nèi)部，使得所述碳納米管結(jié)構(gòu)12中的每根碳納米管的表面被所述親水層14包覆，也可以形成在暴露在所述碳納米管結(jié)構(gòu)12 —表面的碳納米管表面上。所述親水層14使得所述碳納米管結(jié)構(gòu)12的表面具有親水性，尤其是所述碳納米管結(jié)構(gòu)12要培養(yǎng)細胞的表面具有親水性，且該親水層14具有一極性層，該極性層為親水層14的極性化表面16。該極性化表面16形成于該親水層14遠離所述碳納米管結(jié)構(gòu)12的表面，且該極性化表面16表現(xiàn)出與所述神經(jīng)網(wǎng)絡20的神經(jīng)細胞21相反的電荷極性。該極性化表面16可以使得神經(jīng)細胞21通過電荷吸附在所述親水層14上，從而使得所述培養(yǎng)基體10比較容易吸附所述神經(jīng)細胞21，為神經(jīng)細胞21的生長和神經(jīng)網(wǎng)絡20的形成提供條件。所述親水層14的厚度不限，優(yōu)選地，當該親水層的厚度可以大于等于I納米，且小于等于100納米時，所述培養(yǎng)基體10具有良好的柔韌性及延展性。更優(yōu)地，該親水層14的厚度大于I納米，且小于等于50納米；如10納米。所述親水層14的材料可以為金屬氧化物、氧化物半導體等具有親水性的無機材料。優(yōu)選地，所述親水層14的材料為二氧化硅(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)或鐵的氧化物等。所述碳納米管結(jié)構(gòu)12由多個碳納米管組成。優(yōu)選地，所述碳納米管結(jié)構(gòu)12中多個碳納米管之間通過范德華力連接，形成一自支撐結(jié)構(gòu)。所謂“自支撐”即該碳納米管結(jié)構(gòu)12無需一支撐物支撐，也能保持自身特定的形狀。所述碳納米管結(jié)構(gòu)12為一膜狀的自支撐結(jié)構(gòu)，該碳納米管結(jié)構(gòu)12可為由至少一碳納米管膜形成的膜狀結(jié)構(gòu)，或由至少一碳納米管線形成的膜狀結(jié)構(gòu)。當所述碳納米管結(jié)構(gòu)包括多個碳納米管膜時，該多個碳納米管膜層疊設置，相鄰的碳納米管膜之間通過范德華力相結(jié)合。所述至少一碳納米管線可以通過彎折、相互交叉、編織或紡織等方式形成碳納米管膜狀結(jié)構(gòu)。所述碳納米管結(jié)構(gòu)12的厚度可根據(jù)具體需求而設置。
由于所述碳納米管結(jié)構(gòu)12由碳納米管組成且碳納米管之間通過范德華力連接，因此所述碳納米管結(jié)構(gòu)12具有彈性佳、延展性良好及質(zhì)量輕等優(yōu)點，便于裁剪和拉伸。另夕卜，碳納米管具有較好的導電導熱及發(fā)聲特性，所以所述碳納米管結(jié)構(gòu)也具有良好的導電、導熱及發(fā)聲特性。神經(jīng)細胞的生長會受到電、熱及發(fā)聲的影響，因此，在包含有所述碳納米管結(jié)構(gòu)12的所述培養(yǎng)基體10上培養(yǎng)神經(jīng)細胞，有利于研究熱、電以及發(fā)聲對神經(jīng)細胞21的影響。需要指出的是，通常情況下，所述碳納米管結(jié)構(gòu)12中的碳納米管是指未經(jīng)過化學或物理處理的碳納米管，如未經(jīng)過表面親水性處理的碳納米管，即，所述碳納米管為純碳納米管。所述碳納米管結(jié)構(gòu)12中的碳納米管可無序、無規(guī)則排列，或者所述碳納米管結(jié)構(gòu)12中的碳納米管可有序、有規(guī)則排列。具體地，所述無序排列的碳納米管的延伸方向是無規(guī)則的。所述有序排列的碳納米管的延伸方向可沿一個或多個方向擇優(yōu)取向延伸。請參閱圖2，所述碳納米管膜可為一碳納米管絮化膜，該碳納米管絮化膜為將一碳納米管原料絮化處理獲得的一自支撐的碳納米管膜。該碳納米管絮化膜包括相互纏繞且均勻分布的碳納米管。碳納米管的長度大于10微米，優(yōu)選為200微米到900微米，從而使碳納米管相互纏繞在一起。所述碳納米管之間通過范德華力相互吸引、纏繞形成網(wǎng)絡狀結(jié)構(gòu)。所述碳納米管絮化膜各向同性。所述碳納米管絮化膜中的碳納米管為均勻分布，無規(guī)則排列，形成大量尺寸在I納米到500納米之間的間隙或微孔。所述碳納米管絮化膜及其制備方法請參見2008年10月15日公開的，公開號為CN101284662A的中國發(fā)明專利申請公開說明書。所述碳納米管膜可為一碳納米管碾壓膜，該碳納米管碾壓膜為通過碾壓一碳納米管陣列獲得的一種具有自支撐性的碳納米管膜。該碳納米管碾壓膜包括均勻分布的碳納米管，碳納米管沿同一方向或不同方向擇優(yōu)取向延伸。所述碳納米管碾壓膜中的碳納米管相互部分交迭，并通過范德華力相互吸引，緊密結(jié)合，使得該碳納米管膜具有很好的柔韌性，可以彎曲折迭成任意形狀而不破裂。所述碳納米管碾壓膜中的碳納米管與形成碳納米管陣列的生長基底的表面形成一夾角P，其中大于等于0度且小于等于15度，該夾角e與施加在碳納米管陣列上的壓力有關(guān)，壓力越大，該夾角越小，優(yōu)選地，該碳納米管碾壓膜中的碳納米管平行于該生長基底排列。該碳納米管碾壓膜為通過碾壓一碳納米管陣列獲得，依據(jù)碾壓的方式不同，該碳納米管碾壓膜中的碳納米管具有不同的排列形式。具體地，請參閱圖3，當沿不同方向碾壓時，碳納米管沿不同方向擇優(yōu)取向排列；當沿同一方向碾壓時，碳納米管沿一固定方向擇優(yōu)取向排列。該碳納米管碾壓膜中碳納米管的長度大于50微米。該碳納米管碾壓膜的面積與碳納米管陣列的尺寸基本相同。該碳納米管碾壓膜厚度與碳納米管陣列的高度以及碾壓的壓力有關(guān)，可為0. 5納米到100微米之間?？梢岳斫?，碳納米管陣列的高度越大而施加的壓力越小，則制備的碳納米管碾壓膜的厚度越大；反之，碳納米管陣列的高度越小而施加的壓力越大，則制備的碳納米管碾壓膜的厚度越小。所述碳納米管碾壓膜及其制備方法請參見2008年12月3日公開的，公開號為CN101314464A的中國發(fā)明專利申請公開說明書。所述碳納米管膜可為一碳納米管拉膜，所述碳納米管拉膜是由若干碳納米管組成的自支撐結(jié)構(gòu)。請參閱圖4，碳納米管拉膜中大多數(shù)碳納米管的軸向基本沿同一方向延伸。而且，所述大多數(shù)碳納米管的整體延伸方向基本平行于碳納米管拉膜的表面。進一步地，所述碳納米管拉膜中多數(shù)碳納米管是通過范德華力首尾相連。具體地，所述碳納米管拉膜中基本朝同一方向延伸的大多數(shù)碳納米管中每一碳納米管與在延伸方向上相鄰的碳納米管通過范德華力首尾相連。當然，所述碳納米管拉膜中存在少數(shù)偏離該延伸方向的碳納米管，這些碳納米管不會對碳納米管拉膜中大多數(shù)碳納米管的整體取向排列構(gòu)成明顯影響。所述自支撐為碳納米管拉膜不需要大面積的載體支撐，而只要相對兩邊提供支撐力即能整體上懸空而保持自身膜狀狀態(tài)，即將該碳納米管拉膜置于(或固定于)間隔一定距離設置的兩個承載體上時，位于兩個承載體之間的碳納米管拉膜能夠懸空保持自身膜狀狀態(tài)。所述自支撐主要通過碳納米管拉膜中存在連續(xù)的通過范德華力首尾相連延伸排列的碳納米管而實現(xiàn)。具體地，所述碳納米管拉膜中基本朝同一方向延伸的多數(shù)碳納米管，并非絕對的 直線狀，可以適當?shù)膹澢?；或者并非完全按照延伸方向上排列，可以適當?shù)钠x延伸方向。因此，不能排除碳納米管拉膜的基本朝同一方向延伸的多數(shù)碳納米管中并列的碳納米管之間可能存在部分接觸。具體地，該碳納米管拉膜包括多個連續(xù)且定向排列的碳納米管片段。該多個碳納米管片段通過范德華力首尾相連。每一碳納米管片段由多個相互平行的碳納米管組成。該碳納米管片段具有任意的長度、厚度、均勻性及形狀。該碳納米管拉膜具有較好的透光性，可見光透過率可以達到75%以上。當該碳納米管結(jié)構(gòu)包括多個碳納米管拉膜時，所述多個碳納米管拉膜層疊設置形成一層狀結(jié)構(gòu)。該層狀結(jié)構(gòu)的厚度不限。請參閱圖5，該多個碳納米管拉膜中的相鄰的碳納米管拉膜通過范德華力結(jié)合。該層狀結(jié)構(gòu)中相鄰的碳納米管拉膜中的碳納米管之間具有一交叉角度a，且該a大于0度且小于等于90度。當相鄰的碳納米管拉膜中的碳納米管之間具有一交叉角度a時，所述多個碳納米管拉膜中的碳納米管相互交織形成一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，使所述碳納米管結(jié)構(gòu)的機械性能增加。如，所述碳納米管結(jié)構(gòu)包括多層層疊設置的碳納米管拉膜，且相鄰的碳納米管膜中的碳納米管之間的交叉角度a大致等于90度，S卩，相鄰碳納米管拉膜中的碳納米管的延伸方向大致垂直。所述碳納米管拉膜的結(jié)構(gòu)及其制備方法請參見2010年5月26日公開的，公開號為CN101239712B的中國發(fā)明專利說明書。其中，當所述層狀結(jié)構(gòu)包括的碳納米管拉膜的層數(shù)比較少，如，小于十層的碳納米管拉膜，尤其是一層的碳納米管拉膜，該層狀的碳納米管結(jié)構(gòu)具有比較好的透光性。所述碳納米管結(jié)構(gòu)還可為一碳納米管線狀結(jié)構(gòu)，該碳納米管線狀結(jié)構(gòu)包括至少一碳納米管線，該碳納米管線可以為非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線或者扭轉(zhuǎn)的碳納米管線。當該碳納米管線狀結(jié)構(gòu)包括多個碳納米管線時，該多個碳納米管線可以采用相互交叉或編織等方式形成該碳納米管線狀結(jié)構(gòu)。所述碳納米管線可以為非扭住的碳納米管線或扭轉(zhuǎn)的碳納米管線。請參閱圖6，該非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線包括大多數(shù)沿該非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線軸向方向平行排列的碳納米管。非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線可通過將碳納米管膜通過有機溶劑處理得至IJ。所述碳納米管膜包括多個碳納米管片段，該多個碳納米管片段通過范德華力首尾相連，每一碳納米管片段包括多個相互平行并通過范德華力緊密結(jié)合的碳納米管。該碳納米管片段具有任意的長度、厚度、均勻性及形狀。該非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線長度不限，直徑為0. 5納米-I毫米。具體地，可將揮發(fā)性有機溶劑浸潤所述碳納米管膜的整個表面，在揮發(fā)性有機溶劑揮發(fā)時產(chǎn)生的表面張力的作用下，碳納米管膜中的相互平行的多個碳納米管通過范德華力緊密結(jié)合，從而使碳納米管膜收縮為一非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線。該揮發(fā)性有機溶劑為乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿，本實施例中采用乙醇。通過揮發(fā)性有機溶劑處理的非扭轉(zhuǎn)碳納米管線與未經(jīng)揮發(fā)性有機溶劑處理的碳納米管膜相比，比表面積減小，粘性降低。請參閱圖7，該扭轉(zhuǎn)的碳納米管線包括大多數(shù)繞該扭轉(zhuǎn)的碳納米管線軸向螺旋排列的碳納米管。該碳納米管線可采用一機械力將所述碳納米管膜兩端沿相反方向扭轉(zhuǎn)獲得。進一步地，可采用一揮發(fā)性有機溶劑處理該扭轉(zhuǎn)的碳納米管線。在揮發(fā)性有機溶劑揮發(fā)時產(chǎn)生的表面張力的作用下，處理后的扭轉(zhuǎn)的碳納米管線中相鄰的碳納米管通過范德華力緊密結(jié)合，使扭轉(zhuǎn)的碳納米管線的比表面積減小，密度及強度增大。所述碳納米管線及其制備方法請參見范守善等人于2002年9月16日申請的，2008年8月20日公告的，公告號為CN100411979C的中國專利；以及于2005年12月16日申請的，2009年6月17日公告的，公告號為CN100500556C的中國專利。當所述碳納米管結(jié)構(gòu)12的厚度比較薄時，所述親水層14形成在該碳納米管結(jié)構(gòu)12中的每根碳納米管的表面。如，請參閱圖8，所述碳納米管結(jié)構(gòu)12為一層碳納米管拉膜，所述親水層14為一二氧化硅層，二氧化硅顆粒連續(xù)的分布在該碳納米管拉膜中的每根碳納米管的表面，并包覆每根碳納米管。當所述碳納米管結(jié)構(gòu)12的厚度比較厚時，所述親水層14形成在該碳納米管結(jié)構(gòu)12 —表面的碳納米管上，比較難以滲透到該碳納米管結(jié)構(gòu)12內(nèi)部的碳納米管的表面。如，當碳納米管結(jié)構(gòu)為多層碳納米管膜時，尤其是十層以上的碳納米管膜。本實施例中，所述碳納米管結(jié)構(gòu)12為三十層層疊設置的碳納米管拉膜，相鄰的碳納米管拉膜通過范德華力相互結(jié)合，且相鄰的碳納米管拉膜中的碳納米管的延伸方向具有一個大約為90度的交叉角。所述親水層14為一厚度大約是10納米的二氧化硅層，二氧化硅顆粒連續(xù)的分布在所述碳納米管結(jié)構(gòu)12外表面的碳納米管的表面上，從而形成該二氧化硅層。所述親水層14可使得所述碳納米管結(jié)構(gòu)12的表面具有親水性，從而有利于培養(yǎng)神經(jīng)細胞。由于所述親水層14為無機材料，比較容易保存，所以所述培養(yǎng)基體10相對比較容易保存。該親水層14可以采用物理的方法形成在所述碳納米管結(jié)構(gòu)12的表面，不容易引入其它物質(zhì)影響、損傷所述神經(jīng)細胞21，所以，該二氧化硅層幾乎不會對神經(jīng)細胞21造成損傷，不會影響所述神經(jīng)細胞21的生長?？梢岳斫猓斔鎏技{米管結(jié)構(gòu)12及親水層14都是透明的材料時，所述培養(yǎng)基體10也是透明的。如，當所述碳納米管結(jié)構(gòu)12為單層的碳納米管拉膜，所述親水層14為二氧化硅層時，該培養(yǎng)基體10即為透明的結(jié)構(gòu)。由于碳納米管結(jié)構(gòu)12具有較好的柔韌性以及延展性，而且所述親水層14的厚度小于等于100納米，所以所述培養(yǎng)基體10也具有較好的柔韌性及延展性，尤其是當所述碳納米管結(jié)構(gòu)12為碳納米管拉膜時。另外，當所述極性層12包括二氧化硅層或二氧化鈦層時，該培養(yǎng)基體10可以植入生物體中。
所述培養(yǎng)基體10可以進一步包括一基底，所述碳納米管結(jié)構(gòu)12設置該基底的表面，且所述親水層14設置在所述碳納米管結(jié)構(gòu)遠離該基底的表面。該基底用于支持所述碳納米管結(jié)構(gòu)12及親水層14。該基底的材料可以為塑料、生物降解材料或無生物毒性的材料。所述塑料可以為聚苯乙烯。所述生物降解材料可以為熱塑性淀粉塑料、脂肪族聚酯、聚乳酸、淀粉聚乙烯醇。所述無生物毒性的材料可以為硅膠，硅膠無生物毒性，且可以與生物體兼容。由于所述基底可以生物降解或無生物毒性，對生物體基本上沒有危險，所以，該培養(yǎng)基體10可以直接植入生物體中。所述基底的形狀與厚度可根據(jù)所述碳納米管結(jié)構(gòu)12的形狀與厚度設計。譬如，所述基底表面的面積及形狀可大致與所述碳納米管結(jié)構(gòu)12的面積及形狀大致相當?？梢岳斫猓斔鎏技{米管結(jié)構(gòu)12的厚度較薄時，該碳納米管結(jié)構(gòu)12具有較小機械強度及具有較大的比表面積，因此，該碳納米管結(jié)構(gòu)12容易受外力產(chǎn)生破損或容易粘附在其他物體上。將該碳納米管結(jié)構(gòu)12設置在所述基底的表面可以使該碳納米管結(jié)構(gòu)12更難受外來作用而產(chǎn)生破損，同時便于移動及防止該碳納米管結(jié)構(gòu)12粘附在親水性物體上；而且移植之后，所述基底不用去除。所述神經(jīng)網(wǎng)絡20設置在所述親水層14的極性化表面16。請參閱圖9，所述神經(jīng)網(wǎng)絡20包括多個神經(jīng)細胞21，每個神經(jīng)細胞21包括胞體22及自該胞體22延伸出來的多 個神經(jīng)突起24，且相鄰的神經(jīng)細胞21之間的神經(jīng)突起24相互連接。所述神經(jīng)突起24包括樹突與軸突。當所述培養(yǎng)基體10表面僅有一個神經(jīng)細胞21時，所述神經(jīng)細胞21的神經(jīng)突起24沿培養(yǎng)基體10的表面朝各個方向隨機生長。當所述培養(yǎng)基體10表面設置有多個神經(jīng)細胞21時，該神經(jīng)細胞21的神經(jīng)突起24具有將沿向相鄰的神經(jīng)細胞21生長的趨勢，從而使相鄰的神經(jīng)細胞21得以連接溝通。所述神經(jīng)細胞21包括哺乳動物的神經(jīng)細胞。本實施例中，所述神經(jīng)細胞21為海馬神經(jīng)細胞，且該海馬神經(jīng)細胞在具有三十層碳納米管拉膜的培養(yǎng)基體10的表面生長。其中，該培養(yǎng)基體10包括二氧化硅層以及所述三十層碳納米管拉膜，且該海馬神經(jīng)細胞設置于該二氧化硅層的極性化表面。所述碳納米管結(jié)構(gòu)具有彈性佳、延展性良好、及質(zhì)量輕等優(yōu)點，可直接植入生物體。因此，由所述碳納米管結(jié)構(gòu)做主要載體的神經(jīng)移植體可根據(jù)受損神經(jīng)系統(tǒng)的受損部位的形狀、大小進行裁剪、拉伸并植入受損部位。由于該神經(jīng)移植體包括所述神經(jīng)網(wǎng)絡，該神經(jīng)網(wǎng)絡的神經(jīng)細胞與所述受損部位兩端或邊緣的神經(jīng)細胞的距離較近，因此該神經(jīng)移植體中的神經(jīng)細胞與受損部位邊緣的神經(jīng)細胞可以重新建立聯(lián)系，可以完成神經(jīng)細胞已經(jīng)死亡的神經(jīng)系統(tǒng)的修復。請參閱圖10，本發(fā)明第一實施例提供一種神經(jīng)移植體的制備方法，其包括S10，提供一碳納米管結(jié)構(gòu)；S20，在所述碳納米管結(jié)構(gòu)的表面形成一親水層；S30，對所述親水層進行極性化處理，使得該親水層具有一極性化表面；S40，在所述親水層的極性化表面種植多個神經(jīng)細胞，其中，該極性化表面具有與該多個神經(jīng)細胞相反的電荷極性；以及S50,培養(yǎng)該多個神經(jīng)細胞直到相鄰的神經(jīng)細胞相互連接形成一神經(jīng)網(wǎng)絡。在所述步驟SlO中，所述碳納米管結(jié)構(gòu)包括多個碳納米管，該多個碳納米管之間通過范德華力相互作用形成一自支撐結(jié)構(gòu)。該碳納米管結(jié)構(gòu)可以包括至少一碳納米管膜，該碳納米管膜可為如圖2中的碳納米管絮化膜、圖3中的碳納米管碾壓膜及圖4中的碳納米管拉膜。所述碳納米管結(jié)構(gòu)也可以為碳納米管線狀結(jié)構(gòu)，該碳納米管線狀結(jié)構(gòu)包括至少一碳納米管線，該碳納米管線可為圖6中的非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線及圖7中的扭轉(zhuǎn)的碳納米管線。
步驟S20可采用蒸鍍法、濺射法或噴涂法等物理方法在所述碳納米管結(jié)構(gòu)的一個表面上形成所述親水層，該親水層遠離該碳納米管結(jié)構(gòu)的表面用于培養(yǎng)神經(jīng)細胞。該親水層的厚度大于等于I納米，且小于等于100納米。優(yōu)選地，所述碳納米管結(jié)構(gòu)在懸空狀態(tài)下，在該碳納米管結(jié)構(gòu)的表面形成所述親水層。在懸空的碳納米管結(jié)構(gòu)的表面形成親水層有利于保持碳納米管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)特性，如，當懸空設置的碳納米管結(jié)構(gòu)中的碳納米管的定向排列時，形成在該碳納米管結(jié)構(gòu)中的碳納米管表面的親水層也定向排列。所述親水層的材料可以為金屬氧化物或者氧化物半導體等親水性材料。具體地，該親水層的材料可以為二氧化硅、二氧化鈦或鐵的氧化物。所述親水層無需增加其他步驟，僅采用物理方法就可以形成在所述碳納米管結(jié)構(gòu)的表面，所以該方法比較簡單。
在步驟S30中，對所述親水層遠離碳納米管結(jié)構(gòu)的表面進行極性化處理，使得該表面為所述的極性化表面。具體地，步驟S30可以包括以下分步驟S31，提供一承載體，并將所述碳納米管結(jié)構(gòu)置于該承載體的表面。其中，該步驟S31可以為將形成有所述親水層的碳納米管結(jié)構(gòu)放置在所述承載體的表面，且所述碳納米管結(jié)構(gòu)與所述承載體接觸。具體地，先提供所述承載體，并將形成有所述親水層的碳納米管結(jié)構(gòu)剪裁成預定形狀；然后，將該預定形狀的碳納米管結(jié)構(gòu)放置在所述承載體的表面，且所述碳納米管結(jié)構(gòu)與所述承載體貼合接觸；進一步采用有機溶劑處理該形成有親水層的碳納米管結(jié)構(gòu)，使得該碳納米管結(jié)構(gòu)緊密吸附在所述承載體的表面。其中，所述承載體需要與碳納米管結(jié)構(gòu)具有較好的吸附性，尤其是該承載體需要具有平整的表面，如塑料表面皿、塑料培養(yǎng)皿或方形塑料片?？梢岳斫?，該步驟S31也可以在步驟S20之前，即先將所述碳納米管結(jié)構(gòu)置于所述承載體的表面，然后再在該碳納米管結(jié)構(gòu)的表面形成所述親水層。S32，對所述親水層進行滅菌處理。其中，對形成在碳納米管結(jié)構(gòu)上的親水層進行滅菌處理的方式不限，只要能夠殺死所述親水層及碳納米管結(jié)構(gòu)中的大部分細菌即可。譬如可采用高溫滅菌或紫外光滅菌的方式對所述親水層及所述碳納米管結(jié)構(gòu)進行滅菌。一般情況下，所述親水層及碳納米管結(jié)構(gòu)要進行紫外光滅菌。S33，采用多聚氨基酸溶液或聚醚酰亞胺溶液處理所述經(jīng)過滅菌處理的親水層。具體地，首先，將多聚氨基酸溶液或聚醚酰亞胺溶液滴到所述親水層的表面，直至覆蓋該親水層，然后放置10小時以上，使得所述親水層的表面被多聚氨基酸溶液或聚醚酰亞胺溶液極化，在該親水層的表面形成與待種植的神經(jīng)細胞相反的電荷極性的極性化表面，以增加對神經(jīng)細胞的吸附性，為神經(jīng)細胞的培養(yǎng)提供條件。然后，采用無菌去離子水清洗形成在所述親水層表面的多聚氨基酸溶液或聚醚酰亞胺溶液，露出該親水層的極性化表面，從而減少或避免多聚氨基酸溶液或聚醚酰亞胺溶液影響神經(jīng)細胞的培養(yǎng)。所述多聚氨基酸溶液可以為多聚賴氨酸溶液。其中，較優(yōu)的是應確保該所述碳納米管結(jié)構(gòu)的周邊沒有所述多聚氨基酸溶液或聚醚酰亞胺溶液，以避免在后續(xù)步驟中分布有多聚氨基酸溶液或聚醚酰亞胺溶液的承載體表面生長神經(jīng)細胞。步驟S40為在所述親水層的極性化表面滴加神經(jīng)細胞液直到該神經(jīng)細胞液覆蓋該親水層，從而使神經(jīng)細胞液中的神經(jīng)細胞種植在所述親水層的表面。所述神經(jīng)細胞包括哺乳動物的神經(jīng)細胞，如，海馬神經(jīng)細胞。其中，種植在所述的親水層表面的神經(jīng)細胞為未分化的神經(jīng)細胞，該未分化的神經(jīng)細胞分散在一種植液中形成所述神經(jīng)細胞液。
步驟S50為，將培養(yǎng)有所述神經(jīng)細胞的碳納米管結(jié)構(gòu)置于一二氧化碳培養(yǎng)箱中培養(yǎng)，并適時更換一飼養(yǎng)液。所述二氧化碳培養(yǎng)箱中的二氧化碳含量大致為5%，溫度大致為37攝氏度。其中，所述神經(jīng)細胞的培養(yǎng)環(huán)境應盡量模擬該神經(jīng)細胞在生物體內(nèi)的生存環(huán)境。所述神經(jīng)細胞的培養(yǎng)時間可根據(jù)實際需求而定。在該步驟S50中，所述多個神經(jīng)細胞的神經(jīng)突起不斷從其胞體中生長延伸出來，且該多個神經(jīng)細胞之間的神經(jīng)突起相互連接形成所述神經(jīng)網(wǎng)絡。因此，在步驟S50的環(huán)境下，所述神經(jīng)細胞在經(jīng)過培養(yǎng)之后達到成熟狀態(tài)，該神經(jīng)細 胞分化出的神經(jīng)突起相互連接形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，如圖11所示。下面以具體實施例進一步說明第一實施例提供的神經(jīng)移植體的制備方法。本實施例的神經(jīng)移植體的制備方法包括以下步驟提供一具有三十層層疊設置的碳納米管拉膜的碳納米管結(jié)構(gòu)，該碳納米管結(jié)構(gòu)中相鄰的碳納米管拉膜中的碳納米管相互交叉形成一大致為90度的夾角。將該三十層碳納米管拉膜層疊固定在一中間鏤空的框架上，使該碳納米管結(jié)構(gòu)懸空設置。采用電子束蒸鍍的方法在該碳納米管結(jié)構(gòu)的表面上蒸鍍形成一厚度大約為10納米的二氧化硅層，其中，該二氧化硅層形成在所述碳納米管結(jié)構(gòu)外表面的碳納米管上。將形成有大約10納米厚的二氧化硅層的碳納米管結(jié)構(gòu)剪成方形，然后放置在一塑料培養(yǎng)皿的底部，其中，所述碳納米管結(jié)構(gòu)與所述塑料培養(yǎng)皿的底部接觸。采用無水乙醇浸潤該碳納米管結(jié)構(gòu)，使得該碳納米管結(jié)構(gòu)緊密吸附固定在所述塑料培養(yǎng)皿的底面。將形成有二氧化硅層的碳納米管結(jié)構(gòu)及塑料培養(yǎng)皿置于一紫外滅菌箱中，并對該二氧化硅層、碳納米管結(jié)構(gòu)及塑料培養(yǎng)皿進行紫外照射，大約照射0. 5小時。在經(jīng)過殺菌處理的二氧化硅層的表面滴入濃度大約為20微克/毫升的具有多聚賴氨酸溶液,使得該多聚賴氨酸溶液完全覆蓋所述二氧化硅層的表面，并且放置20小時，所述多聚賴氨酸溶液使得二氧化硅層的表面被極化，形成極性化表面；然后采用無菌去離子沖洗掉該多聚賴氨酸溶液，露出所述二氧化硅層的極性化表面，該二氧化硅層的極性化表面具有與待種植的海馬神經(jīng)細胞相反的電荷極性。在無菌條件下，在所述二氧化硅層的極性化表面滴加一海馬神經(jīng)細胞液直到該海馬神經(jīng)細胞液覆蓋該二氧化硅層，從而使海馬神經(jīng)細胞液中的海馬神經(jīng)細胞種植在所述二氧化硅層表面，其中該海馬神經(jīng)細胞液是將未分化的海馬神經(jīng)細胞分散在一種植液中而形成的，且該海馬神經(jīng)細胞是從胎鼠的腦部中提取的。將培養(yǎng)有所述海馬神經(jīng)細胞的培養(yǎng)皿置于一二氧化碳培養(yǎng)箱中培養(yǎng)，并適時更換培養(yǎng)液。所述二氧化碳培養(yǎng)箱中的二氧化碳含量大致為5%，溫度大致為37攝氏度。所述海馬神經(jīng)細胞在培養(yǎng)箱中，用培養(yǎng)液培養(yǎng)7天左右。請參閱圖12，圖12為所述神經(jīng)移植體經(jīng)過染色后的掃描電鏡照片。從上述掃描電鏡照片可以清晰看出，所述神經(jīng)移植體中的多個海馬神經(jīng)細胞分化出多個神經(jīng)突起，該多個神經(jīng)細胞通過多個神經(jīng)突起連接在一起形成神經(jīng)網(wǎng)絡?？梢岳斫?，當實施例采用的培養(yǎng)基體為透明時，所述神經(jīng)移植體不需要經(jīng)過染色就可以通過光學顯微鏡觀察到神經(jīng)細胞、神經(jīng)網(wǎng)絡及神經(jīng)移植體。請參閱圖13，本發(fā)明第二實施例提供的神經(jīng)移植體200包括一培養(yǎng)基體30及設置在該培養(yǎng)基體30表面的神經(jīng)網(wǎng)絡20。所述培養(yǎng)基體30包括碳納米管結(jié)構(gòu)12、親水層14以及一極性層36。所述親水層14設置于該碳納米管結(jié)構(gòu)12的表面。所述極性層36設置于該親水層14遠離碳納米管結(jié)構(gòu)12的表面。所述神經(jīng)網(wǎng)絡20設置在所述極性層36遠離所述親水層14的表面。所述親水層14位于所述碳納米管結(jié)構(gòu)12與極性層36之間。
所述極性層36使得所述親水層14的表面具有極性，使得所述培養(yǎng)基體10的極性與待吸附的神經(jīng)細胞21的極性相匹配，從而使得所述培養(yǎng)基體10可以與生物兼容，使所述培養(yǎng)基體10能夠為所述神經(jīng)細胞21的種植及形成所述神經(jīng)網(wǎng)絡20提供一個良好的環(huán)境。所述極性層36具有與所述神經(jīng)網(wǎng)絡20相反的電荷極性，可以增強對神經(jīng)細胞21的吸附性。所述極性層36—般為多聚氨基酸層或聚醚酰亞胺(PEI)，可以改變所述碳納米管結(jié)構(gòu)12表面的極性，使得所述培養(yǎng)基體10的表面的極性能夠與所述神經(jīng)網(wǎng)絡20相匹配。該培養(yǎng)基體10可以為所述神經(jīng)網(wǎng)絡20的形成提供一良好的環(huán)境。所述多聚氨基酸層優(yōu)選為多聚賴氨酸O3DL)。本實施例中，所述極性化表面16為多聚賴氨酸層。請參閱圖14，本發(fā)明第二實施例提供一種神經(jīng)移植體的制備方法，其包括S10，提供一碳納米管結(jié)構(gòu)；S20，在所述碳納米管結(jié)構(gòu)的表面形成一親水層；S230，在所述親水層表面形成一極性層；S240，在所述極性層表面種植多個神經(jīng)細胞；以及S50，培育該多個神經(jīng)細胞直到該多個神經(jīng)細胞生長出多個神經(jīng)突起，且該多個神經(jīng)細胞之間的神經(jīng)突起相互連接形成一神經(jīng)網(wǎng)絡。步驟S230包括以下步驟首先將形成有所述親水層的碳納米管結(jié)構(gòu)放置在一承載體的表面，且所述碳納米管結(jié)構(gòu)與所述承載體接觸。具體地，先將形成有所述親水層的碳納米管結(jié)構(gòu)剪裁成預定形狀；然后，將該預定形狀的碳納米管結(jié)構(gòu)放置在一承載體的表面，且所述碳納米管結(jié)構(gòu)與所述承載體接觸，其中，所述承載體需要具有比較平滑的表面且與碳納米管結(jié)構(gòu)具有較好的吸附性，如塑料表面皿或塑料培養(yǎng)皿。其中，可以采用有機溶液處理該形成有親水層的碳納米管結(jié)構(gòu)，使得該碳納米管結(jié)構(gòu)緊密吸附在所述承載體的表面。然后，將多聚氨基酸溶液或聚醚酰亞胺溶液滴到所述親水層的表面，直至覆蓋該親水層，然后放置10小時以上，以形成所述極性層，使該極性層與所述多個神經(jīng)細胞具有相反的電荷極性，以增加對神經(jīng)細胞的吸附性。該多聚氨基酸溶液具體地可以為多聚賴氨酸溶液。其中，較優(yōu)的是應確保該所述碳納米管結(jié)構(gòu)的周邊沒有所述多聚氨基酸溶液或聚醚酰亞胺溶液，以避免在后續(xù)步驟中分布有多聚氨基酸溶液或聚醚酰亞胺溶液的承載體表面生長神經(jīng)細胞。本實施例中，將形成有大約10納米厚的二氧化硅層的碳納米管結(jié)構(gòu)剪成方形，然后放置在一塑料培養(yǎng)皿的底部，其中，所述碳納米管結(jié)構(gòu)與所述塑料培養(yǎng)皿的底部接觸。采用乙醇溶液浸潤該碳納米管結(jié)構(gòu)，使得該碳納米管結(jié)構(gòu)緊密吸附在所述塑料培養(yǎng)皿的底面；滴入濃度大約為20微克/毫升的具有多聚賴氨酸溶液,使得該多聚賴氨酸溶液完全覆蓋所述二氧化硅層的表面，并且放置12小時。步驟S230可以進一步包括采用紫外線照射形成有極性層的碳納米管結(jié)構(gòu)，進行殺菌消毒。步驟S240，在無菌條件下，將神經(jīng)細胞溶液注入所述極性層的表面，使神經(jīng)細胞液
覆蓋所述培養(yǎng)基體。由本發(fā)明實施例提供的神經(jīng)移植體的制備方法制備的神經(jīng)移植體具有修復生物體中神經(jīng)系統(tǒng)的神經(jīng)網(wǎng)絡的作用。所述培養(yǎng)基體中的碳納米管結(jié)構(gòu)為由碳納米管組成的自支撐結(jié)構(gòu)，具有彈性佳、延展性良好、及質(zhì)量輕等優(yōu)點，而且，所述培養(yǎng)基體的親水層的表面表現(xiàn)出的極性與所述神經(jīng)網(wǎng)絡表現(xiàn)出的極性相匹配，即相互吸引，使得該神經(jīng)網(wǎng)絡緊密吸附在該培養(yǎng)基體的表面。因此，所述神經(jīng)移植體可根據(jù)受損神經(jīng)系統(tǒng)的受損部位的形狀、大小進行裁剪、拉伸并植入受損部位。由于該神經(jīng)移植體包括所述神經(jīng)網(wǎng)絡，該神經(jīng)網(wǎng)絡的神經(jīng)細胞與所述受損部位兩端或邊緣的神經(jīng)細胞的距離較近，因此該神經(jīng)移植體中的神經(jīng)細胞與受損部位邊緣的神經(jīng)細胞可以重新建立聯(lián)系，可以完成神經(jīng)細胞已經(jīng)死亡的神經(jīng)系統(tǒng)的修復。另外，本實施例提供的神經(jīng)移植體的制備方法可以僅采用物理方法將親水層形成在所述碳納米管結(jié)構(gòu)的表面，使得該神經(jīng)移植體的制備工藝比較簡單。由于所述親水層是采用物理方法形成的，基本上不會引入影響、損傷所述神經(jīng)細胞的物質(zhì)，所以，該親水層幾乎不會對神經(jīng)細胞造成損傷，不會影響神經(jīng)細胞的生長。

另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，當然，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應包含在本發(fā)明所要求保護的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種神經(jīng)移植體，其包括 一碳納米管結(jié)構(gòu)，該碳納米管結(jié)構(gòu)包括多個碳納米管； 一親水層，該親水層設置在所述碳納米管結(jié)構(gòu)中的至少部分碳納米管的表面，且該親水層具有一極性化表面；以及 一神經(jīng)網(wǎng)絡，該神經(jīng)網(wǎng)絡設置在所述極性化表面，且該極性化表面具有與所述神經(jīng)網(wǎng)絡相匹配的極性，所述神經(jīng)網(wǎng)絡包括多個神經(jīng)細胞，該多個神經(jīng)細胞相互連接。
2.如權(quán)利要求I所述的神經(jīng)移植體，其特征在于，所述碳納米管結(jié)構(gòu)中相鄰的碳納米管之間通過范德華力相互連接形成一自支撐結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求I所述的神經(jīng)移植體，其特征在于，所述碳納米管結(jié)構(gòu)包括至少一碳納米管膜，所述碳納米管膜為碳納米管絮化膜、碳納米管碾壓膜或碳納米管拉膜。
4.如權(quán)利要求3所述的神經(jīng)移植體，其特征在于，所述碳納米管結(jié)構(gòu)包括多個層疊設置的碳納米管膜，相鄰的碳納米管膜之間通過范德華力連接。
5.如權(quán)利要求I所述的神經(jīng)移植體，其特征在于，所述碳納米管結(jié)構(gòu)由至少一碳納米管線狀結(jié)構(gòu)構(gòu)成，該碳納米管線狀結(jié)構(gòu)包括至少一碳納米管線，該碳納米管線為非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線或扭轉(zhuǎn)的碳納米管線。
6.如權(quán)利要求I所述的神經(jīng)移植體，其特征在于，所述碳納米管結(jié)構(gòu)中的多個碳納米管的軸向沿同一方向擇優(yōu)取向延伸且基本平行于所述碳納米管結(jié)構(gòu)所在的平面。
7.如權(quán)利要求6所述的神經(jīng)移植體，其特征在于，所述沿同一方向延伸的相鄰的碳納米管通過范德華力首尾相連。
8.如權(quán)利要求I所述的神經(jīng)移植體，其特征在于，所述親水層設置在所述碳納米管結(jié)構(gòu)中的每根碳納米管的表面。
9.如權(quán)利要求I所述的神經(jīng)移植體，其特征在于，所述親水層設置在所述碳納米管結(jié)構(gòu)外表面的碳納米管的表面。
10.如權(quán)利要求I所述的神經(jīng)移植體，其特征在于，所述親水層的材料為具有親水性的金屬氧化物或氧化物半導體。
11.如權(quán)利要求I所述的神經(jīng)移植體，其特征在于，所述親水層的材料為二氧化硅、二氧化鈦或鐵的氧化物。
12.如權(quán)利要求I所述的神經(jīng)移植體，其特征在于，所述親水層的厚度大于等于I納米，且小于等于100納米。
13.—種神經(jīng)移植體,其包括 一碳納米管結(jié)構(gòu)； 一親水層，該親水層設置在所述碳納米管結(jié)構(gòu)的表面；以及 一神經(jīng)網(wǎng)絡，該神經(jīng)網(wǎng)絡設置在所述親水層遠離所述碳納米管結(jié)構(gòu)的表面，且該親水層遠離所述碳納米管結(jié)構(gòu)的表面具有與所述神經(jīng)網(wǎng)絡相匹配的電荷極性，所述神經(jīng)網(wǎng)絡包括多個神經(jīng)細胞，該多個神經(jīng)細胞相互連接。
14.如權(quán)利要求13所述的神經(jīng)移植體，其特征在于，所述親水層的材料為二氧化硅、二氧化鈦或鐵的氧化物。
15.如權(quán)利要求13所述的神經(jīng)移植體，其特征在于，所述親水層的厚度大于等于I納米且小于等于100納米。
16.如權(quán)利要求13所述的神經(jīng)移植體，其特征在于，所述碳納米管結(jié)構(gòu)包括多個碳納米管，所述親水層設置在部分碳納米管的表面。
17.一種神經(jīng)移植體，其包括 一基底，該基底的材料為生物降解材料或無生物毒性的材料； 一碳納米管結(jié)構(gòu)，該碳納米管結(jié)構(gòu)設置在所述基底的表面，該碳納米管結(jié)構(gòu)包括多個碳納米管； 一親水層，該親水層設置在所述碳納米管結(jié)構(gòu)中的部分碳納米管的表面；以及多個神經(jīng)細胞，該多個神經(jīng)細胞設置在所述親水層的表面，且該親水層的表面具有與所述多個神經(jīng)細胞相匹配的電荷極性。
18.如權(quán)利要求17所述的神經(jīng)移植體，其特征在于，所述碳納米管結(jié)構(gòu)為碳納米管膜狀結(jié)構(gòu)。
19.如權(quán)利要求17所述的神經(jīng)移植體，其特征在于，所述基底為硅膠基底。
20.一種神經(jīng)移植體，其包括 一碳納米管膜狀結(jié)構(gòu)； 一親水層，該親水層設置在所述碳納米管膜狀結(jié)構(gòu)的表面；以及多個神經(jīng)細胞，該多個神經(jīng)細胞設置在所述親水層的表面，且通過電荷吸附在所述親水層的表面。
21.—種神經(jīng)移植體，其包括 一碳納米管結(jié)構(gòu)； 一親水層，該親水層設置在所述碳納米管結(jié)構(gòu)表面； 一極性層，該極性層設置在所述親水層遠離所述碳納米管結(jié)構(gòu)的表面；以及一神經(jīng)網(wǎng)絡，該神經(jīng)網(wǎng)絡設置在所述極性層遠離所述親水層的表面，所述神經(jīng)網(wǎng)絡包括多個神經(jīng)細胞及多個神經(jīng)突起，所述多個神經(jīng)細胞之間的神經(jīng)突起相互連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種神經(jīng)移植體，其包括一碳納米管結(jié)構(gòu)、一親水層、一極性層以及一神經(jīng)網(wǎng)絡。所述碳納米管結(jié)構(gòu)包括多個碳納米管。所述親水層設置在所述碳納米管結(jié)構(gòu)中的至少部分碳納米管的表面。所述極性層形成于所述親水層遠離所述碳納米管結(jié)構(gòu)的表面。所述神經(jīng)網(wǎng)絡設置在所述極性層，且該極性層具有與所述神經(jīng)網(wǎng)絡相匹配的極性，所述神經(jīng)網(wǎng)絡包括多個神經(jīng)細胞，該多個神經(jīng)細胞相互連接。所述神經(jīng)移植體還可以進一步包括一基底，所述碳納米管結(jié)構(gòu)設置在該基底的表面。
文檔編號A61L27/02GK102614031SQ20111010079
公開日2012年8月1日 申請日期2011年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月28日
發(fā)明者馮辰, 范立, 趙文美 申請人:清華大學, 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司