專利名稱：一種抗菌止癢疤痕敷貼的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及醫(yī)用產品，特別涉及了 一種抗菌止癢疤痕敷貼。
背景技術：
目前，公知的疤痕敷貼采用單一的醫(yī)用硅凝膠制成，治療疤痕，療效顯著。但其帖 服皮膚后大多有皮膚發(fā)紅、搔癢等炎癥反應，嚴重影響疤痕敷貼的使用。

實用新型內容本實用新型的目的是為了實現(xiàn)疤痕敷貼同時抗菌止癢，特提供了一種抗菌止癢疤 痕敷貼。本實用新型提供了一種抗菌止癢疤痕敷貼，其特征在于所述的抗菌止癢疤痕敷 貼包括脫膜墊板層1，硅凝膠層2，金屬粒子/光催化氧化物型復合納米抗菌劑層3 ；其中金屬粒子/光催化氧化物型復合納米抗菌劑層3在中間，其兩面分別貼有脫 膜墊板層1和硅凝膠層2。所述的金屬粒子/光催化氧化物型復合納米抗菌劑層3中的金屬粒子為Ag，光催 化氧化物為Ti02。為了克服現(xiàn)有的疤痕敷貼使用過程中的炎癥反應，要求不僅能有效防止和治療手 術、外傷和燒傷后各類疤痕，而且能對創(chuàng)面進行有效抗菌、殺菌，使創(chuàng)面止癢，極大方便受者 使用。在原有的疤痕敷貼表面涂布金屬粒子(Ag) /光催化氧化物(TiO2)型復合納米抗 菌劑，當疤痕敷貼帖服于皮膚時，復合納米抗菌劑首先作用于皮膚。金屬粒子/光催化氧化物型復合納米抗菌劑是將具有抗菌功能的納米金屬粒子 與光催化氧化物進行復合，使用時納米金屬粒子與氧化物形成的活性氧基團同時被釋放， 使材料兼具有高效的殺菌和光催化作用，兩者由于協(xié)同效應其抗菌作用效果更強。銀本身具有預防傷口潰爛和加速傷口愈合的作用，經過納米技術處理的納米銀因 表面急劇增大，使其殺菌能力可提高200倍左右，同時抗菌活性并不隨反應而消耗，仍能長 期保持原有的抗菌能力。納米銀的抗菌原理主要是納米化的銀顆粒在潮濕的環(huán)境中會釋放 出帶正電荷的銀離子，當正電荷的銀離子接觸到帶負電荷的細菌細胞后，會因為銀離子與 蛋白質上硫醇基(-SH)的特異性結合作用力，有效地刺穿細胞壁與細胞膜外表，進一步使 細菌細胞蛋白質變性，而無法呼吸、代謝和繁殖，直至死亡，達到滅菌的效果。通過材料表面 涂布實驗表明，在37°C，大于5. 7ug/Cm2的納米銀材料作用1小時對大腸桿菌和金黃色葡萄 球菌抑制率均大于95%。通過安全性實驗表明。納米銀材料屬于實際無毒級。納米銀材料 具有高效抗菌活性，同時使用安全。納米TiO2抗菌作用機理不同于一般的無機和有機抗菌劑，它并非靠藥物的滲出和 游離而產生抗菌作用，它的滅菌機理在于光催化作用。納米銀能使細菌細胞失去活性，但細 菌殺死后，尸體可釋放出有害的組分，如內毒素。納米TiO2不僅能影響細菌繁殖力，而且能攻擊細菌細胞的外層，穿透細胞膜，破壞細菌的細胞膜結構，達到徹底降解細菌，防止內毒 素引起的二次污染。同時納米TiO2的殺菌效果不受光源作用的限制，即使是很微弱的光源， 添加該納米TiO2的材料都能夠產生明顯的抗菌效果。同時，納米TiO2還可釋放氧氣，使創(chuàng)面止癢，方便受者使用。本實用新型的優(yōu)點使疤痕敷貼有效防止和治療手術、外傷和燒傷后各類疤痕的同時，對創(chuàng)面進行有 效抗菌、殺菌，使創(chuàng)面止癢，極大方便受者使用。
以下結合附圖及實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明


圖1為抗菌止癢疤痕敷貼結構示意圖。
具體實施方式
實施例1本實施例提供了一種抗菌止癢疤痕敷貼，其特征在于所述的抗菌止癢疤痕敷貼 包括脫膜墊板層1，硅凝膠層2，金屬粒子/光催化氧化物型復合納米抗菌劑層3 ；其中金屬粒子/光催化氧化物型復合納米抗菌劑層3在中間，其兩面分別貼有脫 膜墊板層1和硅凝膠層2。所述的金屬粒子/光催化氧化物型復合納米抗菌劑層3中的金屬粒子為Ag，光催 化氧化物為Ti02。
權利要求一種抗菌止癢疤痕敷貼，其特征在于所述的抗菌止癢疤痕敷貼包括脫膜墊板層(1)，硅凝膠層(2)，金屬粒子/光催化氧化物型復合納米抗菌劑層(3)；其中金屬粒子/光催化氧化物型復合納米抗菌劑層(3)在中間，其兩面分別貼有脫膜墊板層(1)和硅凝膠層(2)。
2.按照權利要求1所述的抗菌止癢疤痕敷貼，其特征在于所述的金屬粒子/光催化 氧化物型復合納米抗菌劑層(3)中的金屬粒子為Ag，光催化氧化物為Ti02。
專利摘要一種抗菌止癢疤痕敷貼，其特征在于所述的抗菌止癢疤痕敷貼包括脫膜墊板層，硅凝膠層，金屬粒子/光催化氧化物型復合納米抗菌劑層；其中金屬粒子/光催化氧化物型復合納米抗菌劑層在中間，其兩面分別貼有脫膜墊板層和硅凝膠層。本實用新型的優(yōu)點使疤痕敷貼有效防止和治療手術、外傷和燒傷后各類疤痕的同時，對創(chuàng)面進行有效抗菌、殺菌，使創(chuàng)面止癢，極大方便受者使用。
文檔編號A61F13/02GK201664376SQ200920288320
公開日2010年12月8日 申請日期2009年12月23日 優(yōu)先權日2009年12月23日
發(fā)明者于云龍 申請人:于云龍