技術(shù)編號(hào)：9902233
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及納米結(jié)構(gòu)晶體改善技術(shù)，特別是一種通過場(chǎng)發(fā)射自加熱誘導(dǎo)一維或二維納米材料改善結(jié)晶性的方法和裝置，屬于納米材料和真空微納電子領(lǐng)域。技術(shù)背景晶體的不完整性是在晶體形成時(shí)引起的，可以說，完全消除晶體的點(diǎn)陣缺陷在原理上是不可能的；或者說，世界上不存在理想的完整晶體。根據(jù)點(diǎn)陣缺陷在空間的不同維數(shù)，缺陷類型可以分為點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷和體缺陷。其中，點(diǎn)缺陷包括原子空位和間隙原子，線缺陷包括各種位錯(cuò)，面缺陷包括層錯(cuò)、相界和晶界，而體缺陷則包括材料體內(nèi)的空腔和氣...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。