技術(shù)編號(hào):9502280
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。目前,多晶硅錠的制備方法主要是利用GTSolar提供的定向凝固系統(tǒng)進(jìn)行制備,該方法通常包括加熱、熔化、長晶、退火和冷卻等步驟。在凝固長晶過程中,通過對(duì)頂部溫度和側(cè)邊保溫罩開度進(jìn)行控制,使得熔融硅液在坩禍底部獲得足夠的過冷度凝固結(jié)晶。但目前鑄錠使用的一個(gè)重要輔材一一多晶鑄錠用石英坩禍,由于自身的純度相對(duì)較低(純度僅4N左右),導(dǎo)致在鑄錠過程中有大量坩禍內(nèi)部的雜質(zhì)通過熱擴(kuò)散進(jìn)入到多晶硅錠中,使得與坩禍側(cè)壁接觸的晶磚易形成雜質(zhì)富集區(qū),簡稱為“黑邊”,大大影響的多...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。